JPH0376540B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0376540B2 JPH0376540B2 JP57198415A JP19841582A JPH0376540B2 JP H0376540 B2 JPH0376540 B2 JP H0376540B2 JP 57198415 A JP57198415 A JP 57198415A JP 19841582 A JP19841582 A JP 19841582A JP H0376540 B2 JPH0376540 B2 JP H0376540B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical storage
- storage medium
- substrate
- layer
- optical
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011232 storage material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明レーザ光を用いて情報の記録・再生を行
なうことのできる光記憶媒体を備えた光記憶素子
に関する。
なうことのできる光記憶媒体を備えた光記憶素子
に関する。
＜従来技術＞
近年、大容量、高密度、高速アクセス化への可
能性を背景に光記憶素子の研究開発が産業界を中
心として急速な立上がりを見せている。そして既
に再生専用の光記憶素子や再生及び情報の追加記
録を可能とする光記憶素子が実用化の段階に達し
ている。又情報の再生、消去、再記録まで可能に
した光記憶素子も磁気光学記憶素子を中心に活発
にその開発が推進されている。しかし上述した光
記憶素子の光記録媒体として有望な記憶部材例え
ばTe薄膜、Te低級酸化物薄膜、色素薄膜、希土
類−遷移金属合金非晶質薄膜等は大気或いは水蒸
気に触れた時に非常に腐食され易いので、使用環
境、保存環境等の制約、信頼性の低下、或いは使
い勝手の悪さがあつた。その為従来ではこの腐食
の問題に対する解決手段として外気を遮断する為
の種々のデイスク構造が既に提案されている。
能性を背景に光記憶素子の研究開発が産業界を中
心として急速な立上がりを見せている。そして既
に再生専用の光記憶素子や再生及び情報の追加記
録を可能とする光記憶素子が実用化の段階に達し
ている。又情報の再生、消去、再記録まで可能に
した光記憶素子も磁気光学記憶素子を中心に活発
にその開発が推進されている。しかし上述した光
記憶素子の光記録媒体として有望な記憶部材例え
ばTe薄膜、Te低級酸化物薄膜、色素薄膜、希土
類−遷移金属合金非晶質薄膜等は大気或いは水蒸
気に触れた時に非常に腐食され易いので、使用環
境、保存環境等の制約、信頼性の低下、或いは使
い勝手の悪さがあつた。その為従来ではこの腐食
の問題に対する解決手段として外気を遮断する為
の種々のデイスク構造が既に提案されている。
例えば基板に層設した光記憶媒体の上に有機材
料に代表される保護層を形成したり、光記憶媒体
を内面に形成した基板と他の基板とをスペーサを
介して貼り合わせるエアーサンドイツチ構造にし
たりする方法がそれである。しかしこれらの方法
を採用した場合、基板あるいは保護層自体を通過
する外気水分、酸素の侵入を防止する為の対策に
はなり得るものの光記憶素子の外・内周部より各
層界面あるいは接着層を通つてくる外気水分、酸
素の侵入を防止することは不可能であつた。
料に代表される保護層を形成したり、光記憶媒体
を内面に形成した基板と他の基板とをスペーサを
介して貼り合わせるエアーサンドイツチ構造にし
たりする方法がそれである。しかしこれらの方法
を採用した場合、基板あるいは保護層自体を通過
する外気水分、酸素の侵入を防止する為の対策に
はなり得るものの光記憶素子の外・内周部より各
層界面あるいは接着層を通つてくる外気水分、酸
素の侵入を防止することは不可能であつた。
＜目的＞
本発明は以上の従来問題点を解消する為になさ
れたものであり、光記憶素子の外・内周部より侵
入する外気水分、酸素に対する効果的な防御構造
を備えた光記憶素子を提供する事を目的とする。
れたものであり、光記憶素子の外・内周部より侵
入する外気水分、酸素に対する効果的な防御構造
を備えた光記憶素子を提供する事を目的とする。
＜問題点を解決するための手段＞
上述の目的を達成するために、本発明は円形状
の基板と、該基板上に形成され、レーザ光を用い
て情報を記録し再生することのできる光記憶媒体
層と、該光記憶媒体層の終端縁に沿つて、前記基
板上に形成された薄層状の酸化防食層と、前記光
記憶媒体層と前記酸化防食層との上に、両者に密
着して形成された保護層とを備えることを特徴と
する光記憶素子である。
の基板と、該基板上に形成され、レーザ光を用い
て情報を記録し再生することのできる光記憶媒体
層と、該光記憶媒体層の終端縁に沿つて、前記基
板上に形成された薄層状の酸化防食層と、前記光
記憶媒体層と前記酸化防食層との上に、両者に密
着して形成された保護層とを備えることを特徴と
する光記憶素子である。
＜実施例＞
以下、本発明に係る光記憶素子の一実施例につ
いて図面を用いて詳細に説明する。
いて図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明に係る光記憶素子の一実施例の
外観斜視図、第２図はその一部側面断面図であ
る。１はガラス、合成樹脂等からなる支持基板で
あり、該支持基板１上にTe薄膜、Te低級酸化物
薄膜、色素薄膜、希土類−遷移金属合金非晶質薄
膜等の記憶媒体層２が形成され、該記憶媒体層２
に近接した外・内周部に防食層３が形成される。
この防食層３は酸化された時その表面に酸化物の
薄膜が形成されて不働態化するTa、Ti、Al、
Cr、ステンレス鋼、アルミニウム合金、チタン
合金や、酸素に対して極めて大きな吸収、消費能
を有するMg、Be、希土類金属の薄層等が用いら
れる。上記防食層３周辺には接着剤４が配置さ
れ、該接着剤４によつて支持基板１とガラス、合
成樹脂等からなる保護板５とが貼り合わされる。
以上の構造の光記憶素子では記憶媒体層２はその
外・内周方向において接着層４・防食層３・接着
層４の３層を介して外気に対している。従つて記
憶媒体層２の酸化を著しく抑えることが可能とな
る。
外観斜視図、第２図はその一部側面断面図であ
る。１はガラス、合成樹脂等からなる支持基板で
あり、該支持基板１上にTe薄膜、Te低級酸化物
薄膜、色素薄膜、希土類−遷移金属合金非晶質薄
膜等の記憶媒体層２が形成され、該記憶媒体層２
に近接した外・内周部に防食層３が形成される。
この防食層３は酸化された時その表面に酸化物の
