JPH0373174B2 - - Google Patents
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- JPH0373174B2 JPH0373174B2 JP57182894A JP18289482A JPH0373174B2 JP H0373174 B2 JPH0373174 B2 JP H0373174B2 JP 57182894 A JP57182894 A JP 57182894A JP 18289482 A JP18289482 A JP 18289482A JP H0373174 B2 JPH0373174 B2 JP H0373174B2
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 11
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 101100333302 Arabidopsis thaliana EMF1 gene Proteins 0.000 description 5
- 101100508576 Gallus gallus CXCL8 gene Proteins 0.000 description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
- H03F1/0244—Stepped control
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は新規な電力増幅器に関し、特に異なる
電源電圧を受ける複数の出力回路を備え出力電圧
の変化に応じて動作する出力回路が自動的に切換
わるようにした電力増幅器において動作の安定化
を図り、且つ、動作する出力回路の切換を出力電
圧の変化に応じて迅速に行い、それによつてより
高効率化を図り、熱損失をより少なくしようとす
るものである。
電源電圧を受ける複数の出力回路を備え出力電圧
の変化に応じて動作する出力回路が自動的に切換
わるようにした電力増幅器において動作の安定化
を図り、且つ、動作する出力回路の切換を出力電
圧の変化に応じて迅速に行い、それによつてより
高効率化を図り、熱損失をより少なくしようとす
るものである。
背景技術
電力増幅器として出力電圧の大きさに応じて出
力回路に加わる電源電圧を２段階に切換えるよう
にして熱損失を少なくした高効率電力増幅器があ
る。その電力増幅器の原理を説明すると次の通り
である。即ち、電力増幅器として非常に多く用い
られるＢ級トランジスタ増幅回路において、発生
する熱損失は出力電圧の振幅が電源電圧の略64％
のときに最大となり、そして、その出力電圧の振
幅が電源電圧の約64％を越えて電源電圧に近ずく
程熱損失が小さくなる。従つて、電源電圧を出力
電圧よりも常に僅かに高い値になるように出力電
圧の変化に応じて変化させてやれば熱損失を非常
に小さくすることができる。しかし、電源電圧を
出力電圧の変化に応じて広範囲にわたつて無段階
に変化させることは実際上困難である。そこで、
電圧の異なる２つの電源を設け、出力電圧が所定
の基準電圧よりも低い時と高い時とで出力回路に
加わる電源電圧が異なるように出力回路に加える
電源を切換えるようにして高効率化が図られてい
る。
力回路に加わる電源電圧を２段階に切換えるよう
にして熱損失を少なくした高効率電力増幅器があ
る。その電力増幅器の原理を説明すると次の通り
である。即ち、電力増幅器として非常に多く用い
られるＢ級トランジスタ増幅回路において、発生
する熱損失は出力電圧の振幅が電源電圧の略64％
のときに最大となり、そして、その出力電圧の振
幅が電源電圧の約64％を越えて電源電圧に近ずく
程熱損失が小さくなる。従つて、電源電圧を出力
電圧よりも常に僅かに高い値になるように出力電
圧の変化に応じて変化させてやれば熱損失を非常
に小さくすることができる。しかし、電源電圧を
出力電圧の変化に応じて広範囲にわたつて無段階
に変化させることは実際上困難である。そこで、
電圧の異なる２つの電源を設け、出力電圧が所定
の基準電圧よりも低い時と高い時とで出力回路に
加わる電源電圧が異なるように出力回路に加える
電源を切換えるようにして高効率化が図られてい
る。
第１図はその原理を応用した電力増幅器の一例
を示すものである。この電力増幅器は本願出願人
会社において開発されたもので、異なる電源電圧
を受ける２つの出力回路を正極側、負極側それぞ
れに設け、出力電圧の振幅が一定の基準電圧より
も低い時には低い電源電圧を受ける出力回路を動
作させ、出力電圧の振幅がその基準電圧よりも高
い時には高い電源電圧を受ける出力回路を動作さ
せるというように、出力回路を切換えるようにし
てなる。
を示すものである。この電力増幅器は本願出願人
会社において開発されたもので、異なる電源電圧
を受ける２つの出力回路を正極側、負極側それぞ
れに設け、出力電圧の振幅が一定の基準電圧より
も低い時には低い電源電圧を受ける出力回路を動
作させ、出力電圧の振幅がその基準電圧よりも高
い時には高い電源電圧を受ける出力回路を動作さ
せるというように、出力回路を切換えるようにし
てなる。
同図において、Ｑ１はベースに入力電圧eiを受
けるPNPトランジスタで、このコレクタは抵抗
ROを介して接地され、そのエミツタは定電流回
路I0１を介して高電圧電源端子（＋Vch）と接続
されている。Ｑ２はベースがトランジスタＱ１の
エミツタと接続され、エミツタが前記抵抗ROを
介して接地されたNPNトランジスタである。こ
のトランジスタＱ１及びＱ２がこのプツシユプル
型電力増幅器の正極側の駆動トランジスタとして
機能し、入力信号eiが正の時にパワートランジス
タＱ３とＱ４とのいずれか一方を駆動する。この
駆動トランジスタＱ２のコレクタは抵抗Ｒ１及び
ダイオードＤ１を介してPNP型の前記パワート
ランジスタＱ３のベースに接続されている。パワ
ートランジスタＱ３のエミツタは抵抗Ｒ２を介し
て低電圧電源端子（＋Vcl）と接続され、同じく
そのコレクタは逆流防止用のダイオードＤ２を介
して負荷となるスピーカSPの一端に接続されて
いる。このスピーカPSの他端は接地されている。
けるPNPトランジスタで、このコレクタは抵抗
ROを介して接地され、そのエミツタは定電流回
路I0１を介して高電圧電源端子（＋Vch）と接続
されている。Ｑ２はベースがトランジスタＱ１の
エミツタと接続され、エミツタが前記抵抗ROを
介して接地されたNPNトランジスタである。こ
のトランジスタＱ１及びＱ２がこのプツシユプル
型電力増幅器の正極側の駆動トランジスタとして
機能し、入力信号eiが正の時にパワートランジス
タＱ３とＱ４とのいずれか一方を駆動する。この
駆動トランジスタＱ２のコレクタは抵抗Ｒ１及び
ダイオードＤ１を介してPNP型の前記パワート
ランジスタＱ３のベースに接続されている。パワ
ートランジスタＱ３のエミツタは抵抗Ｒ２を介し
て低電圧電源端子（＋Vcl）と接続され、同じく
そのコレクタは逆流防止用のダイオードＤ２を介
して負荷となるスピーカSPの一端に接続されて
いる。このスピーカPSの他端は接地されている。
ここで、パワートランジスタＱ３の動作につい
て述べると、トランジスタＱ２のベースがハイの
時においては、低電圧電源端子（＋Vcl）から抵
抗Ｒ２、トランジスタＱ３のエミツタ・ベース、
