JPH0375062B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0375062B2 JPH0375062B2 JP2179885A JP2179885A JPH0375062B2 JP H0375062 B2 JPH0375062 B2 JP H0375062B2 JP 2179885 A JP2179885 A JP 2179885A JP 2179885 A JP2179885 A JP 2179885A JP H0375062 B2 JPH0375062 B2 JP H0375062B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- electrode
- sheave
- insulated wire
- pinholes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- KJFMBFZCATUALV-UHFFFAOYSA-N phenolphthalein Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)C2=CC=CC=C2C(=O)O1 KJFMBFZCATUALV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 238000000275 quality assurance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/20—Investigating the presence of flaws
- G01N27/205—Investigating the presence of flaws in insulating materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、導体上に絶縁皮膜を被覆したエナメ
ル電線の絶縁皮膜に発生したピンホールを効率よ
く検出する方法に関する。
ル電線の絶縁皮膜に発生したピンホールを効率よ
く検出する方法に関する。
エナメル電線のピンホール試験（無処理法）方
法は、JIS（日本工業規格）に規定されており、そ
れによると次の方法がとられている。
法は、JIS（日本工業規格）に規定されており、そ
れによると次の方法がとられている。
長さ6mの試験片をとり、フエノールフタレイ
ン３％アルコール溶液の適量を滴下した0.2％食
塩水中に試験片5mを浸し、液を正極、試験片の
導体を負極として12Vの直流電圧を１分間加え、
発生するピンホール数を調べ、２種品で５ケ／
5m以下を許容範囲としている。
ン３％アルコール溶液の適量を滴下した0.2％食
塩水中に試験片5mを浸し、液を正極、試験片の
導体を負極として12Vの直流電圧を１分間加え、
発生するピンホール数を調べ、２種品で５ケ／
5m以下を許容範囲としている。
このJISで規定する方法は、当然のことながら
試験片の採取がボビンの上口の方でしか行われな
い。ところで、このようなエナメル電線のユーザ
ーは、当然のことながら線材の全長に亘る品質保
証を求めている。そのためこのJIS法に代つて以
下の如き方法により線材の全長に亘つて試験する
ことが行われている。
試験片の採取がボビンの上口の方でしか行われな
い。ところで、このようなエナメル電線のユーザ
ーは、当然のことながら線材の全長に亘る品質保
証を求めている。そのためこのJIS法に代つて以
下の如き方法により線材の全長に亘つて試験する
ことが行われている。
１ 接触法：
絶縁電線のパスラインの途中に電極シーブを取
り付け、この電極シーブに電圧をかけて皮膜の絶
縁抵抗を測定し、設定値以下の箇所を検出する。
り付け、この電極シーブに電圧をかけて皮膜の絶
縁抵抗を測定し、設定値以下の箇所を検出する。
２ 非接触法：
走行線材のごく近傍に電極を取り付け、この電
極に電圧をかけて皮膜の絶縁抵抗を測定し、設定
値以下の箇所を検出する。
極に電圧をかけて皮膜の絶縁抵抗を測定し、設定
値以下の箇所を検出する。
しかるに、上記の接触法及び非接触法には次の
如き問題があつた。
如き問題があつた。
１ 接触法における問題点：
走行線材が電極シーブと接触するので検出感度
は高いけれども、パスライン中に新たに電極シー
ブを取付けるのでこれが大径の場合はスペース的
に取付が困難になる。そのため取り付けられる電
極シーブは小径のものとならざるを得ず、線材が
小径に曲げられることになるので、線材の品質低
下の恐れがあるばかりでなく、作業が煩雑とな
り、またパスライン外れが起り易い等の問題があ
る。
は高いけれども、パスライン中に新たに電極シー
ブを取付けるのでこれが大径の場合はスペース的
に取付が困難になる。そのため取り付けられる電
極シーブは小径のものとならざるを得ず、線材が
小径に曲げられることになるので、線材の品質低
下の恐れがあるばかりでなく、作業が煩雑とな
り、またパスライン外れが起り易い等の問題があ
