JPH036290A - 陰極線管用蛍光体スクリーン - Google Patents
陰極線管用蛍光体スクリーンInfo
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- JPH036290A JPH036290A JP14194589A JP14194589A JPH036290A JP H036290 A JPH036290 A JP H036290A JP 14194589 A JP14194589 A JP 14194589A JP 14194589 A JP14194589 A JP 14194589A JP H036290 A JPH036290 A JP H036290A
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Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プロジェクタ−或は通常のカラー陰極線管な
どに使用される陰極線管用蛍光体スクリーンに関する。
どに使用される陰極線管用蛍光体スクリーンに関する。
更に詳しくは輝度飽和特性及び輝度劣化を改善した青色
蛍光体層に関する。
蛍光体層に関する。
本発明は、例えばプロジェクタ−１通常のカラー陰極線
管などに使用される陰極線管用蛍光体スクリーンにおい
て、その青色蛍光体層を、銅、金及び銀のうち少なくと
も一種で付活され、共付活剤としてハロゲン元素又はア
ルミニウムを含む硫化亜鉛蛍光体と、セリウム及びガド
リニウムのうち少な（とも一種で付活したケイ酸イツト
リウム蛍光体とを混合してなる蛍光体層で構成すること
により、青色蛍光体層の輝度飽和特性及び輝度劣化を改
善できるようにしたものである。
管などに使用される陰極線管用蛍光体スクリーンにおい
て、その青色蛍光体層を、銅、金及び銀のうち少なくと
も一種で付活され、共付活剤としてハロゲン元素又はア
ルミニウムを含む硫化亜鉛蛍光体と、セリウム及びガド
リニウムのうち少な（とも一種で付活したケイ酸イツト
リウム蛍光体とを混合してなる蛍光体層で構成すること
により、青色蛍光体層の輝度飽和特性及び輝度劣化を改
善できるようにしたものである。
又本発明は、上記陰極線管用蛍光体スクリーンにおいて
、その青色蛍光体層を、銅１ 金及び銀のうち少なくと
も一種で付活され、共付活剤としてハロゲン元素又はア
ルミニムを含む硫化亜鉛蛍光体の上にセリウム及びガド
リニウムのうち少なくとも一種で付活したケイ酸イツト
リウム蛍光体を積層して構成することにより、上記と同
様に青色蛍光体層の輝度飽和特性及び輝度劣化を改善で
きるようにしたものである。
、その青色蛍光体層を、銅１ 金及び銀のうち少なくと
も一種で付活され、共付活剤としてハロゲン元素又はア
ルミニムを含む硫化亜鉛蛍光体の上にセリウム及びガド
リニウムのうち少なくとも一種で付活したケイ酸イツト
リウム蛍光体を積層して構成することにより、上記と同
様に青色蛍光体層の輝度飽和特性及び輝度劣化を改善で
きるようにしたものである。
カラー画像をレンズ系を通してスクリーンに投写して大
画面を得るようにした単管式或は３管式のプロジェクタ
−が提案されている。従来、このようなプロジェクタ−
に用いられる陰極線管用蛍光体スクリーン即ち陰極線管
のフェースプレート内面に蛍光体層を塗布形成してなる
蛍光体スクリーンにおいて、特にその青色蛍光体として
はＺｎＳ：Ａｇ、Ａｌ蛍光体が用いられてきている。
画面を得るようにした単管式或は３管式のプロジェクタ
−が提案されている。従来、このようなプロジェクタ−
に用いられる陰極線管用蛍光体スクリーン即ち陰極線管
