JPH0371516A - セラミックス超電導々体及びその製造方法 - Google Patents
セラミックス超電導々体及びその製造方法Info
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- JPH0371516A JPH0371516A JP1206291A JP20629189A JPH0371516A JP H0371516 A JPH0371516 A JP H0371516A JP 1206291 A JP1206291 A JP 1206291A JP 20629189 A JP20629189 A JP 20629189A JP H0371516 A JPH0371516 A JP H0371516A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電線、ケーブル、コイル巻線、電磁気シール
ド体等に用いられる、特に交流損失の小さいセラミック
ス超電導々体及びその製造方法に関する。
ド体等に用いられる、特に交流損失の小さいセラミック
ス超電導々体及びその製造方法に関する。
〔従来の技術）
近年、ＹＢａｚＣｕｓＯｔ−ｙ 、Ｂ ｉｔＳ ｒｔｃ
ａ＊−＋Ｃｕ、１０ｍ 、ＴｆｓＢａｚｃａａ−＋Ｃｕ
ｎ○ｘ （ｍ−１，２，ｎ＝１．２，３．４．−５．
・＝）、（Ｎｄ＋−１ｃｅ、Ｉ）ｚｃｕｏ４−ｙ等の
化学式で示される種々系のセラミックス超電導体が開発
され、その臨界温度（’ｒｃ）は、１２５Ｋにまで達し
ている。
ａ＊−＋Ｃｕ、１０ｍ 、ＴｆｓＢａｚｃａａ−＋Ｃｕ
ｎ○ｘ （ｍ−１，２，ｎ＝１．２，３．４．−５．
・＝）、（Ｎｄ＋−１ｃｅ、Ｉ）ｚｃｕｏ４−ｙ等の
化学式で示される種々系のセラミックス超電導体が開発
され、その臨界温度（’ｒｃ）は、１２５Ｋにまで達し
ている。
ところでこれらのセラミックス超電導体は加工性に劣る
為、セラミックス超電導体又はその前駆物質の粉体を金
属製管等に充填して伸延加工し、この伸延加工材に所定
の加熱処理を施して、例えば第６図にその断面図を示し
たようなセラミックス超電導素材１の外周に高導電性金
［１！２を設けたセラミックス超電導々体となして用い
られている。
為、セラミックス超電導体又はその前駆物質の粉体を金
属製管等に充填して伸延加工し、この伸延加工材に所定
の加熱処理を施して、例えば第６図にその断面図を示し
たようなセラミックス超電導素材１の外周に高導電性金
［１！２を設けたセラミックス超電導々体となして用い
られている。
ところで上記セラミックス超電導々体の高導電性金属管
は、通電中セラミックス超電導体層中におきる磁束の急
激な移動、即ちｆｌｕｘ ｊｕｍｐに伴う発熱のヒート
シンク並びに電流のバイパスとしての作用をなすもので
、その材料には熱及び電気伝導性に優れたＡｇやＣ’ｕ
等の高導電性金属が用いられている。
は、通電中セラミックス超電導体層中におきる磁束の急
激な移動、即ちｆｌｕｘ ｊｕｍｐに伴う発熱のヒート
シンク並びに電流のバイパスとしての作用をなすもので
、その材料には熱及び電気伝導性に優れたＡｇやＣ’ｕ
等の高導電性金属が用いられている。
又このＡｇやＣｕ等の高導電性金属層は、上記作用の他
にセラミックス超電導体を外気の有害物質から保護する
作用及び機械的に補強する作用を果たすものである。
にセラミックス超電導体を外気の有害物質から保護する
作用及び機械的に補強する作用を果たすものである。
しかしながら、上記ＡｇやＣｕ等の高導電性金属層を外
周に設けたセラミックス超電導々体は、交流を通電する
と上記金属層にうず電流が発生して多大な交流損失を惹
起するという問題があった。
周に設けたセラミックス超電導々体は、交流を通電する
と上記金属層にうず電流が発生して多大な交流損失を惹
起するという問題があった。
本発明はかかる状況に鑑み鋭意研究を行った結果、セラ
ミックス超電導体層の外周に高導電性金属層を設けたセ
ラミックス超電導々体の上記金属層の一部を低導電率化
せしめることにより、セラミックス超電導々体の交流損
失が著しく低減することを知見し、更に研究を進めて本
発明を充放させるに到ったものである。
ミックス超電導体層の外周に高導電性金属層を設けたセ
ラミックス超電導々体の上記金属層の一部を低導電率化
