JPH0833654B2 - パターン修正装置 - Google Patents
パターン修正装置Info
- Publication number
- JPH0833654B2 JPH0833654B2 JP21094889A JP21094889A JPH0833654B2 JP H0833654 B2 JPH0833654 B2 JP H0833654B2 JP 21094889 A JP21094889 A JP 21094889A JP 21094889 A JP21094889 A JP 21094889A JP H0833654 B2 JPH0833654 B2 JP H0833654B2
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- JP
- Japan
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- defect
- stage
- photomask
- defect data
- pattern
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- Expired - Lifetime
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はフォトマスク等のパターン修正装置に関する
ものである。
ものである。
従来の技術 以下に従来のフォトマスクパターン修正装置について
説明する。第３図は従来の修正装置である。１は欠陥デ
ータ入力部、２はフォトマスク、３はステージ、４は光
源、５は二次荷電粒子検出器、６はCRTである。Ｆはマ
スクパターン方向とパターンデータの方向を表わしてい
る。以下、その動作について説明する。欠陥検査装置で
得られたフォトマスクの欠陥データを欠陥データ入力部
１に入力する。フォトマスク２は欠陥データと同一の座
標軸になるようにステージ３上にセットされる。ステー
ジ３は欠陥データ入力部１に記憶された欠陥座標までフ
ォトマスク２を移動し、修正しようとする欠陥の認識を
はじめる。光源４より荷電粒子をフォトマスク２に照射
する。それによってフォトマスク２より発生する二次荷
電粒子を２次荷電粒子検出器５で検出し、CRT6上に二次
荷電粒子像として欠陥部をイメージする。光源4,二次荷
電粒子検出器５は修正装置内に固定されている。その
後、ビームを用いて実際の欠陥修正作業を行う。
説明する。第３図は従来の修正装置である。１は欠陥デ
ータ入力部、２はフォトマスク、３はステージ、４は光
源、５は二次荷電粒子検出器、６はCRTである。Ｆはマ
スクパターン方向とパターンデータの方向を表わしてい
る。以下、その動作について説明する。欠陥検査装置で
得られたフォトマスクの欠陥データを欠陥データ入力部
１に入力する。フォトマスク２は欠陥データと同一の座
標軸になるようにステージ３上にセットされる。ステー
ジ３は欠陥データ入力部１に記憶された欠陥座標までフ
ォトマスク２を移動し、修正しようとする欠陥の認識を
はじめる。光源４より荷電粒子をフォトマスク２に照射
する。それによってフォトマスク２より発生する二次荷
電粒子を２次荷電粒子検出器５で検出し、CRT6上に二次
荷電粒子像として欠陥部をイメージする。光源4,二次荷
電粒子検出器５は修正装置内に固定されている。その
後、ビームを用いて実際の欠陥修正作業を行う。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記の従来の構成では、二次荷電粒子
検出器５が一方向に固定されているために、CRT6上にイ
メージしたパターンのエッジについて、エッジの存在す
る方向によりイメージの解像度に差が生じる。二次荷電
粒子検出器５に近いエッジと遠いエッジとの解像度には
大差がある。しかし、実際に発生するフォトマスクの欠
陥には方向性がなく、解像度の悪いエッジに欠陥がある
場合には、修正精度は低下する。
検出器５が一方向に固定されているために、CRT6上にイ
メージしたパターンのエッジについて、エッジの存在す
る方向によりイメージの解像度に差が生じる。二次荷電
粒子検出器５に近いエッジと遠いエッジとの解像度には
大差がある。しかし、実際に発生するフォトマスクの欠
陥には方向性がなく、解像度の悪いエッジに欠陥がある
場合には、修正精度は低下する。
最良のパターンエッジの解像度を得るために、あらか
じめ、フォトマスク２を回転させてステージ３にセット
しても、欠陥データの座標軸とは異なり、修正作業にお
いて、マスク内の欠陥をさがしだせなくなる。
じめ、フォトマスク２を回転させてステージ３にセット
しても、欠陥データの座標軸とは異なり、修正作業にお
いて、マスク内の欠陥をさがしだせなくなる。
課題を解決するための手段 本発明によるパターン修正方法は、マスクパターンの
欠陥箇所の座標を含む欠陥データを入力する欠陥データ
入力部と、その欠陥データ入力部からの情報に基づいて
マスクをXY方向に変位させるXYステージと、このステー
ジ上に固定されたマスクに荷電粒子を照射する光源と、
マスクから放射される二次荷電粒子を検出する検出器と
を備えたものであって、その特徴は、前記欠陥データ入
力部と前記XYステージとの間に、前記欠陥データのXY座
標を90度または180度回転させる座標変換処理を行うデ
ータ処理部が備えられている点にある。
欠陥箇所の座標を含む欠陥データを入力する欠陥データ
入力部と、その欠陥データ入力部からの情報に基づいて
マスクをXY方向に変位させるXYステージと、このステー
ジ上に固定されたマスクに荷電粒子を照射する光源と、
マスクから放射される二次荷電粒子を検出する検出器と
を備えたものであって、その特徴は、前記欠陥データ入
力部と前記XYステージとの間に、前記欠陥データのXY座
標を90度または180度回転させる座標変換処理を行うデ
ータ処理部が備えられている点にある。
作用 本発明を用いることで、欠陥部のパターンエッジが常
に最良の解像度になり、高精度の欠陥修正が可能とな
る。
に最良の解像度になり、高精度の欠陥修正が可能とな
る。
実施例 以下本発明の実施例について第１図を参照して説明す
る。１は欠陥データ入力部、２はフォトマスク、３はス
テージ、４は光源と電源を備えたイオン源、５は二次荷
電粒子検出器ここでは二次イオン検出器あるいは二次電
子検出器、６はCRT、11はデータ処理部である。
る。１は欠陥データ入力部、２はフォトマスク、３はス
テージ、４は光源と電源を備えたイオン源、５は二次荷
電粒子検出器ここでは二次イオン検出器あるいは二次電
子検出器、６はCRT、11はデータ処理部である。
フォトマスクをチップ比較型の検査装置、あるいはデ
ータ照合型の検査装置で検査を行う場合について述べ
る。検出された欠陥はX,Yの座標、および大きさを磁気
カードに出力される。ここでは磁気カードを用いたが、
検査装置と修正装置間のオンラインでも可能である。磁
気カードを用いて欠陥データ入力部１にフォトマスク２
の欠陥データを入力する。フォトマスク２は原則とし
て、まず、検査装置にセットしたときと同一の方向にス
テージ３上にセットする。ここでは光源と電源を備えた
イオン源４はフォトマスク２の真上にあり、二次イオン
検出器あるいは二次電子検出器５が左上に固定されてい
る装置を用いた。イオン源４よりフォトマスク２上にイ
オンが照射される。それにより発生する二次イオンある
いは二次電子を二次イオン検出器、あるいは二次電子検
出器で検出し、二次イオン像あるいは二次電子像として
パターンをイメージする。これにより、左側，上側のパ
ターンエッジのイメージの解像度は高くなり、右側，下
側のパターンエッジのイメージの解像度は悪くなる。修
正精度は解像度の良否で決定される。なお、二次イオン
検出器がいずれの方向に固定されていても解像度は、近
い方が高く、遠い方が悪かった。
ータ照合型の検査装置で検査を行う場合について述べ
る。検出された欠陥はX,Yの座標、および大きさを磁気
カードに出力される。ここでは磁気カードを用いたが、
検査装置と修正装置間のオンラインでも可能である。磁
気カードを用いて欠陥データ入力部１にフォトマスク２
の欠陥データを入力する。フォトマスク２は原則とし
て、まず、検査装置にセットしたときと同一の方向にス
テージ３上にセットする。ここでは光源と電源を備えた
イオン源４はフォトマスク２の真上にあり、二次イオン
検出器あるいは二次電子検出器５が左上に固定されてい
る装置を用いた。イオン源４よりフォトマスク２上にイ
オンが照射される。それにより発生する二次イオンある
いは二次電子を二次イオン検出器、あるいは二次電子検
出器で検出し、二次イオン像あるいは二次電子像として
パターンをイメージする。これにより、左側，上側のパ
ターンエッジのイメージの解像度は高くなり、右側，下
側のパターンエッジのイメージの解像度は悪くなる。修
正精度は解像度の良否で決定される。なお、二次イオン
検出器がいずれの方向に固定されていても解像度は、近
い方が高く、遠い方が悪かった。
欠陥データ入力部１に入力されたデータは、データ処
理部11に送られ、欠陥が存在するパターンエッジの向き
に応じて欠陥座標のデータが所定の角度に回転処理され
る。第２図にデータの回転の側を示す。21は欠陥であ
る。またＦはマスクパターンの方向およびパターンデー
タの方向である。欠陥21が左側，上側にある場合には、
座標は検査装置で得られた欠陥データのまま登録され
る。右側，下側にある場合には次の２つの方法のいずれ
かで処理される。
理部11に送られ、欠陥が存在するパターンエッジの向き
に応じて欠陥座標のデータが所定の角度に回転処理され
る。第２図にデータの回転の側を示す。21は欠陥であ
る。またＦはマスクパターンの方向およびパターンデー
タの方向である。欠陥21が左側，上側にある場合には、
座標は検査装置で得られた欠陥データのまま登録され
る。右側，下側にある場合には次の２つの方法のいずれ
かで処理される。
（１）欠陥データを180°回転させて、右側を左側に、
下側を上側になるように座標を処理する。
下側を上側になるように座標を処理する。
（２）右側を90°回転して上側に、下側を180°回転さ
せて上側になるように座標を処理する。フォトマスク２
は上記の回転方向と同一の方向にステージ３上にセット
を変更する。
せて上側になるように座標を処理する。フォトマスク２
は上記の回転方向と同一の方向にステージ３上にセット
を変更する。
実際の修正作業では、まず左側あるいは上側にある欠
陥の修正を行う。次に右側，下側のある欠陥についてデ
ータ処理部11で処理を行い、同時にフォトマスクのセッ
トも変更する。以下、修正工程に移る。まず、光源と電
源を備えたイオン源４よりビームをフォトマスク上に照
射する。それにより発生する二次イオンあるいは二次電
子を二次イオン検出器あるいは二次電子検出器５で検出
し、欠陥部が二次イオン像あるいは二次電子像としてCR
T6上に表示される。次に欠陥部だけにビームを集中させ
て修正を行う。
陥の修正を行う。次に右側，下側のある欠陥についてデ
ータ処理部11で処理を行い、同時にフォトマスクのセッ
トも変更する。以下、修正工程に移る。まず、光源と電
源を備えたイオン源４よりビームをフォトマスク上に照
射する。それにより発生する二次イオンあるいは二次電
子を二次イオン検出器あるいは二次電子検出器５で検出
し、欠陥部が二次イオン像あるいは二次電子像としてCR
T6上に表示される。次に欠陥部だけにビームを集中させ
て修正を行う。
フォトマスクのステージ上へのセットの仕方、および
欠陥座標のデータの回転処理により、欠陥部のイメージ
画像の解像度は常に最良の状態が得られ、すべての方向
の欠陥について、同一の精度で修正が可能となる。
欠陥座標のデータの回転処理により、欠陥部のイメージ
画像の解像度は常に最良の状態が得られ、すべての方向
の欠陥について、同一の精度で修正が可能となる。
発明の効果 以上のように本発明によれば、フォトマスクを回転さ
せてステージ上にセットすることと、欠陥データの回転
座標変換処理を行うことにより、欠陥データのパターン
エッジが常に最良の解像度が得られるようにステージが
正確に移動する。それに伴い、すべての方向の欠陥修正
が高い精度で可能となる。
せてステージ上にセットすることと、欠陥データの回転
座標変換処理を行うことにより、欠陥データのパターン
エッジが常に最良の解像度が得られるようにステージが
正確に移動する。それに伴い、すべての方向の欠陥修正
が高い精度で可能となる。
第１図は本発明の実施例におけるフォトマスクパターン
修正装置の概略図、第２図はデータの回転処理およびフ
ォトマスクのセットについての模式図、第３図は従来の
フォトマスクパターン修正装置の概略図である。 １……欠陥データ入力部、２……フォトマスク、３……
ステージ、４……光源と電源を備えたイオン源、５……
二次イオン検出器、あるいは二次電子検出器、６……CR
T、11……データ処理部、21……欠陥。
修正装置の概略図、第２図はデータの回転処理およびフ
ォトマスクのセットについての模式図、第３図は従来の
フォトマスクパターン修正装置の概略図である。 １……欠陥データ入力部、２……フォトマスク、３……
ステージ、４……光源と電源を備えたイオン源、５……
二次イオン検出器、あるいは二次電子検出器、６……CR
T、11……データ処理部、21……欠陥。
Claims (1)
- 【請求項１】マスクパターンの欠陥箇所の座標を含む欠
陥データを入力する欠陥データ入力部と、その欠陥デー
タ入力部からの情報に基づいてマスクをXY方向に変位さ
せるステージと、このステージ上に固定されたマスクに
荷電粒子を照射する光源と、マスクから放射される二次
荷電粒子を検出する検出器とを備えたパターン修正装置
であって、 前記欠陥データ入力部と前記ステージとの間に、前記欠
陥データのXY座標を90度または180度回転させる座標変
換処理を行うデータ処理部が備えられていることを特徴
とするパターン修正装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21094889A JPH0833654B2 (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | パターン修正装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21094889A JPH0833654B2 (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | パターン修正装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0375651A JPH0375651A (ja) | 1991-03-29 |
| JPH0833654B2 true JPH0833654B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=16597751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21094889A Expired - Lifetime JPH0833654B2 (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | パターン修正装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0833654B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2610456B2 (ja) * | 1987-11-13 | 1997-05-14 | セイコー電子工業株式会社 | パターン膜修正方法 |
| JPH01154064A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-16 | Fujitsu Ltd | 微細パターンの形成方法 |
| JPH01124857A (ja) * | 1988-09-30 | 1989-05-17 | Hitachi Ltd | イオンビーム加工装置 |
-
1989
- 1989-08-16 JP JP21094889A patent/JPH0833654B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0375651A (ja) | 1991-03-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080329 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090329 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100329 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100329 Year of fee payment: 14 |