のフェースプレート内面に蛍光体層を塗布形成してなる
蛍光体スクリーンにおいて、特にその青色蛍光体として
はＺｎＳ：Ａｇ、Ａｌ蛍光体が用いられてきている。
なお、特開昭５４−１００６６３号公報にはレーダーな
どに用いられる陰極線管用蛍光体スクリーンとして、銅
付活硫化亜鉛カドミウム蛍光体からなる第１層蛍光体上
に、セリウム付活ケイ酸イツトリウム蛍光体からなる第
２層蛍光体を形成し、第２層蛍光体を励起発光させ、こ
の発光により第１層蛍光体を励起発光させるようにした
陰極線管用蛍光体スクリーンが提案されている。
どに用いられる陰極線管用蛍光体スクリーンとして、銅
付活硫化亜鉛カドミウム蛍光体からなる第１層蛍光体上
に、セリウム付活ケイ酸イツトリウム蛍光体からなる第
２層蛍光体を形成し、第２層蛍光体を励起発光させ、こ
の発光により第１層蛍光体を励起発光させるようにした
陰極線管用蛍光体スクリーンが提案されている。
しかし乍ら、上述のプロジェクタ−用青色蛍光体として
用いられているｌｎｓ ：Ａｇ、＾！は、電子線照射に
より高励起したときの輝度飽和特性がよくない。このた
め、プロジェクタ−のセットでは電子線を故意に完全フ
ォーカスしていない状態で使用しなければならず、その
結果青色の解像度が上がらないという問題が生じていた
。また、２．ｎ ＳＡｇ、Ａｌは電子線照射に対して輝
度劣化を起し易く、ありま高励起することができない。
用いられているｌｎｓ ：Ａｇ、＾！は、電子線照射に
より高励起したときの輝度飽和特性がよくない。このた
め、プロジェクタ−のセットでは電子線を故意に完全フ
ォーカスしていない状態で使用しなければならず、その
結果青色の解像度が上がらないという問題が生じていた
。また、２．ｎ ＳＡｇ、Ａｌは電子線照射に対して輝
度劣化を起し易く、ありま高励起することができない。
そのため、プロジェクタ−において全体（白色としたと
き）の明るさに制限が生じるという欠点があった。
き）の明るさに制限が生じるという欠点があった。
本発明は、上述の点に鑑み、青色蛍光体の輝度飽和特性
及び輝度劣化を改善することができる陰極線管用蛍光体
スクリーンを提供するものである。
及び輝度劣化を改善することができる陰極線管用蛍光体
スクリーンを提供するものである。
本発明の陰極線管用蛍光体スクリーンは、陰極線管のフ
ェースプレート（１）の内面に銅、金及び銀のうち少な
くとも一種で付活され、共付活剤としてハロゲン元素又
はアルミニウムを含む硫化亜鉛蛍光体（２）と、セリウ
ム及びガドリニウムのうち少なくとも一種で付活したケ
イ酸イツトリウム蛍光体（３）（又は（５））が混合さ
れてなる蛍光体層（４）（又は（６））を形成して構成
する。
ェースプレート（１）の内面に銅、金及び銀のうち少な
くとも一種で付活され、共付活剤としてハロゲン元素又
はアルミニウムを含む硫化亜鉛蛍光体（２）と、セリウ
ム及びガドリニウムのうち少なくとも一種で付活したケ
イ酸イツトリウム蛍光体（３）（又は（５））が混合さ
れてなる蛍光体層（４）（又は（６））を形成して構成
する。
本発明の他の陰極線管用蛍光体スクリーンは、陰極線管
のフェースプレート（１）の内面に銅、金及び銀のうち
少なくとも一種で付活され、共付活剤としてハロゲン元
素又はアルミニウムを含む硫化亜鉛蛍光体〔２）と、そ
の上のセリウム及びガドリニウムのうち少なくとも一種
で付活したケイ酸イツトリウム蛍光体（７）とを積層し
て構成する。
のフェースプレート（１）の内面に銅、金及び銀のうち
少なくとも一種で付活され、共付活剤としてハロゲン元
素又はアルミニウムを含む硫化亜鉛蛍光体〔２）と、そ
の上のセリウム及びガドリニウムのうち少なくとも一種
で付活したケイ酸イツトリウム蛍光体（７）とを積層し
て構成する。
上述した第１発明の構成によれば、上記硫化亜鉛系の蛍
光体（２）と上記ケイ酸イツトリウム系の蛍光体（３）
（又は（５））を混合してなる蛍光体層によって青色蛍
光体層（４）（又は（６））を形成することにより、電
子線照射したとき上記硫化亜鉛系の蛍光体（２）は、直
接及び上記ケイ酸イツトリウム系の蛍光体（３）（又は
（５））を通して照射される電子線により励起発光する
と共に、上記ケイ酸イツトリウム系の蛍光体（３）（又
は（５））の電子線励起によって生ずる発光で励起発光
する。上記ケイ酸イブ） ＩＪウム系の蛍光体（３）（
又は（５））は、電子線照射で励起発光したとき、上記
硫化亜鉛系の蛍光体（２）の励起帯付近で発光し、しか
も輝度劣化し難い蛍光体である。この電子線励起と光励
起の相剰作用により青色蛍光体層（４）の輝度飽和特性
が向上し、また上記ケイ酸イツトリウム系の蛍光体（３
）（又は（５））の存在により輝度劣化が改善される。
光体（２）と上記ケイ酸イツトリウム系の蛍光体（３）
（又は（５））を混合してなる蛍光体層によって青色蛍
光体層（４）（又は（６））を形成することにより、電
子線照射したとき上記硫化亜鉛系の蛍光体（２）は、直
接及び上記ケイ酸イツトリウム系の蛍光体（３）（又は
（５））を通して照射される電子線により励起発光する
と共に、上記ケイ酸イツトリウム系の蛍光体（３）（又
は（５））の電子線励起によって生ずる発光で励起発光
する。上記ケイ酸イブ） ＩＪウム系の蛍光体（３）（
又は（５））は、電子線照射で励起発光したとき、上記
硫化亜鉛系の蛍光体（２）の励起帯付近で発光し、しか
も輝度劣化し難い蛍光体である。この電子線励起と光励
起の相剰作用により青色蛍光体層（４）の輝度飽和特性
が向上し、また上記ケイ酸イツトリウム系の蛍光体（３
）（又は（５））の存在により輝度劣化が改善される。
又、上述した第２発明の構成によれば、上記硫化亜鉛系
の蛍光体（２）上に、上記ケイ酸イブ） ＩＪウム系の
蛍光体（７）を積層して青色蛍光体層（８）を形成する
ことにより、電子線照射したとき、上述と同様に、上記
硫化亜鉛系の蛍光体（２）が電子線励起と、上北ケイ酸
イツトリウム系の蛍光体（７）からの発光による光励起
との相剰作用で発光することになり、青色蛍光体層（８
）の輝度飽和特性及び輝度劣化が改善される。
の蛍光体（２）上に、上記ケイ酸イブ） ＩＪウム系の
蛍光体（７）を積層して青色蛍光体層（８）を形成する
ことにより、電子線照射したとき、上述と同様に、上記
硫化亜鉛系の蛍光体（２）が電子線励起と、上北ケイ酸
イツトリウム系の蛍光体（７）からの発光による光励起
との相剰作用で発光することになり、青色蛍光体層（８
）の輝度飽和特性及び輝度劣化が改善される。
以下、図面を参照して本発明による陰極線管用蛍光体ス
クリーンの実施例を説明する。
クリーンの実施例を説明する。
第１図は本発明の第１実施例を示し、これは陰極線管の
ガラスよりなるフェースプレート（１）の内面にＺｎＳ
： Ａｇ、 Ａ ｆｌ蛍光体（２）とＹ２ＳＩ［］Ｓ
： Ｃｅ、 Ｇｄ 蛍光体〔３）とを混合してなる青
色蛍光体層（４）を形成して構成する。
ガラスよりなるフェースプレート（１）の内面にＺｎＳ
： Ａｇ、 Ａ ｆｌ蛍光体（２）とＹ２ＳＩ［］Ｓ
： Ｃｅ、 Ｇｄ 蛍光体〔３）とを混合してなる青
色蛍光体層（４）を形成して構成する。
この構成において、電子銃（図示せず）からの電子線を
青色蛍光体層（４）に照射すると、ＺｎＳ：八ｇ。
青色蛍光体層（４）に照射すると、ＺｎＳ：八ｇ。
Ａｌ蛍光体（２）が電子線により励起発光すると共に、
ＹｚＳｉＯｓ ： Ｃｅ、 Ｇｄ蛍光体（３）が電子線
により２ｎＳ ：Ａｇ。
ＹｚＳｉＯｓ ： Ｃｅ、 Ｇｄ蛍光体（３）が電子線
により２ｎＳ ：Ａｇ。
Ａｇの励起帯付近で発光し、この発光によってもＺｎＳ
：Ａｇ、Ａｌ蛍光体（２）が励起発光する。
：Ａｇ、Ａｌ蛍光体（２）が励起発光する。
Ｙ２ＳｉＯ，：Ｃｅ、Ｇｄ蛍光体（３）は高励起で輝度
飽和を起こしに＜＜、また輝度劣化し難い蛍光体である
。
飽和を起こしに＜＜、また輝度劣化し難い蛍光体である
。
従って、工記構成に依れば、ＸｎＳ ＋ Ａｇ、 Ａ
ｊ２蛍光体（２）が電子線励起と光励起との相剰作用で
発光することにより、青色蛍光体層（４）の輝度飽和特
性を向上することができると共に、輝度劣化を改善する
ことができる。第２図は、かかる青色蛍光体層（４）の
輝度飽和特性（曲線ａ＋）を、２ｎＳ ： Ａｇ、 Ａ
１のみの青色蛍光体層の輝度飽和特性（曲線ｂ）と比
較して示す。尚、曲線ａ１ はＺｎＳ ： Ａｇ、 Ａ
ｌが９０％、ＬＳ＋Ｏｓ ： Ｃｅ、 Ｇｄが１０％
の混合比とした場合である。
ｊ２蛍光体（２）が電子線励起と光励起との相剰作用で
発光することにより、青色蛍光体層（４）の輝度飽和特
性を向上することができると共に、輝度劣化を改善する
ことができる。第２図は、かかる青色蛍光体層（４）の
輝度飽和特性（曲線ａ＋）を、２ｎＳ ： Ａｇ、 Ａ
１のみの青色蛍光体層の輝度飽和特性（曲線ｂ）と比
較して示す。尚、曲線ａ１ はＺｎＳ ： Ａｇ、 Ａ
ｌが９０％、ＬＳ＋Ｏｓ ： Ｃｅ、 Ｇｄが１０％
の混合比とした場合である。
この第２図から明らかなように、本発明青色蛍光体層（
４）はＺｎＳ ： Ａｇ、 Ａ ｊｉ！のみの場合に比
して実用範囲をカバーする範囲（１０μＡ／ｃｄ〜８０
μＡ／ｃｄ）における輝度飽和特性が向上する。
４）はＺｎＳ ： Ａｇ、 Ａ ｊｉ！のみの場合に比
して実用範囲をカバーする範囲（１０μＡ／ｃｄ〜８０
μＡ／ｃｄ）における輝度飽和特性が向上する。
第３図は本発明の第２実施例を示すもので、陰極線管の
フェースプレート（１）の内面に、ＺｎＳ ：Ａｇ。
フェースプレート（１）の内面に、ＺｎＳ ：Ａｇ。
Ａ１蛍光体〔２）とＹ２ＳｉＯ，：Ｃｅ蛍光体（５）と
を混合してなる青色蛍光体層（６）を形成して構成する
。第４図は、かかる青色蛍光体層（６）の輝度飽和特性
（曲線ａｘ）を、加Ｓ：Ａｇ、Ａβのみの青色蛍光体層
の輝度飽和特性（曲線ｂ）と比較して示す。尚、曲線ａ
。
を混合してなる青色蛍光体層（６）を形成して構成する
。第４図は、かかる青色蛍光体層（６）の輝度飽和特性
（曲線ａｘ）を、加Ｓ：Ａｇ、Ａβのみの青色蛍光体層
の輝度飽和特性（曲線ｂ）と比較して示す。尚、曲線ａ
。
はＺｎ’Ｓ：Ａｇ、＾βが９０％、 ＬＳ＋Ｏｓ ：
Ｃｅが１０％の混合比とした場合である。
Ｃｅが１０％の混合比とした場合である。
第５図には、ｌｎＳ ：＾ｇ、Ａ！蛍光体のみの輝度飽
和特性（曲線ｂ ） 、 Ｙ２ＳｉＯ，：Ｃｅ、 Ｇｄ
蛍光体のみの輝度飽和特性（曲線Ｃ）及びＹ、ＳｉＯ，
：Ｃｅ蛍光体のみの輝度飽和特性〈曲線ｄ）を示す。
和特性（曲線ｂ ） 、 Ｙ２ＳｉＯ，：Ｃｅ、 Ｇｄ
蛍光体のみの輝度飽和特性（曲線Ｃ）及びＹ、ＳｉＯ，
：Ｃｅ蛍光体のみの輝度飽和特性〈曲線ｄ）を示す。
上述の第３図の青色蛍光体層〔６）においても、ＺｎＳ
： Ａｇ、Ａ ｊ！蛍光体（２）が電子線励起と、Ｙ
２Ｓ１０５ ：Ｃｅ蛍光体（５）からの発光による光励
起との相剰作用で発光し、第４図から明らかなように、
ＺｎＳ ：Ａｇ。
： Ａｇ、Ａ ｊ！蛍光体（２）が電子線励起と、Ｙ
２Ｓ１０５ ：Ｃｅ蛍光体（５）からの発光による光励
起との相剰作用で発光し、第４図から明らかなように、
ＺｎＳ ：Ａｇ。
Ａｇのみの場合に比して実用範囲をカバーする範囲（２
０μ＾／Ｃｒｌ〜８０μＡ／Ｃｌ１１）における輝度飽
和特性が向上する。また、Ｙ２Ｓｌ、 ：Ｃｅ蛍光体（
５）も輝度劣化し難い蛍光体であるので、青色蛍光体層
（６）においても輝度劣化が改善されるものである。
０μ＾／Ｃｒｌ〜８０μＡ／Ｃｌ１１）における輝度飽
和特性が向上する。また、Ｙ２Ｓｌ、 ：Ｃｅ蛍光体（
５）も輝度劣化し難い蛍光体であるので、青色蛍光体層
（６）においても輝度劣化が改善されるものである。
一方、第２図及び第４図から明らかなように、ＺｎＳ
：＾３．ＡＡ蛍光体（２）にＹ２ＳｉＯ，：Ｃｅ蛍光体
（５）を混合した青色蛍光体層（６）よりも、Ｙ、Ｓｉ
Ｏ，：Ｃｅ、 Ｇｄ蛍光体（３）を混合した青色蛍光体
層（４）の方が輝度飽和特性が向上することが判る。
：＾３．ＡＡ蛍光体（２）にＹ２ＳｉＯ，：Ｃｅ蛍光体
（５）を混合した青色蛍光体層（６）よりも、Ｙ、Ｓｉ
Ｏ，：Ｃｅ、 Ｇｄ蛍光体（３）を混合した青色蛍光体
層（４）の方が輝度飽和特性が向上することが判る。
第６図は本発明の第３実施例を示すもので、これは陰極
線管のフェースプレート（１）の内面にｌｎＳ：Ａｇ、
Ａｌ蛍光体（２）を塗布し、この上に積層するようにＹ
２ＳｉＯ，：Ｇｄ蛍光体（７）を塗布して青色蛍光体層
（８）を形成して構成する。この構成においても、電子
銃（図示せず）からの電子線を青色蛍光体（８）に照射
すると、ＺｎＳ ：Ａｇ、Ａ １蛍光体（２）が電子線
照射により励起発光すると共に、Ｙ、ＳｉＯ，：Ｇｄ蛍
光体（７）が電子線によりＺｎＳ ： Ａｇ、 Ａｇの
励起帯付近で発光し、この発光によって２ｎＳ ： Ａ
ｇ、 Ａ １蛍光体（２）が励起発光する。Ｙ２ＳｉＯ
１：Ｇｄ蛍光体（７）も、高励起で輝度飽和を起こしに
＜＜、また輝度劣化し難い蛍光体である。従って、この
青色蛍光体層（８）においても、上述の第１図、第３図
の場合と同様にＺｎＳ ：Ａｇ、Ａｊ！蛍光体（２）が
電子線励起と光励起との相剰作用で発光し、輝度飽和特
性を向上することができると共に、輝度劣化を改善する
ことができる。
線管のフェースプレート（１）の内面にｌｎＳ：Ａｇ、
Ａｌ蛍光体（２）を塗布し、この上に積層するようにＹ
２ＳｉＯ，：Ｇｄ蛍光体（７）を塗布して青色蛍光体層
（８）を形成して構成する。この構成においても、電子
銃（図示せず）からの電子線を青色蛍光体（８）に照射
すると、ＺｎＳ ：Ａｇ、Ａ １蛍光体（２）が電子線
照射により励起発光すると共に、Ｙ、ＳｉＯ，：Ｇｄ蛍
光体（７）が電子線によりＺｎＳ ： Ａｇ、 Ａｇの
励起帯付近で発光し、この発光によって２ｎＳ ： Ａ
ｇ、 Ａ １蛍光体（２）が励起発光する。Ｙ２ＳｉＯ
１：Ｇｄ蛍光体（７）も、高励起で輝度飽和を起こしに
＜＜、また輝度劣化し難い蛍光体である。従って、この
青色蛍光体層（８）においても、上述の第１図、第３図
の場合と同様にＺｎＳ ：Ａｇ、Ａｊ！蛍光体（２）が
電子線励起と光励起との相剰作用で発光し、輝度飽和特
性を向上することができると共に、輝度劣化を改善する
ことができる。
尚、第１図及び第３図の混合タイプではＺｎＳ ：へｇ
、Ａｆ蛍光体（２）をＹ、５ｉＯ６：Ｃｅ、 Ｇｄ蛍光
体（３）又はＹ２Ｓｉｎ、 ：Ｃｅ蛍光体（５）とを混
合したが、ＺｎＳ ：Ａｇ。
、Ａｆ蛍光体（２）をＹ、５ｉＯ６：Ｃｅ、 Ｇｄ蛍光
体（３）又はＹ２Ｓｉｎ、 ：Ｃｅ蛍光体（５）とを混
合したが、ＺｎＳ ：Ａｇ。
１’ｌ ｌ蛍光体（２）にＹ２ＳｉＯ５： Ｇｄ蛍光体
（７）を混合してもよい。
（７）を混合してもよい。
又、第６図の積層タイプではｌｎＳ ： Ａｇ、 Ａ
ｌ蛍光体（２）上にＹｙＳｉＯｓ ： Ｇｄ蛍光体（７
）を塗布したが、ＺｎＳ： Ａｇ、 Ａ ｌ蛍光体（２
）上にＹ２ＳｉＯ５：Ｃｅ、 Ｇｄ蛍光体（３）又はＹ
２ＳｉＯ５： Ｃｅ蛍光体（５）を塗布してもよい。
ｌ蛍光体（２）上にＹｙＳｉＯｓ ： Ｇｄ蛍光体（７
）を塗布したが、ＺｎＳ： Ａｇ、 Ａ ｌ蛍光体（２
）上にＹ２ＳｉＯ５：Ｃｅ、 Ｇｄ蛍光体（３）又はＹ
２ＳｉＯ５： Ｃｅ蛍光体（５）を塗布してもよい。
そして、これら積層タイプ及び混合タイプにおいて、Ｙ
、５ｉＯ５の付活剤であるＣｅ、 Ｇｄの濃度としては
実用的にはＣｅの濃度Ｘ、が０．１モル％≦Ｘ１≦１モ
ル％、 Ｇｄのａ度ｘｘ が０．５モル％≦Ｘ２≦５モ
ル％の範囲とするを可とする。又、Ｙ２Ｓｉｎ、系蛍光
体（３）、 （５）、 （７）の量としては、全体
の４０％以下とするを可とする。４０％を越えると２ｎ
Ｓ ：＾ｇ、ｌの輝度飽和特性を追い抜けない。
、５ｉＯ５の付活剤であるＣｅ、 Ｇｄの濃度としては
実用的にはＣｅの濃度Ｘ、が０．１モル％≦Ｘ１≦１モ
ル％、 Ｇｄのａ度ｘｘ が０．５モル％≦Ｘ２≦５モ
ル％の範囲とするを可とする。又、Ｙ２Ｓｉｎ、系蛍光
体（３）、 （５）、 （７）の量としては、全体
の４０％以下とするを可とする。４０％を越えると２ｎ
Ｓ ：＾ｇ、ｌの輝度飽和特性を追い抜けない。
上述したように、ＺｎＳ ：＾ｇ、、ＡＩ蛍光体（２）
と、Ｙ２Ｓｉｎ、系の蛍光体（３）、 （５）又は（
７）とを混合し或は積層してなる青色蛍光体層（４）、
（６）又は（８）を構成することにより、従来の２
ｎＳ ： Ａｇ、 Ａ ｌ蛍光体（２）のみの青色蛍光
体層に比してその輝度飽和特性及び輝度劣化を改善する
ことができるものである。従って、例えばプロジェクタ
−等に用いた場合、電子線を完全フォーカス状態で使用
することが可能となり、青色の解像度を向上することが
でき、且つ全体（赤、緑、青により白色としたとき）の
明るさを上げることができると共に陰極線管の長寿命化
を図ることができる。
と、Ｙ２Ｓｉｎ、系の蛍光体（３）、 （５）又は（
７）とを混合し或は積層してなる青色蛍光体層（４）、
（６）又は（８）を構成することにより、従来の２
ｎＳ ： Ａｇ、 Ａ ｌ蛍光体（２）のみの青色蛍光
体層に比してその輝度飽和特性及び輝度劣化を改善する
ことができるものである。従って、例えばプロジェクタ
−等に用いた場合、電子線を完全フォーカス状態で使用
することが可能となり、青色の解像度を向上することが
でき、且つ全体（赤、緑、青により白色としたとき）の
明るさを上げることができると共に陰極線管の長寿命化
を図ることができる。
又、上側ではプロジェクタ−用の青色蛍光体層に適用し
たが、その他通常のカラー陰極線管等の青色蛍光体層に
も適用できるものである。
たが、その他通常のカラー陰極線管等の青色蛍光体層に
も適用できるものである。
本発明の陰極線管用蛍光体スクリーンによれば、フェー
スプレート内面に銅、金及び銀のうち少なくとも一種で
付活され共付活剤としてハロゲン元素又はアルミニウム
を含む硫化亜鉛蛍光体と、セリウム及びガドリニウムの
うち少なくとも一種で付活したケイ酸イツトリウム蛍光
体とを積層又は混合してなる青色蛍光体層を形成するこ
とにより、青色蛍光体層の輝度飽和特性及び輝度劣化を
改善することができるっ従って、電子線を完全フォーカ
ス状態で照射することができ、青色の解像度を上げるこ
とができると共に、カラー画像としたときの全体（白色
）の明るさを向上することができる。また青色蛍光体層
の寿命をのばすこともでき、陰極線管の長寿命化を図る
ことができる。
スプレート内面に銅、金及び銀のうち少なくとも一種で
付活され共付活剤としてハロゲン元素又はアルミニウム
を含む硫化亜鉛蛍光体と、セリウム及びガドリニウムの
うち少なくとも一種で付活したケイ酸イツトリウム蛍光
体とを積層又は混合してなる青色蛍光体層を形成するこ
とにより、青色蛍光体層の輝度飽和特性及び輝度劣化を
改善することができるっ従って、電子線を完全フォーカ
ス状態で照射することができ、青色の解像度を上げるこ
とができると共に、カラー画像としたときの全体（白色
）の明るさを向上することができる。また青色蛍光体層
の寿命をのばすこともでき、陰極線管の長寿命化を図る
ことができる。
第１図は本発明に係る陰極線管用蛍光体スクリーンの実
施例を示す断面図、第２図はその輝度飽和特性図、第３
図は本発明に係る陰極線管用蛍光体スクリーンの他の実
施例を示す新面図、第４図はその輝度飽和特性図、第５
図は本発明の説明に供する輝度飽和特性図、第６図は本
発明・に係る陰極線管用蛍光体スクリーンのさらに他の
実施例を示す断面図である。 （１）はフェースプレート、（２）は２ｎＳ ： Ａｇ
、 Ａ ｌ蛍光体、（３）はＹ、ＳｉＯ，：Ｃｅ、 Ｇ
ｄ蛍光体、（５）はＹ２ＳｉＯ，：Ｃｅ蛍光体、（７）
はＹ２ＳｉＯ，：Ｇｄ蛍光体である。 ２−＝ＺｎＳ：Ａｑ、Ａｌ ｌ光＆ ３−Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ、Ｇｃｌｖ！ｔＧ２−− Ｚｎ
Ｓ： Ａｇ、ＡＲｔｔ＃ ５・＝ＹｚＳｉＯｓ：Ｃｅ＠を体 第３図 １〜１慢ｅ劣１シイ手１め傅ノＩｆセｌ和七Ｆ−［小１
図８童ぞ俸／ｌ輝庵鉋和特程図 第５図 １ ・−・・フェースアし一ト ２・ ＺｎＳ：Ａｇ、Ａｌ蛍ｆｆｉ体 ７・・・Ｙ２ Ｓｉ Ｏｓ：Ｇｄ賃光体８−・・・青色
／１尤体 ！３場ご鵡七巳イ々’！、７１断（！］口七コ第８図
施例を示す断面図、第２図はその輝度飽和特性図、第３
図は本発明に係る陰極線管用蛍光体スクリーンの他の実
施例を示す新面図、第４図はその輝度飽和特性図、第５
図は本発明の説明に供する輝度飽和特性図、第６図は本
発明・に係る陰極線管用蛍光体スクリーンのさらに他の
実施例を示す断面図である。 （１）はフェースプレート、（２）は２ｎＳ ： Ａｇ
、 Ａ ｌ蛍光体、（３）はＹ、ＳｉＯ，：Ｃｅ、 Ｇ
ｄ蛍光体、（５）はＹ２ＳｉＯ，：Ｃｅ蛍光体、（７）
はＹ２ＳｉＯ，：Ｇｄ蛍光体である。 ２−＝ＺｎＳ：Ａｑ、Ａｌ ｌ光＆ ３−Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ、Ｇｃｌｖ！ｔＧ２−− Ｚｎ
Ｓ： Ａｇ、ＡＲｔｔ＃ ５・＝ＹｚＳｉＯｓ：Ｃｅ＠を体 第３図 １〜１慢ｅ劣１シイ手１め傅ノＩｆセｌ和七Ｆ−［小１
図８童ぞ俸／ｌ輝庵鉋和特程図 第５図 １ ・−・・フェースアし一ト ２・ ＺｎＳ：Ａｇ、Ａｌ蛍ｆｆｉ体 ７・・・Ｙ２ Ｓｉ Ｏｓ：Ｇｄ賃光体８−・・・青色
／１尤体 ！３場ご鵡七巳イ々’！、７１断（！］口七コ第８図
Claims (2)
- １． 陰極線管のフェースプレート内面に、銅，金及び
銀のうち少なくとも一種で付活され共付活剤としてハロ
ゲン元素又はアルミニウムを含む硫化亜鉛蛍光体と、 セリウム及びガドリニウムのうち少なくとも一種で付
活したケイ酸イットリウム蛍光体を混合してなる蛍光体
層が形成されて成る陰極線管用蛍光体スクリーン。 - ２． 陰極線管のフェースプレート内面に、銅，金及び
銀のうち少なくとも一種で付活され共付活剤としてハロ
ゲン元素又はアルミニウムを含む硫化亜鉛蛍光体と、 その上のセリウム及びガドリニウムのうち少なくとも
一種で付活したケイ酸イットリウム蛍光体とが積層され
て成る陰極線管用蛍光体スクリーン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14194589A JP2751413B2 (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 陰極線管用蛍光体スクリーン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14194589A JP2751413B2 (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 陰極線管用蛍光体スクリーン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036290A true JPH036290A (ja) | 1991-01-11 |
| JP2751413B2 JP2751413B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=15303793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14194589A Expired - Fee Related JP2751413B2 (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 陰極線管用蛍光体スクリーン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751413B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0862602A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-03-08 | Samsung Electron Devices Co Ltd | 表示素子 |
| US6312860B1 (en) * | 1997-10-15 | 2001-11-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Phosphor composition, phosphor paste, and photosensitive dry film |
| JP2007200582A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Hitachi Ltd | 画像表示装置 |
-
1989
- 1989-06-02 JP JP14194589A patent/JP2751413B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0862602A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-03-08 | Samsung Electron Devices Co Ltd | 表示素子 |
| US6312860B1 (en) * | 1997-10-15 | 2001-11-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Phosphor composition, phosphor paste, and photosensitive dry film |
| JP2007200582A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Hitachi Ltd | 画像表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2751413B2 (ja) | 1998-05-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |