JPH0362936A - 接着剤の転写塗布方法およびその接着剤膜作成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ＩＣチップに代表される電気マイクロ回路素
子の入出力バッド上Ｑ−形成された突起接点と回路７１
８板上に形成された電極端子とを接続するために電気マ
イクロ回路素子上の突起接点の頭頂部に導電性接着剤を
転写塗布する方法と接着剤膜作成装置に関するものであ
る。

従来の技術 従来、電気マイクロ回路素子の接点領域と回路基板上の
電極端子部との接続には半田付けが良く利用されていた
。しかしながら近年、例えばＩＣフラントパッケージな
ど小型化と接続端子の増加により接続端子間、いわゆる
ピッチ間隔が次第に狭くなり従来の半田付は技術で対処
することが困難になってきた。また最近では電卓、電子
時計あるいは液晶デイスプレィなどにあたっては裸のＩ
Ｃチップをガラス基板上の電極に直付けして実装面積の
効率的使用を図ろうとする動きがあり半田付けに変わる
有効かつ微細な電気的接続手段が強く望まれていた。

裸のＩｃチップを回路基板上に電極と電気的に接続する
方法としては、Ｉｃチップの電極パッド上に形成した電
気導電性の突起接点の頭頂部に導電性接着剤を塗布し回
路基板の電極端子に位置合わせし接着硬化することでＩ
Ｃチップと回路基板の電気的接続を図る技術がある（例
えば、特公昭６２−２８５４４６号公報）。この技術に
おいてＩＣチップ上の突起接点の頭頂部に導電性接着剤
を塗布する方法として導電性接着剤膜を塗布された支持
基材の表面にＩＣチップの突起接点を押しつけながらＩ
Ｃチップの突起接点をＩ電性接着剤膜に浸漬する。その
後、導電性接着剤膜よりＩｃチップとを取り外すことに
より導電性接着剤を突起接点の頭頂部のみに転写塗布す
る方法をとっていた。

以下、図面を参照しながら上述した従来の導電性接着剤
の転写塗布方法について説明する。

第１０図〜第１４図は従来例を示したものである。

第１０図（Ａ）、　（Ｂ）、　（Ｃ）においてＩＣチン
プ１上の突起接点３は、１１００ＩＩピンチで配置され
たＩＣバッド２上にワイヤーボンディング法でもってＡ
ｕ線を溶着し突起接点３としたものを頭頂部を約５０μ
ｍの高さに平たく放湿することで高さを一様にそろえた
ものである。それから、第１Ｉ図に示すように支持体ｌ
ｌ上に導電性接着剤５を約２５μｍの厚さに均一に膜形
成し、第１２図（Ａ）に示すようにＩＣチップ上の突起
接点３を導電性接着剤ｎ！Ｑ　’７の中に浸漬し、その
後、引き上げると第１２図（Ｂ）に示すように突起接点
頭頂部のみに導電性接着剤が転写され電気的接続接点が
形成される。次いで支持体上のＩＣチップ１の突起接点
３の転写塗布による感電性接着剤膜８へこみを膜形成ブ
レード１２でもって導電性接着剤をならすことにより、
再度、平坦な膜として導電性接着剤膜が形成される。そ
の後１４図に示すように、回路基板４の電極端子（図示
せず）にＩＣチップ上の突起接点３を接続し固着させる
と電気的接続が得られる。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、かかる方法においては、導電性接着剤が
溶剤形であるため、使用中に溶剤揮発によって導電性接
着剤の粘度が増大して支持体上に安定な導電性接着剤膜
が形成できなくなることや、形成した導電性接着剤膜が
非常に薄い膜であるため素早く突起接点に転写塗布しな
ければ溶剤揮発によって転写性が変化し突起接点頭頂部
への接着剤転写量が不安定となり良好な電気接続が得ら
れないという問題と、膜形成を繰り返すと、支持体上の
周間に導電性接着剤が押し出されるため突起接点に転写
する部分の導電性接着剤が不足し均一な膜形成ができな
くなるという問題があった。

課題を解決するための手段 本発明は上記の問題点を解決するためＩＣチップ上の突
起接点への導電性接着剤の転写方法として支持体上へ導
電性接着剤膜を形成し、直ちにＩＣチップ上の突起接点
へ導電性接着剤を転写した後、−旦、支持体の導電性接
着剤転写部の導電性接着剤を除去し、次いで新たに導電
性接着剤膜を形成する方法とすることで、ＩＣチップの
突起接点への導電性接着剤転写を安定させ、ＩＣチップ
と回路基板の良好な電気的接続を得るようにするもので
ある。

