JPH0364040A - 試料ホルダ - Google Patents
試料ホルダInfo
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- JPH0364040A JPH0364040A JP1199399A JP19939989A JPH0364040A JP H0364040 A JPH0364040 A JP H0364040A JP 1199399 A JP1199399 A JP 1199399A JP 19939989 A JP19939989 A JP 19939989A JP H0364040 A JPH0364040 A JP H0364040A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、試料ホルダに関し、特に、高温下における試
料のその場観察などに用いられる試料ホルダに適用して
有効な技術に関する。
料のその場観察などに用いられる試料ホルダに適用して
有効な技術に関する。
たとえば、半導体集積回路装置の製造プロセスに関する
技術開発などにおいては、株式会社工業調査会、昭和６
０年１１月２０日発行、「電子材料Ｊ １９８５年１１
月号別冊Ｐ２１０〜Ｐ２１４などの文献に記載されてい
るように、透過型電子顕微鏡や走査電子顕微鏡などを用
いた高倍率での試料観察や、分析などが必須となってい
る。
技術開発などにおいては、株式会社工業調査会、昭和６
０年１１月２０日発行、「電子材料Ｊ １９８５年１１
月号別冊Ｐ２１０〜Ｐ２１４などの文献に記載されてい
るように、透過型電子顕微鏡や走査電子顕微鏡などを用
いた高倍率での試料観察や、分析などが必須となってい
る。
ところで、透過型電子顕微鏡や走査電子顕微鏡などを用
いた高倍率での試料観察において、たとえば製造プロセ
スでの熱処理温度などの高温下における半導体の挙動を
その場（ｉｎ ５ｉｔｕ）観察する場合には、目的の半
導体などの試料を高温状態で安定に保持する試料ホルダ
が必要となる。
いた高倍率での試料観察において、たとえば製造プロセ
スでの熱処理温度などの高温下における半導体の挙動を
その場（ｉｎ ５ｉｔｕ）観察する場合には、目的の半
導体などの試料を高温状態で安定に保持する試料ホルダ
が必要となる。
このため、従来では、このような試料ホルダとして、た
とえば、ヒータが設けられた本体部分をステンレス鋼な
どによって構成し、試料を下側から支持する台部をタン
タル（Ｔａ）とし、さらにこの台に螺着して試料を固定
する試料押さえを白金（ｐＢなどで構成することにより
、高い耐熱性や耐蝕性などを実現するとともにヒータか
ら試料への熱伝達を良好にするような配慮がなされてい
た。
とえば、ヒータが設けられた本体部分をステンレス鋼な
どによって構成し、試料を下側から支持する台部をタン
タル（Ｔａ）とし、さらにこの台に螺着して試料を固定
する試料押さえを白金（ｐＢなどで構成することにより
、高い耐熱性や耐蝕性などを実現するとともにヒータか
ら試料への熱伝達を良好にするような配慮がなされてい
た。
ところが、上記のような従来の試料ホルダにおいては、
シリコンなどの半導体を試料とする場合には、試料に接
するタンタルや白金がたとえば６００℃程度でシリコン
と合金化反応を起こすため、試料としての半導体の性質
自体が損なわれることが懸念され、たとえば７００℃以
上の高温下でのその場観察において正確な観察結果が得
られなかったり、試料が試料ホルダに結合した状態とな
って観察後に取り外すことが困難になるなどして、試験
研究作業などを円滑に遂行できないという問題があるこ
とを本発明者は見出した。
シリコンなどの半導体を試料とする場合には、試料に接
するタンタルや白金がたとえば６００℃程度でシリコン
と合金化反応を起こすため、試料としての半導体の性質
自体が損なわれることが懸念され、たとえば７００℃以
上の高温下でのその場観察において正確な観察結果が得
られなかったり、試料が試料ホルダに結合した状態とな
って観察後に取り外すことが困難になるなどして、試験
研究作業などを円滑に遂行できないという問題があるこ
とを本発明者は見出した。
そこで、本発明の目的は、汎用性が高く、広範囲な温度
領域で使用可能な試料ホルダを提供することにある。
領域で使用可能な試料ホルダを提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明になる試料ホルダは、少なくとも、担
持される試料に対する接触部位をセラミックスまたは高
融点金属または高融点金属の化合物で構成したものであ
る。
持される試料に対する接触部位をセラミックスまたは高
融点金属または高融点金属の化合物で構成したものであ
る。
上記した本発明の試料ホルダによれば、当該試料ホルダ
自体が高温下で安定であるばかりでなく、たとえば試料
がシリコンその他の半導体である場合でも試料と試料ホ
ルダとが合金化反応を起こすことがないので、半導体な
どを含む多様な種類の試料の広い温度範囲での観察を円
滑に遂行することができる。
自体が高温下で安定であるばかりでなく、たとえば試料
がシリコンその他の半導体である場合でも試料と試料ホ
ルダとが合金化反応を起こすことがないので、半導体な
どを含む多様な種類の試料の広い温度範囲での観察を円
滑に遂行することができる。
〔実施例１〕
以下、本発明の一実施例である試料ホルダにっいて図面
を参照しながら詳細に説明する。
を参照しながら詳細に説明する。
第１図は、本発明の一実施例である試料ホルダの構造の
一例を模式的に示す断面図である。
一例を模式的に示す断面図である。
たとえばステンレス鋼などからなるホルダ本体１の基端
部側にはヒータ２が設けられており、このヒータ２から
発生する熱が先鋭にされた先端部側へ移動することによ
り当該先端部側が所望の温度に加熱されるようになって
いる。
部側にはヒータ２が設けられており、このヒータ２から
発生する熱が先鋭にされた先端部側へ移動することによ
り当該先端部側が所望の温度に加熱されるようになって
いる。
ホルダ本体ｌにおいて、ヒータ２と先端部との間には、
逆円錐台形を呈し、中心部に観察孔３ａが貫通して形成
された環状の試料台３が嵌合されており、この試料台３
の底部は段差Ｒ３ｂをなしている。
逆円錐台形を呈し、中心部に観察孔３ａが貫通して形成
された環状の試料台３が嵌合されており、この試料台３
の底部は段差Ｒ３ｂをなしている。
さらに、試料台３の内周面には、ネジ部３ｃが刻設され
ており、同じく逆円錐台形を呈し、中心部に観察孔４ａ
が貫通して形成されている環状のネジ蓋４が同輪に螺着
される構造となっている。
ており、同じく逆円錐台形を呈し、中心部に観察孔４ａ
が貫通して形成されている環状のネジ蓋４が同輪に螺着
される構造となっている。
そして、試料台３の段差部３ｂに落とし込まれた、たと
えばシリコンなどの半導体の薄片からなの先端部４ｂと
の間で挟圧することにより、試料５を試料台３に対して
安定に固定するとともに、試料台３およびネジ蓋４の観
察孔３ａおよび４ａを、図示しない透過型電子顕微鏡に
おける電子光学系の光軸が通過するように位置決めし、
ヒータ２を作動させてホルダ本体１の全体を所望の温度
に加熱することで、高温下における半導体などの試料５
のその場観察などを行うものである。
えばシリコンなどの半導体の薄片からなの先端部４ｂと
の間で挟圧することにより、試料５を試料台３に対して
安定に固定するとともに、試料台３およびネジ蓋４の観
察孔３ａおよび４ａを、図示しない透過型電子顕微鏡に
おける電子光学系の光軸が通過するように位置決めし、
ヒータ２を作動させてホルダ本体１の全体を所望の温度
に加熱することで、高温下における半導体などの試料５
のその場観察などを行うものである。
この場合、試料台３において、試料５に接する段差部３
ｂ、およびネジ蓋４の先端部４ｂの各々には、たとえば
セラミックスや、半導体集積回路装置の製造プロセスな
どにおいてバリヤ・メタルとして用いられる窒化チタン
（ＴｉＮ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、タングス
テンシリサイ）’ （ＷＳ ｉ、 ） 、 シＴ）
コンカーバイド（ＳｉＣ）などからなり、試料５である
半導体などに対して、たとえば９５０℃程度の高温下で
も合金化反応を起こさない安定なコート層６ａおよびコ
ート層６ｂが被着されている。
ｂ、およびネジ蓋４の先端部４ｂの各々には、たとえば
セラミックスや、半導体集積回路装置の製造プロセスな
どにおいてバリヤ・メタルとして用いられる窒化チタン
（ＴｉＮ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、タングス
テンシリサイ）’ （ＷＳ ｉ、 ） 、 シＴ）
コンカーバイド（ＳｉＣ）などからなり、試料５である
半導体などに対して、たとえば９５０℃程度の高温下で
も合金化反応を起こさない安定なコート層６ａおよびコ
ート層６ｂが被着されている。
このコート層６ａおよび６ｂは、たとえば、スバッタリ
ングなどの方法によって浴底される。
ングなどの方法によって浴底される。
このように、本実施例の試料ホルダにおいては、たとえ
ばシリコンなどの半導体からなる試料５に対して高温下
でも合金反応を生じない安定なコート層６ａおよび６ｂ
が当該試料５に接する構造となっているため、高温下で
のその場観察などの過程で、合金化反応によって試料５
自体の性質が損なわれたり、試料５と試料台３およびネ
ジ蓋４・とが固着状態となって試料５を試料ホルダから
取り外すことが困難になるなどの支障を生じることがな
い。
ばシリコンなどの半導体からなる試料５に対して高温下
でも合金反応を生じない安定なコート層６ａおよび６ｂ
が当該試料５に接する構造となっているため、高温下で
のその場観察などの過程で、合金化反応によって試料５
自体の性質が損なわれたり、試料５と試料台３およびネ
ジ蓋４・とが固着状態となって試料５を試料ホルダから
取り外すことが困難になるなどの支障を生じることがな
い。
これにより、本実施例の試料ホルダを用いることで、半
導体などを含む多様な試料５について、たとえば９５０
℃程度の高温度までの広い温度範囲でのその場観察によ
る試験研究作業を円滑に遂行することができる。
導体などを含む多様な試料５について、たとえば９５０
℃程度の高温度までの広い温度範囲でのその場観察によ
る試験研究作業を円滑に遂行することができる。
〔実施例２〕
第２図は、本発明の他の実施例である試料ホルダの略断
面図である。
面図である。
一本実施例２の場合には、たとえばセラミックスや、半
導体集積回路装置の製造プロセスなどにおいてバリヤ・
メタルとして用いられる窒化チタン。
導体集積回路装置の製造プロセスなどにおいてバリヤ・
メタルとして用いられる窒化チタン。
チタンタングステン、タングステンシリサイド。
シリコンカーバイドなどからなるリング状のスペーサ７
ａおよびスペーサ７ｂによって、試料５を挟むことで、
試料５が試料台３の段差部３ｂおよびネジ蓋４の先端１
４ｂに直接的に接触しないようにしたものである。
ａおよびスペーサ７ｂによって、試料５を挟むことで、
試料５が試料台３の段差部３ｂおよびネジ蓋４の先端１
４ｂに直接的に接触しないようにしたものである。
本実施例の場合にも、高温下で半導体などからなる試料
５に対する合金化反応などを生じないスペーサ７ａおよ
び７ｂのみが１核試料５に接する状態となるので、前記
実施例１の場合と同様の効果が得られるとともに、既存
の試料ホルダに対しても容易に実施でき、また、スペー
サ７ａおよびスペーサ７ｂを試料５に最適な所望の物質
のものに容易に交換できるという利点がある。
５に対する合金化反応などを生じないスペーサ７ａおよ
び７ｂのみが１核試料５に接する状態となるので、前記
実施例１の場合と同様の効果が得られるとともに、既存
の試料ホルダに対しても容易に実施でき、また、スペー
サ７ａおよびスペーサ７ｂを試料５に最適な所望の物質
のものに容易に交換できるという利点がある。
〔実施例３〕
第３図は、本発明のさらに他の実施例である試料ホルダ
の略断面図である。
の略断面図である。
本実施例３の場合には、ホルダ本体１に嵌合する試料台
３０およびそれに螺着されるネジ蓋４０の全体を、たと
えばセラミックスや、半導体集積回路装置の製造プロセ
スなどにおいてバリヤ・メタルとして用いられる窒化チ
タン、チタンタングステン、シリコンカーバイドなどか
らなる物質で構成するようにしたものである。
３０およびそれに螺着されるネジ蓋４０の全体を、たと
えばセラミックスや、半導体集積回路装置の製造プロセ
スなどにおいてバリヤ・メタルとして用いられる窒化チ
タン、チタンタングステン、シリコンカーバイドなどか
らなる物質で構成するようにしたものである。
本実施例３の場合にも前記実施例１の場合と同様の効果
を得ることができる。
を得ることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、試料に接する部位を構成する物質としては前
記各実施例に例示されたものに限らず、他のバリヤ・メ
タルであってもよい。
記各実施例に例示されたものに限らず、他のバリヤ・メ
タルであってもよい。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりで
ある。
って得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりで
ある。
すなわち、本発明になる試料ホルダによれば、少なくと
も、担持される試料に対する接触部位がセラミックスま
たは高融点金属または高融点金属の化合物からなるので
、試料ホルダ自体が高温下で安定であるばかりでなく、
たとえば試料がシリコンその他の半導体である場合でも
試料と試料ホルダとが合金化反応を起こすことがないの
で、半導体などを含む多様な種類の試料の広い温度範囲
での観察を円滑に遂行することができる。
も、担持される試料に対する接触部位がセラミックスま
たは高融点金属または高融点金属の化合物からなるので
、試料ホルダ自体が高温下で安定であるばかりでなく、
たとえば試料がシリコンその他の半導体である場合でも
試料と試料ホルダとが合金化反応を起こすことがないの
で、半導体などを含む多様な種類の試料の広い温度範囲
での観察を円滑に遂行することができる。
第１図は、本発明の一実施例である試料ホルダの構造の
一例を模式的に示す断面図、 第２図は、本発明の他の実施例である試料ホルダの略断
面図、 第３図は、本発明のさらに他の実施例である試料ホルダ
の略断面図である。 ｌ・・・ホルダ本体、２・・・ヒータ、３・・・試料台
、３ａ・・・観察孔、３ｂ・・・段差部、３Ｃ・・・ネ
ジ部、３０・・・試料台、４・・・ネジ蓋、４ａ・・・
観察孔、４ｂ・・・先端部、４０・・・ネジ蓋、５・・
・試料、６ａ・・・コー）ｌｉｔ、６ｂ・・・コート層
、７ａ・・・スペーサ、７ｂ・・・スペーサ。
一例を模式的に示す断面図、 第２図は、本発明の他の実施例である試料ホルダの略断
面図、 第３図は、本発明のさらに他の実施例である試料ホルダ
の略断面図である。 ｌ・・・ホルダ本体、２・・・ヒータ、３・・・試料台
、３ａ・・・観察孔、３ｂ・・・段差部、３Ｃ・・・ネ
ジ部、３０・・・試料台、４・・・ネジ蓋、４ａ・・・
観察孔、４ｂ・・・先端部、４０・・・ネジ蓋、５・・
・試料、６ａ・・・コー）ｌｉｔ、６ｂ・・・コート層
、７ａ・・・スペーサ、７ｂ・・・スペーサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも、担持される試料に対する接触部位がセ
ラミックスまたは高融点金属または高融点金属の化合物
からなることを特徴とする試料ホルダ。 ２、前記試料が半導体であり、前記高融点金属または高
融点金属の化合物が、当該半導体からなる半導体集積回
路装置の製造プロセスに用いられるバリヤ・メタルであ
ることを特徴とする請求項１記載の試料ホルダ。 ３、高融点金属の化合物がシリサイドもしくはナイトラ
イドであることを特徴とする請求項１または２記載の試
料ホルダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1199399A JPH0364040A (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 試料ホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1199399A JPH0364040A (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 試料ホルダ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0364040A true JPH0364040A (ja) | 1991-03-19 |
Family
ID=16407141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1199399A Pending JPH0364040A (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 試料ホルダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0364040A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008060401A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造用治具、および半導体装置の製造装置 |
| WO2015128679A1 (en) * | 2014-02-28 | 2015-09-03 | Oxford Instruments Nanotechnology Tools Limited | Sample holding system |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP1199399A patent/JPH0364040A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008060401A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造用治具、および半導体装置の製造装置 |
| US8703626B2 (en) | 2006-08-31 | 2014-04-22 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Method, tool, and apparatus for manufacturing a semiconductor device |
| WO2015128679A1 (en) * | 2014-02-28 | 2015-09-03 | Oxford Instruments Nanotechnology Tools Limited | Sample holding system |
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