JPS5987635A - 光記憶素子 - Google Patents
光記憶素子Info
- Publication number
- JPS5987635A JPS5987635A JP57198415A JP19841582A JPS5987635A JP S5987635 A JPS5987635 A JP S5987635A JP 57198415 A JP57198415 A JP 57198415A JP 19841582 A JP19841582 A JP 19841582A JP S5987635 A JPS5987635 A JP S5987635A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- storage medium
- optical storage
- layers
- oxidation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はレーザ光を用いて情報の記録・再生を行なうこ
とのできる光記憶媒体を備えた光記憶素子に関する。
とのできる光記憶媒体を備えた光記憶素子に関する。
〈従来技術〉
近年、大容量、高密度、高速アクセス化への可能性を背
景に光記憶素子の研究開発が産業界を中心として急速な
立上がシを見せている。そして既に再生専用の光記憶素
子や再生及び情報の追加記録を可能とする光記憶素子が
実用化の段階に達している。又情報の再生、消去、再記
録まで可能にした光記憶素子も磁気光学記憶素子を中心
に活発にその開発が推進されている。しかし上述した光
記憶素子の光記憶媒体として有望な記憶部材例えばＴｅ
薄膜、Ｔｅ低級酸化物薄膜１色素薄膜、希土類−遷移金
属合金非晶質薄膜等は大気或いは水蒸気に触れた時に非
常に腐食され易いので、使用環境、保存環境等の制約、
信頼性の低下、或いは使い勝手の悪さがあった。その為
従来ではこの腐食の問題に対する解決手段として外気を
遮断する為の種々のディスク構造が既に提案されている
。
景に光記憶素子の研究開発が産業界を中心として急速な
立上がシを見せている。そして既に再生専用の光記憶素
子や再生及び情報の追加記録を可能とする光記憶素子が
実用化の段階に達している。又情報の再生、消去、再記
録まで可能にした光記憶素子も磁気光学記憶素子を中心
に活発にその開発が推進されている。しかし上述した光
記憶素子の光記憶媒体として有望な記憶部材例えばＴｅ
薄膜、Ｔｅ低級酸化物薄膜１色素薄膜、希土類−遷移金
属合金非晶質薄膜等は大気或いは水蒸気に触れた時に非
常に腐食され易いので、使用環境、保存環境等の制約、
信頼性の低下、或いは使い勝手の悪さがあった。その為
従来ではこの腐食の問題に対する解決手段として外気を
遮断する為の種々のディスク構造が既に提案されている
。
例えば基框に層設した光記憶媒体の上に有機材料に代表
される保護層を形成したり、光記憶媒体を内面に形成し
た基板と他の基板とをスペーサを介して貼シ合わせるエ
アーサンドインチ構造にしたシする方法がそれである。
される保護層を形成したり、光記憶媒体を内面に形成し
た基板と他の基板とをスペーサを介して貼シ合わせるエ
アーサンドインチ構造にしたシする方法がそれである。
しかしこれらの方法を採用した場合、基板あるいは保護
層自体を通過する外気水分、酸素の侵入を防止する為の
対策にはなシ得るものの光記憶素子の外・内周部よシ各
層界面あるいは接着層を通ってくる外気水分、酸素の侵
入を防止することは不可能であった。
層自体を通過する外気水分、酸素の侵入を防止する為の
対策にはなシ得るものの光記憶素子の外・内周部よシ各
層界面あるいは接着層を通ってくる外気水分、酸素の侵
入を防止することは不可能であった。
〈目的〉
本発明は以上の従来問題点を解消する為に々されたもの
であシ、光記憶素子の外・内周部より侵入する外気水分
、酸素に対する効果的な防御構造を備えた光記憶素子を
提供する事を目的とする。
であシ、光記憶素子の外・内周部より侵入する外気水分
、酸素に対する効果的な防御構造を備えた光記憶素子を
提供する事を目的とする。
〈実施例〉
以下、本発明に係る光記憶素子の一実施例について図面
を用いて詳細に説明する。
を用いて詳細に説明する。
Ｍ１図は本発明に係る光記憶素子の一実施例の外観斜視
図、第２図はその一部側面断面図である。
図、第２図はその一部側面断面図である。
１はガラス、合成樹脂等からなる支持基板であシ、該支
持基板１上にＴｅ薄膜ｖＴｅ低級酸化物薄膜。
持基板１上にＴｅ薄膜ｖＴｅ低級酸化物薄膜。
色素薄膜、希土類−遷移金属合金非晶質薄膜等の記憶媒
体層２が形成され、該記憶媒体層２に近接した外・内周
部に防食層３が形成される。この防食層３は酸化された
時その表面に酸化物の薄膜が形成されて不働態化するＴ
ａ ＋ Ｔ ｉ＋ ｋｌ ＋ Ｃｒ ＋ステンレス鋼
、アルミニウム合金、チタン合金や、酸素に対して極め
て大きな吸収、消費能を有するＭｇ、Ｂｅ、希土類金属
の薄層等が用いられる。上記防食層３周辺には接着剤４
が配置され、該接着剤４によって支持基板１とガラス、
合成樹脂等からなる保護板５とが貼シ合わされる。以上
の構造の光記憶素子では記憶媒体層２はその外・内周方
向において接着層４・防食層３・接着層４の３層を介し
て外気に対している。従って記憶媒体層２の酸化を著し
く抑えることが可能となる０以上の本発明の実施例では
記憶媒体層が一層の片面仕様の光記憶素子について示し
たものであるが、記憶媒体層を二層配置した両面仕様の
光記憶素子においても本発明を適用できる事は勿論であ
る０ 〈効果〉 本発明によれば特に記憶素子の内・外周部よシ侵入する
酸素・水分等を著しく抑制し、記憶媒体の酸化による特
性劣化を軽減し、信頼性に優る光記憶素子を得ることが
できるものである。
体層２が形成され、該記憶媒体層２に近接した外・内周
部に防食層３が形成される。この防食層３は酸化された
時その表面に酸化物の薄膜が形成されて不働態化するＴ
ａ ＋ Ｔ ｉ＋ ｋｌ ＋ Ｃｒ ＋ステンレス鋼
、アルミニウム合金、チタン合金や、酸素に対して極め
て大きな吸収、消費能を有するＭｇ、Ｂｅ、希土類金属
の薄層等が用いられる。上記防食層３周辺には接着剤４
が配置され、該接着剤４によって支持基板１とガラス、
合成樹脂等からなる保護板５とが貼シ合わされる。以上
の構造の光記憶素子では記憶媒体層２はその外・内周方
