JPH0365514B2

JPH0365514B2 -

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Publication number: JPH0365514B2
Application number: JP56084440A
Authority: JP
Priority date: 1981-06-03
Filing date: 1981-06-03
Publication date: 1991-10-14
Also published as: JPS57199963A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、接点の試験方法に係り、特に、リレ
ー（電磁継電器）の接点のオンオフを繰り返し行
つて、接点の接触状態の良否を試験する方法に関
する。

第１図は従来のリレー試験方法の一例を示す。
この図において、X₁，X₂…X_oはそれぞれリレー
であり、A₁，A₂…A_o-1はそれぞれリレーX₁，X₂
…X_o-1の常開接点、B_oははリレーX_oの常閉接点、
１，２は電源端子である。

このリレー回路において、電源端子１，２間に
電圧が印加されると、常閉接点B_oがあるため、
まずリレーX₁がオンになり、接点A₁が閉じる。
接点A₁が閉じると、リレーX₂がオンになり、接
点A₂が閉じる。このようにして次々に接点が閉
成され、最後に接点A_o-1が閉じると、リレーX_o
がオンになり、接点B_oが開く。このため、今度
はリレーX₁がオフになり、接点A₁が開き、次に
リレーX₂がオフになり、接点A₂が開く。このよ
うにして次々に接点が開成され、最後に接点
A_o-1が開くとリレーX_oがオフになつて、接点B_o
が閉じる。即ち、この回路では各リレーのオンオ
フが繰返し行われることになる。

第２図は第１図の回路における各リレーのオン
オフ状態を示すタイムチヤートである。t₀が電源
端子１，２間に電圧を印加した時点であり、以
下、t₁，t₂…t_oの各時点でリレーX₁，X₂…X_oが順
次オンし、その後、t₁₁，t₂₁…t_o1の各時点でリレ
ーX₁，X₂…X_oが順次オフする。以下同様な動作
を繰返す。

このような繰返しを続けるうちに、例えばリレ
ーX₂の接点A₂に接触不良現象が発生し、接点A₂
の閉成状態が得られなくなると、それ以後の動作
は停止してしまうので、接触不良を発生したリレ
ーX₂を容易に発見することができ、また、リレ
ーのオンオフ回数をカウントしておくことによ
り、何回で接点不良が発生したかを知ることがで
きる。

しかし、この方法では、試験結果として接触不
良が発生した回数しか知ることができず、接触不
良に到る過程などを把握することは不可能であ
る。また、いずれかの接点で接触不良が発生し動
作が停止したとしても、そのままの状態を保持す
る手段がないため、何等かの原因で接触不良が解
消した場合には、再びオンオフ動作が続行される
ことになる。このため、この方法では、常時監視
していない限り接触不良を確実に捕獲することが
できないという欠点がある。

第３図は、従来のリレー試験方法の他の例を示
す。この図において、Ｘはリレー、Ａは接点、３
はリレーＸの駆動回路、４は電源、５は電流調整
用の可変抵抗器、６は接点間の電圧波形を観測す
るためのオシログラフ、７は接点間の接触抵抗を
測定するための接触抵抗測定装置である。

この方法は、接点Ａが閉成されたとき、接点Ａ
に適当な電流が流れるように可変抵抗器５を調整
しておき、駆動回路３によりリレーＸのオンオフ
を繰返す。適当な繰返し回数毎に、接触抵抗測定
装置７による接触抵抗の測定と、オシログラフ６
による接点間電圧波形の測定を行う。第４図はそ
のタイムチヤートである。まず、第１回の接触抵
抗の測定b₁を行い、次に第１回の電圧波形の測定
c₁を行う。その後、リレーＸのオンオフの繰返し
動作a₁を行う。このときの繰返し回数は例えば
100回とか1000回の単位である。これが済んだら、
第２回の接触抵抗の測定b₂を行い、電圧波形の測
定c₂を行う。以下、同様な操作の繰返しで試験が
続けられる。