る。
２ 非接触法における問題点：
走行線材と電極の間に隙間があるので検出感度
は低い。この検出感度を高めるには前記の隙間を
小さくする必要があり、こうすると走行線材に振
動が生じた場合に電極と接触し傷の付く恐れがあ
る。又、電極部の線通しを行わねばならず作業が
煩雑になる等の問題がある。
は低い。この検出感度を高めるには前記の隙間を
小さくする必要があり、こうすると走行線材に振
動が生じた場合に電極と接触し傷の付く恐れがあ
る。又、電極部の線通しを行わねばならず作業が
煩雑になる等の問題がある。
本発明は、上記の問題点に着目してなされたも
のであり、その要旨とするところは、エナメル電
線線材の送線工程の際に使用する案内シーブ又は
トラバースシーブ等のシーブを電極とし、この電
極とエナメル電線の導体間に電圧を印加して、両
者間の絶縁抵抗を測定することにより、走行する
エナメル線絶縁皮膜のピンホールを検出する方法
である。
のであり、その要旨とするところは、エナメル電
線線材の送線工程の際に使用する案内シーブ又は
トラバースシーブ等のシーブを電極とし、この電
極とエナメル電線の導体間に電圧を印加して、両
者間の絶縁抵抗を測定することにより、走行する
エナメル線絶縁皮膜のピンホールを検出する方法
である。
しかして、上記方法の好ましい一例としては、
上記の電極として用いるシーブの溝径を送線する
線材の外径と等しくすることである。
上記の電極として用いるシーブの溝径を送線する
線材の外径と等しくすることである。
また、上記の電極として用いるシーブを２箇所
とし、かつその各々のシーブの位相を、送線する
線材に対し180゜変えることも本発明の好ましい一
例である。
とし、かつその各々のシーブの位相を、送線する
線材に対し180゜変えることも本発明の好ましい一
例である。
さらに、上記の電極として用いるシーブへの印
加電圧を100V以下することも本発明の好ましい
一例である。
加電圧を100V以下することも本発明の好ましい
一例である。
以上説明したような本発明の絶縁電線のピンホ
ール検出方法によれば、通常の送線経路例えばボ
ビンへの巻取りのための送線経路等において、そ
こに設置されている案内シーブ、トラバースシー
ブ等を利用し、これにピンホール検出のための電
圧を印加するものであるから、製品線材の全長に
亘り欠陥を検出することが可能であるし、又従来
行われていた試験片採取も不要となる。
ール検出方法によれば、通常の送線経路例えばボ
ビンへの巻取りのための送線経路等において、そ
こに設置されている案内シーブ、トラバースシー
ブ等を利用し、これにピンホール検出のための電
圧を印加するものであるから、製品線材の全長に
亘り欠陥を検出することが可能であるし、又従来
行われていた試験片採取も不要となる。
また、電極として用いるシーブの溝径を送線す
る線材の外径を一致させることによつて検出感度
を向上させることができるし、電極シーブを２箇
所としかつその各々の電極シーブの位相を送線す
る線材に対し180゜変えることによつて線材の全周
について欠陥の検出が行われる。
る線材の外径を一致させることによつて検出感度
を向上させることができるし、電極シーブを２箇
所としかつその各々の電極シーブの位相を送線す
る線材に対し180゜変えることによつて線材の全周
について欠陥の検出が行われる。
さらに、電極シーブへ印加する電圧を100V以
下としているから、この電圧印加によつて線材に
与える影響が少なく、又一方この検出試験を非破
壊試験とすることもできる。
下としているから、この電圧印加によつて線材に
与える影響が少なく、又一方この検出試験を非破
壊試験とすることもできる。
次に、本発明のピンホール検出方法を図に示し
た実施例に基づいて説明する。第１図は本発明方
法の一実施例を示す動作説明図であり、第２図は
シーブの一部断面図である。図中の符号１はエナ
メル電線であり、図示を省略してあるエナメル線
焼付炉等より引取りキヤプスタン２の作動によつ
て巻取ボビン３に巻取られる。４はこの際走行す
るエナメル電線１を案内するため配設された案内
シーブであり、５は同じくトラバースシーブであ
る。なお、塗装前の裸電線（図示せず）は、走行
途中でアースされている。しかして、本発明にお
いては、この従来も用いられていた案内シーブ
４、トラバースシーブ５のいずれか又はそれらの
双方を電極とし、この電極とエナメル線の導体間
に電圧を印加して、両者間の絶縁抵抗を測定す
る。走行するエナメル線の絶縁皮膜にピンホール
があると、電極としたシーブとエナメル線の導体
間の絶縁抵抗が低下し、これによりピンホールが
検出される。この場合、電極とし用いるシーブ４
もしくは５の溝径と走行する線材１の外径を等し
くすることによつて第２図に示す如く線材１の線
長方向表面の略1/2が欠陥検出の対象とされる訳
である。又、案内シーブ４、トラバースシーブ５
の双方を電極とする場合は、第１図に示す如くそ
の各々のシーブの位相を走行する線材１に対し
180゜変えることによつて線材１の全周、全長の欠
陥を検出することが可能である。さらに、前記電
極とするシーブ４，５にピンホール検出のために
印加する電圧を100V以下とすることにより線材
１の品質を損うことなく、又非破壊試験をもなす
ことができる。
た実施例に基づいて説明する。第１図は本発明方
法の一実施例を示す動作説明図であり、第２図は
シーブの一部断面図である。図中の符号１はエナ
メル電線であり、図示を省略してあるエナメル線
焼付炉等より引取りキヤプスタン２の作動によつ
て巻取ボビン３に巻取られる。４はこの際走行す
るエナメル電線１を案内するため配設された案内
シーブであり、５は同じくトラバースシーブであ
る。なお、塗装前の裸電線（図示せず）は、走行
途中でアースされている。しかして、本発明にお
いては、この従来も用いられていた案内シーブ
４、トラバースシーブ５のいずれか又はそれらの
双方を電極とし、この電極とエナメル線の導体間
に電圧を印加して、両者間の絶縁抵抗を測定す
る。走行するエナメル線の絶縁皮膜にピンホール
があると、電極としたシーブとエナメル線の導体
間の絶縁抵抗が低下し、これによりピンホールが
検出される。この場合、電極とし用いるシーブ４
もしくは５の溝径と走行する線材１の外径を等し
くすることによつて第２図に示す如く線材１の線
長方向表面の略1/2が欠陥検出の対象とされる訳
である。又、案内シーブ４、トラバースシーブ５
の双方を電極とする場合は、第１図に示す如くそ
の各々のシーブの位相を走行する線材１に対し
180゜変えることによつて線材１の全周、全長の欠
陥を検出することが可能である。さらに、前記電
極とするシーブ４，５にピンホール検出のために
印加する電圧を100V以下とすることにより線材
１の品質を損うことなく、又非破壊試験をもなす
ことができる。
本発明のピンホール検出方法によれば次の効果
をもたらすことができる。
をもたらすことができる。
１ エナメル電線の全長に亘りピンホール等の欠
陥を検出することができる。
陥を検出することができる。
２ 従来用いられているパスラインをそのまま利
用するので、設備費がかからず、工程を変更し
なくてよいので、作業性も損わない。
用するので、設備費がかからず、工程を変更し
なくてよいので、作業性も損わない。
３ ピンホール検出に低圧電源を用いるので、作
業上安全が保持され、かつ非破壊試験をしたこ
とにもなる。
業上安全が保持され、かつ非破壊試験をしたこ
とにもなる。
４ 試験片の採取が不要であるから、その手間と
製品の切断による歩留り減少が防止される。
製品の切断による歩留り減少が防止される。
図は本発明方法の一実施例を示し、第１図は動
作説明図、第２図はシーブの一部断面図である。 図中の符号、１はエナメル電線、２は引取用キ
ヤプスタン、３は巻取ボビン、４は案内シーブ、
５はトラバースシーブである。図中の同一符号は
同一又は相当部分を示す。
作説明図、第２図はシーブの一部断面図である。 図中の符号、１はエナメル電線、２は引取用キ
ヤプスタン、３は巻取ボビン、４は案内シーブ、
５はトラバースシーブである。図中の同一符号は
同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導体表面に絶縁皮膜が絶縁塗料の塗布焼付に
より形成された絶縁電線の走行工程において、前
記絶縁電線を走行経路に沿つて支持するシーブを
電極とし、該電極と前記導体との間に電圧を印加
して、両者間の絶縁抵抗を測定することにより、
前記絶縁皮膜のピンホールの存在を検出すること
を特徴とする絶縁電線のピンホール検出方法。 ２ 上記電極に用いるシーブの溝径を送線する絶
縁電線の外径と等しくすることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の絶縁電線のピンホール検
出方法。 ３ 上記走行経路中の２箇所のシーブを前記電極
として用い、かつ電極とするシーブの位相を、送
線する絶縁電線に対して180゜変えたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の絶縁電線のピン
ホール検出方法。 ４ 上記電極に用いるシーブへの印加電圧を
100V以下とすることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の絶縁電線のピンホール検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2179885A JPS61182566A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 絶縁電線のピンホ−ル検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2179885A JPS61182566A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 絶縁電線のピンホ−ル検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61182566A JPS61182566A (ja) | 1986-08-15 |