ダイオードＤ１及び抵抗Ｒ１を通してトランジス
タＱ２に電流が流れる。この電流はパワートラン
ジスタＱ３のベース電流であり、この電流によつ
てパワートランジスタＱ３が駆動され、出力電圧
e0が低電源電圧Vclと略等しいかあるいはそれよ
り高い場合を除き、パワートランジスタＱ３から
逆流防止用ダイオードＤ２を通してスピーカSP
に出力電流が供給される。尚、逆流防止用のダイ
オードＤ２は出力電圧e0が低電源電圧Vclよりも
高くなつた時にパワートランジスタＱ３のコレク
タがエミツタよりもハイレベルになることを防止
する役割を果す。
て述べると、トランジスタＱ２のベースがハイの
時においては、低電圧電源端子（＋Vcl）から抵
抗Ｒ２、トランジスタＱ３のエミツタ・ベース、
ダイオードＤ１及び抵抗Ｒ１を通してトランジス
タＱ２に電流が流れる。この電流はパワートラン
ジスタＱ３のベース電流であり、この電流によつ
てパワートランジスタＱ３が駆動され、出力電圧
e0が低電源電圧Vclと略等しいかあるいはそれよ
り高い場合を除き、パワートランジスタＱ３から
逆流防止用ダイオードＤ２を通してスピーカSP
に出力電流が供給される。尚、逆流防止用のダイ
オードＤ２は出力電圧e0が低電源電圧Vclよりも
高くなつた時にパワートランジスタＱ３のコレク
タがエミツタよりもハイレベルになることを防止
する役割を果す。
しかして、パタートランジスタＱ３、抵抗Ｒ
１，Ｒ２によつて低電源電圧Vclを受ける第１の
出力回路が構成される。
１，Ｒ２によつて低電源電圧Vclを受ける第１の
出力回路が構成される。
パワートランジスタＱ４は後述するNPN型の
トランジスタＱ５がオンした時（これは後述する
ようにとりも直さず出力電圧e0が低電源電圧Vcl
よりも高い時）駆動トランジスタＱ２によつて駆
動されるもので、該パワートランジスタＱ４のベ
ースは抵抗Ｒ３及びトランジスタＱ５を介して駆
動トランジスタＱ２のコレクタに接続され、エミ
ツタは抵抗Ｒ４を介して高電圧電源端子（＋
Vch）に接続され、コレクタはスピーカSPの反
接地側の端子に接続されている。Ｒ５はトランジ
スタＱ４のベースと高電圧電源端子（＋Vch）と
の間に接続された抵抗である。ここで、このパワ
ートランジスタＱ４の動作について説明すると、
高電圧電源端子（＋Vch）から抵抗Ｒ４、パワー
トランジスタＱ４のエミツタ・ベース抵抗Ｒ３及
びトランジスタＱ５を通して駆動トランジスタＱ
２に電流が流れる。この電流はパワートランジス
タＱ４のベース電流であり、この電流によつてパ
ワートランジスタＱ４が駆動され、このパワート
ランジスタＱ４を通してピーカSPに出力電流が
供給される。尚、Ｄ３は抵抗Ｒ１とダイオードＤ
１との接続点と、トランジスタＱ３のコレクタと
の間に接続されたダイオードである。
トランジスタＱ５がオンした時（これは後述する
ようにとりも直さず出力電圧e0が低電源電圧Vcl
よりも高い時）駆動トランジスタＱ２によつて駆
動されるもので、該パワートランジスタＱ４のベ
ースは抵抗Ｒ３及びトランジスタＱ５を介して駆
動トランジスタＱ２のコレクタに接続され、エミ
ツタは抵抗Ｒ４を介して高電圧電源端子（＋
Vch）に接続され、コレクタはスピーカSPの反
接地側の端子に接続されている。Ｒ５はトランジ
スタＱ４のベースと高電圧電源端子（＋Vch）と
の間に接続された抵抗である。ここで、このパワ
ートランジスタＱ４の動作について説明すると、
高電圧電源端子（＋Vch）から抵抗Ｒ４、パワー
トランジスタＱ４のエミツタ・ベース抵抗Ｒ３及
びトランジスタＱ５を通して駆動トランジスタＱ
２に電流が流れる。この電流はパワートランジス
タＱ４のベース電流であり、この電流によつてパ
ワートランジスタＱ４が駆動され、このパワート
ランジスタＱ４を通してピーカSPに出力電流が
供給される。尚、Ｄ３は抵抗Ｒ１とダイオードＤ
１との接続点と、トランジスタＱ３のコレクタと
の間に接続されたダイオードである。
しかして、上述した抵抗Ｒ４とパワートランジ
スタＱ４とによつて高電源電圧Vchを受ける第２
の出力回路が構成される。
スタＱ４とによつて高電源電圧Vchを受ける第２
の出力回路が構成される。
トランジスタＱ５は出力電圧e0が所定の基準電
圧よりも高い時に導通して駆動トランジスタＱ２
によつてパワートランジスタＱ４が駆動された状
態にする役割を果す。このトランジスタＱ５のベ
ースには抵抗Ｒ６と逆流防止用ダイオードＤ４と
を介してパワートランジスタＱ３のコレクタが接
続されており、又、エミツタは駆動トランジスタ
Ｑ２のコレクタに接続されている。このトランジ
スタＱ５のベースには抵抗Ｒ６の電圧降下分を無
視すれば出力電圧e0と等しい電圧が印加され、そ
の出力電圧e0の変化に応じてそのベースのレベル
が変化する。一方、トランジスタＱ５のエミツタ
は低電源電圧Vclよりも抵抗Ｒ２、トランジスタ
Ｑ３のエミツタ・ベース間、ダイオードＤ１及び
抵抗Ｒ１の電圧降下分低いレベルとなり、このレ
ベルは略一定である。そして、このレベルよりも
トランジスタＱ５のエミツタ・ベース間電圧分高
い電圧が基準電圧となり、出力電圧e0の変化に応
じて変化するトランジスタＱ５のベースのレベル
がその基準電圧よりも低い時、即ち、出力電圧e0
が概ね低電源電圧Vclよりも低い時にはトランジ
スタＱ５がオンしないのでパワートランジスタＱ
４は駆動トランジスタＱ２によつて駆動され得な
い。しかし、その逆の場合にはトランジスタＱ５
がオンし、パワートランジスタＱ４が駆動トラン
ジスタＱ２によつて駆動された状態になり、一
方、パワートランジスタＱ３はコレクタのレベル
がエミツタのレベルと略等しくなるまで上昇する
のでオフ状態となる。
圧よりも高い時に導通して駆動トランジスタＱ２
によつてパワートランジスタＱ４が駆動された状
態にする役割を果す。このトランジスタＱ５のベ
ースには抵抗Ｒ６と逆流防止用ダイオードＤ４と
を介してパワートランジスタＱ３のコレクタが接
続されており、又、エミツタは駆動トランジスタ
Ｑ２のコレクタに接続されている。このトランジ
スタＱ５のベースには抵抗Ｒ６の電圧降下分を無
視すれば出力電圧e0と等しい電圧が印加され、そ
の出力電圧e0の変化に応じてそのベースのレベル
が変化する。一方、トランジスタＱ５のエミツタ
は低電源電圧Vclよりも抵抗Ｒ２、トランジスタ
Ｑ３のエミツタ・ベース間、ダイオードＤ１及び
抵抗Ｒ１の電圧降下分低いレベルとなり、このレ
ベルは略一定である。そして、このレベルよりも
トランジスタＱ５のエミツタ・ベース間電圧分高
い電圧が基準電圧となり、出力電圧e0の変化に応
じて変化するトランジスタＱ５のベースのレベル
がその基準電圧よりも低い時、即ち、出力電圧e0
が概ね低電源電圧Vclよりも低い時にはトランジ
スタＱ５がオンしないのでパワートランジスタＱ
４は駆動トランジスタＱ２によつて駆動され得な
い。しかし、その逆の場合にはトランジスタＱ５
がオンし、パワートランジスタＱ４が駆動トラン
ジスタＱ２によつて駆動された状態になり、一
方、パワートランジスタＱ３はコレクタのレベル
がエミツタのレベルと略等しくなるまで上昇する
のでオフ状態となる。
尚、第１図において、Rf及びCfは互いに直列
に接続されて帰還回路を構成する抵抗及びコンデ
ンサであり、この帰還回路はスピーカSPの反接
地側端子とトランジスタＱ２のエミツタとの間に
接続されており、出力電圧e0の高周波成分を負帰
