JPS6396252A - トロイダル型非晶質磁芯の熱処理方法 - Google Patents
トロイダル型非晶質磁芯の熱処理方法Info
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- JPS6396252A JPS6396252A JP61240846A JP24084686A JPS6396252A JP S6396252 A JPS6396252 A JP S6396252A JP 61240846 A JP61240846 A JP 61240846A JP 24084686 A JP24084686 A JP 24084686A JP S6396252 A JPS6396252 A JP S6396252A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/0206—Manufacturing of magnetic cores by mechanical means
- H01F41/0213—Manufacturing of magnetic circuits made from strip(s) or ribbon(s)
- H01F41/0226—Manufacturing of magnetic circuits made from strip(s) or ribbon(s) from amorphous ribbons
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高周波領域において、低損失、高透磁率な非晶
質巻磁芯の熱処理方法に関するものである。
質巻磁芯の熱処理方法に関するものである。
従来から、トランス用磁芯として広く用いられている素
材として高Ｎｉ ／９−マロイ及びフェライト等がある
。
材として高Ｎｉ ／９−マロイ及びフェライト等がある
。
高Ｎｉ ｙＥ−マウイは、大きな透磁率が得られるため
、微弱信号の増幅回路に用いられている。しかし、高Ｎ
１ｙＮＯ−マロイは、 １００ ｋＨｚ以上の高周波領
域になると渦電流が増大するため保磁力が急激に増大し
、透磁率の低下を招き、高周波トランスとして使用でき
ない欠点がある。同様に、電源電力増巾＝回路にも適さ
ない。
、微弱信号の増幅回路に用いられている。しかし、高Ｎ
１ｙＮＯ−マロイは、 １００ ｋＨｚ以上の高周波領
域になると渦電流が増大するため保磁力が急激に増大し
、透磁率の低下を招き、高周波トランスとして使用でき
ない欠点がある。同様に、電源電力増巾＝回路にも適さ
ない。
そこで、高周波用として、高１’Ｊ １ｚＦ−マロイで
１０μｍ以下の極薄薄帯が使用されているが非常に高価
であるという問題がある。このだめ、高Ｎ１−−マロイ
ば１００ ｋＨｚ以上の高周波領域で使用する高周波用
電カドランスとしては、特別な用途を目的として使われ
ているにすぎない。
１０μｍ以下の極薄薄帯が使用されているが非常に高価
であるという問題がある。このだめ、高Ｎ１−−マロイ
ば１００ ｋＨｚ以上の高周波領域で使用する高周波用
電カドランスとしては、特別な用途を目的として使われ
ているにすぎない。
一方、フェライトは、透磁率は低いが、高周波領域での
電力損失が低い特徴をもっている。ところが、近年、電
子機器用電源装置は、小型化の傾向が進み、電源周波数
の高周波化が進められている。これに対応し、フェライ
トは、高固有抵抗比を主として改善がなされているが、
充分な低損失化には至っていないのが現情である。
電力損失が低い特徴をもっている。ところが、近年、電
子機器用電源装置は、小型化の傾向が進み、電源周波数
の高周波化が進められている。これに対応し、フェライ
トは、高固有抵抗比を主として改善がなされているが、
充分な低損失化には至っていないのが現情である。