電圧波形の測定c₁，c₂…では、接点Ａが閉じる
過程の接点間電圧の変化が記録される。接点間電
圧は、接点が開いているときは高い一定レベルに
あり、接点間が閉じる過程では大きく変動し、接
点が完全に閉じられると低い一定レベルに落着
く、という変化を見せる。この変化の状態から、
接点の状態がどのようになつているかを、経験的
に判断するわけである。

しかし、この試験方法でも、接触抵抗の測定及
び電圧波形の測定を行う時以外は、単にリレーの
オンオフを繰返しているだけであるので、そのオ
ンオフの繰返し中に発生する接触不良を、確実に
捕獲することは困難である。また、この方法で
は、接触抵抗の測定及び電圧波形の測定回数がリ
レーのオンオフ繰返し回数に比較してきわめて少
ないため、たとえ接触抵抗の測定結果や電圧波形
の記録が得られても、それは単なる接触状態の経
時的な変化を見る場合とか、個々の接点の相対比
較を行う場合の参考になる程度で、接触不良発生
の原因究明に役立つようなデータを得ることはで
きない。

本発明の目的は、上記のような従来技術の欠点
を解消し、接触不良の発生及びその状況を確実に
捕獲することができ、しかも、接触不良発生の原
因究明に役立つデータを得ることのできるリレー
の試験方法を提供するにある。

この目的を達成するため、本発明は、リレーの
オンオフを繰返し行つて、接点の接触状態を試験
する方法において、リレーのオンオフ１回毎又は
それに近い回数毎に、接点が閉じる過程の接点間
電圧の変化を所定のサンプリング周期で測定し、
各測定値を数値化したものを電圧波形の数値化デ
ータとして記憶すると共に、この電圧波形の数値
化データを加工して得られる異常診断用の数値化
データをさらに記憶することを特徴とする。

まず、本発明の基礎となる考え方を説明する。

リレーの接点が閉じる過程の接点間電圧波形は
例えば第５図のようになる。t₀は測定開始点即ち
リレーがオンされた時点であり、t_nは測定終了点
である。即ち、t₀〜t_nは電圧波形測定のためのサ
ンプル期間である。このサンプル期間は、リレー
が正常な状態における、リレーがオンしてから接
点間電圧が低レベルで充分安定するまでの時間に
設定する。

リレーがオンしてから接点が動き出すまでには
時間遅れがあり、この間は接点間電圧は一定であ
る。データとして意味があるのは、接点間電圧が
変化し始めてから後の電圧波形である。そこで、
電圧が変化し始めてから測定終了点までを有効サ
ンプル期間とする。この有効サンプル期間内の電
圧波形に対し、接触不良判定レベルV_a、波形パ
ターンスライスレベルV_b、チヤタリング判定レ
ベルV_c等を設定する。

接触不良判定レベルV_aは、接触不良の判定の
ために設けられる。電圧波形の最終電圧値V_nは、
接点間の接触抵抗値に対応する接触電圧値とみな
せるから、この電圧値V_nが接触不良判定レベル
V_aより低いときは良、高いときは不良と判定す
る。

波形パターンスライスレベルV_bは有効サンプ
ル期間内の電圧波形をパターン化するためのもの
である。即ち、電圧波形を、波形パターンスライ
スレベルV_b以下の部分の面積Ｇと以上の部分の
面積Ｈとにパターン化することは、接触の不具合
要因を解明するのに有効である。V_b以下の部分
の面積Ｇは、例えば有効サンプル期間内の電圧波
形の全積分値からV_b以上の部分の積分値を差引
くことにより求めることができ、V_b以上の部分
の面積Ｈは、例えば有効期間内の電圧波形のV_b
以上の部分の積分値から求めることができる。ま
たこれとは逆に、V_b以下の部分の面積Ｇは、電
圧波形のV_b以下の部分の積分値から求めること
ができ、V_b以上の部分の面積Ｈは、電圧波形の
全積分値からV_b以下の部分の積分値を差引くこ
とにより求めることができる。

第６図は、上記波形パターンスライスレベル
V_b以下の面積Ｇと以上の部分の面積Ｈとをパタ
ーン化して示したものである。(イ)は面積Ｇ，Ｈと
も小さいので、正常な状態と判断できる。(ロ)は面
積Ｇが大きく、面積Ｈが小さいので、このパター
ンからは異物かみ込み等により接触抵抗が大にな
つていると判断できる。(ハ)は面積Ｇ，Ｈともに大
であるので、このパターンからは接触が不安定で
しかも接触抵抗が大きい状態例えば接点表面のガ
ス汚染がかなり進行している状態と判断できる。

なお、波形形パターンスライスレベルV_bと接
触不良判定レベルV_aは同一レベルに設定するこ
ともでき、またその方がデータ処理も容易であ
る。

チヤタリング判定レベルV_cはチヤタリング解
析のために設けられる。このチヤタリング判定レ
ベルV_c以上のパルスの数をカウントすることに
より、チヤタリングの多少を判断することができ
る。

このほか、必要に応じ、有効サンプル期間の開
始点から電圧がチヤタリング判定レベル以下にな
るまでの時間（チヤタリング時間）、有効サンプ
ル期間内のピーク電圧値及び最小電圧値等のデー
タをとるのも有効である。

さて、上記のような考え方に基づき、本発明に
おいては、まず、サンプル期間内の接点間電圧波
形を所定のサンプリング周期で測定する。この様
子を第７図に示す。t₀が測定開始点であり、この
時点で電圧V₀を測定する。次いでt₂の時点で電圧
V₂を、t₃の時点で電圧V₃を測定する。このよう
にして一定の周期で順次電圧を測定し、測定終了
点t_nで電圧V_nを測定して、１サンプル期間の測
定を終了する。t₀からt₁まで、t₁からt₂までの各
時間即ち各測定点間の時間がサンプリング周期で
あり、このサンプリング周期は、測定値から電圧
波形がほぼ再現できる程度の時間間隔に選定され
る。したがつて、このサンプリング周期はきわめ
て短いものである。

同時に複数の接点を試験する場合には、１サン
プリング周期内で、それぞれの接点の接点間電圧
を時分割方式で測定すればよい。

本発明においては、上記のようにして測定され
た電圧値のうち、少くとも有効サンプリング期間
内の電圧値はＡ−Ｄ変換して数値化し、電圧波形
の数値化データとして記憶回等に記憶する。そし
て、記憶された電圧波形の数値化データをもとに
異常診断用の数値化データを作成し、これも同じ
記憶回路等に記憶する。異常診断用の数値化デー
タとしては、例えば、(1)接触電圧値、(2)有効サン
プル期間内の電圧波形の全積分値、(3)同電圧波形
の波形スライスルレベル以上の部分の積分値、(4)
チヤタリングパルス数等があげられる。

(1)接触電圧値は、電圧波形の数値化データの最
終サンプリング値から求められる。第７図でいえ
ば、V_nの値を数値化したものである。なお、電
圧波形の数値化データの最終データとその付近の
データとはほぼ同レベルであるから（例えば第７
図において、V_n≒V_n-1≒V_n-2）、接触電圧値は、
必ずしも電圧波形の数値化データの最終データか
ら求める必要はないが、最終付近のデータから求
めるようにしてもよい。

(2)電圧波形の全積分値は、有効サンプル期間内
の全数値化データの総和として求められる。第８
図は第７図から得た数値データをさらに積分演算
して得られた結果を図示したものである。斜線部
分の面積が電圧波形の全積分値である。

(3)電圧波形の波形パターンスライスレベル以上
の部分の積分値は、有効サンプル期間内の波形パ
ターンスライスレベル以上の各データから同スラ
イスレベルを差引いた値の総和として求められ
る。第８図でいえば、左下り斜線部分の面積が波
形パターンスライスレベルV_b以上の部分の積分
値となる。

(4)チヤタリングパルス数は、前述のようにチヤ
タリング判定レベル以上のパルス数をカウントす
ることにより求められる。

本発明においては、以上のような電圧波形の数
値化データ及び異常診断用の数値化データを、好
ましくはリレーのオンオフ１回毎に記憶回路に記
憶する。これらの数値化データの記憶は、リレー
のオンオフ複数回毎、例えば２回に１回あるいは
３回に１回の記憶でもよいが、データの質は１回
毎の方が各段に高いといえる。また、これらの数
値化データを各接点について全試験回数記憶して
おくことは、その大部分が接触不良とは関係のな
いデータであるので、不経済である。このため、
本発明においては、記憶されている数値化データ
の中から、接触不良が発生したときの数値化デー
タのみ、あるいは接触不良が発生したときとそれ
以前数回分の数値化データのみを、磁気テープ等
に永久記録するようにすることが可能である。こ
の場合には、毎回の数値化データの記憶は一時的
なものでよいことになり、記憶回路の容量を小さ
くできる。

以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に
説明する。

第９図は本発明の試験方法を実施するためのリ
レー試験装置の一例を示す。この図において、Ｘ
はリレー、A₁，A₂…A_oはその接点である。この
実施例では、リレーＸは複数の接点を有してお
り、この複数の接点を同時に試験するものであ
る。１１はタイマーにより出力をオンオフするリ
レー駆動回路で、リレーＸを駆動するのに適当な
出力電圧を手動でセツトできるようになつてい
る。１２は接点用電源、１３は可変抵抗器で、可
変抵抗器１３は接点A₁，A₂…A_oが閉成されたと
きに試験の目的に応じた適当な電流が流れるよう
に調整される。各接点A₁，A₂…A_oは電源１２に
並列に接続されている。

１４は入力切替え回路、１５はＡ／Ｄ（アナロ
グ／デイジタル）変換回路、１６はデータ記憶回
路、１７は演算処理回路、１８は磁気記録装置制
御回路、１９は磁気記録装置、２０は試験条件入
力回路、２１は試験プログラム記憶回路、２２は
制御回路である。

入力切替え回路１４は、定められたサンプリン
グ周期で各接点A₁，A₂…A_oの接点間電圧を順次
取出す。Ａ／Ｄ変換回路１５は、入力切替え回路
１４から出力されるアナログ電圧値をＡ／Ｄ変換
して数値化する。データ記憶回路１６はＡ／Ｄ変
換回路１５の出力を記憶する。演算処理回路１７
は、データ記憶回路１６に記憶された１回分の電
圧波形数値化データを演算処理してその回の異常
診断用数値化データを作成し、さらにそれをデー
タ記憶回路１６に記憶させる。磁気記録装置制御
回路１８は、データ記憶回路１６に記憶されてい
る各回毎各接点毎の電圧波形数値化データ及び異
常診断用数値化データの中から、必要なデータを
取り出し磁気記録装置１９に永久記録する。磁気
記録装置１９は例えば磁気テープに記録する形態
のものである。試験条件入力回路２０は、試験プ
ログラム記憶回路２１に、接点の数、データのサ
ンプリング周期（時間）、サンプリングの繰返し
数、接触不良判定レベル（V_a）、波形パターンス
ライスレベル（V_o）、チヤタリング判定レベル
（V_c）、磁気記録装置１９に定常データを永久記
録させるのは何回目毎か（例えば100回目毎とか
1000回目毎等）、リレーＸのオンオフを停止させ
る回数、等を試験開始の際に記憶させる。試験プ
ログラム記憶回路２１は上記の各事項のほか、第
１０図のような試験プログラムを記憶している。
制御回路２２は、その試験プログラムの手順に従
つて、入力切替え回路１４、Ａ／Ｄ変換回路１
５、演算処理回路１７及び磁気記録装置制御回路
１８を、タイミングを合わせて制御する。制御回
路２２及び演算処理回路１７はマイクロコンピユ
ータで構成することができる。

次に、この装置による試験方法を第１０図のフ
ローチヤートを参照して説明する。

試験条件入力回路２０から試験プログラム記憶
回路２１に試験条件が入力され、試験準備が完了
すると、駆動回路１１を起動して、ステツプ101
のスタートである。駆動回路１１によりリレーＸ
に電圧が加えられると、ステツプ102のリレーオ
ンの動作がある。このときリレーＸに加わる電圧
が検出され、ステツプ103でその電圧が所定の電
圧に達しているか否かがチエツクされる。NOの
場合は電圧上昇が充分満足されるまでステツプ
103を繰返す。YESの場合はステツプ104で接点
間電圧の測定を行う。

ステツプ104では、制御回路２２からＡ／Ｄ変
換回路１５へアナログ量をデイジタル量に変換す
る命令が出力されるので、入力切換回路１４のア
ナログ出力はＡ／Ｄ変換回路１５で数値化されて
データ記憶回路１６に記憶される。入力切替え回
路１４は最初に接点A₁とＡ／Ｄ変換回路１５と
を接続しているので、最初に記憶されるのは接点
A₁の電圧である。これで、接点A₁の第１回目の
サンプリングが終る。第７図でいえばV₀の測定
をしたことになる。

次のステツプ105では、全部の接点について電
圧測定が行われたか否か即ち電圧測定回数が接点
数に達したか否かがチエツクされる。いまの状態
ではNOであるから、ステツプ104に戻る。この
とき入力切替え回路１４は制御回路２２の指令に
より入力切替えを１つ進めて接点A₂とＡ／Ｄ変
換回路１５とを接続するようになるので、今度は
接点A₂の電圧が測定され、記憶される。このよ
うにしてステツプ104と105が繰返されて、全接点
A₁，A₂…A_oについて第１回目の電圧測定が終る
と、ステツプ105の答はYESとなり、次のステツ
プに進む。これで各接点につき第１回目のサンプ
リングを終了したことになる。

ステツプ106では、各接点についての電圧測定
回数が試験条件として記憶されているサンプリン
グ繰返し数に達しかか否かがチエツクされる。い
まの状態ではNOであるから、ステツプ104に戻
る。このとき入力切替え回路１４は制御回路２２
の指令により入力切替えを最初に戻して接点A₁
とＡ／Ｄ変換回路１５とを接続するようになる。
したがつて、今度は接点A₁について第２回目の
電圧測定が行われ、その値が数値化されて記憶さ
れる。第７図でいえばV₁の測定をしたことにな
る。接点A₁の電圧測定が終るとステツプ105に進
み、以下ステツプ104と105の繰返しが接点数に達
するまで行われた後、再びステツプ106に進む。
これで各接点につき第２回目のサンプリングを終
了したことになる。以下、同様の繰返しが行わ
れ、各接点についての電圧測定回数が指定のサン
プリング繰返し数に達すると、ステツプ106の答
はYESとなり、次のステツプに進む。これで、
各接点につきリレーオン１回分の電圧波形の測定
が終了したことになる。つまり、リレーがオンし
てから１サンプル期間が経過するまでの間にステ
ツプ103から106までの処理が素早く実行されるわ
けである。

次のステツプ107では、データ記憶回路１６に
記憶された各接点の電圧波形の数値化データの中
から、まず第１の接点A₁のデータにつき、演算
処理回路により電圧波形の全積分値を求めそれを
記憶回路１６に記憶する。

次のステツプ108では、同じく接点A₁のデータ
につき、予め記憶されている波形パターンスライ
スレベル以上の部分の積分値を求め、それを記憶
回路１６に記憶する。

次のステツプ109では、同じく接点A₁のデータ
につき、予め記憶されているチヤタリング判定レ
ベル以上波形が何個あるかを、演算処理回路１７
でカウントし、それを記憶回路１６に記憶する。

次のステツプ110では、同じく接点A₁の電圧波
形数値化データ及びステツプ107〜109の演算結果
に、接点番号とリレーＸのオンオフ回数を付加
し、それを記憶回路１６に記憶する。

次のステツプ111では、同じく接点A₁の電圧波
形の数値化データの最終データ又はその付近のデ
ータが、予め記憶させてある接触不良判定レベル
以下にあるか否かをチエツクし、NOのときは、
次のステツプ112に進む。

ステツプ112では、リレーＸのオンオフ回数が、
予め記憶させてある定常データを記録すべき回数
（例えば100回目とか1000回目）に達しているか否
かをチエツクし、NOのときは次のステツプ115
に進む。

ステツプ115では、ステツプ107〜114の演算処
理が全接点のデータについて終了したか否かがチ
エツクされ、NOのときは、ステツプ107〜114の
演算処理が繰返される。この演算処理が全接点に
ついて終了すると、ステツプ115の答はYESとな
り、次のステツプに進む。