帰する役割を果す。又、負極側は上述した正極側
と対称的な構成をしており、その動作も正極側と
本質的に同じなので、負極側の構成と動作の説明
を省略する。
に接続されて帰還回路を構成する抵抗及びコンデ
ンサであり、この帰還回路はスピーカSPの反接
地側端子とトランジスタＱ２のエミツタとの間に
接続されており、出力電圧e0の高周波成分を負帰
帰する役割を果す。又、負極側は上述した正極側
と対称的な構成をしており、その動作も正極側と
本質的に同じなので、負極側の構成と動作の説明
を省略する。
上述したように、第１に示す電力増幅器は、出
力電圧e0が低電源電圧Vclよりも低い時には低電
源電圧Vclを受ける第１の出力回路が動作するの
で、非常に効率を高くし、熱損失を小さくするこ
とができる。
力電圧e0が低電源電圧Vclよりも低い時には低電
源電圧Vclを受ける第１の出力回路が動作するの
で、非常に効率を高くし、熱損失を小さくするこ
とができる。
背景技術の問題点
ところで、第１図に示す電力増幅器には次のよ
うな問題がある。即ち、トランジスタＱ５のベー
スは逆流防止用ダイオードＤ４がオフ状態の時、
即ち、そのアノードのレベルがカソードのレベル
よりも低くなつた時には略フローテイング状態に
なり、そのベース側が容量性となり、そのインピ
ーダンスが非常に高くなる。従つて、発振しやす
くなり、そのためパワートランジスタＱ４のベー
スとトランジスタＱ５のコレクタとの間に介在さ
せた抵抗Ｒ３及びトランジスタＱ５のベース・コ
レクタ間に接続したコンデンサＣ１とによつて帰
還回路を構成し、発振しにくくする必要性が生じ
てくる。
うな問題がある。即ち、トランジスタＱ５のベー
スは逆流防止用ダイオードＤ４がオフ状態の時、
即ち、そのアノードのレベルがカソードのレベル
よりも低くなつた時には略フローテイング状態に
なり、そのベース側が容量性となり、そのインピ
ーダンスが非常に高くなる。従つて、発振しやす
くなり、そのためパワートランジスタＱ４のベー
スとトランジスタＱ５のコレクタとの間に介在さ
せた抵抗Ｒ３及びトランジスタＱ５のベース・コ
レクタ間に接続したコンデンサＣ１とによつて帰
還回路を構成し、発振しにくくする必要性が生じ
てくる。
又、逆流防止用ダイオードＤ４がオフしてトラ
ンジスタＱ５のベース側が略フローテイング状態
になると、出力電圧e0が急激に低下した時にその
ベースのレベルがそれに追随して急激に低下し得
ず、第２図の破線に示すように非常にゆつくりと
低下する。そのため、出力電圧e0が低電源電圧
cVclよりも高い状態から低い状態に急激に変化
した場合において、動作する出力回路が出力電圧
e0の変化に応じて高い電源電圧Vchを受ける出力
回路から低い電源電圧Vclを受ける出力回路に急
速に切換わなければならないにも拘らずその切換
のタイミングが遅れてしまう。従つて、出力電圧
e0が低くなつてたにも拘らず高い電源電圧Vchを
受ける出力回路が動作し続け、その結果、高効率
化を図り熱損失を少なくすることができるという
効果が半減してしまうという問題点があつた。
ンジスタＱ５のベース側が略フローテイング状態
になると、出力電圧e0が急激に低下した時にその
ベースのレベルがそれに追随して急激に低下し得
ず、第２図の破線に示すように非常にゆつくりと
低下する。そのため、出力電圧e0が低電源電圧
cVclよりも高い状態から低い状態に急激に変化
した場合において、動作する出力回路が出力電圧
e0の変化に応じて高い電源電圧Vchを受ける出力
回路から低い電源電圧Vclを受ける出力回路に急
速に切換わなければならないにも拘らずその切換
のタイミングが遅れてしまう。従つて、出力電圧
e0が低くなつてたにも拘らず高い電源電圧Vchを
受ける出力回路が動作し続け、その結果、高効率
化を図り熱損失を少なくすることができるという
効果が半減してしまうという問題点があつた。
目 的
しかして、本発明は、異なる電源電圧を受ける
複数の出力回路を備え出力電圧の変化に応じて動
作する出力回路が自動的に切換わるようにした電
力増幅器において動作の安定化を図り、且つ動作
する出力電圧の切換を出力電圧の変化に応じて迅
速に行い、それによつてより高効率化を図り、熱
損失をより少なくしようとすることを目的とす
る。
複数の出力回路を備え出力電圧の変化に応じて動
作する出力回路が自動的に切換わるようにした電
力増幅器において動作の安定化を図り、且つ動作
する出力電圧の切換を出力電圧の変化に応じて迅
速に行い、それによつてより高効率化を図り、熱
損失をより少なくしようとすることを目的とす
る。
構 成
上記目的を達成するための本発明電力増幅器の
第１のものは、コレクタとエミツタのうち一方
が、低電圧電源端子と接続され他方が逆流防止用
ダイオードを介して負荷の反接地側の端子と接続
された第１のパワートランジスタと、高電圧電源
端子と前記負荷の反接地側の端子との間に接続さ
れた第２のパワートランジスタと、コレクタが該
第２のパワートランジスタのベースと接続された
スイツチングトランジスタと、コレクタが該スイ
ツチングトランジスタのエミツタと接続されると
共に前記第１のパワートランジスタのベースにレ
ベル調整手段を介して接続されベース・エミツタ
間に入力信号を受ける駆動トランジスタと、前記
逆流防止用ダイオードと第１のパワートランジス
タとの接続点に接続された別の逆流防止用ダイオ
ードを介して負荷の端子電圧を入力電圧として受
け出力電圧によつて前記スイツチングトランジス
タを制御するエミツタホロアトランジスタと、該
エミツタホロアトランジスタの出力電圧が前記ス
イツチングトランジスタのエミツタに加わる電圧
と略等しくなるようにベースバイアス電圧を前記
エミツタホロアトランジスタに与えるベースバイ
アス回路と、からなり、該ベースバイアス回路は
ベースバイアス電圧を設定するバイアス電圧設定
回路と定電流源とを直列に接続することにより形
成され、そのバイアス電圧設定回路と定電流源と
の接続点から前記スイツチングトランジスタのベ
ースにベースバイアス電圧を与えるようにされて
なることを特徴とするものである。
第１のものは、コレクタとエミツタのうち一方
が、低電圧電源端子と接続され他方が逆流防止用
ダイオードを介して負荷の反接地側の端子と接続
された第１のパワートランジスタと、高電圧電源
端子と前記負荷の反接地側の端子との間に接続さ
れた第２のパワートランジスタと、コレクタが該
第２のパワートランジスタのベースと接続された
スイツチングトランジスタと、コレクタが該スイ
ツチングトランジスタのエミツタと接続されると
共に前記第１のパワートランジスタのベースにレ
ベル調整手段を介して接続されベース・エミツタ
間に入力信号を受ける駆動トランジスタと、前記
逆流防止用ダイオードと第１のパワートランジス
タとの接続点に接続された別の逆流防止用ダイオ
ードを介して負荷の端子電圧を入力電圧として受
け出力電圧によつて前記スイツチングトランジス
タを制御するエミツタホロアトランジスタと、該
エミツタホロアトランジスタの出力電圧が前記ス
イツチングトランジスタのエミツタに加わる電圧
と略等しくなるようにベースバイアス電圧を前記
エミツタホロアトランジスタに与えるベースバイ
アス回路と、からなり、該ベースバイアス回路は
ベースバイアス電圧を設定するバイアス電圧設定
回路と定電流源とを直列に接続することにより形
成され、そのバイアス電圧設定回路と定電流源と