具体的には、導電性接着剤膜形成装置は回転アームに回
転アームの進行方向より順に膜形成ブレード、膜除去ブ
レード、かき寄せブレードを取り付ける。特に膜形成ブ
レードはブレード進行方向に導電性接着剤を溜めるへこ
みを設けたものとし、膜除去ブレードは導電性接着剤を
支持体上よりかきとりながら膜除去ブレードの進行方向
に向かって外周と内周にかき分けることにより導電性接
着剤転写部に膜形成された導電性接着剤を完全に除去し
、次いで接着剤かき寄せブレードでもって膜除去ブレー
ドによってかき分けられた導電性接着剤を膜形成ブレー
ドの幅内に再度かき寄せる構造とする。

作用 本発明の上記した方法によれば、ＩＣチップ上の突起接
点には膜形成された直後の導電性接着剤が塗布されるこ
とになり安定した転写特性が得られる。また、膜形成ブ
レード内のへこみに導電性接着剤が溜まり、その中で導
電性接着剤に混練作用が与えられる。同じく、膜形成後
も比較的短時間内に膜除去ブレード、および、かき寄せ
ブレードによって常に導電性接着剤に流動的に混練作用
が与えられる。そのため溶剤揮発によって導電性接着剤
表面には皮膜をはかることもなく全体として極めて安定
でかつ使用可能時間の大幅延長が可能となる。しかも、
かき寄せブレードにより、支持体上の周囲に押し出され
る導電性接着剤を膜形成ブレードの幅内に、かき寄せる
ため膜形成ブレード内の導電性接着剤は膜形成を繰り返
しても不足せず安定した膜形成ができる。

実施例 以下、本発明の一実施例の突起接点への導電性接着剤の
転写塗布方法について図面に基づいて詳細に説明する。

実施例１ 第１図〜第３図は本発明の第１の実施例を示す工程断面
図である。また、第４図は本発明の突起接点へ導電性接
着剤を転写塗布したＩＣチップを回路基板上に実装した
ときの断面図を示す。第１図〜第４図においてｌはＩＣ
チップ、２はＩＣパッド、３は突起接点、４は回路基板
、５は導電性接着剤、６は導電性接着剤を転写した突起
接点、７は導電性接着剤膜、８は突起接点に転写した後
の導電性接着剤膜、１１は支持体、１２は膜形成ブレー
ド、１３は膜除去ブレードである。

本発明の第１の実装では、先ず、第１図に示す導電性接
着剤５をステンレス性の膜形成ブレード１２にて約２５
μｍの厚さに平滑面を有する支持体ｌｌ上に膜を形成す
る。次いで時間をあまり置かず、第２図（Ａ）に示すよ
うにＩＣチップ１の突起接点３を導電性接着剤膜面に平
行に押しつけ持ち上げると第２図（Ｂ）に示すように突
起接点３に接着剤が転写塗布される。その後、第３図に
示すように弾力性を有するウレタンゴム製の膜除去ブレ
ード１３を支持体１１に押し付は移動させることにより
突起接点に導電性接着剤を転写塗布した部分の導電性接
着剤を完全に除去する。

以下、第１図〜第３図の工程を繰り返し、第４図に示す
ように順次ＩＣチップ１の導電性接着剤を塗布した突起
接点３を回路基板４の端子（図示せず）に位置合わせ押
圧し導電性接着剤を硬化させることで両者の電気的接続
が完了する。

実施例２ 以下、本発明の第２の実施例の接着剤膜作成装置につい
て図面に基づいてｊ′ｒ細に説明する。

第５図は、本発明の第２の実施例を示す接着剤Ｈ’２作
戒作置装置視図、第６図は、各ブレード通過後の導電性
接着剤の状態を示した平面図、第７図（Ａ）、　（Ｂ）
は、導電性接着剤の膜形成ブレードの斜視図、第８図は
、ＩＣチップの突起接点に導電性接着剤を転写塗布した
後の導電性接着剤膜を除去する膜除去ブレードの斜視図
、第９図は、膜除去ブレードによって支持体の膜形成面
よりかきとられ、膜除去ブレードの外周と内周にかき分
けられた導電性接着剤を膜形成ブレードの幅内にかきよ
せて来るかき寄せブレードの斜視図である。

第５図において導電性接着剤膜を形成する支持体１１は
、作業の連鎖性を考慮して円盤状としその中心部に設け
た回転軸１６と一体となったア−ム１５は、膜形成ブレ
ード１２、膜除去ブレード１３、かき寄せブレード１４
を取り付は矢印の方向へ回転している。

次にアーム１５に取り付けている３つのブレードの構造
とその役割について第７図〜第９図にもとづいて説明す
る。第７図（Ａ）、（Ｂ）に示す膜形成ブレード１２は
、金属製でブレードの膜形成面に導電性接着剤が溜まる
へこみを設けて有り、そのとき膜形成面形状は、へこみ
側から見るとブレードの進行方向の前側より後ろ側の膜
形成面がわずかに突出した形状をしている。そして、第
７図（Ｂ）に示すように両側面にはへこみから導電性接
着剤が洩れないように蓋がしてありアームの回転により
支持体上に導電性接着剤膜を規制の厚みに形成して行く
と同時にへこみ部に導電性接着剤が溜まることにより導
電性接着剤の揮発を極力印え、そして、へこみの中で導
電性接着剤に圧力がかかり、また後述するかき寄せブレ
ードＩ４でかき寄せられた導電性接着剤をも巻き込んで
常時混練作用を与える機能を有する。

第８図に示す膜除去ブレード１３は、ゴム性の先端がナ
イフの刃状のものとし支持体に圧接しながら移動するこ
とにより支持体上に形成された導電性接着剤膜を支持体
上よりかき取りながら膜除去ブレード１３の進行方向に
対して外周と内周にかき分は除去するａ能を有する。

第９図に示すかき寄せブレード１４は、プラスチック板
あるいはステンレス仮などの弾力１生を有するものから
なり、２枚のプレートを進行方向に対し逆八の字状にし
てその下の面を支持体に密着させるものである。アーム
が回転移動することにより膜除去ブレード１３によって
支持体の外周と内周にかき分けられた導電性接着剤を膜
形成ブレード１２の幅内にまでかき寄せる機能を有する
ものである。

第５図、第７図〜第９図にて接着剤膜作成装置の（改変
と構成部品の機能を説明したが、次に第６図にもとづい
て接着剤膜作成装置の動作について説明する。

第６図において支持体ｌｌ上に導電性接着剤をおいてア
ーム１５を回転させると膜形成ブレード１２が通過した
後の支持体ｌｌ上には所定の厚さの導電性接着剤膜７が
形成されていることになる。

そこで−旦、アーム１５の回転を停止させ、実施例１の
第２図のようにＩＣチップ１上の突起接点３に導電性接
着剤を転写塗布する。その後再びアーム１５を回転させ
ると導電性接着剤をＩＣチップ１ｉの突起接点に転写塗
布した導電性接着剤膜を膜除去ブレード１３によって支
持体１１上より導電性接着剤をかき取りながら、膜除去
ブレード１３の進行方向に向かって外周と内周に導電性
接着剤をかき分け（９・の状態）、膜除去ブレード１３
が通過した支持体１１上には導電性接着剤がほとんどな
くなり支持体１１の表面が見えている状ＩＬ１１９とな
る。そして、膜除去ブレード１３の進行方向に対して外
周と内周にかき分けられた４Ｎ。

性接着剤９・　ばかき寄せブレード１５が回転通過する
ことによって、再度、膜形成ブレード１２の幅内までか
き寄せられる。

溶剤形の導電性接着剤をＩＣチップ上の突起接点に転写
塗布するには、微量の導電性接着剤を定量、かつ、安定
に塗布し、また、作業性を高めるには、溶剤の揮発性を
抑え導電性接着剤の使用可能時間をできる限り延長させ
ることが重要なポイントとなる。実施例の接着剤膜作成
装置では前述したようにＩＣチップ上の突起接点に転写
塗布する導電性接着剤は、常に新しい膜形成されたもの
を直ちに転写することと、膜形成ブレードの接着剤溜り
部でもって溶剤揮発を抑え、さらに膜除去ブレード、か
き寄せブレードでもって常に導電性接着剤に流動混練作
用を与えることにより使用可能時間の大幅な延長が図ら
れることになる。また、導電性接着剤を適時追加するこ
とでさらに効果が上がる。

発明の効果 以上に説明したように、本発明の接着剤膜作成装置によ
ればＩＣチップ上の突起接点に転写する導電性接着剤が
溶剤形の導電性接着剤であっても膜形成ブレードの接着
剤溜り部にて溶剤揮発を抑え、膜除去ブレード、かき寄
せブレードと膜形成ブレードの導電性接着剤溜り部で常
に、導電性接着剤に流動混練作用を与えることができ、
長時間にわたって定量かつ安定な転写塗布を維持するこ
とができる。また、突起接点に転写、塗布される導電性
接着剤膜は常に膜形成直後の表面層に溶剤揮発層のない
状態のものとなるため、きわめて微量の導電性接着剤の
転写、塗布でありながら定量かつ安定なものとなり、品
質、信頼性の高いＩＣチップと回路基板との接続が得ら
れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の膜形成ブレードを使用しての膜形成の
正面図、第２図（Ａ）は支持体上に形成された導電性接
着剤膜にＩＣチップ上の突起接点を転写塗布している正
面図、第２図（Ｂ）はＩＣチップ上の突起接点に導電性
接着剤膜より導電性接着剤を転写塗布したＩｃチップの
正面図、第３図は本発明の膜除去ブレードによるＩＣチ
ップ上の突起接点に導電性接着剤を転写塗布した導電性
接着剤膜を支持体上より除去している正面図、第４図は
ＩＣチップを回路基板に実装した正面図、第５図は本発
明の導電性接着剤膜作成装置の各ブレード配置斜視図、
第６図は本発明の導電性接着剤膜形成方法の各ブレード
通過後の導電性接着剤の状６ 態を示した平面図、第７図←）、　（Ｉ！りは本発明の
膜形成ブレードを示した斜視図、第８図は本発明の膜除
去ブレードを示した斜視図、第９図は本発明のかき寄せ
ブレードを示した斜視図、第１Ｏ図（Ａ）はＩＣチップ
の正面図、第１Ｏ図（Ｉ３）はＩＣチップの側面図、第
１０図（Ｃ）はＩＣチップ上のパッドにボンディングに
よって形成されたＡｕ線からなる突起接点の拡大図、第
１１図は従来の導電性接着剤膜形成方法を示した正面図
、第１２図（Ａ）。 （Ｂ）は第２図（Ａ）、　（Ｂ）と同様の正面図、第１
３図は従来の導電性接着剤膜の再形成方法を示した正面
図、第１４図は第４図と同様の正面図である。 ｌ・・・・・・ＩＣチップ、２・・・・・・ＩＣパッド
、３・・・・・・突起接点、４・・・・・・回路基板、
５・・・・・・導電性接着剤、６・・・・・・導電性接
着剤を転写塗布された突起接点、７・・・・・・導電性
接着剤膜、８・・・・・・突起接点に転写した後の導電
性転写膜、９・・・・・・導電性接着剤膜を除去した面
、９゛　・・・・・・膜除去ブレードによってかき分け
られた導電性接着剤、１０・・・・・・かき寄せブレー
ドによってかき寄せられた導電性接着剤、１１・・・・
・・支持体、１２・・・・・・本発明の膜形成ブレード
、１２・　・・・・・・従来の膜形成ブレード、１３・
・・・・・膜除去ブレード、１４・・・・・・かき寄せ
ブレード、１５・・・・・・アーム、１６・・・・・・
回転軸。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＩＣチップ上に突起接点が形成され、前記突起接
   点の頭頂部に導電性接着剤を転写塗布し回路基板の端子
   電極上にＩＣチップをフェイスダウン接続するＩＣ実装
   方法において、支持体に、前記導電性接着剤膜を形成す
   る工程と、前記ＩＣチップの突起接点に前記導電性接着
   剤膜を転写塗布する工程と、前記支持体より前記導電性
   接着剤膜を除去する工程と、前記除去した導電性接着剤
   を支持体の膜形成範囲内にかき寄せる工程とからなる接
   着剤の転写塗布方法。
2. （２）円形上の支持体と前記支持体の中央部の回転軸に
   取り付けられたアームと、前記アームに膜形成ブレード
   と膜除去ブレードとかき寄せブレードを取り付けた接着
   剤膜作成装置。
3. （３）アームには回転方向に対し膜形成ブレード、除去
   ブレード、かき寄せブレードの順に取り付けた請求項（
   ２）記載の接着剤膜作成装置。
4. （４）膜形成ブレードの膜形成面もしくは膜形成面と前
   面にかかる面に接着剤を溜めるためのへこみを有する膜
   形成ブレード。
5. （５）へこみの底面からの寸法を進行方向前面より進行
   方向後面の膜形成面を長くした請求項（４）記載の膜形
   成ブレード。
6. （６）進行方向両側面に蓋を設けた請求項（５）記載の
   膜形成ブレード。
7. （７）ゴム弾性を有する材料で構成し、かつ最低限突起
   接点への転写する幅の導電性接着剤を除去する膜除去ブ
   レード。
8. （８）弾性を有する板材料のブレードであり、かつ２枚
   のブレードを進行方向に対して逆八の字状に位置させ、
   前記ブレードの底部は支持体に密着するかき寄せブレー
   ド。