JPH0365662B2 - - Google Patents

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JPH0365662B2
JPH0365662B2 JP59128918A JP12891884A JPH0365662B2 JP H0365662 B2 JPH0365662 B2 JP H0365662B2 JP 59128918 A JP59128918 A JP 59128918A JP 12891884 A JP12891884 A JP 12891884A JP H0365662 B2 JPH0365662 B2 JP H0365662B2
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Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明はハイブリツドICにおいて、チツプ部
品と埋込配線との接続替えを容易に行なえるマル
チチツプパツケージに関する。
［発明の技術的背景とその問題点］ 電子機器の小型化、軽量化が進むにつれ、電子
部品の高密度実装化が一段と強く要請されるよう
になつてきている。
このような背景のもとで、ハイブリツドICは、
モノリシツクICでは実現が困難な大電力・高電
力分野や、多品種少量生産あるいは多機能化に好
適するところから、その応用分野は急速に拡大し
てきている。
第２図はハイブリツドICの一例を示すもので、
埋込配線１を多層埋設したセラミツク多層基板２
上に、埋込配線１に導通するボンデイングパツド
３ａ〜３ｆが形成されており、セラミツク多層基
板２上に配置したICチツプその他のチツプ部品
４ａ〜４ｃの端子はボンド線５ａ〜５ｆを介して
所定のボンデイングパツド３ａ〜３ｆに接続され
ている。
このようなハイブリツドICは、客先ニーズに
応じて開発設計され、試作品を評価して必要な修
正を行ない、所期の機能が発揮されることを確認
した後、製品生産に入るのが一般的であるが、最
近では開発設計から生産までの時間的余裕が少な
いことが多いため、特に少量製品では、試作品の
試作評価と製品の生産とを平行して進行させる必
要を生ずる場合が少なくない。
このような場合、ICチツプ４ａ〜４ｃ間、あ
るいはICチツプと入出力回路間の埋込配線１を
追加、削除する必要が生じた際には、従来はセラ
ミツク多層基板２自体を作り直していたが、これ
に要する工数と時間およびパターンマスクや金型
等の開発設計費を節減するため、第３図に示すハ
イブリツドICの変更方法が考えられている。
即ち、第２図の構成のハイブリツドICを評価
した結果、例えば、ICチツプ４ａと埋込配線１
との導通を解き、代りにICチツプ４ａと４ｂの
端子間を導通させる必要があることが判明した場
合には、第３図に示すように、セラミツク多層基
板２上の配線替えを行なうICチツプ４ａの端子
近傍位置に追加パツド６を取付け、ボンド線５ｂ
の一端をボンデイングバツド３ｂから取外して追
加パツド６上に接続した後、追加パツド６とボン
デイングパツド３ｄの間に追加配線７を配線す
る。
このようにすれば、原設計のセラミツク多層基
板を用いながら、ICチツプ間の接続を容易に変
更することができ、セラミツク多層基板やそれに
取付けたICチツプをそのまま利用することがで
きるので、ロスや時間を大幅に減少させることが
可能となる。
また、ボンド線と追加配線の接続は追加パツド
を中継して行なわれるので、ボンデイングは確実
に行なわれ、信頼性が低下することはない。
しかしながら、上述したハイブリツドICの変
更方法には次のような問題がある。
即ち、マルチチツプパツケージにおいては、通
常、セラミツク多層基板上に金属キヤツプを固着
してチツプ部品を気密に封止するが、この金属キ
ヤツプの取付け用として基板上にシールリングパ
ターンが設けられているため、このシールリング
パターンをまたいで追加配線を設けることはでき
ない。
このため、システム側の変更により、Ｉ／Ｏリ
ードからの配線を接続替えする場合には適用する
ことができない。
さらに基板の製造工程で、例えば第１図のＡの
部分がオープンとなつた場合（符号２１，２２が
従来はない）Ｉ／Ｏリードと接続するにはシーリ
ングパターンを跨いで追加配線を設けねばならぬ
ため変更不可能であつた。
［発明の目的］ 本発明は背景技術における上述の如き問題点を
解決すべくなされたもので、ハイブリツドICの
配線変更を更に容易に行なえるようにしたマルチ
チツプパツケージを提供することを目的とするも
のである。
［発明の概要］ 本発明のマルチチツプパツケージは、埋込配線
を配設した基板上に複数個のチツプ部品を搭載
し、その近傍に前記埋込配線に導通するボンデイ
ングパツドを形成し、さらにこれらを囲んでシー
ルリングパターンを形成するとともに、前記チツ
プ部品とボンデイングパツドとの間をボンド線で
連結し、かつ前記シールリングパターン上にキヤ
ツプを封着してなるハイブリツドICにおいて、
前記基板上のシールリングパターンの内側位置に
接続替え用のボンデイングパツドを設け、このボ
ンデイングパツドと前記埋込配線とを分岐配線に
より接続したことを特徴とするものである。
［発明の実施例］ 次に、第１図を参照して本発明の実施例を説明
する。
同図において、セラミツク多層基板１０内には
多数の埋込配線１１が配設されている。
埋込配線１１にはその用途に応じて多くの種類
があるが、これがデータバスであるとすると、そ
の一端は基板の周縁部に設けたＩ／Ｏパツド１２
を介してＩ／Ｏリード１３に連結されている。１
４はＩ／Ｏパツド１２とマルチチツプパツケージ
１３を接続する銀ろう層を示す。
セラミツク多層基板１０の表面上に設けた接地
または電源電位のダイパツド１５上には、ハンダ
または導電性接着剤１６を介してICチツプその
他のチツプ部品１７が固着されている。また、基
板１０上にはその周縁部よりやや内側にシールリ
ングパターン１８が枠状に形成されており、金属
キヤツプ１９の下端はハンダ層２０によりシール
リングパターン１８に気密に接続されている。
埋込配線１１はシールリングパターン１８より
やや内側位置に設けた分岐配線２０を介して、基
板１０上に配設した小径の接続替え用ボンデイン
グパツド２１に接続されている。また、埋込配線
１１から分岐する分岐配線２２に導通にするボン
デイングパツド２３とチツプ部品１７の端子の
間、および他の配線２４に導通するボンデイング
パツド２５とチツプ部品１７の端子の間はそれぞ
れボンド線２６，２７でボンデイングされてい
る。
上述のように構成した本発明のマルチチツプパ
ツケージにおいて、例えばチツプ部品１７とボン
デイングパツド２５との間のボンド線２６をボン
デイングパツド２１側に接続替えすることが必要
になつたような場合には、ボンデイングパツド２
５側のボンド線２６をボンデイングパツド２１側
に接続替えすればよい。
［発明の効果］ 上述したように本発明のマルチチツプパツケー
ジでは基板上に、埋込配線に導通する接続替え用
のボンデイングパツドを設けてあるから、ボンド
線を接続替えするだけで簡単に変更要求に応ずる
ことができる。
また、接続替え用のボンデイングパツド２１は
シールリングパターン１８の内側に設けられてい
るので、第１図のＡの部分がオープンである場合
もボンド線や追加配線をシールリングパターンを
跨いで配設する必要がなく、キヤツプ内の気密性
を低下させるようなことはない。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例を示す縦断面図、第２
図と第３図は従来例を説明する斜視図である。 １，１１，２４……埋込配線、２，１０……セ
ラミツク多層基板、３ａ〜３ｆ，２３，２５……
ボンデイングパツド、４ａ〜４ｃ，１７……チツ
プ部品、５ａ〜５ｆ，２６，２７……ボンド線、
６……追加パツド、７……追加配線、１２……
Ｉ／Ｏパツド、１３……Ｉ／Ｏリード、１５……
ダイパツド、１８……シールリングパターン、１
９……金属キヤツプ、２１……接続替え用ボンデ
イングパツド。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 埋込配線を配設した基板上に複数個のチツプ
    部品を搭載し、その近傍に前記埋込配線に導通す
    るボンデイングパツドを形成し、さらにこれらを
    囲んでシールリングパターンを形成するととも
    に、前記チツプ部品とボンデイングパツドとの間
    をボンド線で連結し、かつ前記シールリングパタ
    ーン上にキヤツプを封着してなるハイブリツド
    ICにおいて、前記基板上のシールリングパター
    ンの内側位置に接続替え用のボンデイングパツド
    を設け、このボンデイングパツドと前記埋込配線
    とを分岐配線により接続したことを特徴とするマ
    ルチチツプパツケージ。 ２ 各埋込配線には接続替え用のボンデイングパ
    ツドが複数ずつ接続されていることを特徴とする
    特許請求の範囲第１項記載のマルチチツプパツケ
    ージ。
JP59128918A 1984-06-22 1984-06-22 マルチチップパッケ−ジ Granted JPS617656A (ja)

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JP59128918A JPS617656A (ja) 1984-06-22 1984-06-22 マルチチップパッケ−ジ

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JPS617656A JPS617656A (ja) 1986-01-14
JPH0365662B2 true JPH0365662B2 (ja) 1991-10-14

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