JPH0375651A - パターン修正装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はフォトマスク等の／くターン修正装置（こ関す
るものである。

従来の技術 以下に従来のフォトマスクｌくターン修正装置（こつい
て説明する。第３図は従来の修正装置である。

１は欠陥データ人力部、２はフォトマスク、３（よステ
ージ、４は光源、５は二次荷電粒子検出器、６はＣＲＴ
’である。Ｆはマスクノくターン方１１］とノくターン
データの方向を表わしている。以下、その動作について
説明する。欠陥検査装置で得ら第１たフォトマスクの欠
陥データを欠陥データ入力部１に人力する。フォトマス
ク２は欠陥データと同一の座標軸になるようにステージ
３上にセ・ントされる。ステージ３は欠陥データ入力部
１（こ記憶さオｔた欠陥座標までフォトマスク２を移動
し、修正しようとする欠陥の認識をはじめる。光−ＦＡ
４よ０荷電粒子をフォトマスク２に照射する。それ；こ
よってフォトマスク２より発生する二次荷電粒子を２次
荷電粒子検出器５で検出し、ＣＲＴ６上に二次荷電粒子
像として欠陥部をイメージする。光源４゜二次荷電粒子
検出器５は修正装置内に固定されている。その後、ビー
ムを用いて実際の欠陥修正作業を行う。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記の従来の構成では、二次荷電粒子検
出器５が一方向に固定されているために、ＣＲＴ６上に
イメージしたパターンのエツジについて、エツジの存在
する方向によりイメージの解像度に差が生じる。二次荷
電粒子検出器５に近いエツジと遠いエツジとの解像度に
は大差がある。

しかし、実際に発生するフォトマスクの欠陥には方向性
がなく、解像度の悪いエツジに欠陥がある場合には、修
正精度は低下する。

最良のパターンエツジの解像度を得るために、あらかじ
め、フォトマスク２を回転させてステージ３にセットし
ても、欠陥データの座標軸とは異なり、修正作業におい
て、マスク内の欠陥をさがしだせなくなる。

課題を解決するための手段 本発明は前記課題を解決するために、光源と、前記光源
より放出される荷電粒子と前記荷電粒子が照射される基
板と前記基板から放出される二次荷電粒子と、前記二次
荷電粒子を検出する１つの検出器と、前記基板を固定す
るステージと、前記ステージを運動させる駆動部と、前
記駆動部を動作させる信号を送る処理部と、前記処理部
に入力される外部データ部を備えている。

作用 本発明を用いることで、欠陥部のパターンエツジが常に
最良の解像度になり、高精度の欠陥修正が可能となる。

実施例 以下本発明の実施例について第１図を参照して説明する
。１は欠陥データ入力部、２はフォトマスク、３はステ
ージ、４は光源と電源を備えたイオン源、５は二次荷電
粒子検出器ここでは二次イオン検出器あるいは二次電子
検出器、６はＣＲＴ、１１はデータ処理部である。

フォトマスクをチップ比較型の検査装置、あるいはデー
タ照合型の検査装置で検査を行う場合について述べる。

検出された欠陥はＸ、Ｙの座標、および大きさを磁気カ
ードに出力される。ここでは磁気カードを用いたが、検
査装置と修正装置間のオンラインでも可能である。磁気
カードを用いて欠陥データ入力部１にフォトマスク２の
欠陥データを入力する。フォトマスク２は原則として、
まず、検査装置にセットしたときと同一の方向にステー
ジ３上にセットする。ここでは光源と電源を備えたイオ
ン源４はフォトマスク２の真上にあり、二次イオン検出
器あるいは二次電子検出器５が左上に固定されている装
置を用いた。イオン源４よりフォトマスク２上にイオン
が照射される。

それにより発生する二次イオンあるいは二次電子を二次
イオン検出器、あるいは二次電子検出器で検出し、二次
イオン像あるいは二次電子像としてパターンをイメージ
する。これにより、左側、上側のパターンエツジのイメ
ージの解像度は高くなり、右側、下側のパターンエツジ
のイメージの解像度は悪くなる。修正精度は解像度の良
否で決定される。なお、二次イオン検出器がいずれの方
向に固定されていても解像度は、近い方が高く、遠い方
が悪かった。

欠陥データ入力部１に入力されたデータは、データ処理
部１１に送られ、欠陥が存在するパターンエツジの向き
に応じて欠陥座標のデータが所定の角度に回転処理され
る。第２図にデータの回転の側を示す。２１は欠陥であ
る。またＦはマスクパターンの方向およびパターンデー
タの方向である。欠陥２１が左側、上側にある場合には
、座標は検査装置で得られた欠陥データのまま登録され
る。右側、下側にある場合には次の２つの方を夫いいず
れかで処理される。

（１）　　欠陥データを１８０°回転させて、右側を左
側に、下側を上側になるように座標を処理する。

Ｃ）右側を９０”回転して上側に、下側を１８０゜回転
させて上側になるように座標を処理する。

フォトマスク２は上記の回転方向と同一の方向にステー
ジ３上にセットを変更する。

実際の修正作業では、まず左側あるいは上側にある欠陥
の修正を行う。次に右側、下側のある欠陥についてデー
タ処理部１１で処理を行い、同時にフォトマスクのセッ
トも変更する。以下、修正工程に移る。まず、光源と電
源を備えたイオン源４よりビームをフォトマスク上に照
射する。それにより発生する二次イオンあるいは二次電
子を二次イオン検出器あるいは二次電子検出器５で検出
し、欠陥部が二次イオン像あるいは二次電子像としてＣ
ＲＴ６上に表示される。次に欠陥部だけにビームを集中
させて修正を行う。

フォトマスクのステージ上へのセットの仕方、および欠
陥座標のデータの回転処理により、欠陥部のイメージ画
像の解像度は常に最良の状態が得られ、すべての方向の
欠陥について、同一の精度で修正が可能となる。

発明の効果 以上のように本発明によれば、フォトマスクを回転させ
てステージ上にセットすることと、欠陥データの回転座
標変換処理を行うことにより、欠陥データのパターンエ
ツジが常に最良の解像度が得られるようにステージが正
確に移動する。それに伴い、すべての方向の欠陥修正が
高い精度で可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例におけるフォトマスクパターン
修正装置の概略図、第２図はデータの回転処理およびフ
ォトマスクのセットについての模式図、第３図は従来の
フォトマスクパターン修正装置の概略図である。 １・・・・・・欠陥データ入力部、２・・・・・・フォ
トマスク、３・・・・・・ステージ、４・・・・・・光
源と電源を備えたイオン源、５・・・・・・二次イオン
検出器、あるいは二次電子検出器、６・・・・・・ＣＲ
Ｔ、１１・・・・・・データ処理部、２１・・・・・・
欠陥。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）光源と、前記光源より放出される荷電粒子と、前
   記荷電粒子が照射される基板と、前記基板から放出され
   る二次荷電粒子と、前記二次荷電粒子を検出する１つの
   検出器と、前記基板を固定するステージと、前記ステー
   ジを運動させる駆動部と、前記駆動部を動作させる信号
   を送る処理部と、前記処理部に入力される外部データ部
   を備えたことを特徴とするパターン修正装置。
2. （２）光源に集束イオンビーム源を用いることを特徴と
   する請求項１記載のパターン修正装置。
3. （３）基板にフォトマスクを用いることを特徴とする請
   求項１または請求項２記載のパターン修正装置。
4. （４）処理部が、あるデータを回転補正するような機構
   を持つことを特徴とする請求項１または請求項２または
   請求項３記載のパターン修正装置。