薄膜が形成されて不働態化するTa、Ti、Al、
Cr、ステンレス鋼、アルミニウム合金、チタン
合金や、酸素に対して極めて大きな吸収、消費能
を有するMg、Be、希土類金属の薄層等が用いら
れる。上記防食層３周辺には接着剤４が配置さ
れ、該接着剤４によつて支持基板１とガラス、合
成樹脂等からなる保護板５とが貼り合わされる。
以上の構造の光記憶素子では記憶媒体層２はその
外・内周方向において接着層４・防食層３・接着
層４の３層を介して外気に対している。従つて記
憶媒体層２の酸化を著しく抑えることが可能とな
る。
以上の本発明の実施例では記憶媒体層が一層の
片面仕様の光記憶素子について示したものである
が、記憶媒体層を二層配置した両面仕様の光記憶
素子においても本発明を適用できる事は勿論であ
る。
片面仕様の光記憶素子について示したものである
が、記憶媒体層を二層配置した両面仕様の光記憶
素子においても本発明を適用できる事は勿論であ
る。
＜効果＞
以上説明したように、本発明に係る光記憶素子
は円形状の基板の上にレーザ光を用いて情報を記
録し再生することのできる光記憶媒体層が形成さ
れ、この光記憶媒体層の終端縁に沿い、しかも、
前記基板上に薄層状の酸化防食層が形成され、さ
らに、前記光記憶媒体層と前記酸化防食層との両
者の上に、この両者に密着して形成された保護層
とを備える構造を有しているので、記憶素子の
内・外周の終端縁部から侵入する酸素や水分等を
著しく抑制することができ、記憶媒体の酸化によ
る特性劣化を軽減し、信頼性の優れた光記憶素子
を提供することができる。
は円形状の基板の上にレーザ光を用いて情報を記
録し再生することのできる光記憶媒体層が形成さ
れ、この光記憶媒体層の終端縁に沿い、しかも、
前記基板上に薄層状の酸化防食層が形成され、さ
らに、前記光記憶媒体層と前記酸化防食層との両
者の上に、この両者に密着して形成された保護層
とを備える構造を有しているので、記憶素子の
内・外周の終端縁部から侵入する酸素や水分等を
著しく抑制することができ、記憶媒体の酸化によ
る特性劣化を軽減し、信頼性の優れた光記憶素子
を提供することができる。
第１図は本発明に係る光記憶素子の一実施例の
外観斜視図、第２図はその一部側面断面図を示
す。 図中、１：支持基板、２：記憶媒体層、３：防
食層、４：接着剤、５：保護板。
外観斜視図、第２図はその一部側面断面図を示
す。 図中、１：支持基板、２：記憶媒体層、３：防
食層、４：接着剤、５：保護板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 円形状の基板と 該基板上に形成され、レーザ光を用いて情報を
記録し再生することのできる光記憶媒体層と、 該光記憶媒体層の終端縁に沿つて、前記基板上
に形成された薄層状の酸化防食層と、 前記光記憶媒体層と前記酸化防食層との上に、
両者に密着して形成された保護層と を備えることを特徴とする光記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198415A JPS5987635A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | 光記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198415A JPS5987635A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | 光記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987635A JPS5987635A (ja) | 1984-05-21 |
| JPH0376540B2 true JPH0376540B2 (ja) | 1991-12-05 |
Family
ID=16390732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57198415A Granted JPS5987635A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | 光記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5987635A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1393418B1 (de) | 2001-04-12 | 2005-06-22 | Finisar Corporation | Verfahren und vorrichtung zur regelung der mittenwellenlänge eines lasers, insbesondere eines halbleiterlasers |
| DE10118451A1 (de) | 2001-04-12 | 2002-10-24 | Aifotec Ag Fiberoptics | Justierverfahren, insbesondere Laser-Justierverfahren, und hierfür geeigneter Aktor |
| DE10128827A1 (de) | 2001-06-15 | 2003-01-09 | Aifotec Ag Fiberoptics | Justierverfahren, insbesondere Laser-Justierverfahren und hierfür geeigneter Aktor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5683852A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-08 | Toshiba Corp | Optical recording material |
-
1982
- 1982-11-11 JP JP57198415A patent/JPS5987635A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5683852A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-08 | Toshiba Corp | Optical recording material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5987635A (ja) | 1984-05-21 |
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