の接続点から前記スイツチングトランジスタのベ
ースにベースバイアス電圧を与えるようにされて
なることを特徴とするものである。
又、電力増幅器の第２のものは、上記第１のも
のにおいて、電源電圧が変動しても電源からの電
流が変動しないという定電流特性を有し入力信号
を増幅して駆動トランジスタに送出する入力信号
増幅回路を備え、該入力信号増幅回路（厳密には
その電源端子間に構成される定電流源）をそのま
ま前記ベースバイアス回路を構成する定電流源と
して用いてなることを特徴とするものである。
のにおいて、電源電圧が変動しても電源からの電
流が変動しないという定電流特性を有し入力信号
を増幅して駆動トランジスタに送出する入力信号
増幅回路を備え、該入力信号増幅回路（厳密には
その電源端子間に構成される定電流源）をそのま
ま前記ベースバイアス回路を構成する定電流源と
して用いてなることを特徴とするものである。
実施例
以下に、本発明電力増幅器を添付図面に示した
実施例に従つて詳細に説明する。
実施例に従つて詳細に説明する。
第３図は本発明電力増幅器の実施の一例を示す
回路図である。この電力増幅器は第１図に示した
電力増幅器とはトランジスタＱ５及びＱ１０のベ
ースと逆流防止用ダイオードＤ４及びＤ８との間
にトランジスタＱ１１及びＱ１２を用いたエミツ
タホロア回路EMF１及びEMF２を設けた点で相
違しているが、それ以外の点ではほとんど共通し
ており、従つて、本電力増幅器の説明にあたり第
１図に示す電力増幅器と共通する部分の詳細な説
明を省略し、特徴点の存在するエミツタホロア回
路EMFについて詳細に説明する。
回路図である。この電力増幅器は第１図に示した
電力増幅器とはトランジスタＱ５及びＱ１０のベ
ースと逆流防止用ダイオードＤ４及びＤ８との間
にトランジスタＱ１１及びＱ１２を用いたエミツ
タホロア回路EMF１及びEMF２を設けた点で相
違しているが、それ以外の点ではほとんど共通し
ており、従つて、本電力増幅器の説明にあたり第
１図に示す電力増幅器と共通する部分の詳細な説
明を省略し、特徴点の存在するエミツタホロア回
路EMFについて詳細に説明する。
エミツタホロア回路EMF１を構成するエミツ
タホロアトランジスタＱ１１はPNP型で、その
コレクタは接地され、そのエミツタはスイツチン
グトランジスタＱ５のベースと接続されると共に
抵抗Ｒ１３を介して低電圧電源端子（＋Vcl）と
接続されており、そして、そのベースは逆流防止
用ダイオードＤ４のカソードに接続されている。
タホロアトランジスタＱ１１はPNP型で、その
コレクタは接地され、そのエミツタはスイツチン
グトランジスタＱ５のベースと接続されると共に
抵抗Ｒ１３を介して低電圧電源端子（＋Vcl）と
接続されており、そして、そのベースは逆流防止
用ダイオードＤ４のカソードに接続されている。
Ｄ９，Ｄ１０，Ｄ１４及びI0３はトランジスタ
Ｑ１１のベースバイアス回路を構成するダイオー
ド、抵抗及び定電流源であり、ダイオードＤ９，
Ｄ１０とが直列に接続され、この直列回路のアノ
ード側が低電圧電源端子（＋Vcl）に接続され、
カソード側が抵抗Ｒ１４の一端と接続されてい
る。該抵抗Ｒ１４の他端は定電流源I0３の電流流
入端に接続され、それと共にバツフア抵抗Ｒ１５
を介してトランジスタＱ１１のベースに接続さ
れ、そして、定電流源I0３の電流流出端は接地さ
れてい。そのベースバイアス回路のダイオードＤ
９，Ｄ１０及び抵抗Ｒ１からなるバイアス電圧設
定回路はベースバイアス電圧を設定する機能を果
し、該バイアス電圧設定回路と直列に接続された
定電流I0３はバイアス電圧設定回路に流れる電流
を一定の値に保ち、その電流の変動に起因してベ
ースバイアス電圧が変動することを防止する。従
つて、ベースバイアス電圧がきわめて安定する。
尚、Ｒ１６はパワートランジスタＱ３のベースと
低電厚電源端子（＋Vcl）との間に接続された抵
抗である。
Ｑ１１のベースバイアス回路を構成するダイオー
ド、抵抗及び定電流源であり、ダイオードＤ９，
Ｄ１０とが直列に接続され、この直列回路のアノ
ード側が低電圧電源端子（＋Vcl）に接続され、
カソード側が抵抗Ｒ１４の一端と接続されてい
る。該抵抗Ｒ１４の他端は定電流源I0３の電流流
入端に接続され、それと共にバツフア抵抗Ｒ１５
を介してトランジスタＱ１１のベースに接続さ
れ、そして、定電流源I0３の電流流出端は接地さ
れてい。そのベースバイアス回路のダイオードＤ
９，Ｄ１０及び抵抗Ｒ１からなるバイアス電圧設
定回路はベースバイアス電圧を設定する機能を果
し、該バイアス電圧設定回路と直列に接続された
定電流I0３はバイアス電圧設定回路に流れる電流
を一定の値に保ち、その電流の変動に起因してベ
ースバイアス電圧が変動することを防止する。従
つて、ベースバイアス電圧がきわめて安定する。
尚、Ｒ１６はパワートランジスタＱ３のベースと
低電厚電源端子（＋Vcl）との間に接続された抵
抗である。
本電力増幅器には第１図に示した電力増幅器に
おける抵抗Ｒ１に相当する抵抗がなく、アノード
がパワートランジスタＱ３のベースに接続された
ダイオードＤ１のカソードは直接駆動トランジス
タＱ２のコレクタとスイツチングトランジスタＱ
５のエミツタとの接続点に接続されている。従つ
て、その接続点は概ね低電源電圧Vclから駆動ト
ランジスタＱ４のベース・エミツタ間電圧（約
0.65V）及びダイオードＤ１の端子電圧（約
0.65V）を減じたレベルとなる。従つて、ダイオ
ードＤ１はスイツチングトランジスタＱ５のエミ
ツタのレベルを調整するレベル調整手段といえ
る。そして、エミツタホロアトランジスタＱ１１
は前記ベースバイアス回路によつてスイツチング
トランジスタＱ５のエミツタと略等しい電圧を出
力するようにベースバイアスされている。従つ
て、ダイオードＤ４から抵抗Ｒ１５及び定電流源
I0３への電流が流れていない場合、即ち、出力電
圧e0がトランジスタＱ１１のベースバイアス電圧
よりも低い場合には、スイツチングトランジスタ
Ｑ５がオフし、パワートランジスタＱ４は動作し
ない。
おける抵抗Ｒ１に相当する抵抗がなく、アノード
がパワートランジスタＱ３のベースに接続された
ダイオードＤ１のカソードは直接駆動トランジス
タＱ２のコレクタとスイツチングトランジスタＱ
５のエミツタとの接続点に接続されている。従つ
て、その接続点は概ね低電源電圧Vclから駆動ト
ランジスタＱ４のベース・エミツタ間電圧（約
0.65V）及びダイオードＤ１の端子電圧（約
0.65V）を減じたレベルとなる。従つて、ダイオ
ードＤ１はスイツチングトランジスタＱ５のエミ
ツタのレベルを調整するレベル調整手段といえ
る。そして、エミツタホロアトランジスタＱ１１
は前記ベースバイアス回路によつてスイツチング
トランジスタＱ５のエミツタと略等しい電圧を出
力するようにベースバイアスされている。従つ
て、ダイオードＤ４から抵抗Ｒ１５及び定電流源
I0３への電流が流れていない場合、即ち、出力電
圧e0がトランジスタＱ１１のベースバイアス電圧
よりも低い場合には、スイツチングトランジスタ
Ｑ５がオフし、パワートランジスタＱ４は動作し
ない。
ところで、出力電圧e0が上昇し、トランジスタ
Ｑ１１のベースバイアス電圧よりも高くなるとダ
イオードＤ４がオンし、ダイオードＤ４を通して
抵抗Ｒ１５に電流が流れる。すると、トランジス
タＱ１１のベース電圧がそのダイオードＤ４を通
して抵抗Ｒ１５に流れる電流によつて生じる電圧
降下によつて上昇してスイツチングトランジスタ
Ｑ５のベース電圧も上昇する。その結果、スイツ
チングトランジスタＱ５がオンし、パワートラン
ジスタＱ４が駆動トランジスタＱ２によつて駆動
された状態となる。又、出力電圧e0の上昇によつ
てパワートランジスタＱ３のコレクタのレベルが
上昇し、低電源電圧Vcl付近に達するとパワート
ランジスタＱ３がオフとする。しかして、出力電
圧e0が基準電圧、即ち、エミツタホロア回路
EMF１のベースバイアス電圧を越えると動作す
るパワートランジスタＱ３からＱ４に切換わる。
Ｑ１１のベースバイアス電圧よりも高くなるとダ
イオードＤ４がオンし、ダイオードＤ４を通して
抵抗Ｒ１５に電流が流れる。すると、トランジス
タＱ１１のベース電圧がそのダイオードＤ４を通
して抵抗Ｒ１５に流れる電流によつて生じる電圧
降下によつて上昇してスイツチングトランジスタ
Ｑ５のベース電圧も上昇する。その結果、スイツ
チングトランジスタＱ５がオンし、パワートラン
ジスタＱ４が駆動トランジスタＱ２によつて駆動
された状態となる。又、出力電圧e0の上昇によつ
てパワートランジスタＱ３のコレクタのレベルが
上昇し、低電源電圧Vcl付近に達するとパワート
ランジスタＱ３がオフとする。しかして、出力電
圧e0が基準電圧、即ち、エミツタホロア回路
EMF１のベースバイアス電圧を越えると動作す
るパワートランジスタＱ３からＱ４に切換わる。
そして、出力電圧e0が基準電圧より高い状態か
らそれより低い状態に変化すると直ちにダイオー
ドＤ４がカツトオフし、抵抗Ｒ１５にはダイオー
ドＤ４から電流が流れなくなり、従つて、トラン
ジスタＱ１１のベース電圧も直ちにベースバイア
ス電圧に低下する。するとスイツチングトランジ
スタＱ５もオン状態からオフ状態に速やかに切換
わる。従つてパワートランジスタＱ４が動作しな
い状態になる。一方、出力電圧e0の低下によつて
パワートランジスタＱ３のコレクタのレベルが低
下し、パワートランジスタＱ３が動作可能になる
ので駆動トランジスタＱ２によつて駆動される状
態になる。しかして、出力電圧e0が基準電圧（略
低電源電圧Vcl）よりも低くなるとそれによつて
動作するパワートランジスタがＱ４からＱ３から
きわめて迅速に切換わる。
らそれより低い状態に変化すると直ちにダイオー
ドＤ４がカツトオフし、抵抗Ｒ１５にはダイオー
ドＤ４から電流が流れなくなり、従つて、トラン
ジスタＱ１１のベース電圧も直ちにベースバイア
ス電圧に低下する。するとスイツチングトランジ
スタＱ５もオン状態からオフ状態に速やかに切換
わる。従つてパワートランジスタＱ４が動作しな
い状態になる。一方、出力電圧e0の低下によつて
パワートランジスタＱ３のコレクタのレベルが低
下し、パワートランジスタＱ３が動作可能になる
ので駆動トランジスタＱ２によつて駆動される状
態になる。しかして、出力電圧e0が基準電圧（略
低電源電圧Vcl）よりも低くなるとそれによつて
動作するパワートランジスタがＱ４からＱ３から
きわめて迅速に切換わる。
この電力増幅器は、ダイオードＤ４とスイツチ
ングトランジスタＱ５との間にエミツタホロアト
ランジスタＱ１１が介在されているので、スイツ
チングトランジスタＱ５のベース側のインピーダ
ンスがきわめて低くなる。従つて、第１図に示し
た電力増幅器の逆流防止用ダイオードＤ４のオフ
時におけるスイツチングトランジスタＱ５のベー
ス側のインピーダンスが高くなり容量性を帯びる
ので発振しやすくなるという問題は本電力増幅器
においては全く生じない。そのため第１図の電力
増幅器における抵抗Ｒ３及びコンデンサＣ１から
なる発振防止用の帰還回路を設けなくても回路動
作の安定性が非常に高くなり、勿論その帰還回路
は必要としない。そして、スイツチングトランジ
スタＱ５のベース側のインピーダンスが低いの
で、出力電圧e0が高い状態から低い状態に変化し
た場合にはスイツチングトランジスタＱ５のベー
スレベルもその変化に対応して迅速に低下し得
る。従つて、動作するパワートランジスタのＱ４
からＱ３への切換タイミングが遅れパワートラン
ジスタＱ４が動作し続けてしまうという惧れがな
くなり、第１図の電力増幅器のように出力電圧e0
の変化に応じて動作する出力回路を切換えること
により熱損失を少なくし効率を高めるという効果
の大半が失われてしまうという惧れは全くなくな
る。
ングトランジスタＱ５との間にエミツタホロアト
ランジスタＱ１１が介在されているので、スイツ
チングトランジスタＱ５のベース側のインピーダ
ンスがきわめて低くなる。従つて、第１図に示し
た電力増幅器の逆流防止用ダイオードＤ４のオフ
時におけるスイツチングトランジスタＱ５のベー
ス側のインピーダンスが高くなり容量性を帯びる
ので発振しやすくなるという問題は本電力増幅器
においては全く生じない。そのため第１図の電力
増幅器における抵抗Ｒ３及びコンデンサＣ１から
なる発振防止用の帰還回路を設けなくても回路動
作の安定性が非常に高くなり、勿論その帰還回路
は必要としない。そして、スイツチングトランジ
スタＱ５のベース側のインピーダンスが低いの
で、出力電圧e0が高い状態から低い状態に変化し
た場合にはスイツチングトランジスタＱ５のベー
スレベルもその変化に対応して迅速に低下し得
る。従つて、動作するパワートランジスタのＱ４
からＱ３への切換タイミングが遅れパワートラン
ジスタＱ４が動作し続けてしまうという惧れがな
くなり、第１図の電力増幅器のように出力電圧e0
の変化に応じて動作する出力回路を切換えること
により熱損失を少なくし効率を高めるという効果
の大半が失われてしまうという惧れは全くなくな
る。
又、スイツチングトランジスタＱ５はオンして
いる時はベースに一定の安定した電圧を受けたベ
ース接地アンプとして機能し、駆動トランジスタ
Ｑ２に対してカスコードトランジスタとなるの
で、スイツチングトランジスタＱ５のアンプとし
ての安定性が向上する等性能が良くなる。そし
て、ベースバイアス回路に定電流源I0３を設けて
ダイオードＤ９，Ｄ１０及び抵抗１４からなるバ
イアス設定回路に流れる電流を一定にしたのでベ
ースバイアス電圧をきわめて安定にすることがで
きる。
いる時はベースに一定の安定した電圧を受けたベ
ース接地アンプとして機能し、駆動トランジスタ
Ｑ２に対してカスコードトランジスタとなるの
で、スイツチングトランジスタＱ５のアンプとし
ての安定性が向上する等性能が良くなる。そし
て、ベースバイアス回路に定電流源I0３を設けて
ダイオードＤ９，Ｄ１０及び抵抗１４からなるバ
イアス設定回路に流れる電流を一定にしたのでベ
ースバイアス電圧をきわめて安定にすることがで
きる。
尚、抵抗Ｒ１５の抵抗値が小さくなるとパワー
トランジスタＱ３のコレクタ電流に占める抵抗Ｒ
１５を流れる電流の割合が大きくなり、その分ス
ピーカSPに流れる電流が少なくなる。従つて、
抵抗Ｒ１５の値をスピーカSPのインピーダンス
に比して相当に大きな値にしなければならないの
に対し、スイツチングトランジスタＱ５の入力イ
ンピーダンスは前述のように小さくする必要があ
るという二律背反に迫られる。しかし、本電力増
幅器においてはダイオードＤ４とスイツチングト
ランジスタＱ５との間にエミツタホロア回路が介
在されており、そして、エミツタホロア回路は入
力インピーダンスが大きく出力インピーダンスが
小さいという特性を有するので、抵抗Ｒ１５を充
分に大きくしつつスイツチングトランジスタＱ５
のベース側のインピーダンスを充分に小さくする
ことが可能となる。しかして、このエミツタホロ
ア回路はバツフア回路としても機能するといえ
る。
トランジスタＱ３のコレクタ電流に占める抵抗Ｒ
１５を流れる電流の割合が大きくなり、その分ス
ピーカSPに流れる電流が少なくなる。従つて、
抵抗Ｒ１５の値をスピーカSPのインピーダンス
に比して相当に大きな値にしなければならないの
に対し、スイツチングトランジスタＱ５の入力イ
ンピーダンスは前述のように小さくする必要があ
るという二律背反に迫られる。しかし、本電力増
幅器においてはダイオードＤ４とスイツチングト
ランジスタＱ５との間にエミツタホロア回路が介
在されており、そして、エミツタホロア回路は入
力インピーダンスが大きく出力インピーダンスが
小さいという特性を有するので、抵抗Ｒ１５を充
分に大きくしつつスイツチングトランジスタＱ５
のベース側のインピーダンスを充分に小さくする
ことが可能となる。しかして、このエミツタホロ
ア回路はバツフア回路としても機能するといえ
る。
更に、又、エミツタホロアトランジスタＱ１１
はスイツチングトランジスタＱ５に対して温度補
償機能を果す。即ち、スイツチングトランジスタ
Ｑ５のベース・エミツタ間電圧が温度によつて変
化するので、若し、エミツタホロアトランジスタ
Ｑ１１が存在していない場合には温度変化に応じ
てスイツチングトランジスタＱ５がオンからオフ
にあるいはオフからオンに切換わる時の出力電圧
e0の値（しきい値）が変化する。しかるに、本電
力増幅器においてはエミツタホロアトランジスタ
Ｑ１１が設けられているので、スイツチングトラ
ンジスタＱ５のベース・エミツタ間電圧が温度に
よつて変化してもエミツタホロアトランジスタＱ
１１のベース・エミツタ間電圧も同じように変化
するのでトランジスタＱ５がオンからオフあるい
はオフからオンに切換わる時の出力電圧e0の値に
は変化がない。従つて、エミツタホロアトランジ
スタＱ１１はスイツチングトランジスタＱ５に対
する温度補償機能を果す。
はスイツチングトランジスタＱ５に対して温度補
償機能を果す。即ち、スイツチングトランジスタ
Ｑ５のベース・エミツタ間電圧が温度によつて変
化するので、若し、エミツタホロアトランジスタ
Ｑ１１が存在していない場合には温度変化に応じ
てスイツチングトランジスタＱ５がオンからオフ
にあるいはオフからオンに切換わる時の出力電圧
e0の値（しきい値）が変化する。しかるに、本電
力増幅器においてはエミツタホロアトランジスタ
Ｑ１１が設けられているので、スイツチングトラ
ンジスタＱ５のベース・エミツタ間電圧が温度に
よつて変化してもエミツタホロアトランジスタＱ
１１のベース・エミツタ間電圧も同じように変化
するのでトランジスタＱ５がオンからオフあるい
はオフからオンに切換わる時の出力電圧e0の値に
は変化がない。従つて、エミツタホロアトランジ
スタＱ１１はスイツチングトランジスタＱ５に対
する温度補償機能を果す。
尚、電力増幅器の負極側の構成は正極側と対称
的であるにすぎないので説明を省略する。
的であるにすぎないので説明を省略する。
第４図乃至第６図は本発明電力増幅器の他の実
施例を説明するためのものである。この電力増幅
器は、入力信号eiをオペレーシヨナルアンプ
AMPを用いて増幅して駆動トランジスタＱ２及
びＱ７に印加すると共にエミツタホロア回路
EMF１及び２の定電流源として入力信号増幅用
のそのオペレーシヨナルアンプを用いてなるもの
である点で第３図に示した電力増幅器と相違して
いる。即ち、オーデイオ装置においては、電力増
幅器には高性能のオペレーシヨナルアンプで増幅
した信号が加えられる場合が多く、そしてオペレ
ーシヨナルアンプは一般に電源電圧の変動によつ
て電源から供給を受ける電流が変動しないという
定電流特性を有する。第５図はそのようなオペレ
ーシヨナルアンプの典型例を示す回路図である。
同図において、DFAはトランジスタＱ１３〜Ｑ
１７及び抵抗Ｒ２１〜Ｒ２３からなる差動増幅回
路、Ｑ１８は差動増幅回路DFAの出力信号を増
幅するエミツタホロアトランジスタ、DRIはトラ
ンジスタＱ１９，Ｑ２０、ダイオーダＤ１３，Ｄ
１４及び抵抗Ｒ２６からなる駆動回路、OUCは
パワートランジスタＱ２１，Ｑ２２及びＲ２７，
２８からなる出力回路、BICはトランジスタＱ２
３，Ｑ２４、接合型電界効果トランジスタ
JFET、ツエナーダイオードZD及び抵抗Ｒ２９，
３０からなるバイアス回路である。そして、該バ
イアス回路BICによつて差動増幅回路DFA及び
駆動回路DRIに流れる電流が一定になるように制
御されており、従つて、電源電圧Vcと電源から
供給を受ける電流I0との関係は第６図に示すよう
になり、その電流I0は電源電圧Vcの広範囲にわ
たる変化に対して略一定の値を保つ。従つて、オ
ペレーシヨナルアンプAMPの電源端子間（＋
Vc・−Vc間）は優れた定電流源である。そこで
オペレーシヨナルアンプAMPをエミツタホロア
回路EMF１，２の定電流源I0３，I0４に加えて用
いるのである。具体的にはエミツタホロア回路
EMF１の抵抗Ｒ１４とＲ１５との接続点をオペ
レーシヨナルアンプの正極側電源端子（＋Vc）
に接続し、エミツタホロア回路EMF２の抵抗Ｒ
１８とＲ１９との接続点をオペレーシヨナルアン
プの負極側電源端子（−Vc）に接続する。この
ような電力増幅器によればエミツタホロア回路
EMF１，２のベースバイアス回路を構成する定
電流源として入力信号増幅用のオペレーシヨナル
アンプを用いることができるので、特別に定電流
回路を設ける必要が全くなくなる。
施例を説明するためのものである。この電力増幅
器は、入力信号eiをオペレーシヨナルアンプ
AMPを用いて増幅して駆動トランジスタＱ２及
びＱ７に印加すると共にエミツタホロア回路
EMF１及び２の定電流源として入力信号増幅用
のそのオペレーシヨナルアンプを用いてなるもの
である点で第３図に示した電力増幅器と相違して
いる。即ち、オーデイオ装置においては、電力増
幅器には高性能のオペレーシヨナルアンプで増幅
した信号が加えられる場合が多く、そしてオペレ
ーシヨナルアンプは一般に電源電圧の変動によつ
て電源から供給を受ける電流が変動しないという
定電流特性を有する。第５図はそのようなオペレ
ーシヨナルアンプの典型例を示す回路図である。
同図において、DFAはトランジスタＱ１３〜Ｑ
１７及び抵抗Ｒ２１〜Ｒ２３からなる差動増幅回
路、Ｑ１８は差動増幅回路DFAの出力信号を増
幅するエミツタホロアトランジスタ、DRIはトラ
ンジスタＱ１９，Ｑ２０、ダイオーダＤ１３，Ｄ
１４及び抵抗Ｒ２６からなる駆動回路、OUCは
パワートランジスタＱ２１，Ｑ２２及びＲ２７，
２８からなる出力回路、BICはトランジスタＱ２
３，Ｑ２４、接合型電界効果トランジスタ
JFET、ツエナーダイオードZD及び抵抗Ｒ２９，
３０からなるバイアス回路である。そして、該バ
イアス回路BICによつて差動増幅回路DFA及び
駆動回路DRIに流れる電流が一定になるように制
御されており、従つて、電源電圧Vcと電源から
供給を受ける電流I0との関係は第６図に示すよう
になり、その電流I0は電源電圧Vcの広範囲にわ
たる変化に対して略一定の値を保つ。従つて、オ
ペレーシヨナルアンプAMPの電源端子間（＋
Vc・−Vc間）は優れた定電流源である。そこで
オペレーシヨナルアンプAMPをエミツタホロア
回路EMF１，２の定電流源I0３，I0４に加えて用
いるのである。具体的にはエミツタホロア回路
EMF１の抵抗Ｒ１４とＲ１５との接続点をオペ
レーシヨナルアンプの正極側電源端子（＋Vc）
に接続し、エミツタホロア回路EMF２の抵抗Ｒ
１８とＲ１９との接続点をオペレーシヨナルアン
プの負極側電源端子（−Vc）に接続する。この
ような電力増幅器によればエミツタホロア回路
EMF１，２のベースバイアス回路を構成する定
電流源として入力信号増幅用のオペレーシヨナル
アンプを用いることができるので、特別に定電流
回路を設ける必要が全くなくなる。
尚、オペレーシヨナルアンプは直流的には上述
したように定電流特性を示すが、入力信号eiによ
つてトランジスタＱ１８等に流れる電流が変動す
るので電源ラインにその信号によるノイズが侵入
する惧れがある。従つて、電源端子と接地との間
に大容量のノイズ吸収用コンデンサを接続する必
要がある。CCは各電源端子と接地との間に接続
されたノイズ吸収用の電解コンデンサである。
したように定電流特性を示すが、入力信号eiによ
つてトランジスタＱ１８等に流れる電流が変動す
るので電源ラインにその信号によるノイズが侵入
する惧れがある。従つて、電源端子と接地との間
に大容量のノイズ吸収用コンデンサを接続する必
要がある。CCは各電源端子と接地との間に接続
されたノイズ吸収用の電解コンデンサである。
効 果
以上に述べたように、本発明増幅器の第１のも
のは、コレクタとエミツタのうち一方が低電圧電
源端子と接続され他方が逆流防止用ダイオードを
介して負荷の反接地側の端子と接続された第１の
パワートランジスタと、高電圧電源端子と前記負
荷の反接地側の端子との間に接続された第２のパ
ワートランジスタと、コレクタが該第２のパワー
トランジスタのベースと接続されたスイツチング
トランジスタと、コレクタが該スイツチングトラ
ンジスタのエミツタと接続されると共に前記第１
のパワートランジスタのベースにレベル調整手段
を介して接続されベース・エミツタ間に入力信号
を受ける駆動トランジスタと、前記逆流防止用ダ
イオードと第１のパワートランジスタとの接続点
に接続された別の逆流防止用ダイオードを介して
負荷の端子電圧を入力電圧として受け出力電圧に
よつて前記スイツチングトランジスタを制御する
エミツタホロアトランジスタと、該エミツタホロ
アトランジスタの出力電圧が前記スイツチングト
ランジスタのエミツタに加わる電圧と略等しくな
るようにベースバイアス電圧を前記エミツタホロ
アトランジスタに与えるベースバイアス回路と、
からなり、該ベースバイアス回路はベースバイア
ス電圧を設定するバイアス電圧設定回路と定電流
源とを直列に接続することにより形成され、その
バイアス電圧設定回路と定電流源との接続点から
前記スイツチングトランジスタのベースにベース
バイアス電圧を与えるようにされてなることを特
徴とするものである。従つて、逆流防止用ダイオ
ードがオフしてもスイツチングトランジスタのベ
ース側がフローテイング状態にはならず、そのベ
ースと接地との間のインピーダンスが低くなる。
従つて、発振しにくくなり回路動作が安定する。
又、スイツチングトランジスタのベースと接地と
の間のインピーダンスが低いのでそのベース電位
の電力増幅器の出力電圧の変化に対する応答性が
非常に良好になり、動作する出力回路の切換を迅
速に行うようにすることができる。そして、ベー
スバイアス回路に定電流源を設けてバイアス設定
回路に流れる電流を一定にしたのでベースバイア
ス電圧をきわめて安定することができる。又、エ
ミツタホロアトランジスタにスイツチングトラン
ジスタに対する温度補償機能を発揮させることが
でき、スイツチングトランジスタが切換わる時の
出力電圧の値（しきい値）の温度依存性を小さく
することができる。
のは、コレクタとエミツタのうち一方が低電圧電
源端子と接続され他方が逆流防止用ダイオードを
介して負荷の反接地側の端子と接続された第１の
パワートランジスタと、高電圧電源端子と前記負
荷の反接地側の端子との間に接続された第２のパ
ワートランジスタと、コレクタが該第２のパワー
トランジスタのベースと接続されたスイツチング
トランジスタと、コレクタが該スイツチングトラ
ンジスタのエミツタと接続されると共に前記第１
のパワートランジスタのベースにレベル調整手段
を介して接続されベース・エミツタ間に入力信号
を受ける駆動トランジスタと、前記逆流防止用ダ
イオードと第１のパワートランジスタとの接続点
に接続された別の逆流防止用ダイオードを介して
負荷の端子電圧を入力電圧として受け出力電圧に
よつて前記スイツチングトランジスタを制御する
エミツタホロアトランジスタと、該エミツタホロ
アトランジスタの出力電圧が前記スイツチングト
ランジスタのエミツタに加わる電圧と略等しくな
るようにベースバイアス電圧を前記エミツタホロ
アトランジスタに与えるベースバイアス回路と、
からなり、該ベースバイアス回路はベースバイア
ス電圧を設定するバイアス電圧設定回路と定電流
源とを直列に接続することにより形成され、その
バイアス電圧設定回路と定電流源との接続点から
前記スイツチングトランジスタのベースにベース
バイアス電圧を与えるようにされてなることを特
徴とするものである。従つて、逆流防止用ダイオ
ードがオフしてもスイツチングトランジスタのベ
ース側がフローテイング状態にはならず、そのベ
ースと接地との間のインピーダンスが低くなる。
従つて、発振しにくくなり回路動作が安定する。
又、スイツチングトランジスタのベースと接地と
の間のインピーダンスが低いのでそのベース電位
の電力増幅器の出力電圧の変化に対する応答性が
非常に良好になり、動作する出力回路の切換を迅
速に行うようにすることができる。そして、ベー
スバイアス回路に定電流源を設けてバイアス設定
回路に流れる電流を一定にしたのでベースバイア
ス電圧をきわめて安定することができる。又、エ
ミツタホロアトランジスタにスイツチングトラン
ジスタに対する温度補償機能を発揮させることが
でき、スイツチングトランジスタが切換わる時の
出力電圧の値（しきい値）の温度依存性を小さく
することができる。
又、本発明電力増幅器の第２のものは、上記第
１のものにおいて、電源電圧が変動しても電源か
らの電流が変動しないという定電流特性を有し入
力信号を増幅して駆動トランジスタに送出する入
力信号増幅回路を備え、該入力信号増幅回路（厳
密にはその電源端子間に構成される定電流源）を
そのまま前記ベースバイアス回路を構成する定電
流源として用いてなることを特徴とするものであ
る。従つて、これによればエミツタホロアトラン
ジスタのベースバイアス回路を構成する定電流源
として特別の定電圧回路を設ける必要がなく、小
型化、低価格化を図ることが可能となるという効
果をも奏する。
１のものにおいて、電源電圧が変動しても電源か
らの電流が変動しないという定電流特性を有し入
力信号を増幅して駆動トランジスタに送出する入
力信号増幅回路を備え、該入力信号増幅回路（厳
密にはその電源端子間に構成される定電流源）を
そのまま前記ベースバイアス回路を構成する定電
流源として用いてなることを特徴とするものであ
る。従つて、これによればエミツタホロアトラン
ジスタのベースバイアス回路を構成する定電流源
として特別の定電圧回路を設ける必要がなく、小
型化、低価格化を図ることが可能となるという効
果をも奏する。
第１図は従来例を示す回路図、第２図は第１図
に示す電力増幅器の正極側の出力波形図、第３図
は本発明電力増幅器の実施の一例を示す回路図、
第４図乃至第６図は本発明電力増幅器の他の実施
例を説明するためのもので、第４図は全体の回路
図、第５図は入力信号増幅回路（オレペーシヨナ
ルアンプ）の一例を示す回路図、第６図は入力信
号増幅回路の電源電圧・電流特性図である。 符号の説明、SP……負荷、Vcl，−Vcl……低
電源電圧、Vch，−Vch……高電源電圧、Ｄ１，
Ｄ５……レベル調整手段、Ｄ２，Ｄ６……逆流防
止用ダイオード、Ｄ４，Ｄ８……逆流防止用ダイ
オード、Ｑ２，Ｑ７……駆動トランジスタ、Ｑ
３，Ｑ８……第１のパワートランジスタ、Ｑ４，
Ｑ９……第２のパワートランジスタ、Ｑ５，Ｑ１
０……スイツチングトランジスタ、Ｑ１１，Ｑ１
２……エミツタホロアトランジスタ、I0３，I0４
……定電流源、AMP……入力信号増幅回路。
に示す電力増幅器の正極側の出力波形図、第３図
は本発明電力増幅器の実施の一例を示す回路図、
第４図乃至第６図は本発明電力増幅器の他の実施
例を説明するためのもので、第４図は全体の回路
図、第５図は入力信号増幅回路（オレペーシヨナ
ルアンプ）の一例を示す回路図、第６図は入力信
号増幅回路の電源電圧・電流特性図である。 符号の説明、SP……負荷、Vcl，−Vcl……低
電源電圧、Vch，−Vch……高電源電圧、Ｄ１，
Ｄ５……レベル調整手段、Ｄ２，Ｄ６……逆流防
止用ダイオード、Ｄ４，Ｄ８……逆流防止用ダイ
オード、Ｑ２，Ｑ７……駆動トランジスタ、Ｑ
３，Ｑ８……第１のパワートランジスタ、Ｑ４，
Ｑ９……第２のパワートランジスタ、Ｑ５，Ｑ１
０……スイツチングトランジスタ、Ｑ１１，Ｑ１
２……エミツタホロアトランジスタ、I0３，I0４
……定電流源、AMP……入力信号増幅回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ コレクタとエミツタのうち一方が、低電圧電
源端子と接続され他方が逆流防止用ダイオードを
介して負荷の反接地側の端子と接続された第１の
パワートランジスタと、高電圧電源端子と前記負
荷の反接地側の端子との間に接続された第２のパ
ワートランジスタと、コレクタが該第２のパワー
トランジスタのベースと接続されたスイツチング
トランジスタと、コレクタが該スイツチングトラ
ンジスタのエミツタと接続されると共に前記第１
のパワートランジスタのベースにレベル調整手段
を介して接続されベース・エミツタ間に入力信号
を受ける駆動トランジスタと、前記逆流防止用ダ
イオードと第１のパワートランジスタとの接続点
に接続された別の逆流防止用ダイオードを介して
負荷の端子電圧を入力電圧として受け出力電圧に
よつて前記スイツチングトランジスタを制御する
エミツタホロアトランジスタと、該エミツタホロ
アトランジスタの出力電圧が前記スイツチングト
ランジスタのエミツタに加わる電圧と略等しくな
るようにベースバイアス電圧を前記エミツタホロ
アトランジスタに与えるベースバイアス回路と、
からなり、該ベースバイアス回路はベースバイア
ス電圧を設定するバイアス電圧設定回路と定電流
源とを直列に接続することにより形成され、その
バイアス電圧設定回路と定電流源との接続点から
前記スイツチングトランジスタのベースにベース
バイアス電圧を与えるようにされてなることを特
徴とする電力増幅器。 ２ コレクタとエミツタのうちの一方が、低電圧
源端子と接続され他方が逆流防止用ダイオードを
介して負荷の反接地側の端子と接続された第１の
パワートランジスタと、高電圧電源端子と前記負
荷の反接地側の端子との間に接続された第２のパ
ワートランジスタと、コレクタが該第２のパワー
トランジスタのベースと接続されたスイツチング
トランジスタと、コレクタが該スイツチングトラ
ンジスタのエミツタと接続されると共に前記第１
のパワートランジスタのベースにレベル調整手段
を介して接続されベース・エミツタ間に入力信号
を受ける駆動トランジスタと、電源電圧が変動し
ても電源からの電流が変動しないという定電流特
性を有し入力信号を増幅して前記駆動トランジス
タに印加する入力信号増幅回路と、前記逆流防止
用ダイオードと第１のトランジスタとの接続点に
接続された別の逆流防止用ダイオードを介して負
荷の端子電圧を入力電圧として受け出力電圧によ
つて前記スイツチングトランジスタを制御するエ
ミツタホロアトランジスタと、該エミツタホロア
トランジスタの出力電圧が前記スイツチングトラ
ンジスタのエミツタに加わる電圧と略等しくなる
ようにベースバイアス電圧を前記エミツタホロア
トランジスタに与えるベースバイアス回路と、か
らなり、該ベースバイアス回路はベースバイアス
電圧を設定するバイアス電圧設定回路と、前記入
力信号増幅回路の電源端子間に構成される定電流
源とを直列に接続することにより形成され、その
バイアス電圧設定回路と定電流源との接続点から
前記スイツチングトランジスタのベースにベース
バイアス電圧を与えるようにされてなることを特
徴とする電力増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57182894A JPS5972805A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 電力増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57182894A JPS5972805A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 電力増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5972805A JPS5972805A (ja) | 1984-04-24 |
| JPH0373174B2 true JPH0373174B2 (ja) | 1991-11-21 |
Family
ID=16126249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57182894A Granted JPS5972805A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 電力増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5972805A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2553958Y2 (ja) * | 1991-09-25 | 1997-11-12 | 株式会社クボタ | クローラ走行装置 |
| CN110234049B (zh) * | 2018-03-05 | 2021-09-24 | 重庆川水渔农智能科技有限公司 | 一种驱动电路 |
-
1982
- 1982-10-20 JP JP57182894A patent/JPS5972805A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5972805A (ja) | 1984-04-24 |
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