せしめることにより、セラミックス超電導々体の交流損
失が著しく低減することを知見し、更に研究を進めて本
発明を充放させるに到ったものである。
即ち請求項１の発明は、セラミックス超電導体の外周に
高導電性金属層を設けたセラミックス超電導々体であっ
て、上記金属層の一部に電気伝導度の低い部位を形成し
たことを特徴とするセラミックス超電導々体である。
高導電性金属層を設けたセラミックス超電導々体であっ
て、上記金属層の一部に電気伝導度の低い部位を形成し
たことを特徴とするセラミックス超電導々体である。
本発明導体は、外周に高導電性金属層を設けたセラミッ
クス超電導々体の上記金属層の一部に導電性の低い部位
を形成して、交流通電時に上記金属層に発生するうず電
流のループを上記低導電性部位にて遮断して交流損失量
を低減するようにしたものである。
クス超電導々体の上記金属層の一部に導電性の低い部位
を形成して、交流通電時に上記金属層に発生するうず電
流のループを上記低導電性部位にて遮断して交流損失量
を低減するようにしたものである。
本発明導体において、金属層には熱及び電気伝導性の良
好なＡｇ、Ｃｕ等の金属を用い、又上記金属層に形成す
る低導電性部位には例えば上記金属にＰｄ、Ｎｉ、、Ｚ
ｎ、Ｃｄ、Ｓｎ、、Ｐ、、Ｓｉ、Ｂｅ等の元素を固溶さ
せた合金等が用いられる。
好なＡｇ、Ｃｕ等の金属を用い、又上記金属層に形成す
る低導電性部位には例えば上記金属にＰｄ、Ｎｉ、、Ｚ
ｎ、Ｃｄ、Ｓｎ、、Ｐ、、Ｓｉ、Ｂｅ等の元素を固溶さ
せた合金等が用いられる。
以下に本発明の実施態様を第１〜５図に示した断面図を
参照して説明する０図において３は低導電性部位である
。
参照して説明する０図において３は低導電性部位である
。
第１図は断面円形のセラミックス超電導体層重の外周の
高導電性金属Ｎ２の左半分を低導電性部位３となしたも
のである。
高導電性金属Ｎ２の左半分を低導電性部位３となしたも
のである。
第２図は、テープ状導体の例であって、高導電性金属層
２の下方半分を低導電性部位３となしたものである。
２の下方半分を低導電性部位３となしたものである。
第３図に示した導体は第２図に示したテープ状導体の両
側端をスリットし、このスリット部分を樹脂４にて被覆
したものである。この導体は、冷媒の流路となる芯管に
巻付けて用いる場合等において、導体間に生じる結合損
が上記樹脂４により確実に抑止される。
側端をスリットし、このスリット部分を樹脂４にて被覆
したものである。この導体は、冷媒の流路となる芯管に
巻付けて用いる場合等において、導体間に生じる結合損
が上記樹脂４により確実に抑止される。
第４図に示した導体は、断面円形のセラミックス超電導
体層ｌの外周の高導電性金属層２の外側半分を低導電性
部位３となしたものである。
体層ｌの外周の高導電性金属層２の外側半分を低導電性
部位３となしたものである。
第５図に示した導体は、断面円形のセラミックス超電導
体層１の外周の金属層全体を低導電性部位３となし、こ
の導体を複数本束ねて高導電性金属１１２により被覆し
た構成の導体で、特に交流マグネット用導体に適したも
のである。
体層１の外周の金属層全体を低導電性部位３となし、こ
の導体を複数本束ねて高導電性金属１１２により被覆し
た構成の導体で、特に交流マグネット用導体に適したも
のである。
上記において低導電性金属部位の形状は、幅狭なもので
あっても差支えなく、むしろ幅狭のものを間隔をおいて
複数箇所に形成するのが、うず電流のループ遮断が確実
になされて好ましいものである。
あっても差支えなく、むしろ幅狭のものを間隔をおいて
複数箇所に形成するのが、うず電流のループ遮断が確実
になされて好ましいものである。
而して請求項２の発明は、請求項１の発明導体の製造方
法であって、高導電性金属管にセラミックス超電導体又
はその前駆物質を充填し、次いでこれを所望形状に伸延
加工して、外周が高導電性金属層からなるセラミックス
超電導素材となし、しかるのち、この伸延加工材に所定
の加熱処理を施すＡ工程及び上記伸延加工材の金属層の
所定部位に導電率を低下させる合金元素を混入させるＢ
工程を施すことを特徴とするものである。
法であって、高導電性金属管にセラミックス超電導体又
はその前駆物質を充填し、次いでこれを所望形状に伸延
加工して、外周が高導電性金属層からなるセラミックス
超電導素材となし、しかるのち、この伸延加工材に所定
の加熱処理を施すＡ工程及び上記伸延加工材の金属層の
所定部位に導電率を低下させる合金元素を混入させるＢ
工程を施すことを特徴とするものである。
この発明方法において用いられるセラミックス超電導体
としては前記したような種々系のセラミックス超電導体
が広く適用される。又上記セラミックス超電導体の前駆
物質としては、セラミックス超電導体となし得る原料物
質からセラミックス超電導体に合成されるまでの中間体
、例えばセラミックス超電導体構成元素の酸化物の混合
体又は共沈混合物又は酸素欠損型複合酸化物又は上記構
成元素の合金等が使用可能でこれらの前駆物質は酸素含
有雰囲気中で加熱処理することによりセラミックス超電
導体に反応するものである。
としては前記したような種々系のセラミックス超電導体
が広く適用される。又上記セラミックス超電導体の前駆
物質としては、セラミックス超電導体となし得る原料物
質からセラミックス超電導体に合成されるまでの中間体
、例えばセラミックス超電導体構成元素の酸化物の混合
体又は共沈混合物又は酸素欠損型複合酸化物又は上記構
成元素の合金等が使用可能でこれらの前駆物質は酸素含
有雰囲気中で加熱処理することによりセラミックス超電
導体に反応するものである。
而して、上記セラミックス超電導体又はその前駆物質を
充填する金属管の材料には、上記セラミックス超電導体
が酸素欠損型のｎ型酸化物超電導体の場合は、加熱処理
を非酸化性雰囲気中にて行うので、酸化し易いＣｕを用
いることができる。
充填する金属管の材料には、上記セラミックス超電導体
が酸素欠損型のｎ型酸化物超電導体の場合は、加熱処理
を非酸化性雰囲気中にて行うので、酸化し易いＣｕを用
いることができる。
他方、上記セラミックス超電導体が例えばＹＢａｔＣｕ
３０ｙ−δの化学式で示される酸化物超電導体のように
δを可及的にゼロに近づけるのが特性」二有利なＰ型酸
化物超電導体の場合は、加熱処理は酸化性雰囲気中にて
行うので、金属管の材料には酸化し難く且つ○オの透過
性に優れたＡｇが好適である。
３０ｙ−δの化学式で示される酸化物超電導体のように
δを可及的にゼロに近づけるのが特性」二有利なＰ型酸
化物超電導体の場合は、加熱処理は酸化性雰囲気中にて
行うので、金属管の材料には酸化し難く且つ○オの透過
性に優れたＡｇが好適である。
而して、上記高導電性金属層に低導電性部位を形成する
方法としては、高導電性金属層表面の所定部位に導電率
を低下させる元素をメツキ、ＰＶＤ、ＣＶＤ等の方法に
より析出せしめ、これを熱拡散させて合金化して低導電
性部位を形成する方法、又はイオン注入法、又はイオン
注入法と熱拡散とを組み合わせた方法等が適用される。
方法としては、高導電性金属層表面の所定部位に導電率
を低下させる元素をメツキ、ＰＶＤ、ＣＶＤ等の方法に
より析出せしめ、これを熱拡散させて合金化して低導電
性部位を形成する方法、又はイオン注入法、又はイオン
注入法と熱拡散とを組み合わせた方法等が適用される。
本発明方法において、セラミックス超電導体が前記のＰ
型酸化物超電導体の場合にあっては、伸延加工材の加熱
処理の前に高導電性金属層に低導電性部位を形成する為
の合金化処理を行うと、合金元素が卑な元素の場合、合
金元素は酸化してしまい金属層の低導電性部位の導電性
が回復してしまうので、合金元素の混入処理は加熱処理
のあとに行うのが好ましい。
型酸化物超電導体の場合にあっては、伸延加工材の加熱
処理の前に高導電性金属層に低導電性部位を形成する為
の合金化処理を行うと、合金元素が卑な元素の場合、合
金元素は酸化してしまい金属層の低導電性部位の導電性
が回復してしまうので、合金元素の混入処理は加熱処理
のあとに行うのが好ましい。
本発明のセラミックス超電導々体は、セラ兆ツクス超電
導々体の外周の高導電性金属層の一部に低導電性部位を
形成したものなので、交流通電時のうず電流の発生が抑
制され、依って交流損失が大幅に低減される。又上記低
導電性金属部位は、高導電性金属層の一部に形成すれば
よいので、金属層本来の、ｆｌｕｘ ｊｕｍｐに対する
ヒートシンクとしての作用が損なわれることがなく、又
金属層のセラミックス超電導体層を外気から保護する作
用もそのまま維持される。
導々体の外周の高導電性金属層の一部に低導電性部位を
形成したものなので、交流通電時のうず電流の発生が抑
制され、依って交流損失が大幅に低減される。又上記低
導電性金属部位は、高導電性金属層の一部に形成すれば
よいので、金属層本来の、ｆｌｕｘ ｊｕｍｐに対する
ヒートシンクとしての作用が損なわれることがなく、又
金属層のセラミックス超電導体層を外気から保護する作
用もそのまま維持される。
又低導電性部位は合金化して形成するので金属層の機械
的性質が向上する。
的性質が向上する。
以下に本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例１
ＹｔＯ３、ＢａＣ０Ｉ及びＣｕＯをＹ：Ｂａ：Ｃｕが原
子比で１：２：３になるように配合して混合し、次いで
この混合粉体を大気中にて８８０’Ｃ２４Ｈ仮焼成し、
これを粉砕分級して仮焼成粉体となした。しかるのち、
この仮焼成粉体をＣＩＰ成形により９Ｗφの棒材となし
、次いでこれを酸素気流中にて８５０℃８Ｈ予ｍ焼結し
たのち、外径１２ｍ内径９■のＡｇ製管に充填し、次い
でこの仮焼成粉体のＣＩＰ戒形体形体填したＡｇ製管を
スェージング及び溝圧延により２．５ ｍφの線材に加
工した。しかるのち、この線材を圧延ロールにより厚さ
０．３ ｍのテープ状素材となし、次いでこのテープ状
素材を酸素気流中にて９００°Ｃ８Ｈ加熱処理したのち
、９００”Ｃから２°（：／ｓｉｎの速度で冷却した。
子比で１：２：３になるように配合して混合し、次いで
この混合粉体を大気中にて８８０’Ｃ２４Ｈ仮焼成し、
これを粉砕分級して仮焼成粉体となした。しかるのち、
この仮焼成粉体をＣＩＰ成形により９Ｗφの棒材となし
、次いでこれを酸素気流中にて８５０℃８Ｈ予ｍ焼結し
たのち、外径１２ｍ内径９■のＡｇ製管に充填し、次い
でこの仮焼成粉体のＣＩＰ戒形体形体填したＡｇ製管を
スェージング及び溝圧延により２．５ ｍφの線材に加
工した。しかるのち、この線材を圧延ロールにより厚さ
０．３ ｍのテープ状素材となし、次いでこのテープ状
素材を酸素気流中にて９００°Ｃ８Ｈ加熱処理したのち
、９００”Ｃから２°（：／ｓｉｎの速度で冷却した。
次いでこのテープ状素材の片面にＺｎを４．５μ厚さに
電気メツキし、これをＡｒ気流中にて４５０ ”Ｃ１０
Ｈ加熱したのち、このテープを幅３−にスリットし、ス
リット後直ちにその外周にテフロンテープを巻いて絶縁
してセラミックス超電導々体となした。
電気メツキし、これをＡｒ気流中にて４５０ ”Ｃ１０
Ｈ加熱したのち、このテープを幅３−にスリットし、ス
リット後直ちにその外周にテフロンテープを巻いて絶縁
してセラミックス超電導々体となした。
実施例２
Ｂｉ、Ｏ，、ＳｒＯ，ＣｕＯ、ＣｕＯをＢｉ：Ｓｒ：Ｃ
ａ：Ｃｕが原子比で２：１．９：２．１：２゜５になる
ように配合し混合して、これを酸素気流中にて６５０℃
で仮焼威し、この仮焼成体を粉砕分級して仮焼成粉体と
なした。次いでこの仮焼成粉体に実施例ｉと同様にして
ＣＩＰ成形、Ａｇ管封入、伸延加工の各工程を施して厚
さ０．３ ｔｍのテープ状素材となした。
ａ：Ｃｕが原子比で２：１．９：２．１：２゜５になる
ように配合し混合して、これを酸素気流中にて６５０℃
で仮焼威し、この仮焼成体を粉砕分級して仮焼成粉体と
なした。次いでこの仮焼成粉体に実施例ｉと同様にして
ＣＩＰ成形、Ａｇ管封入、伸延加工の各工程を施して厚
さ０．３ ｔｍのテープ状素材となした。
しかるのち、上記テープ状素材の片面のＡｇ層を３０μ
の厚さＨＮ Ｏｓでエツチングして除去し、このエツチ
ング面にＰｄを１０μ厚さメツキし、次いでこれをＮｚ
＋７．５％Ｏオ気流中にて８９０°Ｃ３０分間保持した
のち、８９０ ’Ｃから２．５°Ｃ／ｍｉｎの速度で冷
却し、次いでこれを３ＩＩＩＩ１幅に両側端をスリット
し、スリット後直ちにその外周にテフロンテープを巻い
て絶縁してセラミックス超電導々体となした。
の厚さＨＮ Ｏｓでエツチングして除去し、このエツチ
ング面にＰｄを１０μ厚さメツキし、次いでこれをＮｚ
＋７．５％Ｏオ気流中にて８９０°Ｃ３０分間保持した
のち、８９０ ’Ｃから２．５°Ｃ／ｍｉｎの速度で冷
却し、次いでこれを３ＩＩＩＩ１幅に両側端をスリット
し、スリット後直ちにその外周にテフロンテープを巻い
て絶縁してセラミックス超電導々体となした。
実施例３
Ｎｄ＊Ｏｓ 、Ｃｅ０ｚ 、ＣｕＯをＮｄ ： Ｃｅ
：Ｃｕが原子比で１．７ ： ０．３ ： １の比率に
なるように配合し混合したのち、この混合粉体を０□気
流中にて１０５０℃ｘ８Ｈ仮焼威し、次いでこれを粉砕
分級して仮焼成粉体となした０次いでこの仮焼成粉体を
ＣＩＰ成形により９鴫φの棒材となし、これを予備焼結
後内面にＣｒめっきした外径１２謔内径９＋ｍのＣｕ製
管に充填した。
：Ｃｕが原子比で１．７ ： ０．３ ： １の比率に
なるように配合し混合したのち、この混合粉体を０□気
流中にて１０５０℃ｘ８Ｈ仮焼威し、次いでこれを粉砕
分級して仮焼成粉体となした０次いでこの仮焼成粉体を
ＣＩＰ成形により９鴫φの棒材となし、これを予備焼結
後内面にＣｒめっきした外径１２謔内径９＋ｍのＣｕ製
管に充填した。
次いでこの棒材の予備焼結体を充填したＣｕ製管を実施
例１と同じ方法により厚さ０．３ ｍのテープ状素材に
加工し、次いでこのテープ状素材の片面にＺｎ５ｆａ、
、Ｎｉ ｌ Ｑ−を順次メツキしたのち、これをＡｒ気
流中にて９８０°Ｃ４Ｈ加熱し、加熱後炉外に取出して
冷却し、次いで両側端をスリットして幅３ＩＩ！ｌのテ
ープ状体となし直ちにその外周にテフロンテープを巻い
て絶縁してセラミックス超電導々体となした。
例１と同じ方法により厚さ０．３ ｍのテープ状素材に
加工し、次いでこのテープ状素材の片面にＺｎ５ｆａ、
、Ｎｉ ｌ Ｑ−を順次メツキしたのち、これをＡｒ気
流中にて９８０°Ｃ４Ｈ加熱し、加熱後炉外に取出して
冷却し、次いで両側端をスリットして幅３ＩＩ！ｌのテ
ープ状体となし直ちにその外周にテフロンテープを巻い
て絶縁してセラミックス超電導々体となした。
斯くの如くして得られた各々のセラミンクス超電導々体
について、Ｊ、及び金属層の導電率を測定した。
について、Ｊ、及び金属層の導電率を測定した。
第１表より明らかなように本発明品（１〜３）は、Ｊｃ
が高い値のものであり、しかもセラ逅ツクス超電導体の
外周に設けた高導電性金属層の一部に形成した低導電性
部位の導電率は上記高導電性金属層の導電率の１〜４％
と低いので、交流通電時に上記金属層に発生するうず電
流は大幅に抑制され、依って交流損失量は金属層全体が
高導電性金属層からなる従来品の場合の１０％前後に低
減するものである。
が高い値のものであり、しかもセラ逅ツクス超電導体の
外周に設けた高導電性金属層の一部に形成した低導電性
部位の導電率は上記高導電性金属層の導電率の１〜４％
と低いので、交流通電時に上記金属層に発生するうず電
流は大幅に抑制され、依って交流損失量は金属層全体が
高導電性金属層からなる従来品の場合の１０％前後に低
減するものである。
以上の実施例では、第２図又は３図に示した構造の導体
について説明したが、本発明では上記導体の金属層全体
に合金化処理を施し、これを複数本集合し半田を含浸さ
せてＡｇやＣｕ製の管内に固定して第５図に示した構成
の導体となしたものについても前記実施例と同様の効果
が得られるものである。
について説明したが、本発明では上記導体の金属層全体
に合金化処理を施し、これを複数本集合し半田を含浸さ
せてＡｇやＣｕ製の管内に固定して第５図に示した構成
の導体となしたものについても前記実施例と同様の効果
が得られるものである。
以上述べたように本発明導体はＪｅが高く且つ交流損失
の小さい導体であり、又生産性に優れるもので、工業上
顕著な効果を奏する。
の小さい導体であり、又生産性に優れるもので、工業上
顕著な効果を奏する。
第１〜５図は本発明導体の実施例を示す断面説明図、第
６図は従来の導体の断面説明図である。 １・・・セラミックス超電導体層、 ２・・・高導電性
金属層、 ３・・・低導電性部位、 ４・・・樹脂被覆
層。
６図は従来の導体の断面説明図である。 １・・・セラミックス超電導体層、 ２・・・高導電性
金属層、 ３・・・低導電性部位、 ４・・・樹脂被覆
層。
Claims (2)
- （１）セラミックス超電導体の外周に高導電性金属層を
設けたセラミックス超電導々体であって、上記金属層の
一部に電気伝導度の低い部位を形成したことを特徴とす
