JPH0372445A - 新規なモノマー、これを重合して得られる液晶性ポリマー及びこれを使用して得られる反覆消去、書込可能のレーザ光記録素子 - Google Patents
新規なモノマー、これを重合して得られる液晶性ポリマー及びこれを使用して得られる反覆消去、書込可能のレーザ光記録素子Info
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
- C09K19/30—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing saturated or unsaturated non-aromatic rings, e.g. cyclohexane rings
- C09K19/3001—Cyclohexane rings
- C09K2019/3095—Cyclohexane rings in which the end group is the monoterpene menthyl
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Epoxy Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は互変二形、強誘電性スメクチック液晶(Scf
f)性挙動を示す記録層を有する、新規な反覆消去、書
込可能のレーザ光記録素子に関するものである。この記
録層は、十分な出力のレーザ光に露出させると、表面電
界印加により、熱力学的に安定な、光学的に区別され得
る2種類の強誘電性スメクチック液晶Sc3配向状態間
において切換えられる。
f)性挙動を示す記録層を有する、新規な反覆消去、書
込可能のレーザ光記録素子に関するものである。この記
録層は、十分な出力のレーザ光に露出させると、表面電
界印加により、熱力学的に安定な、光学的に区別され得
る2種類の強誘電性スメクチック液晶Sc3配向状態間
において切換えられる。
さらに本発明は、新規なモノマーに関するものであって
、これは強誘電性スメクチック液晶(Sc′)挙動を示
すカイラルメソーゲン側鎖基を有する新規なポリマーを
製造するために使用される。
、これは強誘電性スメクチック液晶(Sc′)挙動を示
すカイラルメソーゲン側鎖基を有する新規なポリマーを
製造するために使用される。
本発明はまた上記の新規なポリマーを使用して形成され
る新規な記録Fl(a)を有する反覆消去、書込可能の
レーザ光記録素子に関するものである。
る新規な記録Fl(a)を有する反覆消去、書込可能の
レーザ光記録素子に関するものである。
さらにまた本発明は、上記の新規記録素子を使用して、
データを反覆して書込み、読取り及び消去する新規方法
に関するものである。
データを反覆して書込み、読取り及び消去する新規方法
に関するものである。
(技術的背景及び従来技術)
メソーゲン化合物、すなわち液晶性挙動を示す化合物は
、液晶相を形成する。これは光学的異方性液体であって
、通常の液体と異なり分子の遠隔配列を有する。そこで
固体状メソーゲン化合物は、溶融に際して、まず例えば
スメクチ7り液晶相を形成し、これは特定の相転移温度
に対応する温度上昇によりさらに例えばネマチック液晶
相或は光学的等方性溶融体に転移する。この溶融体を再
び冷却すると、対応する転換温度において液晶相を、そ
して最後に再び結晶状態をもたらす。メソーゲン側鎖基
、すなわちメソーゲン化合物から誘導された基を有する
ポリマーの場合、液晶ポリマー溶融体を一定の温度、例
えばこのポリマーのガラス転移点以下に冷却して結晶状
ではなくガラス状の光学的異方性固体とした場合には、
−旦形成された液晶状態を冷却により凍結固定すること
が可能である。
、液晶相を形成する。これは光学的異方性液体であって
、通常の液体と異なり分子の遠隔配列を有する。そこで
固体状メソーゲン化合物は、溶融に際して、まず例えば
スメクチ7り液晶相を形成し、これは特定の相転移温度
に対応する温度上昇によりさらに例えばネマチック液晶
相或は光学的等方性溶融体に転移する。この溶融体を再
び冷却すると、対応する転換温度において液晶相を、そ
して最後に再び結晶状態をもたらす。メソーゲン側鎖基
、すなわちメソーゲン化合物から誘導された基を有する
ポリマーの場合、液晶ポリマー溶融体を一定の温度、例
えばこのポリマーのガラス転移点以下に冷却して結晶状
ではなくガラス状の光学的異方性固体とした場合には、
−旦形成された液晶状態を冷却により凍結固定すること
が可能である。
液晶相は溶融状態或は凍結状態においてその光学的異方
性について確認され得る。例えば・偏光顕微鏡下におい
て交叉偏光子による複屈折構造を示す場合には、これに
対して等方性溶融体はこの場合暗黒に見える。
性について確認され得る。例えば・偏光顕微鏡下におい
て交叉偏光子による複屈折構造を示す場合には、これに
対して等方性溶融体はこの場合暗黒に見える。
従ってメソーゲン化合物含有層を局部的に加熱して光学
的特性の異なる部分を形成した層を情報記録のために使
用することができる。この部分は冷却後、これが安定的
である限り確認、すなわち「読取り」可能である。
的特性の異なる部分を形成した層を情報記録のために使
用することができる。この部分は冷却後、これが安定的
である限り確認、すなわち「読取り」可能である。
液晶相はネマチック、スメクチック及びコレステリック
の各相に大別される。ネマチック液晶相においては分子
重心的不規則に配列されているが、これにはメソーゲン
化合物分子の長袖が配向されている優勢的な方向が存在
する。このネマチック相と親近関係にあるのがコレステ
リック液晶相である。この場合にはメソーゲン化合物は
薄層状に配列され、各単一薄層において分子長軸は一定
の方向において配置されている。−薄層から隣接薄層へ
転移する場合の配向の優勢方向は斜めに上昇し、全体的
にねじ状をなし、コレステリック液晶相の螺旋構造がも
たらされる。スメクチック液晶相の場合には、メソーゲ
ン化合物は、分子間相互作用により全体的に平行に配列
され、薄層に結合され、それぞれ均等の間隔を置いて重
ね合わされる。
の各相に大別される。ネマチック液晶相においては分子
重心的不規則に配列されているが、これにはメソーゲン
化合物分子の長袖が配向されている優勢的な方向が存在
する。このネマチック相と親近関係にあるのがコレステ
リック液晶相である。この場合にはメソーゲン化合物は
薄層状に配列され、各単一薄層において分子長軸は一定
の方向において配置されている。−薄層から隣接薄層へ
転移する場合の配向の優勢方向は斜めに上昇し、全体的
にねじ状をなし、コレステリック液晶相の螺旋構造がも
たらされる。スメクチック液晶相の場合には、メソーゲ
ン化合物は、分子間相互作用により全体的に平行に配列
され、薄層に結合され、それぞれ均等の間隔を置いて重
ね合わされる。
一般的にスメクチック液晶相乃至スメクチック液晶挙動
はSにより、コレステリック液晶相乃至コレステリック
液晶挙動はN”により表示される。メソーゲン化合物が
カイラルである場合、すなわち光学的活性中心を有する
場合には、それ故に光学的活性液晶相を形成することが
でき、これは一般に関連する符号に或はカイラルメソー
ゲン化合物の光学的活性中心に*を付して示される。
はSにより、コレステリック液晶相乃至コレステリック
液晶挙動はN”により表示される。メソーゲン化合物が
カイラルである場合、すなわち光学的活性中心を有する
場合には、それ故に光学的活性液晶相を形成することが
でき、これは一般に関連する符号に或はカイラルメソー
ゲン化合物の光学的活性中心に*を付して示される。
最近、強誘電性スメクチック液晶相が特別の用途におい
て重要な地位を占めるに至った。この液晶相は、表面電
界の不存在下においては自発的電気分極をもたらすが、
表面電界の印加によりこの分極は解除される。そこでこ
の液晶相を「強誘電性」を付して表わす。
て重要な地位を占めるに至った。この液晶相は、表面電
界の不存在下においては自発的電気分極をもたらすが、
表面電界の印加によりこの分極は解除される。そこでこ
の液晶相を「強誘電性」を付して表わす。
このような強誘電−性スメクチック液晶相の代表的な例
はS。相である。この相にはスメクチック液晶相に典型
的ム清層構造が存在し、各薄層においてカイラルメソー
ゲン化合物の分子長軸は、薄層に直交する軸線Zに対し
て+α或は−αの傾斜角θをなす。薄層中における分子
長軸の薄P:J直交軸線Zに対する傾斜の方向はディレ
クターnで表される。カイラルメソーゲン化合物の各側
方双極子の配列は、巨視的双極子モーメントに至るべき
ものである。−数的に5.g相におけるディレクター〇
は、空間的に制約されない限り、各薄層面を貫通して、
直交軸線Zを中心とするすりこぎ運動をもたらす。すな
わち該相の全双極子モーメントの方向を決定する、いわ
ゆる分極ベクトルPが5、i相の螺旋に沿って走行し、
これにより全双極子モーメントは零になる。
はS。相である。この相にはスメクチック液晶相に典型
的ム清層構造が存在し、各薄層においてカイラルメソー
ゲン化合物の分子長軸は、薄層に直交する軸線Zに対し
て+α或は−αの傾斜角θをなす。薄層中における分子
長軸の薄P:J直交軸線Zに対する傾斜の方向はディレ
クターnで表される。カイラルメソーゲン化合物の各側
方双極子の配列は、巨視的双極子モーメントに至るべき
ものである。−数的に5.g相におけるディレクター〇
は、空間的に制約されない限り、各薄層面を貫通して、
直交軸線Zを中心とするすりこぎ運動をもたらす。すな
わち該相の全双極子モーメントの方向を決定する、いわ
ゆる分極ベクトルPが5、i相の螺旋に沿って走行し、
これにより全双極子モーメントは零になる。
このような強誘電性スメクチック液晶S。!相は、その
厚さにおいて制約されており、適当な表面電界により加
熱され或は極めて強カム表面電界に被曝された場合には
、それぞれ使用されているカイラルメソーゲン化合物に
対応するしきいエネルギーを超えるときに、Sc″相中
における分極方向が再配向され、その分極ベクトルPは
表面電界と再び一致せしめられる。この分極の再配向は
、カイラルメソーゲン化合物分子長軸の+αの傾斜角θ
から−αの傾斜角への「転向」に起因する。
厚さにおいて制約されており、適当な表面電界により加
熱され或は極めて強カム表面電界に被曝された場合には
、それぞれ使用されているカイラルメソーゲン化合物に
対応するしきいエネルギーを超えるときに、Sc″相中
における分極方向が再配向され、その分極ベクトルPは
表面電界と再び一致せしめられる。この分極の再配向は
、カイラルメソーゲン化合物分子長軸の+αの傾斜角θ
から−αの傾斜角への「転向」に起因する。
これにより新規な強rR電性スメクチック液晶Sct配
向状態は、光学的に第1の状態と区別され得る相にもた
らされる。この光学的に区別され得る強誘電性スメクチ
ック液晶Sc2の両配向状態が熱力学的に安定である場
合、互変二形、強誘電性スメクチック液晶Sc2挙動が
もたらされる。この場合カイラルメソーゲン分子長軸の
「転向」は円錐軌跡上において行われるので、両Sc2
配向状態間の変換は極めて迅速に行われ、このため両配
向状態間切換え時間τも短縮される。
向状態は、光学的に第1の状態と区別され得る相にもた
らされる。この光学的に区別され得る強誘電性スメクチ
ック液晶Sc2の両配向状態が熱力学的に安定である場
合、互変二形、強誘電性スメクチック液晶Sc2挙動が
もたらされる。この場合カイラルメソーゲン分子長軸の
「転向」は円錐軌跡上において行われるので、両Sc2
配向状態間の変換は極めて迅速に行われ、このため両配
向状態間切換え時間τも短縮される。
周知のようにこの挙動は、5CI+相を通じてディレク
ターnにおけるすりこぎ運動が行われる螺旋のピッチG
よりも、カイラルメソーゲン化合物の存在する層の厚さ
が薄い場合において特に顕著になる。このような巨視的
層中において、ディレクター〇のすりこぎ運動により描
かれる蝶旋は、いわば自発的に巻付けられ、カイラルメ
ソーゲン分子は単に2B様においてのみ配向される。
ターnにおけるすりこぎ運動が行われる螺旋のピッチG
よりも、カイラルメソーゲン化合物の存在する層の厚さ
が薄い場合において特に顕著になる。このような巨視的
層中において、ディレクター〇のすりこぎ運動により描
かれる蝶旋は、いわば自発的に巻付けられ、カイラルメ
ソーゲン分子は単に2B様においてのみ配向される。
互変二形、強誘電性スメクチック成品挙動を示すこの巨
視的層を反覆、消去、書込可能のレーザ光記録素子にお
ける記録層として使用すること自体は公知である。
視的層を反覆、消去、書込可能のレーザ光記録素子にお
ける記録層として使用すること自体は公知である。
例えば英国特許出願公開2181263号公報から、!