向において接着層４・防食層３・接着層４の３層を介し
て外気に対している。従って記憶媒体層２の酸化を著し
く抑えることが可能となる０以上の本発明の実施例では
記憶媒体層が一層の片面仕様の光記憶素子について示し
たものであるが、記憶媒体層を二層配置した両面仕様の
光記憶素子においても本発明を適用できる事は勿論であ
る０ 〈効果〉 本発明によれば特に記憶素子の内・外周部よシ侵入する
酸素・水分等を著しく抑制し、記憶媒体の酸化による特
性劣化を軽減し、信頼性に優る光記憶素子を得ることが
できるものである。
第１図は本発明に係る光記憶素子の一実施例り外観斜視
図、第２図はその一部ｓ１ｈ剪伽図を示す。 図中、 １：支持基板 ２：記憶媒体層３：防食層
４：接着剤 ５：保護板
図、第２図はその一部ｓ１ｈ剪伽図を示す。 図中、 １：支持基板 ２：記憶媒体層３：防食層
４：接着剤 ５：保護板
Claims (1)
- １、円形状の基板上に、レーザ光を用いて情報の記録・
再生を行なうことのできるＴｃ薄膜、Ｔｅ低級酸化物薄
膜１色素薄膜、希土類−遷移金属合金非晶質薄膜等の光
記憶媒体を層設し、少なくとも前記光記憶媒体の外周及
び／又は内周に酸化防食層を形成し、前記光記憶媒体及
び前記酸化防食層上に保護層を形成したことを特徴とす
る光記憶素子。−
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198415A JPS5987635A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | 光記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198415A JPS5987635A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | 光記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987635A true JPS5987635A (ja) | 1984-05-21 |
| JPH0376540B2 JPH0376540B2 (ja) | 1991-12-05 |
Family
ID=16390732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57198415A Granted JPS5987635A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | 光記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5987635A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7356055B2 (en) | 2001-04-12 | 2008-04-08 | Finisar Corporation | Method and device for regulating the average wavelength of a laser, especially a semiconductor laser |
| US7679843B2 (en) | 2001-06-15 | 2010-03-16 | Finisar Corporation | Adjustment method, particularly a laser adjustment method, and an actuator suitable for the same |
| US7862319B2 (en) | 2001-04-12 | 2011-01-04 | Finisar Corporation | Adjustment method, particularly a laser adjustment method, and an actuator suitable for the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5683852A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-08 | Toshiba Corp | Optical recording material |
-
1982
- 1982-11-11 JP JP57198415A patent/JPS5987635A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5683852A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-08 | Toshiba Corp | Optical recording material |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7356055B2 (en) | 2001-04-12 | 2008-04-08 | Finisar Corporation | Method and device for regulating the average wavelength of a laser, especially a semiconductor laser |
| US7862319B2 (en) | 2001-04-12 | 2011-01-04 | Finisar Corporation | Adjustment method, particularly a laser adjustment method, and an actuator suitable for the same |
| US7679843B2 (en) | 2001-06-15 | 2010-03-16 | Finisar Corporation | Adjustment method, particularly a laser adjustment method, and an actuator suitable for the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0376540B2 (ja) | 1991-12-05 |
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