JPH0375624B2 - - Google Patents
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- JPH0375624B2 JPH0375624B2 JP57115864A JP11586482A JPH0375624B2 JP H0375624 B2 JPH0375624 B2 JP H0375624B2 JP 57115864 A JP57115864 A JP 57115864A JP 11586482 A JP11586482 A JP 11586482A JP H0375624 B2 JPH0375624 B2 JP H0375624B2
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- Japan
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- magnetic
- ribbon
- alloy
- heat treatment
- magnetic field
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
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- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
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Landscapes
- Heat Treatment Of Nonferrous Metals Or Alloys (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Description
本発明は、非晶質磁性合金の熱処理方法に係
り、特に高い透磁率の非晶質磁性合金を大量およ
び／または連続的に容易に製造することができる
非晶質磁性合金の熱処理方法に関するものであ
る。 超急冷法、スパツタ及びメツキ法で製造された
非晶質磁性材料は、製造されたままの状態では透
磁率（μ′）が通常低い値を示すので軟磁性材料と
して直接利用することが不可能である。磁歪零材
の組成において非晶質磁性材の透磁率を決定して
いるのは、製造中に誘導される異方性、つまり誘
導磁気異方性がある。この誘導磁気異方性が磁場
中の熱処理により自由に制御できるという事実に
基づき、先に本発明者らは非晶質磁性合金薄板上
の任意の直交座標軸においてKixKiy（Kix：ｘ
方向の誘導磁気異方性、Kiy：ｙ方向の誘導磁気
異方性）の条件を満足する磁場中熱処理を施した
時、著しい透磁率の改善が得られることを提案し
た。しかし、かかる本発明者らの提案では、原理
の呈示はしても実用上、大量および／または連続
的に処理することに難点があつた。 本発明は、このような実情に鑑みてなされたも
のであり、誘導磁気異方性の等方的条件を満た
し、かつ大量および／または連続的に熱処理を可
能にした非晶質磁性合金の熱処理方法を提供する
ものである。 本発明においては、非晶質磁性合金薄帯に対し
て、この合金のキユリー温度以下でかつ結晶化温
度以下で非晶質磁性合金薄帯の主面内の第１の方
向に誘導磁気異方性を発生させるに充分な磁場を
印加して熱処理し、上記合金のキユリー温度以下
でかつ結晶化温度以下で非晶質磁性合金薄帯の主
面内で第１の方向に対して直交する第２の方向
に、その第１の方向の誘導磁気異方性と第２の方
向の誘導磁気異方性が等しくなるに充分な磁界を
印加して熱処理することを特徴とするものであ
る。これによつて、誘導磁気異方性の等方的条件
を満たし、大量および／または連続的に非晶質磁
性合金を熱処理することができる。 以下、図面を用いて本発明による非晶質磁性合
金の熱処理方法の例を詳述する。 第１図は本発明の一例を示す。本例においては
非晶質磁性合金薄帯１を筒状に巻き、これに例え
ばソレノイドコイル２を施してこの合金のキユリ
ー温度以下でかつ結晶化温度以下の温度で、筒状
の円周方向即ち薄帯１の長手方向に磁場H1を印
加して熱処理し、薄帯１の主面内の長手方向に誘
導磁気異方性Klを発生させる。次に同じ筒状態
の薄帯１にこの合金のキユリー温度以下でかつ結
晶化温度以下の温度で、薄帯１の幅方向に外部磁
場H2を印加して熱処理し、薄帯１の主面内でそ
の長手方向と直交する幅方向に誘導磁気異方性
K⊥lを発生させ、KlK⊥lの条件を満足する時
間で熱処理を終える。すなわち、この場合磁場
H2を印加すると磁場H1で発生したKlが減少し
つつ之と直交するK⊥lが増大するのでKlK⊥l
となる時点で熱処理を終える。 この方法によれば、大量に非晶質磁性合金に対
する熱処理が可能になる。特にこの方法はトラン
ス用コア向けに適している。この方法では筒状に
巻いた状態で磁場中熱処理を施すので熱処理後の
非晶質磁性合金薄帯１がそり曲がる懼れがある。 第２図は本発明の他の例である。本例は非晶質
磁性合金薄帯１を平板の状態で一方に移送し、そ
の移送途上の第１の位置において例えばソレノイ
ドコイル２を用いて該合金のキユリー温度以下で
かつ結晶化温度以下の温度で薄帯１の長手方向に
磁場H1を印加して熱処理し、薄帯１の主面内の
長手方向に誘導磁気異方性Klを発生させる。次
に移送途上の第２の位置において、同様に合金の
キユリー温度以下でかつ結晶化温度以下の温度
で、薄帯１の幅方向に外部磁場H2を印加して熱
処理し、薄帯１の主面内で長手方向と直交する幅
方向に誘導磁気異方性K⊥lを発生させ、Kl
K⊥lの条件を満足する時間で熱処理を終える。 この方法によれば、非晶質磁性合金薄帯１が平
板の状態で磁場中熱処理されるので熱処理後の薄
帯１のそり曲りを防ぎ、しかも大量かつ連続的に
非晶質磁性合金の熱処理を可能にする。従つてこ
の方法で熱処理された非晶質磁性合金薄帯はそり
曲りがなく平板状に得られるので、爾後の打抜
き、エツチング等の加工性がよく、例えば磁気ヘ
ツド等の軟磁性コア材用に適するものである。 尚、第１図及び第２図において磁場H1及びH2
を印加する順序は問わない。つまり、上例では磁
場H1を先にし磁場H2を後に印加したが、逆の磁
場H2を先にし磁場H1を後に印加してもよい。い
ずれの順序においてもH1，H2の磁場中熱処理に
おいてKlK⊥lの条件を満足させることで本発
明は達成される。従つて本質的には磁場は交流、
直流を問はない。 また、上例では薄帯１の主面上において、その
長手方向と之に直交する幅方向に夫々磁場H1及
びH2を印加したが、その他主面内における任意
の直交座標軸において互に直交する方向に磁場
H1及びH2を印加してもよい。 また、第１図及び第２図ではすべて炉中で熱処
理が行なわれる。 更に、図示せざるも、例えば第２図の例におい
てさらに薄帯１の移送途上の第３の位置において
薄帯１の板面に対して垂直方向に外部磁場H3を
印加して該合金のキユリー温度以下でかつ結晶化
温度以下の温度で 熱処理し、３次元的に誘導磁
気異方性を略等しくするようになすことも可能で
ある。このときはさらに高周波領域の透磁率向上
が期待できる。 次に本発明の実施例を述べる。 実施例 １ 試料はFe5Co75Si4B16（結晶化温度420℃、キユ
リー温度570℃）で厚み約20μｍ、長さ約10ｍの
非晶質磁性合金薄帯を使用し、これを筒状に巻
き、第１図に示す熱処理法を用いて最初に熱処理
温度Ta＝360℃、時間ta＝30min、磁場H2＝
2.4KOeで誘導磁気異方性を与えた。然る後、熱
処理温度Ta＝300℃、時間ta＝10min、磁場H1＝
30Oeの条件で熱処理を行つた。表１に、その結
果を示す。透磁率の測定磁界は10ｍOeである。
り、特に高い透磁率の非晶質磁性合金を大量およ
び／または連続的に容易に製造することができる
非晶質磁性合金の熱処理方法に関するものであ
る。 超急冷法、スパツタ及びメツキ法で製造された
非晶質磁性材料は、製造されたままの状態では透
磁率（μ′）が通常低い値を示すので軟磁性材料と
して直接利用することが不可能である。磁歪零材
の組成において非晶質磁性材の透磁率を決定して
いるのは、製造中に誘導される異方性、つまり誘
導磁気異方性がある。この誘導磁気異方性が磁場
中の熱処理により自由に制御できるという事実に
基づき、先に本発明者らは非晶質磁性合金薄板上
の任意の直交座標軸においてKixKiy（Kix：ｘ
方向の誘導磁気異方性、Kiy：ｙ方向の誘導磁気
異方性）の条件を満足する磁場中熱処理を施した
時、著しい透磁率の改善が得られることを提案し
た。しかし、かかる本発明者らの提案では、原理
の呈示はしても実用上、大量および／または連続
的に処理することに難点があつた。 本発明は、このような実情に鑑みてなされたも
のであり、誘導磁気異方性の等方的条件を満た
し、かつ大量および／または連続的に熱処理を可
能にした非晶質磁性合金の熱処理方法を提供する
ものである。 本発明においては、非晶質磁性合金薄帯に対し
て、この合金のキユリー温度以下でかつ結晶化温
度以下で非晶質磁性合金薄帯の主面内の第１の方
向に誘導磁気異方性を発生させるに充分な磁場を
印加して熱処理し、上記合金のキユリー温度以下
でかつ結晶化温度以下で非晶質磁性合金薄帯の主
面内で第１の方向に対して直交する第２の方向
に、その第１の方向の誘導磁気異方性と第２の方
向の誘導磁気異方性が等しくなるに充分な磁界を
印加して熱処理することを特徴とするものであ
る。これによつて、誘導磁気異方性の等方的条件
を満たし、大量および／または連続的に非晶質磁
性合金を熱処理することができる。 以下、図面を用いて本発明による非晶質磁性合
金の熱処理方法の例を詳述する。 第１図は本発明の一例を示す。本例においては
非晶質磁性合金薄帯１を筒状に巻き、これに例え
ばソレノイドコイル２を施してこの合金のキユリ
ー温度以下でかつ結晶化温度以下の温度で、筒状
の円周方向即ち薄帯１の長手方向に磁場H1を印
加して熱処理し、薄帯１の主面内の長手方向に誘
導磁気異方性Klを発生させる。次に同じ筒状態
の薄帯１にこの合金のキユリー温度以下でかつ結
晶化温度以下の温度で、薄帯１の幅方向に外部磁
場H2を印加して熱処理し、薄帯１の主面内でそ
の長手方向と直交する幅方向に誘導磁気異方性
K⊥lを発生させ、KlK⊥lの条件を満足する時
間で熱処理を終える。すなわち、この場合磁場
H2を印加すると磁場H1で発生したKlが減少し
つつ之と直交するK⊥lが増大するのでKlK⊥l
となる時点で熱処理を終える。 この方法によれば、大量に非晶質磁性合金に対
する熱処理が可能になる。特にこの方法はトラン
ス用コア向けに適している。この方法では筒状に
巻いた状態で磁場中熱処理を施すので熱処理後の
非晶質磁性合金薄帯１がそり曲がる懼れがある。 第２図は本発明の他の例である。本例は非晶質
磁性合金薄帯１を平板の状態で一方に移送し、そ
の移送途上の第１の位置において例えばソレノイ
ドコイル２を用いて該合金のキユリー温度以下で
かつ結晶化温度以下の温度で薄帯１の長手方向に
磁場H1を印加して熱処理し、薄帯１の主面内の
長手方向に誘導磁気異方性Klを発生させる。次
に移送途上の第２の位置において、同様に合金の
キユリー温度以下でかつ結晶化温度以下の温度
で、薄帯１の幅方向に外部磁場H2を印加して熱
処理し、薄帯１の主面内で長手方向と直交する幅
方向に誘導磁気異方性K⊥lを発生させ、Kl
K⊥lの条件を満足する時間で熱処理を終える。 この方法によれば、非晶質磁性合金薄帯１が平
板の状態で磁場中熱処理されるので熱処理後の薄
帯１のそり曲りを防ぎ、しかも大量かつ連続的に
非晶質磁性合金の熱処理を可能にする。従つてこ
の方法で熱処理された非晶質磁性合金薄帯はそり
曲りがなく平板状に得られるので、爾後の打抜
き、エツチング等の加工性がよく、例えば磁気ヘ
ツド等の軟磁性コア材用に適するものである。 尚、第１図及び第２図において磁場H1及びH2
を印加する順序は問わない。つまり、上例では磁
場H1を先にし磁場H2を後に印加したが、逆の磁
場H2を先にし磁場H1を後に印加してもよい。い
ずれの順序においてもH1，H2の磁場中熱処理に
おいてKlK⊥lの条件を満足させることで本発
明は達成される。従つて本質的には磁場は交流、
直流を問はない。 また、上例では薄帯１の主面上において、その
長手方向と之に直交する幅方向に夫々磁場H1及
びH2を印加したが、その他主面内における任意
の直交座標軸において互に直交する方向に磁場
H1及びH2を印加してもよい。 また、第１図及び第２図ではすべて炉中で熱処
理が行なわれる。 更に、図示せざるも、例えば第２図の例におい
てさらに薄帯１の移送途上の第３の位置において
薄帯１の板面に対して垂直方向に外部磁場H3を
印加して該合金のキユリー温度以下でかつ結晶化
温度以下の温度で 熱処理し、３次元的に誘導磁
気異方性を略等しくするようになすことも可能で
ある。このときはさらに高周波領域の透磁率向上
が期待できる。 次に本発明の実施例を述べる。 実施例 １ 試料はFe5Co75Si4B16（結晶化温度420℃、キユ
リー温度570℃）で厚み約20μｍ、長さ約10ｍの
非晶質磁性合金薄帯を使用し、これを筒状に巻
き、第１図に示す熱処理法を用いて最初に熱処理
温度Ta＝360℃、時間ta＝30min、磁場H2＝
2.4KOeで誘導磁気異方性を与えた。然る後、熱
処理温度Ta＝300℃、時間ta＝10min、磁場H1＝
30Oeの条件で熱処理を行つた。表１に、その結
果を示す。透磁率の測定磁界は10ｍOeである。
【表】
実施例 ２
実施例１と同じ試料を用い、第２図の熱処理法
（磁場を印加する順序は逆）により最初の第１の
位置で熱処理温度Ta＝360℃、時間ta＝30min、
磁場H2＝2.4KOeで誘導磁気異方性を与え、次の
位置で熱処理温度Ta＝300℃、時間ta＝10min、
磁場H1＝30Oeの条件で熱処理を行つた。この結
果は上記表１と同じであつた。 上述せる如く、本発明によれば非晶質磁性合金
に対して誘導磁気異方性の等方的条件を満たし、
かつ大量または／および連続的な熱処理が可能と
なるもので、従つて軟磁性材料として使用し得る
高い透磁率の非晶質磁性合金の量産化を可能にす
るものである。
（磁場を印加する順序は逆）により最初の第１の
位置で熱処理温度Ta＝360℃、時間ta＝30min、
磁場H2＝2.4KOeで誘導磁気異方性を与え、次の
位置で熱処理温度Ta＝300℃、時間ta＝10min、
磁場H1＝30Oeの条件で熱処理を行つた。この結
果は上記表１と同じであつた。 上述せる如く、本発明によれば非晶質磁性合金
に対して誘導磁気異方性の等方的条件を満たし、
かつ大量または／および連続的な熱処理が可能と
なるもので、従つて軟磁性材料として使用し得る
高い透磁率の非晶質磁性合金の量産化を可能にす
るものである。
第１図及び第２図は夫々本発明における熱処理
工程の例を示す概略図である。 １は非晶質磁性合金薄帯、２はソレノイドコイ
ル、H1，H2は印加磁界である。
工程の例を示す概略図である。 １は非晶質磁性合金薄帯、２はソレノイドコイ
ル、H1，H2は印加磁界である。
Claims (1)
- １ 非晶質磁性合金薄帯に対して、該合金のキユ
リー温度以下でかつ結晶化温度以下で該薄帯の主
面内の第１の方向に誘導磁気異方性を発生させる
に充分な磁場を印加して熱処理し、該合金のキユ
リー温度以下でかつ結晶化温度以下で該薄帯の主
面内で上記第１の方向に対して直交する第２の方
向に、該第１の方向の誘導磁気異方性と該第２の
方向の誘導磁気異方性が等しくなるに充分な磁界
を印加して熱処理することを特徴とする非晶質磁
性合金の熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57115864A JPS596360A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 非晶質磁性合金の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57115864A JPS596360A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 非晶質磁性合金の熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS596360A JPS596360A (ja) | 1984-01-13 |
| JPH0375624B2 true JPH0375624B2 (ja) | 1991-12-02 |
Family
ID=14673033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57115864A Granted JPS596360A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 非晶質磁性合金の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS596360A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0777007B2 (ja) * | 1985-08-23 | 1995-08-16 | 日立マクセル株式会社 | 磁気ヘツドの製造方法 |
| JPH0724247B2 (ja) * | 1987-12-26 | 1995-03-15 | 株式会社トーキン | 非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理方法とその装置 |
| US5676767A (en) * | 1994-06-30 | 1997-10-14 | Sensormatic Electronics Corporation | Continuous process and reel-to-reel transport apparatus for transverse magnetic field annealing of amorphous material used in an EAS marker |
| US5786762A (en) * | 1994-06-30 | 1998-07-28 | Sensormatic Electronics Corporation | Magnetostrictive element for use in a magnetomechanical surveillance system |
| US5684459A (en) * | 1995-10-02 | 1997-11-04 | Sensormatic Electronics Corporation | Curvature-reduction annealing of amorphous metal alloy ribbon |
| CN106170837B (zh) * | 2014-06-10 | 2018-04-10 | 日立金属株式会社 | Fe基纳米晶合金磁芯和Fe基纳米晶合金磁芯的制造方法 |
| CN106575567B (zh) * | 2014-07-28 | 2020-05-12 | 日立金属株式会社 | 变流器用芯及其制造方法以及具备该芯的装置 |
-
1982
- 1982-07-02 JP JP57115864A patent/JPS596360A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS596360A (ja) | 1984-01-13 |
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