2裏2面の板体間に挟まれた3、5μm、ことに2.5
μmよりも厚くない強1ffi性スメクチック液晶(S
/)記録層を有するレーザ光記録素子は公知である。こ
の表面板は透明であって、その記録層に接する方の面に
電極層を有する。裏面板は電導性であるが、光学的に透
過性ではない。その記録層に接する面には光伝導性層が
形成され、その暗光伝導性は層の直径方向において記8
F!Jのそれに対応する。この光伝導性層は電極層によ
り支承されるか或は裏面板自体が導電性ならしめられる
。
2裏2面の板体間に挟まれた3、5μm、ことに2.5
μmよりも厚くない強1ffi性スメクチック液晶(S
/)記録層を有するレーザ光記録素子は公知である。こ
の表面板は透明であって、その記録層に接する方の面に
電極層を有する。裏面板は電導性であるが、光学的に透
過性ではない。その記録層に接する面には光伝導性層が
形成され、その暗光伝導性は層の直径方向において記8
F!Jのそれに対応する。この光伝導性層は電極層によ
り支承されるか或は裏面板自体が導電性ならしめられる
。
記録層に直接接触している面は、カイラルメソーゲン化
合物を記録層中において垂直配向させるよろになされて
いる。光伝導性層の存在により一方では光学的透過性表
面板を通って入射せしめられるレーザ光の吸収及びその
熱エネルギーへの変換が改善され、また他方では光伝導
性層の入射点が導電性ならしめられ、両板体間に在る電
界がこの入射点で局部的に強大化され、熱力学的に安定
(互変二形)の、光学的に区別され得る強誘電性スメク
チック液晶5cII両配向状態間の転換のための出力エ
ネルギーがもたらされる。しかしながらこの英国特許出
願公報は、カイラルメソーゲン化合物の使用については
全く言及していない。
合物を記録層中において垂直配向させるよろになされて
いる。光伝導性層の存在により一方では光学的透過性表
面板を通って入射せしめられるレーザ光の吸収及びその
熱エネルギーへの変換が改善され、また他方では光伝導
性層の入射点が導電性ならしめられ、両板体間に在る電
界がこの入射点で局部的に強大化され、熱力学的に安定
(互変二形)の、光学的に区別され得る強誘電性スメク
チック液晶5cII両配向状態間の転換のための出力エ
ネルギーがもたらされる。しかしながらこの英国特許出
願公報は、カイラルメソーゲン化合物の使用については
全く言及していない。
また米国特許752820号明細書から、同様の構造の
レーザ光記録素子が公知となっている。この素子の記録
素子は、強誘電性スメクチック液晶(S、”)挙動を示
す低分子量カイラルメソーゲン化合物と、記録層を経て
入射するレーザ光の吸収を改善する二色性染料とから構
成されている。このようむレーザ光記録素子はヨーロッ
パ特許出願公開205187号公報にも記載されている
。
レーザ光記録素子が公知となっている。この素子の記録
素子は、強誘電性スメクチック液晶(S、”)挙動を示
す低分子量カイラルメソーゲン化合物と、記録層を経て
入射するレーザ光の吸収を改善する二色性染料とから構
成されている。このようむレーザ光記録素子はヨーロッ
パ特許出願公開205187号公報にも記載されている
。
さらに強誘電性スメクチック液晶(S、’)記録層によ
りデータの反覆書込み、読出し及び消去を行う方法も、
上記英国公開公報、米国特許明細書、ヨーロッパ公開公
報に記載されている。
りデータの反覆書込み、読出し及び消去を行う方法も、
上記英国公開公報、米国特許明細書、ヨーロッパ公開公
報に記載されている。
しかしながら上述した従来公知の反覆消去、書込可能の
記録素子及びこれを使用する方法は、レーザ光データ板
(ディスク)の高速回転の際の遠心力に対して、カイラ
ルメソーゲン低分子量化合物が不安定である点において
基本的な欠点を有する。この不安定性のために、書込ま
れた記録層における配向は、このレーザ光ディスクを余
りに高速で回転させるとき破壊される可能性があり、そ
の結果データが失われ、かつ/もしくは情報にエラーを
もたらすこともある。このような事態を回避するために
は、記録層を安定化する追加的対策を講するか、或はこ
の公知のレーザ光ディスクを低速回転で書込み、読出し
、消去するかの何れかしかない。しかしながら、これは
迅速に処理し、迅速にデータを呼出し度いという実際上
の要請からすれば明らかに欠点である。さらに低分子量
のカイラルメソーゲン化合物の使用に際しては、熱によ
り変化せしめられた部分を十分に固定し得ないこと、及
び熱により変化せしめられた部分と変化せしめられない
部分との間に拡散が生ずることにおいて欠点があり、こ
の両者とも比較的早期のデータ喪失をもたらす可能性を
有する。
記録素子及びこれを使用する方法は、レーザ光データ板
(ディスク)の高速回転の際の遠心力に対して、カイラ
ルメソーゲン低分子量化合物が不安定である点において
基本的な欠点を有する。この不安定性のために、書込ま
れた記録層における配向は、このレーザ光ディスクを余
りに高速で回転させるとき破壊される可能性があり、そ
の結果データが失われ、かつ/もしくは情報にエラーを
もたらすこともある。このような事態を回避するために
は、記録層を安定化する追加的対策を講するか、或はこ
の公知のレーザ光ディスクを低速回転で書込み、読出し
、消去するかの何れかしかない。しかしながら、これは
迅速に処理し、迅速にデータを呼出し度いという実際上
の要請からすれば明らかに欠点である。さらに低分子量
のカイラルメソーゲン化合物の使用に際しては、熱によ
り変化せしめられた部分を十分に固定し得ないこと、及
び熱により変化せしめられた部分と変化せしめられない
部分との間に拡散が生ずることにおいて欠点があり、こ
の両者とも比較的早期のデータ喪失をもたらす可能性を
有する。
また強誘電性スメクチック液晶(S、”)挙動を示すカ
イラルメソーゲンモノマー及び同様に強誘電性スメクチ
ック液晶(S、”)挙動を示し、上記モノマーカ蔦ら製
造されるカイラルメソーゲン化合物を有するポリマーも
公知である。
イラルメソーゲンモノマー及び同様に強誘電性スメクチ
ック液晶(S、”)挙動を示し、上記モノマーカ蔦ら製
造されるカイラルメソーゲン化合物を有するポリマーも
公知である。
ヨーロッパ特許出願公rA1844g2号公報から強誘
電性スメクチック液晶(S、”)特性を有するカイラル
メソーゲンモノマーが公知となっている。このモノマー
は以下の式(XVI)で表される。
電性スメクチック液晶(S、”)特性を有するカイラル
メソーゲンモノマーが公知となっている。このモノマー
は以下の式(XVI)で表される。
式中Rはメチル基或は塩素もしくは水素原子を意味し、
kは2から11の整数を意味する。
kは2から11の整数を意味する。
これから製造されるポリアクリラート、ポリメタクリラ
ート及びポリ−α−クロルアクリラートが上記公開公報
9頁7行からIO頁19行に例示されている。
ート及びポリ−α−クロルアクリラートが上記公開公報
9頁7行からIO頁19行に例示されている。
さらに、上述したモノマーと、以下の式で表されるネマ
チック液晶特性を有するコモノマーとの共重合体も上記
公報に記載されている。
チック液晶特性を有するコモノマーとの共重合体も上記
公報に記載されている。
上記式中Rが塩素を意味し、kが6を表わすポリマー
上記式中Rがメチル基を意味し、kが11を表わし、R
4が上述した基を意味し、y′及びy′が共に0.5で
あるか或はy′が0.05で y lが0.95である
コポリマー、及び 式中R4は を意味し、kは2からl!の整数を意味し%X’ とy
′の合計は1である。
4が上述した基を意味し、y′及びy′が共に0.5で
あるか或はy′が0.05で y lが0.95である
コポリマー、及び 式中R4は を意味し、kは2からl!の整数を意味し%X’ とy
′の合計は1である。
さらに上記モノマー相互の共重合体も記載されている。
上記したところを具体的に述べているのは以下の通りで
ある。すなわち 上記式中Rがメチル基を意味し、kが2或は11を表わ
すポリマー 上記式中Rが水素を意味し、kが2或はIfを表わすポ
リマー で表され、式中R4が上述した基を意味するメタクリラ
ート/アクリラートコポリマー。
ある。すなわち 上記式中Rがメチル基を意味し、kが2或は11を表わ
すポリマー 上記式中Rが水素を意味し、kが2或はIfを表わすポ
リマー で表され、式中R4が上述した基を意味するメタクリラ
ート/アクリラートコポリマー。
これら重合体の使用目的については、単にデイスプレィ
或はデータ記憶に使用され得ると述べられているだけで
ある。ここで具体的に述べたようには記載されていない
。
或はデータ記憶に使用され得ると述べられているだけで
ある。ここで具体的に述べたようには記載されていない
。
さらにヨーロッパ特許出願公開228703号公報には
、強誘電性スメクチック液晶(S♂)挙動を示すカイラ
ルメソーゲンモノマーと、強誘電性スメクチック液晶(
S、”)挙動を示すカイラルメソーゲン側鎖を有する、
上記モノマーから製造されるポリマーが開示されている
。
、強誘電性スメクチック液晶(S♂)挙動を示すカイラ
ルメソーゲンモノマーと、強誘電性スメクチック液晶(
S、”)挙動を示すカイラルメソーゲン側鎖を有する、
上記モノマーから製造されるポリマーが開示されている
。
このポリマーはその主鎖中に以下の一数式++)の繰返
し単位を有する。
し単位を有する。
(Xv
を表わすが、R’がメチル基を意味する場合にはpはO
であってはならない。
であってはならない。
上記特許文献の実施例によれば使用されるべきアクリラ
ートから以下のポリマーが製造されている。すなわち 式中には1から30までの整数を、 R5は以下の基を 意味する。すなわち べ)べ)R6゜ (式中には2.6.10.12.14.16及び20を
表わす)、 −(−cH2T−1−eoo−(−cH2−)#p6(
式中R6は以下の基、すなわち ベフ【)COいCXp6 ただしRoは −u−OR7,−G−C−R7,−0R7或い4↓Rア
を意味し、このR’lff体は以下の一般式%式%) 基を意味する。
ートから以下のポリマーが製造されている。すなわち 式中には1から30までの整数を、 R5は以下の基を 意味する。すなわち べ)べ)R6゜ (式中には2.6.10.12.14.16及び20を
表わす)、 −(−cH2T−1−eoo−(−cH2−)#p6(
式中R6は以下の基、すなわち ベフ【)COいCXp6 ただしRoは −u−OR7,−G−C−R7,−0R7或い4↓Rア
を意味し、このR’lff体は以下の一般式%式%) 基を意味する。
−(−cH2−1−uH−(べR2−)べR31Il
ρ (XVIIll。
ρ (XVIIll。
?H3
<R2<H−CH2−CH3を意味する)、式中R8は
メチル基或は塩素原子を意味し、tは0或は1から10
の整数、pもO或は1から10の整数(この式中のR6
は以下の基、 C)+3 −OCH2−cH−CH2−CH3及びすなわち (式中には12. 14或は16を表わす) (式中には6. 15或は16を表わす) である。
メチル基或は塩素原子を意味し、tは0或は1から10
の整数、pもO或は1から10の整数(この式中のR6
は以下の基、 C)+3 −OCH2−cH−CH2−CH3及びすなわち (式中には12. 14或は16を表わす) (式中には6. 15或は16を表わす) である。
さらに上記文献においてこれら重合体は集積光学、オプ
トエレクトロニクス及びデータ記憶の分野において使用
されることができ、オプトエレクトロニクス分野ではデ
イスプレィ、光電式ンヤッター、光学的通信システムに
おける光電子スイッチ、光電ダイアフラム、記憶素子、
光学的変調器、印字詩情ヘッド、多焦点レンズなどに使
用される旨概括的に例示されている。しかるにもかかわ
らずデータ記憶が具体的にどのように行われるかについ
ては全く説明されていない。
トエレクトロニクス及びデータ記憶の分野において使用
されることができ、オプトエレクトロニクス分野ではデ
イスプレィ、光電式ンヤッター、光学的通信システムに
おける光電子スイッチ、光電ダイアフラム、記憶素子、
光学的変調器、印字詩情ヘッド、多焦点レンズなどに使
用される旨概括的に例示されている。しかるにもかかわ
らずデータ記憶が具体的にどのように行われるかについ
ては全く説明されていない。
(式中にはI2及び16を意味する)
になされている。
式中R9は水素原子或はメチルもしくはエチル基を意味
し、V’は1から20の整数、kは1から30の整数を
表し、二重結合基Yはエーテル基或はカルボキシル基→
COO←を意味し、W’はO或は↓を表し、RIGは べ)(トR11、K)(トロ11 −く=〉z〈=〉−く=)工R11もしくは−0−02
0−R“1 を意味する。
し、V’は1から20の整数、kは1から30の整数を
表し、二重結合基Yはエーテル基或はカルボキシル基→
COO←を意味し、W’はO或は↓を表し、RIGは べ)(トR11、K)(トロ11 −く=〉z〈=〉−く=)工R11もしくは−0−02
0−R“1 を意味する。
上記の基RIOにおけるZはカルボキシル基エステルで
ある。
ある。
さらに詳述すれば、このポリエステルは強誘電性スメク
チック液晶(S、”)挙動を示す以下の如(kはlO或
は12を表わす) −COC或は−Cを意味する。
チック液晶(S、”)挙動を示す以下の如(kはlO或
は12を表わす) −COC或は−Cを意味する。
さらに変形として以下の一般式(Vl)が記載されてい
る。
る。
式中R2はメチル基もしくはシアン基或はハロゲン原子
を意味し、1及びpは相互に無関係にO或は10までの
整数を表わすがR2がメチル基qがO或はり、R’がハ
ロゲンを意味する場合にはOであってはならない。
を意味し、1及びpは相互に無関係にO或は10までの
整数を表わすがR2がメチル基qがO或はり、R’がハ
ロゲンを意味する場合にはOであってはならない。
上記公知文献におけるこの重縮合物は、もちろん熱開始
ラジカル重合により製造された重合体ではなく、公知慣
用の重縮合法により得られたポリマ <CK)−(<Hr14000ハHri)4−(へHz
−I:H!報にはさらに、上記したもののほかにことに
以下の一般式(XX)のモノマーから形成されるポリマ
ーも使用され得る旨述べられている。
ラジカル重合により製造された重合体ではなく、公知慣
用の重縮合法により得られたポリマ <CK)−(<Hr14000ハHri)4−(へHz
−I:H!報にはさらに、上記したもののほかにことに
以下の一般式(XX)のモノマーから形成されるポリマ
ーも使用され得る旨述べられている。
及び
上記重合体の使用目的については、上述したヨーロッパ
特許出願公開228703号公報におけると同様に、概
括的に述べられているに過ぎない。
特許出願公開228703号公報におけると同様に、概
括的に述べられているに過ぎない。
また西独特許出願公開3603267号(ヨーロッパ特
許出願公開231858号)公報及び同3603268
号(同231857号)公報には、レーザ光記録素子及
び可逆的な光学的記憶、すなわちデータの反覆書込み、
読出し及び消去方法が記載されている。この方法ではス
メクチック液晶挙動を示す側鎖基を有する重合体から成
る、厚さ10−”から10−3”m厚さの記録層を有す
る素子が使用されている。これら公この場合のRはメチ
ル基或は水素を意味し、kは1から14までの整数を表
わす。しかしながら、この公報では重合体(XX)がど
のような特性を有するかについては具体的に述べること
なく、モノマー(XX)及びポリマー(XX)について
記載されている、1982年のユーロピアン、ポリマー
ジャーナル18巻651頁以降、v、p、シベーフら
の論稿及び…0年のジャーナル、オブ、ポリマー、サイ
エンス67巻1頁以降N、A、プレイドらの論稿(ポリ
マーシンポジウA (l[IPAc 1978) )
ヲ援用シテいる。上記西独公開公報3603267号及
び3603268号からは極めて短い切換時間の可逆的
レーザ光記録素子がどのようにして構成されるのか、ま
たこのためにどのようなモノマー及びポリマーが考えら
れるのかについては全く述べるところがない。
許出願公開231858号)公報及び同3603268
号(同231857号)公報には、レーザ光記録素子及
び可逆的な光学的記憶、すなわちデータの反覆書込み、
読出し及び消去方法が記載されている。この方法ではス
メクチック液晶挙動を示す側鎖基を有する重合体から成
る、厚さ10−”から10−3”m厚さの記録層を有す
る素子が使用されている。これら公この場合のRはメチ
ル基或は水素を意味し、kは1から14までの整数を表
わす。しかしながら、この公報では重合体(XX)がど
のような特性を有するかについては具体的に述べること
なく、モノマー(XX)及びポリマー(XX)について
記載されている、1982年のユーロピアン、ポリマー
ジャーナル18巻651頁以降、v、p、シベーフら
の論稿及び…0年のジャーナル、オブ、ポリマー、サイ
エンス67巻1頁以降N、A、プレイドらの論稿(ポリ
マーシンポジウA (l[IPAc 1978) )
ヲ援用シテいる。上記西独公開公報3603267号及
び3603268号からは極めて短い切換時間の可逆的
レーザ光記録素子がどのようにして構成されるのか、ま
たこのためにどのようなモノマー及びポリマーが考えら
れるのかについては全く述べるところがない。
さらにヨーロッパ特許出願公開271900号公報には
、30”Cのガラス転移点を有する以下の構造のそれ自
体公知のポリマーから形成され、互変二形、強誘電性ス
メクチック液晶(S、”)挙動を示す、約3μm厚さの
記録層を有する、反覆消去、書込可能のレーザ光記録素
子が記載されている。
、30”Cのガラス転移点を有する以下の構造のそれ自
体公知のポリマーから形成され、互変二形、強誘電性ス
メクチック液晶(S、”)挙動を示す、約3μm厚さの
記録層を有する、反覆消去、書込可能のレーザ光記録素
子が記載されている。
西独特許出願公開3823153号及び3823154
号公報には、さらに他の強誘電性液晶ポリアクリラート
が記載されている。
号公報には、さらに他の強誘電性液晶ポリアクリラート
が記載されている。
ヨーロッパ特許出願公開274128号公報から、以下
の一般式(XXI)のポリエーテルが公知である。
の一般式(XXI)のポリエーテルが公知である。
RIOは一般式(XIX)について述べた意味を有する
。このポリエーテルはフィルムの再生、大型の或は屈曲
したデイスプレィに適する。
。このポリエーテルはフィルムの再生、大型の或は屈曲
したデイスプレィに適する。
しかしながらこれまでに公知の、強誘電性スメクチック