るセラミックス超電導々体。 - （２）高導電性金属管にセラミックス超電導体又はその
前駆物質を充填し、次いでこれを所望形状に伸延加工し
て、外周が高導電性金属層からなるセラミックス超電導
素材となし、しかるのち、この伸延加工材に所定の加熱
処理を施すＡ工程及び上記伸延加工材の金属層の所定部
位に導電率を低下させる合金元素を混入させるＢ工程を
施すことを特徴とするセラミックス超電導々体の製造方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1206291A JPH0371516A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | セラミックス超電導々体及びその製造方法 |
| US07/562,205 US5296456A (en) | 1989-08-09 | 1990-08-03 | Ceramic superconductor wire and method of manufacturing the same |
| KR1019900012102A KR910005499A (ko) | 1989-08-09 | 1990-08-07 | 세라믹스 초전도도체 및 그 제조방법 |
| EP90115234A EP0412527B1 (en) | 1989-08-09 | 1990-08-08 | Ceramic superconductor wire and method of manufacturing the same |
| DE69026659T DE69026659T2 (de) | 1989-08-09 | 1990-08-08 | Keramischer supraleitender Draht und Verfahren zu dessen Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1206291A JPH0371516A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | セラミックス超電導々体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0371516A true JPH0371516A (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=16520875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1206291A Pending JPH0371516A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | セラミックス超電導々体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0371516A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51135493A (en) * | 1975-05-20 | 1976-11-24 | Toshiba Corp | Manufacturing method of superconductive wire |
| JPH01140518A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | 超電導々体 |
-
1989
- 1989-08-09 JP JP1206291A patent/JPH0371516A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51135493A (en) * | 1975-05-20 | 1976-11-24 | Toshiba Corp | Manufacturing method of superconductive wire |
| JPH01140518A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | 超電導々体 |
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