ステツプ116では、駆動回路１１によりリレー
Ｘがオフされ、各接点A₁，A₂…A_oが一斉に開
く。

ステツプ117では、リレーＸのオンオフ回数が、
予め記憶させてあるリレーのオンオフを停止させ
る回数に達したか否かをチエツクし、NOのとき
は試験プログラム記憶回路２１にカウントアツプ
１回を記憶させてステツプ102に戻り、次の回の
試験を行うことになる。

以上のようにして、リレーのオンオフ１回毎に
且つ各接点毎に、電圧波形の数値化データ及び異
常診断用の数値化データが記憶回路１６に記憶さ
れる。記憶回路１６の記憶容量は例えば（接点数
Ｘリレーのオンオフ10回分）程度であり、データ
が満杯になると新しいデータが入る際に最も古い
データが消去されるようになつている。

リレーＸのオンオフ回数が、100回目とか1000
回目の定常データを記録すべき回数に合致する
と、ステツプ112の答がYESとなり、次のステツ
プ113で、制御回路２２の指令により磁気記録装
置制御回路１８が動作して、データ記録回路１６
に記憶されているデータの中から、当該接点に関
するその回の電圧波形数値化データ及び異常診断
用数値化データを磁気記録装置１９に永久記録す
る。

また、ステツプ111において、ある接点の電圧
波形数値化データの最終データ又はその付近のデ
ータが、接触不良判定レベルを超えた場合には、
接触不良が発生したものと判断してステツプ111
の答はYESとなり、次のステツプ114で、制御回
路２２の指令により磁気記録装置制御回路１８が
動作して、データ記憶回路１６に記憶されている
データの中から、当該接点に関するその回の各種
数値化データ並びにその回より前５回分の各種数
値化データを、磁気記録装置１９に永久記録す
る。

以上のようにしてリレーの試験が進行し、リレ
ーのオンオフ回数が、リレーのオンオフを停止さ
せる回数に達すると、ステツプ117の答がYESと
なり、ステツプ118で試験が停止される。

第１１図は、以上の実施例の主な動作のタイム
チヤートである。

リレーはa₁，a₂…の周期でオンオフされる。リ
レー駆動a₁の立上りで接点間電圧波形の測定b₁が
始まり、それが終るとほとんど同時に電圧波形の
全積分値の演算f₁、電圧波形の波形パターンスラ
イスレベル以上の部分の積分値の演算g₁、チヤタ
リンゲ判定レベル以上のパルス数の計数h₁、接触
不良の判定c₁が実行され、さらに、その結果とb₁
のデータの一時記憶d₁が行われる。

接触不良の判定c₁の向きを、ここでは良を上向
き、不良を下向きとしてあり、c₁が良のときには
磁気記録装置への永久記録の動作は実行しない。

以下、a₂〜a₆まで接触不良が発生せず、各回毎
に上記と同様な動作が繰返されていることを示し
ている。次のリレー駆動a₇の回において、接触不
良の判定c₇で不良が発生したとすると、その回の
一時記憶d₇のデータと、それより前５回分の一時
記憶d₂〜d₆のデータ、計６回分のデータの永久記
録e₇が行われる。接点が複数ある場合は、この永
久記録はもちろん接触不良が発生した接点につい
てのみ行われる。

また、定常データを記録すべき回数が100回目
毎であるとすると、リレー駆動a₁₀₀の回に定常デ
ータの記録命令p₁₀₀が出され、一時記憶d₁₀₀で記
憶されたデータのみが永久記録e₁₀₀で永久記録さ
れる。この永久記録e₁₀₀は接点が複数ある場合は
全接点について行われる。

この実施例によれば、リレーのオンオフ１回毎
に接点間電圧波形の数値化データ及び異常診断用
の数値化データを記憶するようにしているので、
接点の接触不良の発生を確実に捕獲することがで
き、また、異常診断用の数値化データから接触不
良発生の原因を究明することができる。また、こ
の実施例では、接触不良が発生したときは、その
回とそれより前５回分のデータを磁気テープに永
久記録するようにしているので、記憶回路の容量
が小さくて済み、経済的であると共に、不良発生
前数回分のデータから不良に到るまでの過程を解
析することができるので、接触不良発生原因の究
明がより正確に行える利点がある。

上記実施例では、リレー駆動回路はタイマー制
御の自走式であり、リレーのオンオフ周期には測
定、演算のために充分な余裕を持たせてあるが、
このリレー駆動回路も制御回路によるプログラム
制御とすれば、全体のシーケンスを無駄なく構成
できる。

また、上記実施例では、データ記憶回路と試験
プログラム記憶回路の２つの記憶回を用いている
が、１つの記憶回路でデータ記憶とプログラム記
憶を行うこともできる。

さらに、上記実施例では、リレーが単一で接点
が複数ある場合を説明したが、本発明はこれに限
らず、リレーが複数で接点が単一（共通）の場
合、リレーが複数で接点が複数の場合、リレーが
単一で接点が単一の場合でも、適用できることは
勿論である。リレーが単一で接点が単一の場合は
入力切替え回路を省略することもできる。

以上説明したように本発明によれば、リレー等
の接点のオンオフ１回毎にまたはそれに近い回数
毎に、その接点のオン動作時における接点間電圧
を、所定のサンプリング周期で、所定のサンプリ
ング期間測定し、接点のオン動作時の過渡的状態
における所定期間の電圧値の積分値を測定し、こ
の積分値を記憶するようにしているので、リレー
の接点の接触不良の発生を確実に捕獲することが
できると共に、接触不良発生の際のデータ、及
び、該接触不良発生の前の複数回のデータが保存
されるため、接触不良発生原因の究明が容易に行
えるという利点がある。また、所定の期間内にお
ける測定電圧値が、所定電圧値以上となつた接点
間電圧値の積分値及び所定電圧値以下となつた接
点間電圧値の積分値を測定しているので、この結
果により、接点の接触状態が異物かみ込みを生じ
ているか、ガス汚染を生じているかを判定するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のリレーの試験方法の一例を示す
回路図、第２図は第１図の回路の動作を説明する
ためのタイムチヤート、第３図は従来のリレーの
試験方法の他の例を示すブロツク図、第４図は第
３図の試験方法を説明するタイムチヤート、第５
図は接点間電圧波形の一例を示すグラフ、第６図
は接点間電圧波形を異常診断用にパターン化した
場合のグラフ、第７図は接点間電圧波形のサンプ
リング値をプロツトしたグラフ、第８図は第７図
の波形を積分した結果を示すグラフ、第９図は本
発明の一実施例に係るリレーの試験方法を実施す
る装置のブロツク図、第１０図は第９図の装置に
よる試験方法のフローチヤート、第１１図は第９
図の装置による試験方法を説明するためのタイム
チヤートである。Ｘ……リレー、A₁，A₂…A_o……接点。

Claims

【特許請求の範囲】１接点の接触状態を、この接点が閉じる過程の
接点間電圧の変化を測定することによつて試験す
る接点の試験方法において、前記接点が閉じる過
程の所定の期間内における接点間電圧値の積分値
を演算する手段と、演算された積分値と予め決め
られた基準値とを比較することにより接点の状態
を判定する手段と、この結果不良と判定されたと
き、前記演算された積分値、あるいは、該積分値
を含む複数回の積分値を記録する手段とを備える
ことを特徴とする接点の試験方法。２前記接点間電圧値の積分値は、前記所定の期
間内における測定電圧値が、所定電圧値以上とな
つた接点間電圧値の積分値及び所定電圧値以下と
なつた接点間電圧値の積分値であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の接点の試験方
法。３前記接点は、リレーの接点であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の
接点の試験方法。４接点の接触状態を、この接点が閉じる過程の
接点間電圧の変化を測定することによつて試験す
る接点の試験方法において、前記接点が閉じる過
程の所定の期間内における接点間電圧値が、所定
電圧値以上となつた接点間電圧値の積分値及び所
定電圧値以下となつた接点間電圧値の積分値を測
定し、これらの積分値と予め決められている基準
値とを比較することにより、接点の接触状態が異
物かみ込みを生じているか、ガス汚染を生じてい
るかを判定することを特徴とする接点の試験方
法。