JPH036645A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置Info
- Publication number
- JPH036645A JPH036645A JP1141458A JP14145889A JPH036645A JP H036645 A JPH036645 A JP H036645A JP 1141458 A JP1141458 A JP 1141458A JP 14145889 A JP14145889 A JP 14145889A JP H036645 A JPH036645 A JP H036645A
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Links
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 92
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 21
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 abstract 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000012432 intermediate storage Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体記憶装置に関し、特に、ファイルの二
重化に関する。
重化に関する。
従来の技術
従来、この種の半導体記憶装置でファイルの二重化を行
ったときに、片系記憶部に障害が発生し、現用系記憶部
のみで動作中、障害の発生した記憶部を修理後耳組込み
する場合には、上位装置からは正常系も1riW系も同
一の記憶部に見える為に、障害系の試験をすることなく
再組込みを行っていた。
ったときに、片系記憶部に障害が発生し、現用系記憶部
のみで動作中、障害の発生した記憶部を修理後耳組込み
する場合には、上位装置からは正常系も1riW系も同
一の記憶部に見える為に、障害系の試験をすることなく
再組込みを行っていた。
発明が解決しようとする課題
上述した従来の半導体記憶装置ではファイルの二重化を
行ったときに、片系記憶部に障害が発生し、現用系記憶
部のみで動作中、障害の発生した記憶部を修理後耳組込
みする場合に、上位装置からは正常系記憶部も障害の発
生した記憶部も同一のデバイスアドレスで見える為に、
障害の発生した記憶部の動作試験を行うことができない
という欠点があった。
行ったときに、片系記憶部に障害が発生し、現用系記憶
部のみで動作中、障害の発生した記憶部を修理後耳組込
みする場合に、上位装置からは正常系記憶部も障害の発
生した記憶部も同一のデバイスアドレスで見える為に、
障害の発生した記憶部の動作試験を行うことができない
という欠点があった。
本発明は従来の上記実情に濫みてなされたものであり、
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記欠点
を解消することを可能とした新規な半導体記憶装置を提
供することにある。
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記欠点
を解消することを可能とした新規な半導体記憶装置を提
供することにある。
課題を解決するための手段
上記目的を達成する為に、本発明にf系る半導体記憶装
置は、二重言動作中か片系のみで動fヤ中かを記憶して
いる不揮発性メモリとコピー開始を指示するコピー開始
スイッチをそれぞれ有する現用系記憶部及び予備系記憶
部と、二重書で動1を中片系にlII害が発生したとき
正常な記憶部の不揮発性メモリに片系のみで動作中であ
る旨記憶させ障害の発生した記憶部が修理後耳組込みさ
れるときに正常な記憶部の不揮発性メモリの内容を読出
し片系のみで動作中の旨記憶されていると再組込みされ
た記憶部をある定まったデバイスアドレス(N>として
認識し上位装置からデバイスアドレス(N)に対して命
令が出されると再組込みされた記憶部に対して処理を行
い正常な記憶部のコピー開始スイッチが押されると正常
な記憶部から記憶されているデータを全て読出し再組込
みさtした記憶部へ記憶させ正常な記憶部と再組込みさ
れた記憶部の不揮発性メモリに二重書で動作中である旨
記憶させ以後上位装置からの命令に対しては正常な記憶
部と再組込みされた記憶部に全く同一の動作を行わせる
二重書動作を行う制御部とを備えて構成される。
置は、二重言動作中か片系のみで動fヤ中かを記憶して
いる不揮発性メモリとコピー開始を指示するコピー開始
スイッチをそれぞれ有する現用系記憶部及び予備系記憶
部と、二重書で動1を中片系にlII害が発生したとき
正常な記憶部の不揮発性メモリに片系のみで動作中であ
る旨記憶させ障害の発生した記憶部が修理後耳組込みさ
れるときに正常な記憶部の不揮発性メモリの内容を読出
し片系のみで動作中の旨記憶されていると再組込みされ
た記憶部をある定まったデバイスアドレス(N>として
認識し上位装置からデバイスアドレス(N)に対して命
令が出されると再組込みされた記憶部に対して処理を行
い正常な記憶部のコピー開始スイッチが押されると正常
な記憶部から記憶されているデータを全て読出し再組込
みさtした記憶部へ記憶させ正常な記憶部と再組込みさ
れた記憶部の不揮発性メモリに二重書で動作中である旨
記憶させ以後上位装置からの命令に対しては正常な記憶
部と再組込みされた記憶部に全く同一の動作を行わせる
二重書動作を行う制御部とを備えて構成される。
実施例
次に、本発明をその好ましい一実施例について図面を参
照して具体的に説明する。
照して具体的に説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック構成図である
。
。
第1図を参照するに、半導体記憶装置010は、制御部
100と、不揮発性メモリ210 、310 、コピー
開始スイッチ220.320をそれぞれ有する現用系記
憶部200と、予備系記憶部300から構成されている
。
100と、不揮発性メモリ210 、310 、コピー
開始スイッチ220.320をそれぞれ有する現用系記
憶部200と、予備系記憶部300から構成されている
。
現用系記憶部200と予備系記憶部300の両系とも正
常に動作しているときに予備系記憶部300に障害が発
生すると、制御部100は現用系記憶部200の不揮発
性メモリ210に線211を通して片系のみで運用中で
ある旨記憶させ、以降現用系記憶部200のみで動作さ
せる6 予備系記憶部300の障害修理を行い、再組込みを行う
ときには、制御部100は、予備系記憶部300が組込
まれたことを検出すると、線211を通して現用系記憶
部200の不揮発性メモリ210の内容を読出す、制御
部100は、不揮発性メモリ210に片系のみで運用中
である旨記憶されていると、片系のみで動作している現
用系記憶部200とは異なるある定まったデバイス番号
Nとして予備系記憶部300を処理し、上位装置からデ
バイス番号Nに対する命令が発行されると、予備系記憶
部300に対して処理を行い、この命令が正常終了する
が否かで予備系記憶部300の修理が正常に行えたが否
か判断可能である。
常に動作しているときに予備系記憶部300に障害が発
生すると、制御部100は現用系記憶部200の不揮発
性メモリ210に線211を通して片系のみで運用中で
ある旨記憶させ、以降現用系記憶部200のみで動作さ
せる6 予備系記憶部300の障害修理を行い、再組込みを行う
ときには、制御部100は、予備系記憶部300が組込
まれたことを検出すると、線211を通して現用系記憶
部200の不揮発性メモリ210の内容を読出す、制御
部100は、不揮発性メモリ210に片系のみで運用中
である旨記憶されていると、片系のみで動作している現
用系記憶部200とは異なるある定まったデバイス番号
Nとして予備系記憶部300を処理し、上位装置からデ
バイス番号Nに対する命令が発行されると、予備系記憶
部300に対して処理を行い、この命令が正常終了する
が否かで予備系記憶部300の修理が正常に行えたが否
か判断可能である。
ここで、現用系記憶部200のコピー開始スインチ22
0が押されたとき、制御部100は、線221を通して
コピー開始スイッチ220が押されたことを検出し、現
用系記憶部200からデータを読出して予備系記憶部3
00に記憶させるというコピー処理を行う。コピー処理
が終了したときに、デバイス番号Nが消去され、且つ制
御部100は、線211311を通して現用系記憶部2
00と予備系記憶部300の不揮発性メモリに二重書動
作である旨記憶させ、以降上位装置からの命令に対して
は、現用系記憶部200と予備系記憶部300に同一の
動作を行わせる。
0が押されたとき、制御部100は、線221を通して
コピー開始スイッチ220が押されたことを検出し、現
用系記憶部200からデータを読出して予備系記憶部3
00に記憶させるというコピー処理を行う。コピー処理
が終了したときに、デバイス番号Nが消去され、且つ制
御部100は、線211311を通して現用系記憶部2
00と予備系記憶部300の不揮発性メモリに二重書動
作である旨記憶させ、以降上位装置からの命令に対して