これに対し、結晶磁気異方性をもたず、磁歪をほぼ零に
することのできる非晶質合金が注目されるようＫなって
きた。非晶質合金を用いた磁芯の製造方法としては、キ
ュリー温度以上で結晶化温度以下の温度で焼鈍しだ後急
冷することにより。
することのできる非晶質合金が注目されるようＫなって
きた。非晶質合金を用いた磁芯の製造方法としては、キ
ュリー温度以上で結晶化温度以下の温度で焼鈍しだ後急
冷することにより。
高透磁率を得る方法がある。しかしながら、上述の方法
では、透磁率の経年変化が大きいものであるにも拘らず
、保磁力が小さくならず、犬振嘔励磁時の鉄損が大きい
と言う欠点がある。
では、透磁率の経年変化が大きいものであるにも拘らず
、保磁力が小さくならず、犬振嘔励磁時の鉄損が大きい
と言う欠点がある。
また、残留磁束密度が比較的高いため、トランスとして
は使用不可能であるという問題がある。
は使用不可能であるという問題がある。
一方、経年変化を改善し、高透磁率を得る方法として１
回転磁界や焼鈍を用いる方法もあるが。
回転磁界や焼鈍を用いる方法もあるが。
残留磁束密度が比較的高いため、トランス用としては使
用できない欠点がある。
用できない欠点がある。
さらに、他の方法として、磁路方向とは直角な方向に磁
界を印加し、磁界中で焼鈍を行なう方法がある。この方
法によれば残留磁束密度を低下させ、トランスとして最
適のヒステリシスループを得ることができる反面、逆に
透磁率の低下をまねく欠点がある。
界を印加し、磁界中で焼鈍を行なう方法がある。この方
法によれば残留磁束密度を低下させ、トランスとして最
適のヒステリシスループを得ることができる反面、逆に
透磁率の低下をまねく欠点がある。
そこで１本発明の目的は上記欠点に鑑み、低損失で高透
磁率な磁芯を得ることのできる非晶質磁芯の熱処理方法
を提供することである。
磁率な磁芯を得ることのできる非晶質磁芯の熱処理方法
を提供することである。
本発明によれば、非晶質合金薄帯を巻回してなるトロイ
ダル型磁芯を、前記非晶質合金薄帯の有するキュリー温
度Ｔ。以上でかつ結晶化湿度以下である第１の温度に維
持した後急冷する第１の熱処理工程と、該第１の熱処理
工程後、前記磁芯の有するトロイダル面を成す回転対称
軸方向に直流磁場を前記磁芯に印加しかつ前記結晶化温
度以下である第２の温度Ｔａに前記磁芯を維持し、その
後。
ダル型磁芯を、前記非晶質合金薄帯の有するキュリー温
度Ｔ。以上でかつ結晶化湿度以下である第１の温度に維
持した後急冷する第１の熱処理工程と、該第１の熱処理
工程後、前記磁芯の有するトロイダル面を成す回転対称
軸方向に直流磁場を前記磁芯に印加しかつ前記結晶化温
度以下である第２の温度Ｔａに前記磁芯を維持し、その
後。
前記直流磁場の強度を零にして急冷する第２の熱処理工
程とを有することを特徴とするトロイダル型非晶質磁芯
の熱処理方法が得られる。
程とを有することを特徴とするトロイダル型非晶質磁芯
の熱処理方法が得られる。
さらに２本発明によれば、非晶質合金薄帯は。
一般式
％式％
（ただし、原子％で＋ Ｘ ＋ ’！ ＋ Ｚ、ａ ＋
ｂの値はそれぞれ ０．５≦Ｘ≦３ １０≦ｙ≦１６ ８ ≦ ２ ≦ １４ 琶ζ′≦ｙ＋・≦３０ ・ ０．０４ ≦ａ ≦０．１ ０．１５ ≦ｂ ≦ ０．３ の範囲にあシ９ＭはＣｒ ＋ Ｍｏ ＋ Ｗ ＋ Ｎｂ
、 Ｔａ 、 Ｖ。
ｂの値はそれぞれ ０．５≦Ｘ≦３ １０≦ｙ≦１６ ８ ≦ ２ ≦ １４ 琶ζ′≦ｙ＋・≦３０ ・ ０．０４ ≦ａ ≦０．１ ０．１５ ≦ｂ ≦ ０．３ の範囲にあシ９ＭはＣｒ ＋ Ｍｏ ＋ Ｗ ＋ Ｎｂ
、 Ｔａ 、 Ｖ。
Ｍｎの１種又は２種以上の元素を表わす。）で表わされ
る化合物であって、磁歪定数が−Ｉ Ｘ １０−６〜１
×１０ であることが好ましい。
る化合物であって、磁歪定数が−Ｉ Ｘ １０−６〜１
×１０ であることが好ましい。
また、第２の熱処理工程における第２の温度Ｔは
Ｔｏ−５０℃＜Ｔａ＜Ｔ。＋３０℃
の範囲であることが好ましい。
低損失で高透磁率の磁芯を得るには、素材として磁気異
方性が小さく、磁歪が零となる合金を選ぶ必要がある。
方性が小さく、磁歪が零となる合金を選ぶ必要がある。
そのためには、 Ｃｏ基非晶質合金が最適である。
そこで５片ロール法により斯る非晶質合金薄帯を作製し
た後１巻回工程において２巻コアに巻回して磁芯を作成
する。次に、非晶質合金薄帯は。
た後１巻回工程において２巻コアに巻回して磁芯を作成
する。次に、非晶質合金薄帯は。
作製されたままの状態では、急冷凝固時の残留応力が残
存しているため、第１の熱処理工程において、これを除
去し、内部構造を均一とする歪取り焼なましを行なう。
存しているため、第１の熱処理工程において、これを除
去し、内部構造を均一とする歪取り焼なましを行なう。
ここで、歪取り焼なましは、キュリー温度Ｔｃ以上、結
晶化温度以下の温度で９通常１０〜６０分間程度、維持
して、残留応力を充分に除去する。
晶化温度以下の温度で９通常１０〜６０分間程度、維持
して、残留応力を充分に除去する。
歪取り焼鈍後の冷却過程では、不均一な誘導磁気異方性
が生じさせないために急冷を行なう。
が生じさせないために急冷を行なう。
このようにして機械的にも磁気的にも内部均一な巻コア
が得られる。
が得られる。
次にトランス用の磁芯として最適なヒステリシスループ
を得るために、第２の熱処理工程として。
を得るために、第２の熱処理工程として。
磁場中焼鈍を行なう。このとき、外部印加磁場は。
コアの延長方向、即ち、磁芯磁化方向を含む面内に対し
、直角な方向に印加するものである。その後、Ｔｏ−５
０℃〈ＴａくＴｃ＋３０℃ （Ｔｏは、キュリー温度、
Ｔａは焼なまし温度を示す。）の温度範囲に磁芯を維持
し、磁芯のトロイダル面を成す回転対称軸方向に磁化容
易軸を付与し、その後磁場強度を零として急冷を行なう
。急冷において、磁化容易方向が、トロイダル方向と直
角な方向から適度に分散し、低損失と、高透磁率が同時
に実現することを見出した。
、直角な方向に印加するものである。その後、Ｔｏ−５
０℃〈ＴａくＴｃ＋３０℃ （Ｔｏは、キュリー温度、
Ｔａは焼なまし温度を示す。）の温度範囲に磁芯を維持
し、磁芯のトロイダル面を成す回転対称軸方向に磁化容
易軸を付与し、その後磁場強度を零として急冷を行なう
。急冷において、磁化容易方向が、トロイダル方向と直
角な方向から適度に分散し、低損失と、高透磁率が同時
に実現することを見出した。
尚１本発明の熱処理方法を適用する非晶質合金薄帯の組
成は、一般式（Ｃｏ Ｆｅ Ｎｉ ）ｊ−ａ ｂ
ａ ｂ Ｔｏｏ−Ｘ−ｙ−ｚ３０．０．０
４≦ａ≦０．１，０．１５≦ｂ≦０．３である。ＭはＣ
ｒ 、 Ｍｏ 、 Ｗ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ ＋ Ｖ
、 Ｍｎの１種又は２種以上で表わされる金属又は合金
のうち。
成は、一般式（Ｃｏ Ｆｅ Ｎｉ ）ｊ−ａ ｂ
ａ ｂ Ｔｏｏ−Ｘ−ｙ−ｚ３０．０．０
４≦ａ≦０．１，０．１５≦ｂ≦０．３である。ＭはＣ
ｒ 、 Ｍｏ 、 Ｗ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ ＋ Ｖ
、 Ｍｎの１種又は２種以上で表わされる金属又は合金
のうち。
磁歪定数が−Ｉ Ｘ Ｉ Ｆ６〜Ｉ Ｘ １０−６の合
金を示す。
金を示す。
ここでＢは非晶質化を助成する元素であり、８％未満の
場合には、非晶質合金薄帯の製造が困難尾なるので８％
以上とする必要があシ、１４％以上の場合には、磁気特
性の経年変化を大きくするので、１４％以下とする必要
がある。
場合には、非晶質合金薄帯の製造が困難尾なるので８％
以上とする必要があシ、１４％以上の場合には、磁気特
性の経年変化を大きくするので、１４％以下とする必要
がある。
Ｓｉは、非晶質化を助成する元素であるが、１０％未満
の場合には、非晶質合金薄帯の製造が困難になるので１
０％以上とする必要があり、１６％以上の場合には、飽
和磁束密度が著しく低下し。
の場合には、非晶質合金薄帯の製造が困難になるので１
０％以上とする必要があり、１６％以上の場合には、飽
和磁束密度が著しく低下し。
工業的に利点がなくなるため、１６％以下とする必要が
ある。
ある。
また、Ｓｉ＋Ｂの総量が、１５％未満の場合には合金を
脆化させ、かつ本発明の熱処理方法が有効に働ビ かないため１４％以上とする必要があり、一方。
脆化させ、かつ本発明の熱処理方法が有効に働ビ かないため１４％以上とする必要があり、一方。
３０％以上の場合には飽和磁束密度が著しく低下し、工
業上利点がなくなるため３０％以下とする必要がある。
業上利点がなくなるため３０％以下とする必要がある。
Ｆｅ 、 Ｎｉ量は磁歪定数を調整するものであり。
Ｆｅ量が０．０４〜０．１を越えると、磁歪定数が−Ｉ
ＸＩＯ−６〜ｌＸｌ０−６ の範囲を越え低損失、高透
磁率性が失なわれるのでこの範囲とする必要かめる。Ｎ
ｌ量が０．１５以下の場合には、飽和磁束密度が高くな
シすぎて８本発明の熱処理方法が有効に働かなくなるた
め０．１５以上とする必要がちり。
ＸＩＯ−６〜ｌＸｌ０−６ の範囲を越え低損失、高透
磁率性が失なわれるのでこの範囲とする必要かめる。Ｎ
ｌ量が０．１５以下の場合には、飽和磁束密度が高くな
シすぎて８本発明の熱処理方法が有効に働かなくなるた
め０．１５以上とする必要がちり。
また、０．３以上の場合には飽和磁束密度が著しく低下
し工業上利点がなくなるため０３以下とする必要がある
。
し工業上利点がなくなるため０３以下とする必要がある
。
次に、添加元素Ｍ（Ｃｒ 、 Ｍｏ 、 Ｗ 、 Ｎｂ
、 Ｔａ 。
、 Ｔａ 。
Ｖ 、 Ｍｒ ）は、アモルファス合金のｈＢ磁気特性
熱的安定性を向上させる元素であり、０．５％以下の場
合には、熱的安定性向上の効果が喪失するため。
熱的安定性を向上させる元素であり、０．５％以下の場
合には、熱的安定性向上の効果が喪失するため。
０５％以上とする必要があシ、一方、５％以上の場合に
は飽和磁束密度が低下し、工業上利点がなくなるので、
この範囲にする必要がある。
は飽和磁束密度が低下し、工業上利点がなくなるので、
この範囲にする必要がある。
また、Ｎ】総量が原子％で１５％以上で、かつ。
飽和磁束密度が６ ｋＧ以下の非晶質合金であることが
、よシ好捷しい。
、よシ好捷しい。
また薄帯厚みを１５μｍ以下とすると過電流損失の低減
により、コアロスが低減し、実効透磁率が向上する。
により、コアロスが低減し、実効透磁率が向上する。
以下に２本発明の実施例をあげ９本発明の熱処理方法に
ついて、更に詳しく説明する。
ついて、更に詳しく説明する。
第１の実施例
まず、公知の片ロール法を用いて９組成が、原子％で’
（”’０．０８Ｃ００，７＋”０．２１）７５Ｍ０２
Ｓｉ１３Ｂ１０である非晶質合金薄帯を用意した。薄帯
幅は５咽、厚みは１３μｍであった。
（”’０．０８Ｃ００，７＋”０．２１）７５Ｍ０２
Ｓｉ１３Ｂ１０である非晶質合金薄帯を用意した。薄帯
幅は５咽、厚みは１３μｍであった。
この非晶質合金薄帯は、磁束密度がＢ、 。＝ ５７０
０Ｇ。
０Ｇ。
キュリー温度がＴｃ＝２５７℃、結晶化温度がＴｘ＝５
４２℃であった。
４２℃であった。
この薄帯を巻回工程において９巻回し、 ＭｇＯにて層
間絶縁を施して、内径１５脳、外径１９篩の巻磁芯を作
製した。
間絶縁を施して、内径１５脳、外径１９篩の巻磁芯を作
製した。
次に、第１の熱処理工程において、この磁芯を。
窒素雰囲気中で、４２５℃の温度で、６０分間歪取シ焼
鈍し、その後室温まで１５℃／ ｓｅｃの冷却速度で急
冷した。その後、第２の熱処理工程において、非晶質合
金薄帯の面内でトロイダル方向と直角な方向に６０００
８の直流磁場を磁芯に印加し。
鈍し、その後室温まで１５℃／ ｓｅｃの冷却速度で急
冷した。その後、第２の熱処理工程において、非晶質合
金薄帯の面内でトロイダル方向と直角な方向に６０００
８の直流磁場を磁芯に印加し。
２１０〜３００℃の温度で６０分間保持し、その後直流
磁場強度を零にして、室温まで１１℃／ｓ ｅ ｃの冷
却速度で急冷した。
磁場強度を零にして、室温まで１１℃／ｓ ｅ ｃの冷
却速度で急冷した。
第１図に、磁場中焼鈍に用いた装置の概略図を示す。１
１．１２は電磁石のポールピースであり。
１．１２は電磁石のポールピースであり。
ポールピース１１．１２の間隙に一対の電気炉２１．２
２を対向して配置し、さらに、電気炉２１．２２の中に
磁芯３を入れる。
２を対向して配置し、さらに、電気炉２１．２２の中に
磁芯３を入れる。
第２図と第３図に、それぞれ、上述のように作製した磁
芯の励振周波数１００ ｋＨｚ 、磁束密度２ｋＧのコ
アロスＰＣと励振周波数１００ ｋＨｚ 、磁化力５
ｍｏ の実効透磁率μ を示す。ここで、比較のため
、磁場中焼なまし後磁場を印加したまま。
芯の励振周波数１００ ｋＨｚ 、磁束密度２ｋＧのコ
アロスＰＣと励振周波数１００ ｋＨｚ 、磁化力５
ｍｏ の実効透磁率μ を示す。ここで、比較のため
、磁場中焼なまし後磁場を印加したまま。
１．７℃／ ｍｍの冷却速度で炉冷した場合の特性も合
わせて示しである。
わせて示しである。
第２図中、○印は磁場中焼なまし後急冷した本実施例に
係る試料でΔ印は炉冷した比較試料である。図から明ら
かに分かるように、炉冷した比較試料より本実施例て係
る急冷した場合の方が、コアロスＰＣは小さくなってお
り、また、焼なまし温度Ｔａ２２０〜２４０℃、つまり
、キュリー温度Ｔｃ（２５７℃）から３７〜１７℃低い
温度で磁場中熱処理した場合に、最も小さなコアロスＰ
ｃが得られた。
係る試料でΔ印は炉冷した比較試料である。図から明ら
かに分かるように、炉冷した比較試料より本実施例て係
る急冷した場合の方が、コアロスＰＣは小さくなってお
り、また、焼なまし温度Ｔａ２２０〜２４０℃、つまり
、キュリー温度Ｔｃ（２５７℃）から３７〜１７℃低い
温度で磁場中熱処理した場合に、最も小さなコアロスＰ
ｃが得られた。
次に第３図の実効透磁率μ８において、Ａ（○印）とＢ
（＠印）は、磁場中、焼鈍後急冷しだ本実施例に係る試
料でＡは励据、胃波数１００ ｋＨｚ 、磁化力５ｍ０
ｅの実効前−率μ。、Ｂは励振周波数１ ｋＨｚ 。
（＠印）は、磁場中、焼鈍後急冷しだ本実施例に係る試
料でＡは励据、胃波数１００ ｋＨｚ 、磁化力５ｍ０
ｅの実効前−率μ。、Ｂは励振周波数１ ｋＨｚ 。
磁化力５ ｒｒ＋０．３の実効透磁率／１．である。Ｃ
（△印）とＤ（Δ印）は、炉冷した比較試料で、Ｃは１
００ｋＨｚ 、 ５ ｍｏのμ 、Ｄは１ ｋＨｚ 、
５ ｍｏのμでｅ ｅ ある。
（△印）とＤ（Δ印）は、炉冷した比較試料で、Ｃは１
００ｋＨｚ 、 ５ ｍｏのμ 、Ｄは１ ｋＨｚ 、
５ ｍｏのμでｅ ｅ ある。
図から明らかに分かるように、炉冷した比較試料Ｃ，Ｄ
よシ９本実施例に係る急冷しだ試料Ａ。
よシ９本実施例に係る急冷しだ試料Ａ。
Ｂの方が、実効透磁率μ８が犬きくなＩ） 、 １００
ｋＨｚのμ を有するＡは、Ｔ 付近で、最大値を示し
ている。一方、 ｌ ｋＨｚのμ を有するＢは、２８
０℃で最大値を取っており、Ｔｃより２３℃高い温度で
ある。
ｋＨｚのμ を有するＡは、Ｔ 付近で、最大値を示し
ている。一方、 ｌ ｋＨｚのμ を有するＢは、２８
０℃で最大値を取っており、Ｔｃより２３℃高い温度で
ある。
以上の結果から、コアロスＰ０が最も小さくなる焼なま
し温度Ｔａはキュリー温度Ｔｃより低い温度範囲でＴｃ
−５０℃〈Ｔａ＜Ｔｃ＋３０℃が最適であシ、実効透磁
率μ８が最も犬きくなる焼なまし温度Ｔａば、キュリー
温度Ｔ。より高い温度範囲で。
し温度Ｔａはキュリー温度Ｔｃより低い温度範囲でＴｃ
−５０℃〈Ｔａ＜Ｔｃ＋３０℃が最適であシ、実効透磁
率μ８が最も犬きくなる焼なまし温度Ｔａば、キュリー
温度Ｔ。より高い温度範囲で。
Ｔｃ−５０℃〈Ｔａ＜Ｔｃ＋３０℃が最適であることが
分かる。
分かる。
よって、低いコアロスＰ。と高い実効透磁率μ。
を同時に実現するには、 Ｔｏ−５０℃〈Ｔａ＜Ｔｃ＋
３０℃の温度範囲で磁場中焼なましを施し１次いで、無
磁場中で急冷する熱処理方法が最適であることが分かる
。
３０℃の温度範囲で磁場中焼なましを施し１次いで、無
磁場中で急冷する熱処理方法が最適であることが分かる
。
第２の実施例
公知の片ロール法を用いて１表−１に示す非晶質合金薄
帯ＪＩＦａ １〜Ａ８を用意した。薄帯虐ば５ ｍｍ
。
帯ＪＩＦａ １〜Ａ８を用意した。薄帯虐ば５ ｍｍ
。
厚みは１３μｍであった。
煮１〜７１１８の磁束密度Ｂｉｏ’磁化力Ｈ＝ １００
ｅ。
ｅ。
キュリー温度Ｔ 、結晶化温度Ｔｘをあわせて表−１に
示す。この薄帯を巻回工程において１巻回し。
示す。この薄帯を巻回工程において１巻回し。
ＭｇＯにて層間絶縁して、内径１５間、外径１９悶の巻
磁芯を作製した。
磁芯を作製した。
次に、第１の熱処理工程において、磁芯全、窒素雰囲気
中で、４２５℃の温度で６０分間、歪取り焼なまし、そ
の後、室温まで１５℃／ＳｅＣの冷却速度で急冷した。
中で、４２５℃の温度で６０分間、歪取り焼なまし、そ
の後、室温まで１５℃／ＳｅＣの冷却速度で急冷した。
次に、第１図に示すように、第２の熱処理工程において
、非晶質合金薄帯の面内でトロイダル方向とは直角な方
向に６０００８の直流磁場を印加し。
、非晶質合金薄帯の面内でトロイダル方向とは直角な方
向に６０００８の直流磁場を印加し。
表−２に示す温度で６０分間保持し、その後、直流磁場
強度を零として、室温まで１１℃／ ｓｅｃの冷却速度
で急冷した。
強度を零として、室温まで１１℃／ ｓｅｃの冷却速度
で急冷した。
その結果、得られたコアロスＰＣと実効透磁率μ。を表
−２に示す。
−２に示す。
表２から明らかなように９本発明に供する組成の非晶質
合金Ａ１−盃６は９本発明の熱処理方法を適用すること
により、その範囲外の組成の扁７゜８に比べ、コアロス
Ｐが著しく低く、かつ、高透磁率μ が得られているこ
とがわかる。
合金Ａ１−盃６は９本発明の熱処理方法を適用すること
により、その範囲外の組成の扁７゜８に比べ、コアロス
Ｐが著しく低く、かつ、高透磁率μ が得られているこ
とがわかる。
また上記実施例は、トロイダル状コアについての熱処理
効果であったが本発明を適用することにより、トロイダ
ル状コア以外の形状のコア、例えば、ＥＩ形、リング形
等のコアについても、高周以下余日 （赫５廓慢栗づ １云鄭ｇ１ ＋＋休体鼠朴＋Ｑμｓゼ ：巽皐！１〔発明の効果〕 以上説明したように、非晶質合金薄帯の巻磁芯を、キー
リ一温度Ｔ 以上結晶化温度Ｔｘ以下の温間に直流磁場
を印加し、Ｔ −５０℃（Ｔ （ＴＣａ
Ｃ ＋３０℃の範囲の温度で磁場生焼なましを施した後、磁
場強度を零として室温まで急冷する熱処理方法を施すこ
とにより、高周波領域で、低損失で高憑磁率性を同時に
備えた磁芯を得ることができ
効果であったが本発明を適用することにより、トロイダ
ル状コア以外の形状のコア、例えば、ＥＩ形、リング形
等のコアについても、高周以下余日 （赫５廓慢栗づ １云鄭ｇ１ ＋＋休体鼠朴＋Ｑμｓゼ ：巽皐！１〔発明の効果〕 以上説明したように、非晶質合金薄帯の巻磁芯を、キー
リ一温度Ｔ 以上結晶化温度Ｔｘ以下の温間に直流磁場
を印加し、Ｔ −５０℃（Ｔ （ＴＣａ
Ｃ ＋３０℃の範囲の温度で磁場生焼なましを施した後、磁
場強度を零として室温まで急冷する熱処理方法を施すこ
とにより、高周波領域で、低損失で高憑磁率性を同時に
備えた磁芯を得ることができ
第１図は本発明に用いた磁場中焼鈍の装置の概念図、第
２図はコアロスＰ。の磁場生焼なまし温度Ｔａ依存性を
示す相関図、第３図は実効透磁率μ。 の磁場生焼なまし温度Ｔ 依存性を示す相関図である。 １１．１２・・・電磁石の？−ルビース、２１．２２・
・・電気炉、３・・・磁芯。 第１図 第２図 ２００ ２５０ Ｔｃ
３００第３図
２図はコアロスＰ。の磁場生焼なまし温度Ｔａ依存性を
示す相関図、第３図は実効透磁率μ。 の磁場生焼なまし温度Ｔ 依存性を示す相関図である。 １１．１２・・・電磁石の？−ルビース、２１．２２・
・・電気炉、３・・・磁芯。 第１図 第２図 ２００ ２５０ Ｔｃ
３００第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、非晶質合金薄帯を巻回して成るトロイダル型非晶質
磁芯を、前記非晶質合金薄帯の有するキュリー温度Ｔ＿
ｃ以上でかつ結晶化温度以下である第１の温度に維持し
た後急冷する第１の熱処理工程と、該第１の熱処理工程
後、前記磁芯に直流磁場を前記磁芯の有するトロイダル
面を成す回転対称軸方向に印加しかつ前記磁芯を前記結
晶化温度以下である第２の温度Ｔ＿ａに維持し、その後
、前記直流磁場の強度を零にして急冷する第２の熱処理
工程とを有することを特徴とするトロイダル型非晶質磁
芯の熱処理方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載のトロイダル型非晶質磁
芯の熱処理方法において、前記非晶質合金薄帯は、一般
式 （ＣＯ＿１＿−＿ａ＿−＿ｂＦｅ＿ａＮｉ＿ｂ）＿１＿
０＿０＿−＿ｘ＿−＿ｙ＿−＿ｚＭ＿ｘＳｉ＿ｙＢ＿ｚ
（ただし、原子％で、ｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂの値はそれぞ
れ ０．５≦ｘ≦３ １０≦ｙ≦１６ ８≦ｚ≦１４ １８≦ｙ＋ｚ≦３０ ０．０４≦ａ≦０．１ ０．１５≦ｂ≦０．３ の範囲にあり、ＭはＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、
Ｍｎの１種又は２種以上の元素を表わす。）で表わされ
る化合物であることを特徴とするトロイダル型非晶質磁
芯の熱処理方法。 ３、特許請求の範囲第１項又は第２項記載のトロイダル
型非晶質磁芯の熱処理方法において、前記非晶質合金薄
帯は、磁歪足数が−１×１０＾−＾６〜１×１０＾−＾
６の範囲にあることを特徴とするトロイダル型非晶質磁
芯の熱処理方法。 ４、特許請求の範囲第１項〜第３項記載のいずれかのト
ロイダル型非晶質磁芯の熱処理方法において、前記第２
の熱処理工程は、前記第２の温度Ｔａを Ｔ＿ｃ−５０℃＜Ｔ＿ａ＜Ｔ＿ｃ＋３０℃ の範囲とすることを特徴とするトロイダル型非晶質磁芯
の熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61240846A JPH0811818B2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | トロイダル型非晶質磁芯の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61240846A JPH0811818B2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | トロイダル型非晶質磁芯の熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6396252A true JPS6396252A (ja) | 1988-04-27 |
| JPH0811818B2 JPH0811818B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=17065576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61240846A Expired - Fee Related JPH0811818B2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | トロイダル型非晶質磁芯の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0811818B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63171823A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-15 | Alps Electric Co Ltd | 非晶質磁性材料の熱処理方法 |
| FR2632767A1 (fr) * | 1988-06-13 | 1989-12-15 | Blum Gmbh & Co E | Noyau de fer pour appareils electromagnetiques |
| JPH04235258A (ja) * | 1991-01-10 | 1992-08-24 | Takeshi Masumoto | 非晶質合金成形材の製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6432226B2 (en) * | 1999-04-12 | 2002-08-13 | Alliedsignal Inc. | Magnetic glassy alloys for high frequency applications |
| US6475303B1 (en) * | 1999-04-12 | 2002-11-05 | Honeywell International Inc. | Magnetic glassy alloys for electronic article surveillance |
-
1986
- 1986-10-09 JP JP61240846A patent/JPH0811818B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63171823A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-15 | Alps Electric Co Ltd | 非晶質磁性材料の熱処理方法 |
| FR2632767A1 (fr) * | 1988-06-13 | 1989-12-15 | Blum Gmbh & Co E | Noyau de fer pour appareils electromagnetiques |
| JPH04235258A (ja) * | 1991-01-10 | 1992-08-24 | Takeshi Masumoto | 非晶質合金成形材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0811818B2 (ja) | 1996-02-07 |
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