液晶(Sc”)挙動を示すカイラルメソーゲン側鎖を有
するポリマーは、反覆消去、書込可能レーザ光記録層に
使用することを困難ならしめ或は全くこれを特徴とする
特性を有する。公知ポリマーのカイラルメソーゲン側鎖
は記録層全体にわたり均斉に配向されないか、或は実際
上適当でない相転移温度を示す。またこのようなポリマ
ーの加熱により、カイラルメソーゲン側鎖の設定液晶配
向状態が室温において非ガラス状に固定され、或は室温
において好ましくない液晶配向状態に固定される事態が
しばしば生じ得る。このような事態は、ことにポリマー
の加熱及びこれに続く冷却によりカイラルメソーゲン側
鎖基が液晶相を走過する際に出現し、その連続的出現は
ここで問題とされている使用目的に適合しない。記録層
冷却の場合には、室温において所望のSc8配向状態の
代りに他のスメクチック或はコレステリック液晶配向状
態或は全く非配向の等方性状態に固定されるというさら
に悪い事態をもたらす可能性がある。上記公知ポリマー
乃至そのカイラルメソーゲン側鎖基は極めて高い回転粘
度(ε1゜t)及び/或は極めて低い双極子モーメント
を有するので、その結果切換時間τは実際上著しく長く
なる。さらに入射レーザ光によりその清澄温度、すなわ
ちカイラルメソーゲン側鎖基がその等方性I相に達する
前に、ポリマーの熱分解をしばしばもたらす。
液晶(Sc”)挙動を示すカイラルメソーゲン側鎖を有
するポリマーは、反覆消去、書込可能レーザ光記録層に
使用することを困難ならしめ或は全くこれを特徴とする
特性を有する。公知ポリマーのカイラルメソーゲン側鎖
は記録層全体にわたり均斉に配向されないか、或は実際
上適当でない相転移温度を示す。またこのようなポリマ
ーの加熱により、カイラルメソーゲン側鎖の設定液晶配
向状態が室温において非ガラス状に固定され、或は室温
において好ましくない液晶配向状態に固定される事態が
しばしば生じ得る。このような事態は、ことにポリマー
の加熱及びこれに続く冷却によりカイラルメソーゲン側
鎖基が液晶相を走過する際に出現し、その連続的出現は
ここで問題とされている使用目的に適合しない。記録層
冷却の場合には、室温において所望のSc8配向状態の
代りに他のスメクチック或はコレステリック液晶配向状
態或は全く非配向の等方性状態に固定されるというさら
に悪い事態をもたらす可能性がある。上記公知ポリマー
乃至そのカイラルメソーゲン側鎖基は極めて高い回転粘
度(ε1゜t)及び/或は極めて低い双極子モーメント
を有するので、その結果切換時間τは実際上著しく長く
なる。さらに入射レーザ光によりその清澄温度、すなわ
ちカイラルメソーゲン側鎖基がその等方性I相に達する
前に、ポリマーの熱分解をしばしばもたらす。
上述した西独特許出願公開3823153号、同382
3154号、ヨーロッパ特許出願公開184482号、
同228703号、同258898号、西独特許出願公
開3603287号、同3603288号或はヨーロッ
パ特許出願公開271900今冬公報における提案に従
ってこれまでに公知のカイラルメソーゲン側鎖基を有す
る上述公知各ポリマーを反覆消去、書込可能のレーザ光
記録素子によりデータ記憶のために使用するときは、上
述した諸欠点はこの記録素子においてことに重大な問題
をもたらす。問題のレーザ光記録素子は、実際上本来的
に必要とされているように迅速、確実に反覆して書込み
、読出し及び消去することはできない。さらに劣悪なシ
グナル/ノイズ率を示し、かつ/もしくはその長期安定
性が実際上の要望に対して十分ではない。そのためにこ
れまでに公知の反覆消去、書込可能レーザ光記録素子が
さらに改善、再開発されねばならないことは必然的であ
って、現に実際上の要望はいよいよ高まって来ている。
3154号、ヨーロッパ特許出願公開184482号、
同228703号、同258898号、西独特許出願公
開3603287号、同3603288号或はヨーロッ
パ特許出願公開271900今冬公報における提案に従
ってこれまでに公知のカイラルメソーゲン側鎖基を有す
る上述公知各ポリマーを反覆消去、書込可能のレーザ光
記録素子によりデータ記憶のために使用するときは、上
述した諸欠点はこの記録素子においてことに重大な問題
をもたらす。問題のレーザ光記録素子は、実際上本来的
に必要とされているように迅速、確実に反覆して書込み
、読出し及び消去することはできない。さらに劣悪なシ
グナル/ノイズ率を示し、かつ/もしくはその長期安定
性が実際上の要望に対して十分ではない。そのためにこ
れまでに公知の反覆消去、書込可能レーザ光記録素子が
さらに改善、再開発されねばならないことは必然的であ
って、現に実際上の要望はいよいよ高まって来ている。
公知ポリマーのカイラルメソーゲン側鎖基分子構造に関
して周知の通りすでに若干の変更が試みられているが、
これはしばしば液晶挙動の変更をもたらし、これは意図
される改善、再開発を著しく困難ならしめる。
して周知の通りすでに若干の変更が試みられているが、
これはしばしば液晶挙動の変更をもたらし、これは意図
される改善、再開発を著しく困難ならしめる。
そこで本発明の課題は、上述した従来技術における欠点
をもたらさない、新規の、反覆消去、書込可能レーザ光
記録素子を提供することである。
をもたらさない、新規の、反覆消去、書込可能レーザ光
記録素子を提供することである。
他の本発明の課題は、強誘電性スメクチック液晶(S、
”)挙動を示すカイラルメソーゲン側鎖基を有する新規
のポリマー及びこれを製造するための新規のモノマーを
見出し提供することである。
”)挙動を示すカイラルメソーゲン側鎖基を有する新規
のポリマー及びこれを製造するための新規のモノマーを
見出し提供することである。
本発明のさらに他の課題は、反覆消去及び書込可能レー
ザ光記録素子において使用するのに適当な新規のポリマ
ーを見出し提供することである。
ザ光記録素子において使用するのに適当な新規のポリマ
ーを見出し提供することである。
(R明の要約)
しかるに、これらの課題は、カイラルメンーゲン側鎖基
を有するポリマーを含有し、或はこのようなポリマーか
ら構成され、互変二形、強誘電性スメクチック液晶(S
、”)挙動を示す記録層を有する、新規の反覆消去、書
込可能レーザ光記録素子により解決され得ることが本発
明者らにより見出された。
を有するポリマーを含有し、或はこのようなポリマーか
ら構成され、互変二形、強誘電性スメクチック液晶(S
、”)挙動を示す記録層を有する、新規の反覆消去、書
込可能レーザ光記録素子により解決され得ることが本発
明者らにより見出された。
この課題解決のためには、当然のことながら、カイラル
メソーゲン側鎖基を有する上記ポリマーを形成するため
の新規なモノマー(I)が寄与する。
メソーゲン側鎖基を有する上記ポリマーを形成するため
の新規なモノマー(I)が寄与する。
そこで本発明の対象は、(a)十分な出力を有するレー
ザ光に露出させるとき、表面電界印加により、熱力学的
に安定な、光学的に区別され得る2種類の強誘電性スメ
クチック液晶5aII配向状態間において切換えられ得
る。互変二形、強誘電性スメクチック液晶(Sc” )
挙動を示す記録層(a)を有する。反覆消去、書込可能
のレーザ光記録素子において、上記記録FJ (a)が
少なくともカイラルメソーゲン側鎖基を有するポリマー
を含有し、或は少なくともこのようなポリマーから構成
されることを特徴とする記録素子であって、さらに上記
ポリマーが以下の一般式(I) ?、1) CHfC<0O−A−8< により表される新規のモノマーを使用することにより形
成され、式中の符号は以下に詳述されるものであり、か
つ/もしくは特定の分子部分Bが選択される分子部分C
と新しい種類の結合関係を有することを特徴とするもの
である。
ザ光に露出させるとき、表面電界印加により、熱力学的
に安定な、光学的に区別され得る2種類の強誘電性スメ
クチック液晶5aII配向状態間において切換えられ得
る。互変二形、強誘電性スメクチック液晶(Sc” )
挙動を示す記録層(a)を有する。反覆消去、書込可能
のレーザ光記録素子において、上記記録FJ (a)が
少なくともカイラルメソーゲン側鎖基を有するポリマー
を含有し、或は少なくともこのようなポリマーから構成
されることを特徴とする記録素子であって、さらに上記
ポリマーが以下の一般式(I) ?、1) CHfC<0O−A−8< により表される新規のモノマーを使用することにより形
成され、式中の符号は以下に詳述されるものであり、か
つ/もしくは特定の分子部分Bが選択される分子部分C
と新しい種類の結合関係を有することを特徴とするもの
である。
本発明のさらに他の対象は、上記の新規モノマー(I)
を使用して形成され、以下において(P)で表される。
を使用して形成され、以下において(P)で表される。
カイラルメソーゲン側鎖基を有する新規ポリマーである
。
。
さらに他の本発明の対象は、上述した新規の反覆消去、
書込可能レーザ光記録素子を使用して、データを反覆書
込み、読出し及び消去する新規な方法である。
書込可能レーザ光記録素子を使用して、データを反覆書
込み、読出し及び消去する新規な方法である。
従来技術、多くの可変パラメータ及びその改変及び組合
わせの可能性にかんがみて、またポリマーのカイラルメ
ンーゲン側鎖基分子構造のすでになされて来た僅かな変
更が液晶挙動に重大な影響をもたらすことがあるという
周知の事実にかんがみて、本発明の基礎をなす技術的課
題が新規のモノマー(I)、これから形成される新規の
ポリマー(P)及びこの新規ポリマー(P)を含有し或
はこれから形成される記録Fl (a)を有する新規の
反覆消去及び書込可能レーザ光記録素子により解決され
得るとは全く予想され得なかったところである。
わせの可能性にかんがみて、またポリマーのカイラルメ
ンーゲン側鎖基分子構造のすでになされて来た僅かな変
更が液晶挙動に重大な影響をもたらすことがあるという
周知の事実にかんがみて、本発明の基礎をなす技術的課
題が新規のモノマー(I)、これから形成される新規の
ポリマー(P)及びこの新規ポリマー(P)を含有し或
はこれから形成される記録Fl (a)を有する新規の
反覆消去及び書込可能レーザ光記録素子により解決され
得るとは全く予想され得なかったところである。
以下において本発明による新規の反覆消去及び書込可能
レーザ光記録素子は「本発明記録素子」と略称する。
レーザ光記録素子は「本発明記録素子」と略称する。
この本発明記録素子の本質的構成部分は、その新規な互
変二形、強誘電性スメクチック液晶(S 、”)挙動を
示す記録層(a)である。この新規記録層(a)は十分
な出力のレーザ光に露出されるとき、表面電界印加によ
り熱力学的に安定な、光学的に区別され得る281類の
強誘電性スメクチック液晶SI配向状態間において切換
えられる。
変二形、強誘電性スメクチック液晶(S 、”)挙動を
示す記録層(a)である。この新規記録層(a)は十分
な出力のレーザ光に露出されるとき、表面電界印加によ
り熱力学的に安定な、光学的に区別され得る281類の
強誘電性スメクチック液晶SI配向状態間において切換
えられる。
この新規な記録層(a)の加熱及び冷却により、局部的
に存在する、光学的に区別可能の、熱力学的に安定(互
変二形)な、強誘電性スメクチック液晶S!の両配向状
態は、室温においてガラス状に固定され得るという極め
て重要な利点を有する。
に存在する、光学的に区別可能の、熱力学的に安定(互
変二形)な、強誘電性スメクチック液晶S!の両配向状
態は、室温においてガラス状に固定され得るという極め
て重要な利点を有する。
これにより新規な記録層(a)には追加的利点、すなわ
ちこれに含有されるカイラルメソーゲン側鎖基が200
℃以下において、等方性I相に転移するとき、200℃
以下の明澄点を有するという利点をもたらす。
ちこれに含有されるカイラルメソーゲン側鎖基が200
℃以下において、等方性I相に転移するとき、200℃
以下の明澄点を有するという利点をもたらす。
新規記録層(a)において、これに含有され;いる、カ
イラルメソーゲン側鎖基から構成されるS、II相の薄
層面は記録FJ (a)の面に直交して配向される。こ
れは−数的に垂直的配向と称されものである。カイラル
メソーゲン側鎖基の分子長軸は、薄層面直交軸2に対し
て+α或は−αの傾斜角θだけディレクターnの方向に
傾斜している。本発明においてこの傾斜角θが+0.5
°から+35@ことに+10から+25°、或は−0,
5°から−35゜ことに−10から一2!l″である場
合がことに有利である。
イラルメソーゲン側鎖基から構成されるS、II相の薄
層面は記録FJ (a)の面に直交して配向される。こ
れは−数的に垂直的配向と称されものである。カイラル
メソーゲン側鎖基の分子長軸は、薄層面直交軸2に対し
て+α或は−αの傾斜角θだけディレクターnの方向に
傾斜している。本発明においてこの傾斜角θが+0.5
°から+35@ことに+10から+25°、或は−0,
5°から−35゜ことに−10から一2!l″である場
合がことに有利である。
本発明による新規記録層(a)は、有利な強誘電性自発
分極Ps乃至双極子密度或は記録層(a)容積単位当た
り双極子モーメント合計1から30011C/am2を
示す。
分極Ps乃至双極子密度或は記録層(a)容積単位当た
り双極子モーメント合計1から30011C/am2を
示す。
記録層(a)の厚さdは0.1から5μmが有利である
。この厚さdが5μ閣よりも厚いと双安定性を失う状態
となり、これに対して0.1μmより薄くなると記録B
(a)は例えば毛細管現象により歪みをもたらすおそ
れがある。0.1から5μ重の厚さ範囲は、その範囲内
においてそれぞれの要件、すなわち一方では所望の使用
特性、他方では使用されたポリマーPの物理化学的特性
に適合するように種々に変えられる。
。この厚さdが5μ閣よりも厚いと双安定性を失う状態
となり、これに対して0.1μmより薄くなると記録B
(a)は例えば毛細管現象により歪みをもたらすおそ
れがある。0.1から5μ重の厚さ範囲は、その範囲内
においてそれぞれの要件、すなわち一方では所望の使用
特性、他方では使用されたポリマーPの物理化学的特性
に適合するように種々に変えられる。
本発明記録層(a)の厚さは、 0.1から2.5μm
、ことに0.1から0.8μm、特に0.2から0.5
μ雪である場合に、その書込み、読取り及び消去の挙
動について極めて好ましい。
、ことに0.1から0.8μm、特に0.2から0.5
μ雪である場合に、その書込み、読取り及び消去の挙
動について極めて好ましい。
新規記録層(a)は室温以上の温度で1ミリ秒(ms)
以下の切炭時間τを示す。相転移5.x→SAx温度が
1℃以下の場合、記録層切変時間τが100マイクロ秒
(μ5ec)以下である場合にことに有利である。この
ような切炭時間τを示す記録ff1(a)は本発明によ
る記録素子を構成するのに極めて好都合である。
以下の切炭時間τを示す。相転移5.x→SAx温度が
1℃以下の場合、記録層切変時間τが100マイクロ秒
(μ5ec)以下である場合にことに有利である。この
ような切炭時間τを示す記録ff1(a)は本発明によ
る記録素子を構成するのに極めて好都合である。
本発明による新規記録F2 (a)は、カイラルメソー
ゲン側鎖基を有する新規ポリマーPを少江くとも1種類
含有し、或はこのポリマーPの少なくともIN類から構
成される。この場合新規ポリマーPは、そのカイラルメ
ソーゲン側鎖基が50から140℃の間の温度で互変二
形、強誘電性スメクチック液晶Sa″相を形成するもの
が特に好ましい。
ゲン側鎖基を有する新規ポリマーPを少江くとも1種類
含有し、或はこのポリマーPの少なくともIN類から構
成される。この場合新規ポリマーPは、そのカイラルメ
ソーゲン側鎖基が50から140℃の間の温度で互変二
形、強誘電性スメクチック液晶Sa″相を形成するもの
が特に好ましい。
(発明の構成)
本発明によるポリマーPは一般式(I)CH2:C−く
=(X)−A−8−C(夏)で表される新規モノマーを
使用して製造される。
=(X)−A−8−C(夏)で表される新規モノマーを
使用して製造される。
式中のRは水素もしくは塩素原子或はメチル基を、Aは
柔軟な間隔保持長鎖分子部分を、Cは光学的活性カイラ
ル分子部分を、Bは少むくとも3個の線形成は近緑形に
相結合された芳香族核から構成され、少なくとも1個の
ナフト−2,6−イレン基を有するメソーゲン分子部分
を意味する。
柔軟な間隔保持長鎖分子部分を、Cは光学的活性カイラ
ル分子部分を、Bは少むくとも3個の線形成は近緑形に
相結合された芳香族核から構成され、少なくとも1個の
ナフト−2,6−イレン基を有するメソーゲン分子部分
を意味する。
適当なメソーゲン分子部分Bは例えば−数式%式%
式(n)中のB′はp−フェニレン基及び/或はビフェ
ニル−4,4′−ジイル基を、Yはエーテル基、メチレ
ンエーテル(−C112−0−或は−0−C112)基
、エステルc−coo−或は−0OC−>基或はチオエ
ステルc−cos−或は−5OC−)基或は炭素−炭素
一重結合を、m、nはそれぞれO或は整数〉1を意味す
る。ただしmがOである場合にはnはOであることはで
きない。
ニル−4,4′−ジイル基を、Yはエーテル基、メチレ
ンエーテル(−C112−0−或は−0−C112)基
、エステルc−coo−或は−0OC−>基或はチオエ
ステルc−cos−或は−5OC−)基或は炭素−炭素
一重結合を、m、nはそれぞれO或は整数〉1を意味す
る。ただしmがOである場合にはnはOであることはで
きない。
式(n)のメソーゲン分子部分Bの適当な例は、式中の
m及びn及びYが以下の意味を有するものである。すな
わちm=1でありn=0、m=2でありn=0及びm=
1でありn=1の場合であり、Yがエーテル基、メチレ
ンエーテル基、エステル基及び/或はチオエステル基を
意味する場合である。
m及びn及びYが以下の意味を有するものである。すな
わちm=1でありn=0、m=2でありn=0及びm=
1でありn=1の場合であり、Yがエーテル基、メチレ
ンエーテル基、エステル基及び/或はチオエステル基を
意味する場合である。
ことに適当なメソーゲン分子部分Bは、上述した条件を
充足し、柔軟間隔保持長鎖分子部分Aとエーテル基を介
して結合されているものである。
充足し、柔軟間隔保持長鎖分子部分Aとエーテル基を介
して結合されているものである。
ことに好ましいメソーゲン分子部分は、以下の(n−1
)から(II−5)である。
)から(II−5)である。
これらのうちでも、(n−1)が特に好ましい。
柔軟間隔保持長鎖分子部分Aは、−数的に長鎖アルキレ
ン基であり、その炭素鎖はエーテル、チオエーテル及び
/或はN−アルキル−イミノにより中断され、かつ/も
しくは短鎖アルキルによりrIt換されていてもよい。
ン基であり、その炭素鎖はエーテル、チオエーテル及び
/或はN−アルキル−イミノにより中断され、かつ/も
しくは短鎖アルキルによりrIt換されていてもよい。
適当な分子部分Aは、以下の一般式(V)−(−CH2
−1−fvl k の長鎖アルキレン基である。式中のkは1から30好ま
しくは5から20、ことに8から15、特に9から12
をあられす。特別な場合にkが6或は8であるのが有利
なことがある。
−1−fvl k の長鎖アルキレン基である。式中のkは1から30好ま
しくは5から20、ことに8から15、特に9から12
をあられす。特別な場合にkが6或は8であるのが有利
なことがある。
光学的活性カイラル分子部分の適当な例は一般式(Vl
)の基である。
)の基である。
式(Vl)中のR’はハロゲンを、R”はメチルもしく
はシアノ基或はハロゲンを、LはO或は1から10の整
数を、qは0或は1を、pはO或は1から10の整数を
意味する。ただしR2がメチル基を意味する場合にはp
はOであってはならない。
はシアノ基或はハロゲンを、LはO或は1から10の整
数を、qは0或は1を、pはO或は1から10の整数を
意味する。ただしR2がメチル基を意味する場合にはp
はOであってはならない。
式(Vl)の分子部分の適当な具体例は以下の(Vl−
1)から(Vl −10)である。
1)から(Vl −10)である。
Ij:R3
<Hr−cH−c2H5
(VI−11゜
?H3
<H<H2−cH3
7s。
−CH2−(<87−1−+:83
N
<H−(<Hz−1<83
(vr−41゜
(v+−61゜
(Vr−71゜
これらのうちことに(Vl−7)及び(VI−8)が好
ましい。
ましい。
分子部分Cのさらに他の例として、ピナン−3−イル基
、カンファン−2−イル基及びp−メンタン−3−イル
基が挙げられるが、ことにピナン−3−イル基及びp−
メンタン−3−イル基が好ましい。
、カンファン−2−イル基及びp−メンタン−3−イル
基が挙げられるが、ことにピナン−3−イル基及びp−
メンタン−3−イル基が好ましい。
さらに他の適当な分子部分Cとして以下の式%式%
式中のR3はメチル或はトリフルオルメチルを、X及び
rは互いに無関係にO或は1を、Sは1から3の整数を
意味する。
rは互いに無関係にO或は1を、Sは1から3の整数を
意味する。
一般式(■)の分子部分Cの具体例は以下の(■−1)
から(■−7)である。
から(■−7)である。
CH30CH3
<汁−り−o−cH−c2H5
CF3 0
<H−CH2<−o−c2h5
CF3 0 CH3
uH−CH4表へ2H5
(vo−51゜
(vo−61及び
(vo−7L
これらのうちことに(■−2)及び(■−6)が好まし
い。
い。
分子部分Cのさらに他の例として以下の一般式%式%
式中のSは上述したと同じ数値を意味する。
−数式(■)の分子部分Cの具体例は以下の(■−1)
から(■−3)である。
から(■−3)である。
ハ
<82−CH−C)l−(べHr)べH3<R2−cH
−CH−CH3 (vor−11゜ (VIII−11 及び ハ <HrCH−cH<HrCH3 Tvro−31゜ このうち(■−■)がことに好ましい。
−CH−CH3 (vor−11゜ (VIII−11 及び ハ <HrCH−cH<HrCH3 Tvro−31゜ このうち(■−■)がことに好ましい。
適当な分子部分Cのさらに他の例は以下の一般式(IX
)の基である。
)の基である。
式中のtsu及びVは互いに無関係に1からIOの整数
を表わすが、を及びUは互いに無関係にOを意味するこ
ともでき、yはO或は1を表わす。
を表わすが、を及びUは互いに無関係にOを意味するこ
ともでき、yはO或は1を表わす。
この式(IX)の分子部分Cは、具体的には以下の(I
X−1)から(IX−7)が好ましい。
X−1)から(IX−7)が好ましい。
これらのうち(IX−1)から(IX−5)がことに好
ましい。
ましい。
一般式(n)のメソーゲン分子部分Bを有し、カイラル
メソーゲン側鎖基を有する新規ポリマーPを製造するた
めに有利に使用され得る適当な新規モノマー(I)の具
体例として以下の(I−1)から(I −110)が挙
げられる。
メソーゲン側鎖基を有する新規ポリマーPを製造するた
めに有利に使用され得る適当な新規モノマー(I)の具
体例として以下の(I−1)から(I −110)が挙
げられる。
分子部分A
分子部分B 分子部分Cゃ、<H2−
6H令(べH2−1−CH3[+−201゜ CH30CH3 、、、−CH−(−0−CH−CH3(1−101゜C
F3 0 、、、uH<82−!!侶HjCH3(r−131゜ハ 、、、<H2−cH−CH−(<H2−1−CH3(1
−151゜ハ 00.べH2<H−CI+−CH3(1−161゜ハ 、、、−CH2−cH−<H−cHトH3(r−171
゜?H3 、、、−CH2−CH−0−CH3(1−181゜?H
3 、、、CHr−cH−o−cH2+:H3(1−191
゜分子部分^ 分子部分B 分子部分A 分子部分A 分子部分B (1−11E目r(+−27 (I−2・ (1−28 t−31、(r−29 I−4、(r−30 1−5イ(1−31 夏−6)ヤ0−32 1−7 、 (r−33 1−91#+1−35 1−101 ◆(1−36 1−11) +1t−37) 1−12 、 (1−38 1−131、(1−39 1−14) 、 (+−1tO 1−15、(1−41 r−+6) * (r−42 T−171す (r−43 1−18−(+−44 1−191、(1−45 1−201、(1−46 I−21、(IJa7 (1−221斤(1−48 (1−231# (1−49 +1−241.1 (!−5゜ (1−251、(1−511及び (1−261−+1−521; 分子部分A (1−11ビ#ll;(I−531゜ (1−21、+r−5’L (1,−3) 、 (r−551゜ (I−4) 、 (1−56)。
6H令(べH2−1−CH3[+−201゜ CH30CH3 、、、−CH−(−0−CH−CH3(1−101゜C
F3 0 、、、uH<82−!!侶HjCH3(r−131゜ハ 、、、<H2−cH−CH−(<H2−1−CH3(1
−151゜ハ 00.べH2<H−CI+−CH3(1−161゜ハ 、、、−CH2−cH−<H−cHトH3(r−171
゜?H3 、、、−CH2−CH−0−CH3(1−181゜?H
3 、、、CHr−cH−o−cH2+:H3(1−191
゜分子部分^ 分子部分B 分子部分A 分子部分A 分子部分B (1−11E目r(+−27 (I−2・ (1−28 t−31、(r−29 I−4、(r−30 1−5イ(1−31 夏−6)ヤ0−32 1−7 、 (r−33 1−91#+1−35 1−101 ◆(1−36 1−11) +1t−37) 1−12 、 (1−38 1−131、(1−39 1−14) 、 (+−1tO 1−15、(1−41 r−+6) * (r−42 T−171す (r−43 1−18−(+−44 1−191、(1−45 1−201、(1−46 I−21、(IJa7 (1−221斤(1−48 (1−231# (1−49 +1−241.1 (!−5゜ (1−251、(1−511及び (1−261−+1−521; 分子部分A (1−11ビ#ll;(I−531゜ (1−21、+r−5’L (1,−3) 、 (r−551゜ (I−4) 、 (1−56)。
+1−51 、 (1−57)。
(1−61、(I−581゜
(1−7) l・(1−59)。
[r−81rlll;T l−601゜(1−91、、
(!−611 [T−12 (I−14 !−16 !−22 !−24 ++(1−62 々 (1−63 e (1−6b 、、 (1−65 、(1−66 、(1−67 ◆(1−68 傘 !−69 、 !−70 や !−71 、(1−72。
(!−611 [T−12 (I−14 !−16 !−22 !−24 ++(1−62 々 (1−63 e (1−6b 、、 (1−65 、(1−66 、(1−67 ◆(1−68 傘 !−69 、 !−70 や !−71 、(1−72。
◆ l−73。
◆ゝ(1−74。
争(I−75)。
、 [r−761゜
←1f−771 ;
ハび
(1−261、fl−781i
分子部分B
(I−11′を目1″(1−79
(1−2) 、、 (1−130
(t−31* (1−81
(1−41+ +1−82
+1−51 、 (T−83
11−6) 、1l−81t
T1−7+ 4(r−85
TI−811lIT’−86
(1−9) 、 (1−87)
(I−101r 11−881゜
(1−111# [1−1391゜
(1−12) 、 (I−901゜
分子部分B
及び
(r−241v (r−1021゜
[1−251+ (+−1031
(1−261−(1−1041゜
分子部分C
新規モノマー(I)のさらに他の例としては、式中のR
,A及びCが上述した意味を表し、線形成は近緑形に互
いに結合された少なくとも3個の芳香族核から形成され
るメソーゲン分子部分Bが以下の一般式(III)で表
されている基である場合である。
,A及びCが上述した意味を表し、線形成は近緑形に互
いに結合された少なくとも3個の芳香族核から形成され
るメソーゲン分子部分Bが以下の一般式(III)で表
されている基である場合である。
式中のYsm及びnは前述の意味を有するが、m及びn
は共にOであることもでき、B2はp−フェニレン、ビ
フェニル−4,4’ −ジイル及び/或はナフト−2,
6−イレンの6基を意味する。
は共にOであることもでき、B2はp−フェニレン、ビ
フェニル−4,4’ −ジイル及び/或はナフト−2,
6−イレンの6基を意味する。
新規モノマー(1)の好ましい他の例は、B2がp−フ
ェニレン基であり、m1n及びYが以下の場合のモノマ
ーである。すなわち、m=Oでありn ” 1 、m
= 1でありn=os m=oでありn=1ならびにm
=0でありn=oで、Yがエーテル基或はエステル基を
意味するものである。
ェニレン基であり、m1n及びYが以下の場合のモノマ
ーである。すなわち、m=Oでありn ” 1 、m
= 1でありn=os m=oでありn=1ならびにm
=0でありn=oで、Yがエーテル基或はエステル基を
意味するものである。
−数式Cm)の適当な分子部分Bの具体例は以下の(I
II−1)から(III−5)である。
II−1)から(III−5)である。
分子部分A
分子部分B
式(III−1)がことに好ましく、(DI−1)から
(III−5)がエーテル基を介して分子部分Aと結合
されている場合はさらに有利である。
(III−5)がエーテル基を介して分子部分Aと結合
されている場合はさらに有利である。
メソーゲン分子部分Bとして上記−数式(III)の基
を有し、カイラルメソーゲン側鎖基を有する新規ポリマ
ーPの製造に有利に使用される適当なモノマー(I)の
具体例としては以下のものが挙げられる。
を有し、カイラルメソーゲン側鎖基を有する新規ポリマ
ーPの製造に有利に使用される適当なモノマー(I)の
具体例としては以下のものが挙げられる。
分子部分A
分子部分B
(1−1)ビfIL(I−111)。
■−2)ν (x−1121゜
1−3) 、 (1−1131゜
!−4)や(夏−]14L
l−5)々 ll−1151゜
r−61k!−1161、
!−7) ヤ fI−1+7
r−a) −(r−us
I−9)會(I−119
1−10、I−+20
工〜11 シ l−121
1−12、、l−122
ニー13 ◆ l−123
I〜14 ヤ l−121t
I−15、1−125
0−16ヶ l−126
1−17中 +−127
+−18、l−128
1−19、1−129
1−201、[l−130)
1−211 、 fI−131)
!−221、、[+−1321
1−231、、(r−1331
1−241+、 (I−1341
(r−251w (+−+35)
及び
+1−261 、、 (I−136)、1−11.1〜
(1−137 1コ2) 、 fI−138 1−31#(+−139 1−4、(1−140 1−5) 、 (1−141 ■−6)−(1−142 1−71、(1−143 1−81、fI−144 1−91、(r−145 X−10)・(+−146 1−111、(1−147 1−121#(+−11t8 1−13 傘(+−+49 1−141 、 (+−150 1−+51・(x−151 1−161、fl−152 I−181ケ(1−154 (r−191,(1−+55ン (1−201、fI−1561 (I−211、(r−1571 (I−22+ 、 [1−1581 f1−231 、 (r−+591 1t−24)、 (1−1601 (1−251、(+−1611 及び [1−261、(1−1621+ 分子部分A 分子部分B +1−105)t1i1el!−163)。
(1−137 1コ2) 、 fI−138 1−31#(+−139 1−4、(1−140 1−5) 、 (1−141 ■−6)−(1−142 1−71、(1−143 1−81、fI−144 1−91、(r−145 X−10)・(+−146 1−111、(1−147 1−121#(+−11t8 1−13 傘(+−+49 1−141 、 (+−150 1−+51・(x−151 1−161、fl−152 I−181ケ(1−154 (r−191,(1−+55ン (1−201、fI−1561 (I−211、(r−1571 (I−22+ 、 [1−1581 f1−231 、 (r−+591 1t−24)、 (1−1601 (1−251、(+−1611 及び [1−261、(1−1621+ 分子部分A 分子部分B +1−105)t1i1el!−163)。
(!−to61 ッ (I−1641゜+1−1071
、 (1−+65)。
、 (1−+65)。
+1−1081 #(1−1661゜
(I−1091、(1−1671
及び
+1−+10) 、 (1−168]i分子部分A
分子部分B
及び
(x−1101、(1−174)。
適当なfr規モノマー(1)としてさらに他の例として
、式中のR,A及びCが上述した意味を有し、線形成は
連線形に互いに結合された少なくとも4個の芳香族核か
ら形成されるメソーゲン分子部分Bが一般式(■)の基
であるものが挙げられる −(−Y−B3−1−Y50%Y−(−8j−Y−1f
lV1式(IV)中のYtmtnは上述の意味を有し、
m及びnは共に0を表わすこともでき、B3はp−フェ
ニレン、ビフェニル−4,4′−ジイル及び/或はナフ
ト−2,6−イレンの6基及び/或は(II[−1)基
を意味する。
、式中のR,A及びCが上述した意味を有し、線形成は
連線形に互いに結合された少なくとも4個の芳香族核か
ら形成されるメソーゲン分子部分Bが一般式(■)の基
であるものが挙げられる −(−Y−B3−1−Y50%Y−(−8j−Y−1f
lV1式(IV)中のYtmtnは上述の意味を有し、
m及びnは共に0を表わすこともでき、B3はp−フェ
ニレン、ビフェニル−4,4′−ジイル及び/或はナフ
ト−2,6−イレンの6基及び/或は(II[−1)基
を意味する。
一般式(IV)で表される適当A分子部分Bとしては、
Yがエーテル基及びエステル基を意味し、m=iでn=
l、m=1でn = O、m = 0でn=1ならびに
m=0でn=oであって、B3がp−フェニレン基を意
味するものが挙げられる。
Yがエーテル基及びエステル基を意味し、m=iでn=
l、m=1でn = O、m = 0でn=1ならびに
m=0でn=oであって、B3がp−フェニレン基を意
味するものが挙げられる。
−数式(IV)の適当な分子部分Bの具体例は以下の(
IV−1)から(rV−3)である。
IV−1)から(rV−3)である。
これらのうち(IV−1)がことに好ましく、ことにエ
ーテル基を介して分子部分Aと紀合されているのが好ま
しい。
ーテル基を介して分子部分Aと紀合されているのが好ま
しい。
メソーゲン分子部分Bとして上記−数式(IV)で表さ
れる基を有し、ことにカイラルメソーゲン側鎖基を有す
る新規ポリマiを製造するために有利に使用され得る良
好な新規モノマー(I)の具体例としては以下のモノマ
ー(I −175)から(Iが挙げられる。
れる基を有し、ことにカイラルメソーゲン側鎖基を有す
る新規ポリマiを製造するために有利に使用され得る良
好な新規モノマー(I)の具体例としては以下のモノマ
ー(I −175)から(Iが挙げられる。
分子部分A
分子部分B
II−31會 (1−1771゜
(1−41◆ (1−1781゜
(!−5) 、、 (f−179)。
(1−6)つ(!−1801゜
(1−71、、(1−1811゜
+1−81 、 (r−11321゜
(1−9)や(1−1831゜
(1−101ケ(1−184)。
(I−11) t(1−1851゜
(1−121、(1−186)。
(1−131、(1−187]。
(1−14+1 (r−188
+1−151 (I−189
(夏−1611r−190
(1−17) (r−191
(r−181T1−192
if−191(1−1933
(1−201(1−197tl
(r−21) (1−1951
[−221(1−196)
(1−23+ 11−1971
+1−241 +l−1981
及び
(1−261(f−2001゜
分子部分A
分子部分B
分子部針入
分子部分B
(r−11r4−(1−2011゜
(I−219(I−2021゜
(1−31ヤ(+−2031゜
(1−419(1−2041゜
(1−511+1−2051゜
(1−61令(t−2061゜
+!−71 、 (t−2071゜
(r−a) * (1−208
(1−91、(r−209
(I−101ケ(1−210
(1−111、(1−211
(I−121e Lr−212
(1−131會(1−213
TM41 * (!−214)
(r−151φ(r−215
(1−161J(t−216
(1−1714(X−z17
(1−181、(r−218
(Z−191會(!−219
(1−201& (1−220
(!−211t (1−221
(夏−22)◆(1−2221゜
(f−231や(!−2231゜
(t−241+ +1−2241゜
(1−251q (1−225
及び
(1−26141−2261゜
(1−1091、、(l−2311
新規モノマー(I)として適当なさらに他の例は、式中
R及びAが上述の意味を有し、Bが以下の(X−1)か
ら(X−7)を意味するものが挙げられる。
R及びAが上述の意味を有し、Bが以下の(X−1)か
ら(X−7)を意味するものが挙げられる。
+oo−O−Y−(x−”’
◆〔ト〔トY−T!−21
◆O□□□CべJy−
◆Cト訃()(トY−
(x−6)
(X−7)
及び
これらのうち、Yが上述の意味を有し、上記(X−1)
から(X−7)がエーテル基を介して分子部分Aと結合
され、分子部分がピナン−3−イル基、カンファン−2
−イル基或はp−メンタン−3−イル基或は上述した一
般式(■)、(■)もしくは(■)の基を意味するもの
がことに好ましい。
から(X−7)がエーテル基を介して分子部分Aと結合
され、分子部分がピナン−3−イル基、カンファン−2
−イル基或はp−メンタン−3−イル基或は上述した一
般式(■)、(■)もしくは(■)の基を意味するもの
がことに好ましい。
Bとして上述(X−1)から(X−7)のいずれかを有
し、Cとして前述した意味を有する場合の新規モノマー
の具体例は以下の(I −233)から(I −484
)である。
し、Cとして前述した意味を有する場合の新規モノマー
の具体例は以下の(I −233)から(I −484
)である。
モノマー(I −233)乃至(I−251):分子部
分A 分子部分8 式中のCは以下の意味を有する。
分A 分子部分8 式中のCは以下の意味を有する。
(I −233)ビナン−3−イル、(I −234)
カンファン−2−イル、(I −235) p−メンタ
ン−2−イル、(I−236)基■−1、(r−237
)基■−2、(I−238)基■−3、(I−239)
基■−4、(I −240) 6、 CI −242) 1 、 Cl−244) 3 、 (I−246) 3 、 (I −248) 5 、 (I−250) 7、 モノマー(I −252) 分子部分A 基■−5、 基■−7、 基■−2、 基lX−2、 基lX−4、 基lX−6、 (I−241) (I −243) (I −245) (I −249) (I−251) 乃至(I−270): 分子部分B 基■− 基■− 基■− 基■− 基■− 基■− 式中のCは上記(l−233)から(I−251)につ
いて述べた意味を有する。
カンファン−2−イル、(I −235) p−メンタ
ン−2−イル、(I−236)基■−1、(r−237
)基■−2、(I−238)基■−3、(I−239)
基■−4、(I −240) 6、 CI −242) 1 、 Cl−244) 3 、 (I−246) 3 、 (I −248) 5 、 (I−250) 7、 モノマー(I −252) 分子部分A 基■−5、 基■−7、 基■−2、 基lX−2、 基lX−4、 基lX−6、 (I−241) (I −243) (I −245) (I −249) (I−251) 乃至(I−270): 分子部分B 基■− 基■− 基■− 基■− 基■− 基■− 式中のCは上記(l−233)から(I−251)につ
いて述べた意味を有する。
モノマー(l−271)乃至(I−289):分子部分
A 分子部分8 式中のCは上記(l−233)から いて述べた意味を有する。
A 分子部分8 式中のCは上記(l−233)から いて述べた意味を有する。
Cl−251)につ
モノマー(I −290)乃至(I−308):分子部
分A 分子部分B 分子部分A 分子部分8 式中のCは上記(l−233)から(i −251)い
て述べた意味を有する。
分A 分子部分B 分子部分A 分子部分8 式中のCは上記(l−233)から(i −251)い
て述べた意味を有する。
モノマー(I −309)乃至(I−327):分子部
分A 分子部分8 式中のCは上記(l−233)から(I−251)いて
述べた意味を有する。
分A 分子部分8 式中のCは上記(l−233)から(I−251)いて
述べた意味を有する。
モノマー(I −328)乃至(I−346):分子部
分A 分子部分B につ につ 式中のCは上記(l−233)から(I −251)
lこついて述べた意味を有し、(I −347a) i
t C力fモノマー(I −233)におけると同様の
意味を有し、式中のkが11の代りに8を意味するもの
であり、(I −3’47b)はCがモノマー(I−2
33)にお番すると同様の意味を有し、式中のkが11
或(よ8の(tりに6を意味するものである。
分A 分子部分B につ につ 式中のCは上記(l−233)から(I −251)
lこついて述べた意味を有し、(I −347a) i
t C力fモノマー(I −233)におけると同様の
意味を有し、式中のkが11の代りに8を意味するもの
であり、(I −3’47b)はCがモノマー(I−2
33)にお番すると同様の意味を有し、式中のkが11
或(よ8の(tりに6を意味するものである。
モノマー(I −368)乃至(I−384):分子部
分A 分子部分8 式中のCは上記Cl−233)から(I −251)に
ついて述べた意味を有する。
分A 分子部分8 式中のCは上記Cl−233)から(I −251)に
ついて述べた意味を有する。
モノマー(I −347)乃至(I−385):式中の
Cは上記(l−233)から(ニー251)ζこついて
述べた意味を有する。
Cは上記(l−233)から(ニー251)ζこついて
述べた意味を有する。
モノマー(I −385)乃至(I−403):分子部
分A 分子部分8 式中のCは上記 (l−233)から (I−251)につ いて述べた意味を有する。
分A 分子部分8 式中のCは上記 (l−233)から (I−251)につ いて述べた意味を有する。
モノマー(l−404)乃至(1−422):分子部分
A 分子部分8 式中のCは上記(l−233)から(I−251)につ
いて述べた意味を有する。
A 分子部分8 式中のCは上記(l−233)から(I−251)につ
いて述べた意味を有する。
モノマー(r −423)乃至(1−441):分子部
分A 分子部分B 分子部分A 分子部分B 式中のCは上記(l−233)から(l−251)につ
いて述べた意味を有する。
分A 分子部分B 分子部分A 分子部分B 式中のCは上記(l−233)から(l−251)につ
いて述べた意味を有する。
モノマー(I −480)乃至(I−484):分子部
分A 分子部分8 式中のCは上記(l−233)から(I−251)につ
いて述べた意味を有する。
分A 分子部分8 式中のCは上記(l−233)から(I−251)につ
いて述べた意味を有する。
% / v −(I −442) 乃至(I −460
) :分子部分A 分子部分8 式中のCは上記(l−233)から(I−251)につ
いて述べた意味を有する。
) :分子部分A 分子部分8 式中のCは上記(l−233)から(I−251)につ
いて述べた意味を有する。
モノマー(1−461)乃至(I−479):分子部分
Cは(I!−1)を意味する。
Cは(I!−1)を意味する。
これら全新規モノマー(I)のうち、
I−1,−3、−12、−15、−20、−24及びl
−25、I −27、−29、−38、−41、−48
、−50及びニー5! 、 l−53、−55、−64、−67、−72、−76及
びl−77、I −79、−81、−90、−93、−
98、−102及びI −103、 I −106, 1−111,−113、−122、−125、−130
、−134及びI −135、 l−137、−139、−148、−151,−156
、−160及びI −161゜ I −164、I −170、I −173,1−17
5、−177、−186、−189、−194、−19
8及びI −199、 I−2旧、−203、−212、−215、−220、
−224及びI −225、 I −228、 l−233、−234、−235、−273及びI −
240、l−252、−253、−254、−256及
びI −259、I −271,−272、−273、
−275及びI −278、l−290、−291,−
292,−294及びI −297、l−309、−3
IO1−31L−313及びI −316、l−328
、−329、−330、−332及びI −335、I
−347、−347a 1−347b 1−3
48、−349、−350、−351.−352.−3
53及びI −354、I −386,−367、−3
68、−370及びI −373、l−385、−38
6,−387,−389及びI −392、l−404
、−405,−406、−408及びI −411、l
−423、−424、−425、−427及びI −4
30、l−442、−443、−444、−446及び
I −449、l−461、−462,−463、−4
65及びI −468、ならびにl−481がことに好
ましく、そのうちでも1−1、−111.−173、−
175.−347、−347a 、 −347b 、
349、−350、−351、−352、−353.−
354、−461及びl−481が特に好ましい。
−25、I −27、−29、−38、−41、−48
、−50及びニー5! 、 l−53、−55、−64、−67、−72、−76及
びl−77、I −79、−81、−90、−93、−
98、−102及びI −103、 I −106, 1−111,−113、−122、−125、−130
、−134及びI −135、 l−137、−139、−148、−151,−156
、−160及びI −161゜ I −164、I −170、I −173,1−17
5、−177、−186、−189、−194、−19
8及びI −199、 I−2旧、−203、−212、−215、−220、
−224及びI −225、 I −228、 l−233、−234、−235、−273及びI −
240、l−252、−253、−254、−256及
びI −259、I −271,−272、−273、
−275及びI −278、l−290、−291,−
292,−294及びI −297、l−309、−3
IO1−31L−313及びI −316、l−328
、−329、−330、−332及びI −335、I
−347、−347a 1−347b 1−3
48、−349、−350、−351.−352.−3
53及びI −354、I −386,−367、−3
68、−370及びI −373、l−385、−38
6,−387,−389及びI −392、l−404
、−405,−406、−408及びI −411、l
−423、−424、−425、−427及びI −4
30、l−442、−443、−444、−446及び
I −449、l−461、−462,−463、−4
65及びI −468、ならびにl−481がことに好
ましく、そのうちでも1−1、−111.−173、−
175.−347、−347a 、 −347b 、
349、−350、−351、−352、−353.−
354、−461及びl−481が特に好ましい。
以上に詳述したモノマー(I)の製造については方法的
に全く特別のことはなく、問題の技術領域における公知
慣用の有機合成法により、それ自体公知慣用の或は場合
により市販の適当な出発化合物加ら得られる。この合成
法については例えばヨーロッパ特許出願公開25889
8号、228703号、184482号、西独特許出願
公開3603267号(ヨーロッバ公開231858号
)、同3603288号(同231857号)、日本国
特許出願公開45/62010号)各公報及び米国特許
4638073号明細書ならびに以下の一般文献に記載
されている。
に全く特別のことはなく、問題の技術領域における公知
慣用の有機合成法により、それ自体公知慣用の或は場合
により市販の適当な出発化合物加ら得られる。この合成
法については例えばヨーロッパ特許出願公開25889
8号、228703号、184482号、西独特許出願
公開3603267号(ヨーロッバ公開231858号
)、同3603288号(同231857号)、日本国
特許出願公開45/62010号)各公報及び米国特許
4638073号明細書ならびに以下の一般文献に記載
されている。
「ポリマー ビュレティンJ 14巻、179から18
6頁のG、デコバートらの論稿。
6頁のG、デコバートらの論稿。
「モレキュラー クリスタルズ、アンド、リフイド、ク
リスタルズJ NO@ (1984年)、 175から
203頁におけるJ、Lグツドバイらによる論稿、「モ
レ牛ニラー、クリスタルズ、アンド、リフイド、クリス
タルズ、レターズJ3r、(1986年)、分冊8.1
84から195頁におけるり、コーラらの論稿、 「アメリカン、ケミカル、ソサエティ」76巻(195
4年) 、 6054頁以降、S、J、ツーらの論稿、
「モレキュラー クリスタルズ、アンド、リフイド、ク
リスタルズ」141巻(1986年)251から266
頁におけるT2イヌカイらの論稿、同上146巻(19
87年)189から216頁におけるB。
リスタルズJ NO@ (1984年)、 175から
203頁におけるJ、Lグツドバイらによる論稿、「モ
レ牛ニラー、クリスタルズ、アンド、リフイド、クリス
タルズ、レターズJ3r、(1986年)、分冊8.1
84から195頁におけるり、コーラらの論稿、 「アメリカン、ケミカル、ソサエティ」76巻(195
4年) 、 6054頁以降、S、J、ツーらの論稿、
「モレキュラー クリスタルズ、アンド、リフイド、ク
リスタルズ」141巻(1986年)251から266
頁におけるT2イヌカイらの論稿、同上146巻(19
87年)189から216頁におけるB。
オツターホルムらの論稿、
「ノヤバニーズ、ジャーナル、オブ、アプライド、フィ
ジクス」26巻2号(1987年2月)L77からL7
g頁におけるに、ヨシ/らの論稿、「ジャーナル、オブ
、ザ、アメリカン、ケミカル、ソサエティ」108巻(
1986年) 5210から5221頁におけるり、M
、ウアルバらの論稿、「モレキュラー クリスタルズ、
アンド、リフイド、クリスタルズJ 51巻(1979
年)265から272夏におけるり、Y、バイロンらに
よる論稿、「ジャーナル、オブ、ザ、アメリカン、ケミ
カル、ソサエティ」74巻(1953年)393頁以降
におけるf、V、E、プーリングの論稿、 「マクロモレクラーレ、ヘミ−」179頁(1978年
)273から276頁におけるH、フィンケルマンらの
論稿、 「ユーロビアン、ポリマー ジャーナルJ 1g巻(1
982年) 651 h ラ659頁ニオケルV、p、
シ/(x 7らの論稿、 上記諸文献に記載されている公知慣用の合成法に本発明
新規モノマー(I)の製造方法が限定されるものではな
い。以下の製造法概要における各工程の組合わせにより
ことに有利に製造され得る。
ジクス」26巻2号(1987年2月)L77からL7
g頁におけるに、ヨシ/らの論稿、「ジャーナル、オブ
、ザ、アメリカン、ケミカル、ソサエティ」108巻(
1986年) 5210から5221頁におけるり、M
、ウアルバらの論稿、「モレキュラー クリスタルズ、
アンド、リフイド、クリスタルズJ 51巻(1979
年)265から272夏におけるり、Y、バイロンらに
よる論稿、「ジャーナル、オブ、ザ、アメリカン、ケミ
カル、ソサエティ」74巻(1953年)393頁以降
におけるf、V、E、プーリングの論稿、 「マクロモレクラーレ、ヘミ−」179頁(1978年
)273から276頁におけるH、フィンケルマンらの
論稿、 「ユーロビアン、ポリマー ジャーナルJ 1g巻(1
982年) 651 h ラ659頁ニオケルV、p、
シ/(x 7らの論稿、 上記諸文献に記載されている公知慣用の合成法に本発明
新規モノマー(I)の製造方法が限定されるものではな
い。以下の製造法概要における各工程の組合わせにより
ことに有利に製造され得る。
有利な合成法工程の41!要
合成工程1
(−数式(X+)の合成構成要素の合成工程)OH−(
アリール)−分子部分C(II)式中の分子部分Cは(
VI)、(■)、(■)或は(IX)の基及びアリール
、p−フェニレン、ビフェニレン−4,4′−ジイル或
はナフト−2,6−イレンであることができ、これは以
下のようにして導入され得る。
アリール)−分子部分C(II)式中の分子部分Cは(
VI)、(■)、(■)或は(IX)の基及びアリール
、p−フェニレン、ビフェニレン−4,4′−ジイル或
はナフト−2,6−イレンであることができ、これは以
下のようにして導入され得る。
金にL役」−一2
(−数式(X1l)の合成構成要素の合成工程)no−
c−rリール)−o−c−CP−o−can−分+ya
分c (X11)分子部分Cの要素はメチレン基で
あり、これは以下のようにして導入され得る。
c−rリール)−o−c−CP−o−can−分+ya
分c (X11)分子部分Cの要素はメチレン基で
あり、これは以下のようにして導入され得る。
合成工程1.1から1.5にわいて得られたベンジルエ
ーテルは、本合成工程1.6においてラネイニッケルの
存在下に水素により分裂され、合成構成要素(Xl)及
び(Xll)をもたらす。
ーテルは、本合成工程1.6においてラネイニッケルの
存在下に水素により分裂され、合成構成要素(Xl)及
び(Xll)をもたらす。
合成工[2
(−数式(Xlll)の合成構成要素の合成工程)CB
2=CH−C−0−(CH2)k−0−(7!I −ル
)−COOH(Xlll)式中のkは上述した意味を有
し、これは以下のようにして導入され得る。
2=CH−C−0−(CH2)k−0−(7!I −ル
)−COOH(Xlll)式中のkは上述した意味を有
し、これは以下のようにして導入され得る。
合成工程3
本工程にわいて合成構成要素(xl)或は(Xll)(
前記合成記工程1.1から1.6を見よ)を、シンクロ
へキシルカルボジイミド及び4− (N−ピロリジニル
)−ピリジンの存在下に、メチレンクロリド中において
、上記合成構成要素(Xl11)と反応させて新規モノ
マー(I)を製造する。
前記合成記工程1.1から1.6を見よ)を、シンクロ
へキシルカルボジイミド及び4− (N−ピロリジニル
)−ピリジンの存在下に、メチレンクロリド中において
、上記合成構成要素(Xl11)と反応させて新規モノ
マー(I)を製造する。
このようにして得られる新規モノマー(I)は、これま
での公知慣用の低分子量メソーゲン化合物の代りに、低
分子量メソーゲン化合物に予定されるあらゆる使用目的
のために使用され得る。これはカイラルメソーゲン側鎖
基を有し、強誘電性スメクチック液晶(S、”)挙動を
示す新規ポリマーPを製造するために有利に使用され得
る。
での公知慣用の低分子量メソーゲン化合物の代りに、低
分子量メソーゲン化合物に予定されるあらゆる使用目的
のために使用され得る。これはカイラルメソーゲン側鎖
基を有し、強誘電性スメクチック液晶(S、”)挙動を
示す新規ポリマーPを製造するために有利に使用され得
る。
このカイラルメソーゲン側ta基を有する新規ポリマー
Pを製造する場合、これは新規モノマー(I)の単独重
合体もしくは共重合体であっても、或は新規モノマー(
I)と公知の他のコモノマーとの共重合体であってもよ
い。それ自体公知の他のコモノマーにより、場合により
強誘電性スメクチック液晶(S、”)挙動を示すことも
あるそれ自体公知のメソーゲン側鎖基及び/或は二色性
発色団を有する側鎖基がこの新規ポリマーP中に導入さ
れ得る。
Pを製造する場合、これは新規モノマー(I)の単独重
合体もしくは共重合体であっても、或は新規モノマー(
I)と公知の他のコモノマーとの共重合体であってもよ
い。それ自体公知の他のコモノマーにより、場合により
強誘電性スメクチック液晶(S、”)挙動を示すことも
あるそれ自体公知のメソーゲン側鎖基及び/或は二色性
発色団を有する側鎖基がこの新規ポリマーP中に導入さ
れ得る。
カイラルメソーゲン側鎖基を有する新規の単独重合体も
しくは共重合体Pは、−数的にIOから50、好ましく
は10から40、ことに10から30の重合度を有する
。
しくは共重合体Pは、−数的にIOから50、好ましく
は10から40、ことに10から30の重合度を有する
。
公知慣用の共重合体及びメソーゲン側鎖基に関しては、
西独特許出願公開3603268号(51−ロッパ公開
231857号)、同3603267号(同23185
8号)、同3704146号、3500838号、34
29438号、ヨーロッパ特許出願公r3R18448
2号、同228703号、同171045今冬公報なら
びに米国特許4293435号明細書を参照され度い。
西独特許出願公開3603268号(51−ロッパ公開
231857号)、同3603267号(同23185
8号)、同3704146号、3500838号、34
29438号、ヨーロッパ特許出願公r3R18448
2号、同228703号、同171045今冬公報なら
びに米国特許4293435号明細書を参照され度い。
二色性発色団を新規共重合体P中に導入するコモノマー
としては、以下の一般式(HV)で表される化合物が好
ましい。
としては、以下の一般式(HV)で表される化合物が好
ましい。
区
C)l g−coo−a−y−a 2−11色団
(Xm1式中のRlA、
Y及びB2は前述した意味を有し、発色団は染料残基を
意味する。このAはことに以下の一般式(V)で表され
る基を意味するのが好ましい。
(Xm1式中のRlA、
Y及びB2は前述した意味を有し、発色団は染料残基を
意味する。このAはことに以下の一般式(V)で表され
る基を意味するのが好ましい。
−でCB*?コー (v)
式中のkは前述した意味を有するが、8から12、こと
にl!を表わすのが好ましい。さらに好ましいコモノマ
ーはB2がp−フェニレン基を意味する場合の化合物で
ある。さらに発色団がアントラキノン染料残基、ことに
以下の式により表されるアントラキノン染料残基を意味
するものが特に好ましい、上記コモノマー(XIV)は 西独特許山願公開3Ei31841号により公知である
。
にl!を表わすのが好ましい。さらに好ましいコモノマ
ーはB2がp−フェニレン基を意味する場合の化合物で
ある。さらに発色団がアントラキノン染料残基、ことに
以下の式により表されるアントラキノン染料残基を意味
するものが特に好ましい、上記コモノマー(XIV)は 西独特許山願公開3Ei31841号により公知である
。
二色性発色団を本発明による新規共重合体P中に導入す
るべきコモノマーとして、さらに以下の一般式(XV)
の化合物も好ましい。
るべきコモノマーとして、さらに以下の一般式(XV)
の化合物も好ましい。
CH2++−C−COo−A−発色団
(XVI。
(XVI。
式中のR,A及び発色団は上述の意味を有する。
この場合の発色団は、ことに以下の式で示されるアント
ラキノンである場合がことに好ましい。
ラキノンである場合がことに好ましい。
このアントラキノン集材残基を有するコモノマー(XV
)は、公知慣用の方法により、例えばアントラキノン染
料の遊離イミド基をω−ヒドロキシアルキルプロミドと
反応させ、次いで生成するN−(ω−ヒドロキンアルキ
ル ル酸、メタクリル酸或はα−クロルアクリル酸でエステ
ル化することにより製造される。
)は、公知慣用の方法により、例えばアントラキノン染
料の遊離イミド基をω−ヒドロキシアルキルプロミドと
反応させ、次いで生成するN−(ω−ヒドロキンアルキ
ル ル酸、メタクリル酸或はα−クロルアクリル酸でエステ
ル化することにより製造される。
カイラルメソーゲン側鎖基を有する新規単独重合体Pと
して好ましいのは、前述した新規モノマー(I−1)か
らC I − 484)からそれぞれ形成された単独重
合体(P−1)から( P − 484)である。
して好ましいのは、前述した新規モノマー(I−1)か
らC I − 484)からそれぞれ形成された単独重
合体(P−1)から( P − 484)である。
コトに好ましいカイラルメンーゲン側鎖基含有単独重合
体Pは、ことに好ましい新規モノマーとして前述列記し
たものから構成される単独重合体である。
体Pは、ことに好ましい新規モノマーとして前述列記し
たものから構成される単独重合体である。
そのうちでも特別に好ましい単独重合体は、特別に好ま
しい新規上ノマーI − 1 、−111, −173
−175、−347, −347a, −347b,
−349, −350、−351,−352、−353
、−354、−461及びI−481から構成されるF
r規単独重合体PI 、 Pill, P115、P
175、P347、P 347a, P 347b,
P 349、P2S5、P2S5, P2S5、P2S
5、P2S5、P 461及びP2S5である。
しい新規上ノマーI − 1 、−111, −173
−175、−347, −347a, −347b,
−349, −350、−351,−352、−353
、−354、−461及びI−481から構成されるF
r規単独重合体PI 、 Pill, P115、P
175、P347、P 347a, P 347b,
P 349、P2S5、P2S5, P2S5、P2S
5、P2S5、P 461及びP2S5である。
カイラルメソーゲン側鎖基を有する新規で好ましい共重
合体Pは、新規モノマー(I−1)から( I−484
)の少なくともいずれか2種類から構成される共重合体
である。
合体Pは、新規モノマー(I−1)から( I−484
)の少なくともいずれか2種類から構成される共重合体
である。
この共重合体Pとしてことに好ましいのは、ことに好ま
しい新規モノマーとして前述列記したちの少なくとも2
i類から構成される共重合体である。
しい新規モノマーとして前述列記したちの少なくとも2
i類から構成される共重合体である。
そのうちでも特別に好ましい共重合体Pは、特別に好ま
しい新規モノマーX − 1、−Ill, −173−
175、−347、−347a, −347b,−34
9、−350、−351 、 −352 、−353
、−354 、−461及びI−481の少なくとも2
種類から構成される共重合体である。
しい新規モノマーX − 1、−Ill, −173−
175、−347、−347a, −347b,−34
9、−350、−351 、 −352 、−353
、−354 、−461及びI−481の少なくとも2
種類から構成される共重合体である。
カイラルメソーゲン側鎖基を有する新規で適当なさらに
他の新規共重合体Pは、新規モノマー(I−1)からC
I−484)の少なくとも1種類と、公知慣用のコモノ
マーの少なくとも1種類とから構成される共重合体であ
る。
他の新規共重合体Pは、新規モノマー(I−1)からC
I−484)の少なくとも1種類と、公知慣用のコモノ
マーの少なくとも1種類とから構成される共重合体であ
る。
この種の共重合体Pであって、さらに好ましいのは、こ
とに好ましいtRm七ノマー(I)として前述列記した
ちの少なくとも1種類と、公知慣用のコモノマー少なく
とも1種類との共重合体である。
とに好ましいtRm七ノマー(I)として前述列記した
ちの少なくとも1種類と、公知慣用のコモノマー少なく
とも1種類との共重合体である。
カイラルメソーゲン側鎖基を有する新規共重合体Pとし
て特別に好ましいさらに他の例は、特別に好ましい新規
モノマーI−1 1−111 、 −173−175
、−347 、−347a 、 −347b 、−34
9、351 、 −352 、−353 、−354
、−461及びI−481の少なくともIN類と、公知
慣用のコモノマー少なくとも1種類とから構成される共
重合体である。
て特別に好ましいさらに他の例は、特別に好ましい新規
モノマーI−1 1−111 、 −173−175
、−347 、−347a 、 −347b 、−34
9、351 、 −352 、−353 、−354
、−461及びI−481の少なくともIN類と、公知
慣用のコモノマー少なくとも1種類とから構成される共
重合体である。
また特別に好ましい新規共重合体Pのさらに他の例とし
て、公知慣用のコモノマーのほかに追加的に、或はこれ
に代えて上述したコモノマー(XIV及び/或は( X
V)を重合含有する共重合体が挙げられる。
て、公知慣用のコモノマーのほかに追加的に、或はこれ
に代えて上述したコモノマー(XIV及び/或は( X
V)を重合含有する共重合体が挙げられる。
上述した新規の単独重合体P或は共重合体Pの製造につ
いては、方法的に特別のものはなく、公知慣用の方法に
より、例えば加熱開始及び/或はラジカル開始単独重合
或は共重合法により製造され得る。
いては、方法的に特別のものはなく、公知慣用の方法に
より、例えば加熱開始及び/或はラジカル開始単独重合
或は共重合法により製造され得る。
本発明方法による記録素子は、本発明による記録FM
(a)のほかに、使用目的に応じてさらに他の層を有す
ることができる。
(a)のほかに、使用目的に応じてさらに他の層を有す
ることができる。
本発明記録素子は、
(b)光学的透過性のものであってもよい、第1の寸法
安定層、 (C)レーザ光反射性の第1の電極層、(d)第1の配
向層、 (a)本発明による新規記録層、 (e)第2の配向層、 (f)光学的透過性の第2の電極層、 (g)光学的透過性の第2の寸法安定層を有するのが好
ましい。
安定層、 (C)レーザ光反射性の第1の電極層、(d)第1の配
向層、 (a)本発明による新規記録層、 (e)第2の配向層、 (f)光学的透過性の第2の電極層、 (g)光学的透過性の第2の寸法安定層を有するのが好
ましい。
このような層構成に関して、本発明記録素子は例えばヨ
ーロッパ特許出願公開205187号同2?1900号
、英国1キ許出願公開2181263号各公報及び米国
特許4752820号明細書に記載されている公知の反
覆消去及び書込可能レーザ光記録素子と対比され得る。
ーロッパ特許出願公開205187号同2?1900号
、英国1キ許出願公開2181263号各公報及び米国
特許4752820号明細書に記載されている公知の反
覆消去及び書込可能レーザ光記録素子と対比され得る。
これら特許文献から、さらに他の適当な第1寸法安定性
層(b)、レーザ光反射第1電極層(C)、第1配向層
(d)、第2配向層(e)、光学的に透過性の第2[極
ff (f)及び光学的に透過性の第2安定層が見出さ
れる。
層(b)、レーザ光反射第1電極層(C)、第1配向層
(d)、第2配向層(e)、光学的に透過性の第2[極
ff (f)及び光学的に透過性の第2安定層が見出さ
れる。
本発明による記録素子の製造について方法的に特別のも
のはなく、従来技術による周知の方法、例えば西独特許
出願公開3704146号、同3603268号(ヨー
ロッパ公開231857号)、同3803267号、英
国特許出願公開2181263号、ヨーロッパ特許出願
公開205187号、同171045号、同17104
号各公報及び米国特許4752820号明細書に記載さ
れている方法により製造され得る。
のはなく、従来技術による周知の方法、例えば西独特許
出願公開3704146号、同3603268号(ヨー
ロッパ公開231857号)、同3803267号、英
国特許出願公開2181263号、ヨーロッパ特許出願
公開205187号、同171045号、同17104
号各公報及び米国特許4752820号明細書に記載さ
れている方法により製造され得る。
本発明記録素子の製造に際しては、配向Fl(d)及び
(e)は、周知のように、新規記録M (a)中の新規
ポリマーPのカイラルメソーゲン側鎖基が垂直配向され
、その分子長軸が、強誘電性スメクチック液晶S、g相
に対応して、ディレクターnの方向において垂直軸線Z
に対して傾斜角θだけ傾斜するように構成されるように
配慮されるべきである。
(e)は、周知のように、新規記録M (a)中の新規
ポリマーPのカイラルメソーゲン側鎖基が垂直配向され
、その分子長軸が、強誘電性スメクチック液晶S、g相
に対応して、ディレクターnの方向において垂直軸線Z
に対して傾斜角θだけ傾斜するように構成されるように
配慮されるべきである。
本発明記録素子の円盤状のいわゆるディスクの形態をと
る場合には、円盤中心点を中心とする同心環状軌跡をえ
かくとき、すなわち接線配向の場合に特別の利点をもた
らす、配向層(d)及び(e)の構成方法は、例えば上
述特許文献或は以下の−股技術文献から公知のものであ
る。
る場合には、円盤中心点を中心とする同心環状軌跡をえ
かくとき、すなわち接線配向の場合に特別の利点をもた
らす、配向層(d)及び(e)の構成方法は、例えば上
述特許文献或は以下の−股技術文献から公知のものであ
る。
「リフイド、クリスタルズ」2巻(1987年)107
から110頁、に、J、ブラドシ譚−らの論稿、「ディ
スプレイズJ 1987年1月号17から21頁、^、
モズレイらの論稿、 「ジャーナル、オブ、フィジックス」0部「アプライド
、フィジックス」19巻(1986年)L37からL4
1頁、D、ウィリアムズらの論稿、「モレキュラー ク
リスタルズ、アンド、リフイド、クリスタルズ」132
巻(1986年)!67から180頁、M、E、ベラカ
ーらの論稿、「フェロエレクトリックス」59巻(19
84年)!37から144頁、J、S、ペイチルらの論
稿、「ジャーナル、オブ、フィジックス」59巻(19
86年) 2355から2360頁、」、S、ペイチル
らの論稿、同上誌628 (1987年) 4100力
ラ4108頁、J、M、キアリーらの論稿、 本発明記録素子はデータの反覆書込み、読取り及び消去
のためにことに適する。
から110頁、に、J、ブラドシ譚−らの論稿、「ディ
スプレイズJ 1987年1月号17から21頁、^、
モズレイらの論稿、 「ジャーナル、オブ、フィジックス」0部「アプライド
、フィジックス」19巻(1986年)L37からL4
1頁、D、ウィリアムズらの論稿、「モレキュラー ク
リスタルズ、アンド、リフイド、クリスタルズ」132
巻(1986年)!67から180頁、M、E、ベラカ
ーらの論稿、「フェロエレクトリックス」59巻(19
84年)!37から144頁、J、S、ペイチルらの論
稿、「ジャーナル、オブ、フィジックス」59巻(19
86年) 2355から2360頁、」、S、ペイチル
らの論稿、同上誌628 (1987年) 4100力
ラ4108頁、J、M、キアリーらの論稿、 本発明記録素子はデータの反覆書込み、読取り及び消去
のためにことに適する。
この場合データは周知のようにレーザ光記録素子の、+
α或は−αの傾斜角で均斉に面配向された強誘電性スメ
クチック液晶(S、”)記録Wl (a)に書込まれる
。この場のディジタル或はアナログデータの書込みは、
十分な出力のレーザ光照射により、場合により表面電界
印加下において行われる。書込レーザ光入射位置には、
光学的に確認され得る。室温で安定な互変二形帯域が形
成される。これは室温においてガラス状に固定される、
−α或は+αの傾斜角θの強誘電性スメクチック液晶5
.M相、スメクチック液晶S、″相、非配向ミクロドメ
イン(散乱中心)或は等方性工相である。
α或は−αの傾斜角で均斉に面配向された強誘電性スメ
クチック液晶(S、”)記録Wl (a)に書込まれる
。この場のディジタル或はアナログデータの書込みは、
十分な出力のレーザ光照射により、場合により表面電界
印加下において行われる。書込レーザ光入射位置には、
光学的に確認され得る。室温で安定な互変二形帯域が形
成される。これは室温においてガラス状に固定される、
−α或は+αの傾斜角θの強誘電性スメクチック液晶5
.M相、スメクチック液晶S、″相、非配向ミクロドメ
イン(散乱中心)或は等方性工相である。
書込まれたデータ乃至帯域は、周知の態様で読取りレー
ザ光照射により、複屈折コントラスト、二色性コントラ
スト、散乱中心光散乱及び/或は反射レーザ波干渉にお
いて相違する相速度で検知される。この場合それぞれの
場合の記録素子からの反射光を分析し、信号に変換する
のが好ましい。
ザ光照射により、複屈折コントラスト、二色性コントラ
スト、散乱中心光散乱及び/或は反射レーザ波干渉にお
いて相違する相速度で検知される。この場合それぞれの
場合の記録素子からの反射光を分析し、信号に変換する
のが好ましい。
データの書込み及び読取りは反覆して行われ得る。
この方法は新規記録m (a)を有する本発明記録素子
を使用して行われるとき、ことに迅速かつ確実に行われ
得る。さらに本発明記録素子は、ことに貯蔵安定性が良
好であるので、長期間の保管後においてもなお書込まれ
たデータが失われることがない。書込みはことに鋭敏に
行われるので、比較的低出力の書込レーザを使用するこ
とができ、さらに書込速度も従来技術と比較して著しく
高められる。読取りに際して本発明記録素子は、判然た
る暗騒音下にことに鮮明な信号を発生し、これにより高
いシグナル/ノイズ比がもたらされる。
を使用して行われるとき、ことに迅速かつ確実に行われ
得る。さらに本発明記録素子は、ことに貯蔵安定性が良
好であるので、長期間の保管後においてもなお書込まれ
たデータが失われることがない。書込みはことに鋭敏に
行われるので、比較的低出力の書込レーザを使用するこ
とができ、さらに書込速度も従来技術と比較して著しく
高められる。読取りに際して本発明記録素子は、判然た
る暗騒音下にことに鮮明な信号を発生し、これにより高
いシグナル/ノイズ比がもたらされる。
本発明による記録素子の新規の記録M (a)における
光学的に確認され得るデータが、室温において安定な、
本来の傾斜角と逆の一α或は+α°の傾斜角の強誘電性
スメクチック液晶S/相である、帯域の形態で書込まれ
るとき、極めて秀れた結果がもたらされる。
光学的に確認され得るデータが、室温において安定な、
本来の傾斜角と逆の一α或は+α°の傾斜角の強誘電性
スメクチック液晶S/相である、帯域の形態で書込まれ
るとき、極めて秀れた結果がもたらされる。
上述したデータの反覆書込み、読取り、消去方法は公知
の装置乃至ディスクドライブを使用して行われることが
でき、これは例えば西独特許出願公開205187号公
報に記載されている。
の装置乃至ディスクドライブを使用して行われることが
でき、これは例えば西独特許出願公開205187号公
報に記載されている。
この方法は西独特許出願公[43704146号公報に
記載された、レーザ書込み、読取りヘッドを備えている
ディスクドライブを使用するときはさらに特別の利点を
もたらす。
記載された、レーザ書込み、読取りヘッドを備えている
ディスクドライブを使用するときはさらに特別の利点を
もたらす。
実施例1乃至I3及び対比例Vl乃至v5新規モノマー
(I)及び公知モノマーの製造及び物性 (−数的製造方法) 新規モノマー(■)(実施例1乃至13)及び公知モノ
マー(対比例Vl乃゛至v5)を公知慣用の、一部分は
i’ff販されている出発材料から、諸文献に記載され
ている合成方法(例えば前述した合成工程参l@)によ
り製造した。
(I)及び公知モノマーの製造及び物性 (−数的製造方法) 新規モノマー(■)(実施例1乃至13)及び公知モノ
マー(対比例Vl乃゛至v5)を公知慣用の、一部分は
i’ff販されている出発材料から、諸文献に記載され
ている合成方法(例えば前述した合成工程参l@)によ
り製造した。
この場合、それぞれに適当な合成構成要素(XI)、(
Ill)及ヒ(Hfl) ヲマf合成し、次イテこれか
ら新規モノマー(I)を、或は公知のモノマーを製造し
た。
Ill)及ヒ(Hfl) ヲマf合成し、次イテこれか
ら新規モノマー(I)を、或は公知のモノマーを製造し
た。
このために250mJの無水のメチレンクロリド或はク
ロロホルムに、42ミリモルの合成構成要素(Xltl
) (カルボン酸)、42ミリモルの合成構成要素(
XI)或ハ(Xll) (7! /−ル) 、42ミ
!jモルのジシクロへキシルカルボジイミド及ヒ2.5
ミリモルの(N−ピロリジニル)−ピリジンを添加した
。この混合物を室温において完全に反応するまで撹拌し
た。反応の進展は薄層クロマトグラフィーにより監視し
た。
ロロホルムに、42ミリモルの合成構成要素(Xltl
) (カルボン酸)、42ミリモルの合成構成要素(
XI)或ハ(Xll) (7! /−ル) 、42ミ
!jモルのジシクロへキシルカルボジイミド及ヒ2.5
ミリモルの(N−ピロリジニル)−ピリジンを添加した
。この混合物を室温において完全に反応するまで撹拌し
た。反応の進展は薄層クロマトグラフィーにより監視し
た。
反応終了後、得られた反応混合物を氷で冷却し、生成し
たジシクロヘキシル尿素を濾別し、次いで溶媒を蒸散さ
せた。
たジシクロヘキシル尿素を濾別し、次いで溶媒を蒸散さ
せた。
得られたほぼ油状の残渣をシリカゲルクロマトグラフィ
ーで精製した。この場合の溶媒、展開剤としてトルエン
、醋酸、ヘキサン、エタノール或はこれらの混合液が使
用され得る。
ーで精製した。この場合の溶媒、展開剤としてトルエン
、醋酸、ヘキサン、エタノール或はこれらの混合液が使
用され得る。
このようにして得られた新規モノマー(I)(実施例1
−9)及び公知モ/ T −(Vl−V5) ヲ元素分
析し、’H核磁気共鳴スペクトログラフ(’I’1−N
MR,200及び300MHz、抑留基準としてテトラ
メチルシラン、溶媒ccpczh)により物性を求めた
。元素分析により各生成モノマーの理論値にそれぞれ対
応することが確認された。
−9)及び公知モ/ T −(Vl−V5) ヲ元素分
析し、’H核磁気共鳴スペクトログラフ(’I’1−N
MR,200及び300MHz、抑留基準としてテトラ
メチルシラン、溶媒ccpczh)により物性を求めた
。元素分析により各生成モノマーの理論値にそれぞれ対
応することが確認された。
下表1に製造された各化合物の概略と、それぞれの’I
f−!IMRスペクトルを示すが、ここで使用される略
号は以下の意味を示す。
f−!IMRスペクトルを示すが、ここで使用される略
号は以下の意味を示す。
H水素原子
aj 脂肪族
ar 芳香族
S −重積
d 二重積
【 三重積
q 四重積
園 多重項
実施例14乃至34及び対比例v6乃至Vt+新規モノ
マー(I)及び公知モノマーの製造及び物性 (−数的製造方法) それぞれ1種類或は複数種類の新規モノマー(I)と、
場合により1種類或は複数種類の公知モノマーとを重合
或は共重合させるため(実施例14乃至34)、また1
wi類或は複数1[の公知モノマーを重合或は共重合さ
せるため(対比例v6乃至Vll) 、アゾ−ビス−イ
ソブチルニトリルと共に、アルゴン導入下に反応容器中
において無水テトラヒドロフラン、トルエン、ジオキサ
ン或はジメチルホルムアミドに溶解させた。さらに10
分間アルゴンを導入した後、上記溶液を50℃に加熱保
持した。(共)重合終了後、クロマトグラフィー5ep
hadex LH20により溶媒、展開剤としてテトラ
ヒドロフランを使用して、生成(共)重合体をモノマー
から分離した。このようにして精製した(共)ffi合
体をメタノール或は石油エーテルの添加によりテトラヒ
ドロフランから沈澱させ、分離し、減圧下に乾燥した。
マー(I)及び公知モノマーの製造及び物性 (−数的製造方法) それぞれ1種類或は複数種類の新規モノマー(I)と、
場合により1種類或は複数種類の公知モノマーとを重合
或は共重合させるため(実施例14乃至34)、また1
wi類或は複数1[の公知モノマーを重合或は共重合さ
せるため(対比例v6乃至Vll) 、アゾ−ビス−イ
ソブチルニトリルと共に、アルゴン導入下に反応容器中
において無水テトラヒドロフラン、トルエン、ジオキサ
ン或はジメチルホルムアミドに溶解させた。さらに10
分間アルゴンを導入した後、上記溶液を50℃に加熱保
持した。(共)重合終了後、クロマトグラフィー5ep
hadex LH20により溶媒、展開剤としてテトラ
ヒドロフランを使用して、生成(共)重合体をモノマー
から分離した。このようにして精製した(共)ffi合
体をメタノール或は石油エーテルの添加によりテトラヒ
ドロフランから沈澱させ、分離し、減圧下に乾燥した。
得られた(共)重合体の組成を元素分析して、いずれの
場合にも理論値と合致することを確認した。
場合にも理論値と合致することを確認した。
二色性発色団含有側鎖基を有する(共)重合体をさらに
紫外線及び可視光線を使用して分光分析した。
紫外線及び可視光線を使用して分光分析した。
残余のものについてii’H−PIMRスペクトルグラ
フ(抑留基準としてテトラメチルシラン、溶媒トしてC
DCl3使用)分析した。
フ(抑留基準としてテトラメチルシラン、溶媒トしてC
DCl3使用)分析した。
液晶相の同定及び相転移温度の確認のため、公知慣用の
X11回折法、分光顕微鏡法、熱量計示差熱解析法(D
T^)及び示差走査解析法(DSC)を使用した。
X11回折法、分光顕微鏡法、熱量計示差熱解析法(D
T^)及び示差走査解析法(DSC)を使用した。
下表2に製造された各(共)重合体の概略と、測定結果
とを示す、さらに(共)重合させるために使用した溶媒
、及び場合により新規モノマー(1)と公知コモノマー
との量割合も併せて示す。
とを示す、さらに(共)重合させるために使用した溶媒
、及び場合により新規モノマー(1)と公知コモノマー
との量割合も併せて示す。
表中に使用される略号は以下の意味を有する。
aL
r
■
A
C11
NI
TIF
MF
IS
水素原子
脂肪族
芳香族
四重積
多重環
ガラス状態
等吉相
コレステリック相
スメクチックA相
スメクチックC8相
未同定
テトラヒドロフラン
ジメチルホルムアミ
可視光線
ド
第2表に示されるように、カイラルメソーゲン側鎖基を
有するtR規の単独重合体及び共重合体は、従来技術に
より同様に簡単に製造される。その製造のためにia加
的な技術的対策を講する必要はない。従って新規の(共
)重合体Pの特別の使用上の利点を達成させるために公
知の単独重合体の代りにこれらを使用しようとする意欲
がもたらされる筈である。
有するtR規の単独重合体及び共重合体は、従来技術に
より同様に簡単に製造される。その製造のためにia加
的な技術的対策を講する必要はない。従って新規の(共
)重合体Pの特別の使用上の利点を達成させるために公
知の単独重合体の代りにこれらを使用しようとする意欲
がもたらされる筈である。
公知の単独重合体においては、例えば単変Sc”相が全
く表れないか或いはこれのみが、冷却によってのみ表れ
るに過ぎない、これについてはヨーロッパ特許出願公開
228703号公報64頁の実施例I4、或いは66頁
の実施例24を参照され度い。これらは対比例VIO及
びVllとして引用されている。
く表れないか或いはこれのみが、冷却によってのみ表れ
るに過ぎない、これについてはヨーロッパ特許出願公開
228703号公報64頁の実施例I4、或いは66頁
の実施例24を参照され度い。これらは対比例VIO及
びVllとして引用されている。
また公知の単独重合体の場合には、カイラルメソーゲン
側鎖基の配向が簡単であるので、実際の使用上の観点か
ら重要なN8相がしばしばもたらされない。
側鎖基の配向が簡単であるので、実際の使用上の観点か
ら重要なN8相がしばしばもたらされない。
さらに公知の単独重合体は、例えばレーザ光記録素子の
記ti層に使用するために好ましいか或いは必須である
相転移挙動を示さない。
記ti層に使用するために好ましいか或いは必須である
相転移挙動を示さない。
さらにレーザ光データ記録に重要ね切換時間τ(応答時
間)が、公知単独重合体では長きに失する。例えば対比
例vlO及びvll(上記ヨーロッパ特許出願公開22
8703号公報の実施例I4及び24に対応)の場合0
.02秒、0.05秒であって、ファクター102にお
いて過大である。
間)が、公知単独重合体では長きに失する。例えば対比
例vlO及びvll(上記ヨーロッパ特許出願公開22
8703号公報の実施例I4及び24に対応)の場合0
.02秒、0.05秒であって、ファクター102にお
いて過大である。
実施例35乃至40
本発明による記録素子及びこれを使用するディジタルデ
ータの反覆書込み、読取り及び消去方法 (−数的製造方法) 40X 30X 3msのガラス肩平板体(BK7)上
にまずインジウム−錫酸化物(ITO,R= 30Ω/
から成る0、7μ曽厚さの伝導性、透明の電極層を、次
いでこの上にさらに0.25μ璽厚さの5i02層を公
知慣用のスパッタリング法で形成した。
ータの反覆書込み、読取り及び消去方法 (−数的製造方法) 40X 30X 3msのガラス肩平板体(BK7)上
にまずインジウム−錫酸化物(ITO,R= 30Ω/
から成る0、7μ曽厚さの伝導性、透明の電極層を、次
いでこの上にさらに0.25μ璽厚さの5i02層を公
知慣用のスパッタリング法で形成した。
上記5in2層及び170層をフォトレジスト技術によ
り画像形成エツチング処理し、直方形ITO電極及び相
当する電流引込線を有するレリーフパターンを形成する
。この場合のフォトレジストとしてBASF AG社の
ネガチブレジストNylotron’ WV0138
Xを使用した。エツチング処理は268gのFeCl2
・4II20.24gの5nC1□m 2H,Os
450aLの37%11G 及び415+aLの水か
ら成る液で行った。残留フォトレジスト除去のため39
A苛性ソーダ水溶液を使用した。
り画像形成エツチング処理し、直方形ITO電極及び相
当する電流引込線を有するレリーフパターンを形成する
。この場合のフォトレジストとしてBASF AG社の
ネガチブレジストNylotron’ WV0138
Xを使用した。エツチング処理は268gのFeCl2
・4II20.24gの5nC1□m 2H,Os
450aLの37%11G 及び415+aLの水か
ら成る液で行った。残留フォトレジスト除去のため39
A苛性ソーダ水溶液を使用した。
次いで得られたt[板体表面にポリイミド前駆物質CM
erek AG社のLiquicoat@ZLI 26
50)を遠心法で施してポリイミドから成る配向層を形
成し、乾燥し、次いで300’Cにおいてポリイミド前
駆層を4時間焼結し、このようにして形成されたポリイ
ミド層をビロード布片で研磨した。
erek AG社のLiquicoat@ZLI 26
50)を遠心法で施してポリイミドから成る配向層を形
成し、乾燥し、次いで300’Cにおいてポリイミド前
駆層を4時間焼結し、このようにして形成されたポリイ
ミド層をビロード布片で研磨した。
本発明による記録素子を製造するため、配向層表面上の
方形rTo iE極範囲内において5乃至10■の新規
単独重合体P或いは新規共重合体Pを塗布する。このた
めに扁平ガラス板体、ITOif!極レリーフ層及び配
向層から成る積層体を関連する(共)重合体の澄明温度
よりl0℃高い温度に加熱した。
方形rTo iE極範囲内において5乃至10■の新規
単独重合体P或いは新規共重合体Pを塗布する。このた
めに扁平ガラス板体、ITOif!極レリーフ層及び配
向層から成る積層体を関連する(共)重合体の澄明温度
よりl0℃高い温度に加熱した。
次いでITOffi極レリレリーフ範囲高熱性ポリイミ
ドスペーサシートで被覆し、扁平ガラス板体、ITO1
極レリーフ層、配向層、新規(共)重合体Pの溶融体層
及びスペーサシートから成る積層体を、使用された(共
)重合体Pの澄明点より10゛C高い温度に加熱し、こ
れに扁平ガラス板体、1丁0電極レリー7層及び配向層
から成る積層体を積層し、併列板状コンデンサを形成し
た。この中に新規(共)重合体Pの溶融体層が封入され
ている。
ドスペーサシートで被覆し、扁平ガラス板体、ITO1
極レリーフ層、配向層、新規(共)重合体Pの溶融体層
及びスペーサシートから成る積層体を、使用された(共
)重合体Pの澄明点より10゛C高い温度に加熱し、こ
れに扁平ガラス板体、1丁0電極レリー7層及び配向層
から成る積層体を積層し、併列板状コンデンサを形成し
た。この中に新規(共)重合体Pの溶融体層が封入され
ている。
このサンドイッチ状積層体を、使用された新規(共)重
合体澄明温度より10℃高い温度で機械的シートプレス
により2時間までの時間にわたって圧縮した。これによ
りスペーサシートを含めてo、1゜2.8.10或いは
50μ口厚さの本発明による新規の記録H(a)を有す
る記録素子を形成した。
合体澄明温度より10℃高い温度で機械的シートプレス
により2時間までの時間にわたって圧縮した。これによ
りスペーサシートを含めてo、1゜2.8.10或いは
50μ口厚さの本発明による新規の記録H(a)を有す
る記録素子を形成した。
この記録素子の切換時間τ(応答時間)を、+Unから
−Unの印加定常電圧の経時的変化について確認した。
−Unの印加定常電圧の経時的変化について確認した。
このためにt[eleレーザ光(λ:633mm)透過
の経時的変化を測定した。新規記録層(a)が2個の交
叉分極子の間において、数層に使用されている新規(共
〉重合体Pの切換処理前(印加電圧+On)における傾
斜角度θが分極子に対して45°となるように置かれた
場合、新規記!i層(a)の最大限の透過が保証された
。
の経時的変化を測定した。新規記録層(a)が2個の交
叉分極子の間において、数層に使用されている新規(共
〉重合体Pの切換処理前(印加電圧+On)における傾
斜角度θが分極子に対して45°となるように置かれた
場合、新規記!i層(a)の最大限の透過が保証された
。
この場合、切換時間τは、+U(V)から−u(V)へ
の切換処理後、新規記録層(a)を照射レーザ光が透過
するとき、透過コントラストが90%から10%に変化
する間の時間として確認された。
の切換処理後、新規記録層(a)を照射レーザ光が透過
するとき、透過コントラストが90%から10%に変化
する間の時間として確認された。
使用されている新規記録層(a)中の新規(共)重合体
Pの傾斜角θは、温度TO−5Kにおいて公知慣用方法
による偏光顕微鏡により切換角度2θを測定することに
より確定された。この場合のTcは後続の高温相におけ
るScI相の相転移温度を意味する。
Pの傾斜角θは、温度TO−5Kにおいて公知慣用方法
による偏光顕微鏡により切換角度2θを測定することに
より確定された。この場合のTcは後続の高温相におけ
るScI相の相転移温度を意味する。
ピッチGは「フィジックス。スティタス、ソリデイ」7
9巻(1983年)309頁、S、ロザンスキーの験槁
に記載されているようにして測定された。このために5
0μm厚さの記録層(a)を使用し、問題のS。を相の
温度範囲において測定が行われた。
9巻(1983年)309頁、S、ロザンスキーの験槁
に記載されているようにして測定された。このために5
0μm厚さの記録層(a)を使用し、問題のS。を相の
温度範囲において測定が行われた。
強誘電性自発分極P、乃至記録層(a)の単位容積当た
りの測定された双極子モーメント合計或いは双極子密度
を確認するため、公知慣用の三角法が使用された。この
ために、本発明記録素子のITO電極において、周波数
20Hzs±20、±60、±62及び±70Vのピー
ク電圧における周期的三角電圧が印加され、同゛時に本
発明記録素子を流れる電流が経時的に記録された。全電
流、容量電流及びオーム電流について測定された数値量
から、その時の自発分極電流が確認され、これから強誘
電性自発分極Pg (nCIam”)が算出された。実
施例35を除き、測定はlOμ園厚さの本発明記録層(
a)についてTc−5にの温度において行われた。
りの測定された双極子モーメント合計或いは双極子密度
を確認するため、公知慣用の三角法が使用された。この
ために、本発明記録素子のITO電極において、周波数
20Hzs±20、±60、±62及び±70Vのピー
ク電圧における周期的三角電圧が印加され、同゛時に本
発明記録素子を流れる電流が経時的に記録された。全電
流、容量電流及びオーム電流について測定された数値量
から、その時の自発分極電流が確認され、これから強誘
電性自発分極Pg (nCIam”)が算出された。実
施例35を除き、測定はlOμ園厚さの本発明記録層(
a)についてTc−5にの温度において行われた。
実施例35
本実施例においては、新規モノマーl−347から製造
された、実施例17の新規単独重合体P347が使用さ
れた。
された、実施例17の新規単独重合体P347が使用さ
れた。
これから形成された0、1μ園厚さの新規記録層(a)
は、126℃における5cII配向状態において、α=
±20.5°の傾斜角θ及び29.9 nC/c−の強
誘電性自発分極P8を示した。137℃、すなわち相転
移5cm 、:) s sの1℃低い温度において、+
18Vから一18Vへの電圧変化により、その切換時
間τは45μsであった。
は、126℃における5cII配向状態において、α=
±20.5°の傾斜角θ及び29.9 nC/c−の強
誘電性自発分極P8を示した。137℃、すなわち相転
移5cm 、:) s sの1℃低い温度において、+
18Vから一18Vへの電圧変化により、その切換時
間τは45μsであった。
従って、新規記録!tl (a)はそのSc2相の温度
範囲において同様の電圧印加により、問題なく、正確に
熱力学的に安定な両Sc”配向状態間の切換を行い得た
。すなわち本発明記録素子は、レーザ光照射によりデー
タを反覆して書込み、読取り、消去するために秀れてい
ることが確認された。
範囲において同様の電圧印加により、問題なく、正確に
熱力学的に安定な両Sc”配向状態間の切換を行い得た
。すなわち本発明記録素子は、レーザ光照射によりデー
タを反覆して書込み、読取り、消去するために秀れてい
ることが確認された。
実施例36
本実施例においては新規モノマーl−111及びl−3
47ならびに公知コモノマーVtから製造された、実施
例26の新規共重合体Pが使用された。
47ならびに公知コモノマーVtから製造された、実施
例26の新規共重合体Pが使用された。
これから形成された0、1μ口厚さの新規記録層(ac
t、136°ニオイテ+18vカラー18vヘノ電圧切
換により101μsの切換時間τを示し、上記と同様に
問題なく完全、正確に熱力学的に安定な両状態間におけ
る切換を行うことができた。従ってこの層(a)を有す
る本発明記録素子は、レーザ光照射によりデータを反覆
して書込み、読取り、消去するために秀れていることが
確認された。
t、136°ニオイテ+18vカラー18vヘノ電圧切
換により101μsの切換時間τを示し、上記と同様に
問題なく完全、正確に熱力学的に安定な両状態間におけ
る切換を行うことができた。従ってこの層(a)を有す
る本発明記録素子は、レーザ光照射によりデータを反覆
して書込み、読取り、消去するために秀れていることが
確認された。
さらに50μ■厚さの新規記録FJ (a)につきピッ
チGを測定したところG〉10μ■であることが確認さ
れた。
チGを測定したところG〉10μ■であることが確認さ
れた。
またlOμ鳳厚さの新規記録層(a)について傾斜角θ
を測定し、θ=126°であることが確認された。
を測定し、θ=126°であることが確認された。
同様に104厘厚さの新規記録層(a)について自発分
極Psを測定し、Ps”6.OnCIam”であること
が確認された。
極Psを測定し、Ps”6.OnCIam”であること
が確認された。
実施例37乃至40
実施例37においては、新規モノマーl−347と公知
のコモノマーVtから製造された、実施例25の新規共
重合体Pが使用された。
のコモノマーVtから製造された、実施例25の新規共
重合体Pが使用された。
実施例38においては、新規モノマーl−111ト公知
のコモノマーVtから製造された、実施例27の新規共
重合体が使用された。
のコモノマーVtから製造された、実施例27の新規共
重合体が使用された。
実施例39においては、新規モノマーl−111ト公知
のコモノマーVtから製造された、実施例28の新規共
重合体Pが使用された。
のコモノマーVtから製造された、実施例28の新規共
重合体Pが使用された。
実施例40においては、新規モノマーl−354及びl
−111から製造された、実施例29の新規共重合体P
が使用された。
−111から製造された、実施例29の新規共重合体P
が使用された。
以下の表3にはこれら新規共重合体から形成された新規
記録m (a)についての概略と、これらに関する試験
結果が示された。
記録m (a)についての概略と、これらに関する試験
結果が示された。
この実施例37乃至40の新規記録素子は、表3の結果
から認められるように、レーザ光照射により反覆してデ
ータを書込み、読取り、消去すること、すなわち可逆的
なレーザ光データ記録を行うことにおいて極めて秀れて
いることが確認された。
から認められるように、レーザ光照射により反覆してデ
ータを書込み、読取り、消去すること、すなわち可逆的
なレーザ光データ記録を行うことにおいて極めて秀れて
いることが確認された。
手続補正書
平成2年 8月24日
Claims (4)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) で表され、式中 Rが水素原子もしくは塩素原子或はメチル基を、Aが柔
軟な間隔保持長鎖分子部分を、 Cが光学的活性カイラル分子部分を、 Bが線形或は近線形に相結合された少なくとも3個の芳
香族核から形成され、少なくとも1個のナフト−2,6
−イレン基を有するメソーゲン分子部分を、或は Bが線形或は近線形に相互に結合された少なくとも3個
の芳香族核から形成され、 以下の一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (式中B^2はp−フェニレン基、ビフェニル−4,4
′−ジイル基、ナフト−2,6−イレン基を、 Yはエーテル基、メチレンエーテル基 (−CH_2−O−oder−O−CH_2−)、エス
テル基(▲数式、化学式、表等があります▼もしくは▲
数式、化学式、表等があります▼) 或はチオエステル基 (▲数式、化学式、表等があります▼もしくは▲数式、
化学式、表等があります▼) 或は炭素−炭素一重結合を、mは0或は整数≧1、nも
0或は整数≧1をそれぞれ意味する) で表されるメソーゲン分子部分を、或はBが線形或は近
線形に相互に結合された少なくとも4個の芳香族核から
形成され、以下の一般式(IV)▲数式、化学式、表等が
あります▼(IV) (m及びnならびにYは上述した意味を有し、B^3は
p−フェニレン基、ビフェニル−4,4′−ジイル基及
び/或はナフト−2,6−イレン基及び/或は以下の式
(III−1)の基 ▲数式、化学式、表等があります▼(III−1) を意味し、この式中のYは上述した意味を有する) で表されるメソーゲン分子部分を、或は Bが以下の一般式(X−1)から(X−7)▲数式、化
学式、表等があります▼(X−1)、 ▲数式、化学式、表等があります▼(X−2)、 ▲数式、化学式、表等があります▼(X−3)、 ▲数式、化学式、表等があります▼(X−4)、 ▲数式、化学式、表等があります▼(X−5)、 ▲数式、化学式、表等があります▼(X−6)及び ▲数式、化学式、表等があります▼(X−7)、 (式中Yは上述した意味を有し、基(X−1)から(X
−7)はエーテル基を介して分子部分Aと結合されてお
り、光学的活性カイラル分子部分Cに関しては以下の基
、すなわちピナン−3−イル基、カンファン−2−イル
基或はp−メンタン−3−イル基が介在する)で表され
る基、或は 以下の一般式(VII) ▲数式、化学式、表等があります▼(VII) (式中R^3はメチル基或はトリフルオルメチル基を意
味し、r及びxは相互に無関係に共に0或は1を、sは
1から3までの整数を意味する) で表される基、或は 以下の一般式(VIII) ▲数式、化学式、表等があります▼(VIII) (sは上述した意味を有する) で表される基、或は 以下の一般式(IX) ▲数式、化学式、表等があります▼(IX) (t、u及びvは相互に無関係に1から10の整数を意
味するが、t及びuは相互に無関係に共に0であっても
よく、yは0或は1を意味する) で表される基をそれぞれ意味することを特徴とするモノ
マー。 - (2)少なくとも1つの請求項(1)によるモノマー(
I )を重合含有することを特徴とする、強誘電性スメ
クチック液晶挙動を示すカイラルメソーゲン側鎖基を有
するポリマー。 - (3)(a)十分な光学的出力を有するレーザ光に露出
させるとき、表面電界印加により、熱力学的に安定な、
光学的に区別され得る2種類の強誘電性スメクチック液
晶(Sc^2)配向状態間において切換えられ得る、互
変二形、強誘電性スメクチック液晶(Sc^2)挙動を
示す記録層を有する、反覆消去、書込可能のレーザ光記
録素子において、上記記録層(a)が少なくとも1つの
請求項(2)によるポリマーを含有し、或は少なくとも
1つのこのポリマーから構成されることを特徴とする記
録素子。 - (4)(i)ディジタル或はアナログデータを、十分な
光学的出力を有する書込レーザ光に露出させ、必要に応
じ表面電界印加により、強誘電性スメクチック液晶Sc
^2相、スメクチック液晶Sc^2相、非配向ミクロド
メイン(散乱中心)或は等方性 I 相である、室温にお
いて安定な光学的検出可能部分の形態で書込み、 (ii)書込まれたデータ或は帯域を、複屈折コントラ
スト、二色性コントラスト、散乱中心における光散乱及
び/或は反射レーザ波干渉において相違する相速度で検
知し、記録素子からの反射光を分析し、 (iii)書込まれたデータ或は帯域を、書込まれた記
録層(a)の全面的或は部分的加熱により、表面電界印
加下において全体的或は部分的に再び消去し、(iv)
上記方法工程(i)及び(ii)を反覆して行うことが
できる、レーザ光記録素子の強誘電性スメクチック液晶
(Sc^2)記録層(a)にデータを反覆して書込み、
読取り、消去する方法において、請求項(3)によるレ
ーザ光記録素子を使用することを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3917196.5 | 1989-05-26 | ||
DE3917196A DE3917196A1 (de) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | Neue monomere und ihre verwendung zur herstellung eines wiederholt loeschbaren und beschreibbaren laseroptischen aufzeichnungselements |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0372445A true JPH0372445A (ja) | 1991-03-27 |
JP2925240B2 JP2925240B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=6381460
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2127067A Expired - Fee Related JP2925240B2 (ja) | 1989-05-26 | 1990-05-18 | 新規なモノマー、これを重合して得られる液晶性ポリマー及びこれを使用して得られる反覆消去、書込可能のレーザ光記録素子 |
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Country | Link |
---|---|
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Cited By (4)
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---|---|---|---|---|
JPH10508882A (ja) * | 1994-11-23 | 1998-09-02 | ビーエーエスエフ アクチェンゲゼルシャフト | 支持体を被覆及び印刷する方法 |
WO2008096509A1 (ja) | 2007-02-06 | 2008-08-14 | Adeka Corporation | 重合性光学活性化合物及び該重合性光学活性化合物を含有する重合性組成物 |
EP2060617A1 (en) | 2007-11-14 | 2009-05-20 | Chisso Corporation | Polymerizable menthol derivative |
JP2009120542A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Chisso Corp | 重合性アビエチン酸誘導体 |
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---|---|---|---|---|
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DE4115415A1 (de) * | 1991-05-10 | 1992-11-12 | Basf Ag | Fluessigkristalline polymere mit nahezu einheitlichem molekulargewicht |
DE4117113A1 (de) * | 1991-05-25 | 1992-11-26 | Merck Patent Gmbh | Polymerisierbare fluessigkristallmaterialien und ferroelektrische smektische, fluessigkristalline phasen aufweisende polymerzusammensetzungen |
DE4137408A1 (de) * | 1991-11-14 | 1993-05-19 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung einer ferroelektrischen oder antiferroelektrischen oder ferrielektrischen ordnung in glasartig erstarrenden fluessigkristallen |
DE4211087A1 (de) | 1992-04-03 | 1993-10-07 | Basf Ag | Organische Photoleiter mit flüssigkristallinen Eigenschaften |
DE4211692A1 (de) * | 1992-04-08 | 1993-10-14 | Basf Ag | Verwendung der chiralen Gruppe (1S,4R)-1,4-Dihydroxy-2-cyclopentenyl zur Herstellung von polaren, flüssigkristallinen Materialien |
DE4342280A1 (de) * | 1993-12-11 | 1995-06-14 | Basf Ag | Polymerisierbare chirale Verbindungen und deren Verwendung |
DE19504224A1 (de) * | 1994-02-23 | 1995-08-24 | Merck Patent Gmbh | Flüssigkristallines Material |
DE4408804A1 (de) * | 1994-03-15 | 1995-09-21 | Basf Ag | Chirale Verbindungen |
DE19520660A1 (de) * | 1995-06-09 | 1996-12-12 | Basf Ag | Polymerisierbare chirale Verbindungen und deren Verwendung |
DE19520704A1 (de) * | 1995-06-09 | 1996-12-12 | Basf Ag | Polymerisierbare chirale Verbindungen und deren Verwendung |
DE19640618A1 (de) * | 1996-10-01 | 1998-04-02 | Basf Ag | Chirale Verbindungen |
JP5284735B2 (ja) | 2008-09-18 | 2013-09-11 | 株式会社Adeka | 重合性光学活性イミド化合物及び該化合物を含有する重合性組成物 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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FR2573082B1 (fr) * | 1984-11-13 | 1987-02-20 | Thomson Csf | Polymeres thermotropes a chaines laterales ayant une structure chirale et leur procede de fabrication |
DE3603267A1 (de) * | 1986-02-04 | 1987-08-06 | Roehm Gmbh | Vorrichtung zur reversiblen, optischen datenspeicherung (i) |
DE3603266A1 (de) * | 1986-02-04 | 1987-08-06 | Roehm Gmbh | Vorrichtung zur reversibeln, optischen datenspeicherung (ii) |
-
1989
- 1989-05-26 DE DE3917196A patent/DE3917196A1/de not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-05-07 DE DE59009645T patent/DE59009645D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-07 EP EP90108576A patent/EP0399279B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-18 JP JP2127067A patent/JP2925240B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2009120542A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Chisso Corp | 重合性アビエチン酸誘導体 |
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