は、現用系記憶部200と予備系記憶部300に同一の
動作を行わせる。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、制御部、不揮発性
メモリ、コピー開始スイッチをそれぞれ有する現用系記
憶部と予備系記憶部を構成することにより、現用系記憶
部のみで動作中予備系記憶部を組込むときに予備系記憶
部を運用に組込む前に予備系記憶部の正常動作の確認を
行えるという効果が得られる。
メモリ、コピー開始スイッチをそれぞれ有する現用系記
憶部と予備系記憶部を構成することにより、現用系記憶
部のみで動作中予備系記憶部を組込むときに予備系記憶
部を運用に組込む前に予備系記憶部の正常動作の確認を
行えるという効果が得られる。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック構成図である
。 010・・・半導体記憶装置、100・・・制御部、2
00・・・現用系記憶部、210・・・不揮発性メモリ
、220・・・コピー開始スイッチ、300・・・予備
系記憶部、310・・・不揮発性メモリ、320・・・
コピー開始スイッチ第1図 10 20 10 20 :不揮発性メモリ :コピー開始スイッチ :不揮発性メモリ : コピー開始ヌイッテ
。 010・・・半導体記憶装置、100・・・制御部、2
00・・・現用系記憶部、210・・・不揮発性メモリ
、220・・・コピー開始スイッチ、300・・・予備
系記憶部、310・・・不揮発性メモリ、320・・・
コピー開始スイッチ第1図 10 20 10 20 :不揮発性メモリ :コピー開始スイッチ :不揮発性メモリ : コピー開始ヌイッテ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 中央処理装置に接続され、中央処理装置からの定められ
た命令に従って動作する半導体記憶装置において、 現用系記憶部と予備系記憶部の両系とも正常か否かを示
すデータを記憶する不揮発性メモリとコピー開始を指示
するコピー開始スイッチをそれぞれ有する現用系記憶部
及び予備系記憶部と、前記現用系記憶部と予備系記憶部
の両系ともに正常に動作しているとき前記予備系記憶部
に障害が発生した場合に、前記現用系記憶部の不揮発性
メモリに片系のみで運用中である旨記憶させ、以降中央
処理装置からの命令に対しては前記現用系記憶部のみで
処理を行い、前記予備系記憶部の障害の修理後再組込み
を行うときに、該予備系記憶部の再組込みを検出すると
前記現用系記憶部の不揮発性メモリの内容を読出し、片
系のみで運用中である旨記憶されていると再組込みされ
た前記予備系記憶部をある定まったデバイスアドレス(
N)として処理し、中央処理装置からデバイスアドレス
(N)に対して命令が出されると前記予備系記憶部に対
して処理を行い、また前記現用系記憶部のコピー開始ス
イッチが押されると、前記現用系記憶部から記憶されて
いるデータを読出して前記予備系記憶部に記憶させ、前
記現用系記憶部の内容を全て予備系記憶部に記憶させた
ときに前記現用系記憶部と予備系記憶部の不揮発性メモ
リに現用系記憶部と予備系記憶部の両系とも正常である
旨記憶させ、以降中央処理装置から出される命令に対し
ては前記現用系記憶部と予備系記憶部に全く同一の動作
を行わせる制御部と、 を有していることを特徴とする半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1141458A JPH036645A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1141458A JPH036645A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH036645A true JPH036645A (ja) | 1991-01-14 |
Family
ID=15292366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1141458A Pending JPH036645A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 半導体記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH036645A (ja) |
-
1989
- 1989-06-02 JP JP1141458A patent/JPH036645A/ja active Pending
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