| JPH0375062B2 true JPH0375062B2 (ja) | 1991-11-28 |
Family
ID=12065069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2179885A Granted JPS61182566A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 絶縁電線のピンホ−ル検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61182566A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4712730B2 (ja) * | 2007-01-12 | 2011-06-29 | 古河電気工業株式会社 | ピンホール試験方法及び導線引張装置 |
| CN102539483A (zh) * | 2012-02-10 | 2012-07-04 | 铜陵鑫晟源工业技术有限责任公司 | 一种漆包线在线检测设备 |
-
1985
- 1985-02-08 JP JP2179885A patent/JPS61182566A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61182566A (ja) | 1986-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100730968B1 (ko) | 재료내의 물의 존재 여부 판정 방법 | |
| JP4775904B2 (ja) | 巻線機 | |
| JPH0375062B2 (ja) | ||
| US4151461A (en) | Tester of dry dielectric strength for insulated electric cable | |
| Ibragimov et al. | Apparatus for identifying microcracks on the inner surface of glazed pipes | |
| US2794169A (en) | Cable-testing apparatus | |
| JP2006067679A (ja) | 電力ケーブル点検装置及び方法 | |
| JPS63128274A (ja) | 碍子汚損監視装置 | |
| JPH0484779A (ja) | 電力ケーブルの部分放電検出方法 | |
| US2485871A (en) | Insulated electric wire testing | |
| WO2022145269A1 (ja) | 被覆欠陥検出装置と被覆欠陥検出方法、および回転電機の製造方法 | |
| JPH07260870A (ja) | 電力ケーブル直流漏れ電流の測定法 | |
| JP3230237B2 (ja) | ケーブル接続部 | |
| WO2022085358A1 (ja) | マグネットワイヤ被覆の検査装置、マグネットワイヤ被覆の検査方法、および電気機械の製造方法 | |
| JPH03172777A (ja) | Ｃｖケーブルの絶縁劣化診断方法 | |
| WO2023139910A1 (ja) | 巻線負荷再現装置、マグネットワイヤ絶縁被膜の検査装置、マグネットワイヤ絶縁被膜の検査方法、および回転電機の製造方法 | |
| SU1195304A1 (ru) | СПОСОБ ИСПЫТАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОЧНОСТИ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ ТВЕРДОЙ КОМПОЗИЦИОННОЙ изоляции | |
| JPH0773418B2 (ja) | 巻線の欠陥検出装置 | |
| JP2742121B2 (ja) | 警報線付トロリ線 | |
| JPS6210811A (ja) | 絶縁電線の製造装置 | |
| JP2000111529A (ja) | 渦流探傷器のプローブ | |
| US5023558A (en) | Ignition wire core conductive irregularity detector | |
| JP2021141730A (ja) | 電力ケーブルの検査装置及び検査方法 | |
| JPH05338917A (ja) | ボビン自動切り分け処理システム | |
| KR20020066119A (ko) | 피막와이어의 검사방법 및 그 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |