JPH0360005A - コンデンサ、多層混成回路素子及びその方向性識別方法 - Google Patents

コンデンサ、多層混成回路素子及びその方向性識別方法

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JPH0360005A
JPH0360005A JP1195162A JP19516289A JPH0360005A JP H0360005 A JPH0360005 A JP H0360005A JP 1195162 A JP1195162 A JP 1195162A JP 19516289 A JP19516289 A JP 19516289A JP H0360005 A JPH0360005 A JP H0360005A
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  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、コンデンサ、多層混成回路素子(以下MMC
素子と称する)及びその方向性識別方法に関し、コンデ
ンサまたはコンデンサネットワーク層を、光透化性セラ
ミック層の内部に内部電極を埋設して構成することによ
り、方向性を容易に識別できるようにしたものである。
〈従来の技術〉 MHC素子は、コンデンサネットワーク層の上に、抵抗
、インダクタ等の受動回路素子層を積層し、更にTTL
回路等を含む集積回路素子を搭載して多層集積化したも
のであり、その製造に当っては、スクリーン印刷、乾燥
、焼付等の工程を積層数に応じて繰返さなければならな
い。従って、積層工程において、所定の方向性をもって
積層されるように、方向性を識別する必要がある。識別
しなければならない方向性には、表面及び裏面の別の他
に、面内における電極パターンの方向が含まれる。
従来、方向識別に当っては、素子の表面隅部等の適当な
位置に、凹凸または色別等による識別マークを付してお
き、これをセンサによって検出して方向性を識別してい
た。
〈発明が解決しようとする課題〉 上述のように、従来のMHC素子においては、方向性識
別のために、素子に凹凸または色別等はよる特殊な識別
マークを付することが必要であり、工程数増加による生
産性の低下、コストアップ等を招くという問題があった
。しかも、素子の小型化のために、識別マークも小さく
なり、その認識に誤りを生じ易い。
そこで、本発明の課題は上述する従来の問題点を解決し
、識別マークを必要とすることなく、確実に方向性を識
別し得るコンデンサ、MMC素子及びその識別方法を提
供することである。
く課題を解決するための手段〉 上述する課題解決のため、本発明に係るコンデンサは、
光透過性セラミック層の内部に内部電極を埋設したこと
を特徴とする。
また、本発明に係るMMC素子は、コンデンサネットワ
ーク層を有する多層混成回路素子であって、 前記コンデンサネットワーク層は、光透過性セラミック
層の内部に内部電極を埋設してなること を特徴とする。
更に、本発明に係る方向性識別方法は、光透過性セラミ
ック層の一面側から光を照射し、反対制心配置されたイ
メージセンサによって透過光を受光し、受光パターンか
ら方向性を識別することを特徴とする。
〈作用〉 コンデンサまたはコンデンサネットワーク層は、光透過
性セラミック層の内部に内部電極を埋設して構成されて
いるので、セラミック層の一面側から光を照射した場合
、内部電極の部分が光不透過部分、内部電極のない部分
が光透過部分となる。この光不透過及び光透過のパター
ンを、反対側に配置されたイメージセンサによって受光
し、受光パターンから方向性を識別する。このように、
コンデンサまたはコンデンサネットワークを構成するの
に必要な内部電極パターンを利用して方向性を確認でき
るので、識別マークが不要である。また、光不透過及び
光透過のパターンは素子の平面積全体にわたっているか
ら、小型化された場合にも、方向性を確実に識別できる
〈実施例〉 第1図は本発明に係るMMC素子の正面図、342図は
同じくその平面図である0図において、1は支持層、2
はコンデンサネットワーク層、3は抵抗またはインダク
タ等の他の回路素子によるネットワーク層、4はTTL
回路等を含む集積回路素子、5は端子電極である。
支持層1は、コンデンサネットワーク層2を支持する基
礎として、その1部を構成しており、その上にコンデン
サネットワーク層2を積層すると共に、コンデンサネッ
トワーク層2の上にネットワーク層3を積層し、ネット
ワーク層3の上に集積回路素子4を搭載しである。ネッ
トワーク、93の上には図示しない導体パターンが形成
されており、集積回路素子4はこれらの導体パターンを
通して端子電極5に所定の回路となるように導通接続さ
れている。
コンデンサネットワーク層2は、内部に内部電極を有し
ている。内部電極の数及びパターンは要求される回路構
成が得られるように設計される。
従って、その数及びパターンは任意である。第3図〜第
6図はコンデンサネットワーク層2を構成するコンデン
サの1例を示している。第3図はコンデンサネットワー
ク層2の内、下部の内部電極のパターンを示す図、第4
図は第3図A r  A +線上における断面図、第5
図は同じく上部の内部電極パターンを示す図、第6図は
第5図A2−A2線上における断面図である。コンデサ
ネットワーク層2は、支持層1の上に、下部の内部電極
701〜716を形成すると共に、内部電極701〜7
16の上に、誘電体磁器11201を積層して設け、誘
電体磁器層201の上に、内部電極701〜716と対
向する内部電極801〜816を設け、内部型81i8
01〜816を保護層202で覆った構造となっている
。下部の内部電極701〜716と上部の内部型8is
ot〜816とにより、第5図に示すようなコンデンサ
C1〜C+aのネットワークが構成される。内部型8i
701〜716.801〜816は、対称性を持たせる
ような設計的意図がない限り、表面及び裏面のみならず
、表面または裏面の面内の全方向において、非対称パタ
ーンとなる。第1図のネットワーク層3は、保護層20
2の上に積層して設けられる。
前記支持層1、誘電体磁器層201及び保護層202は
、光透過性セラミック材料によって構成する。光透過性
セラくツタ材料の具体例としてはBaT10s−BaZ
rOs系、BaTiO3−5rTiOs系、5rTIO
s−CaTiOs系、MgTiOs −CaTiOs系
、5rTi03− PbTiOs系CaTi0s−La
2B・2Ti02系等の各誘電体磁器材料がある。
上記の構成において、支持層1の下面側から光を照射し
た場合、内部電極701〜716.801〜816の部
分が光不透過部分、内部電極701〜716.801〜
816のない部分が光透過部分となる。従って、この光
不透過及び光透過のパターンを、反対側に配置されたイ
メージセンサによって受光し、受光パターンから方向性
を識別する。識別できる方向性には、裏表の別の他に、
裏面または表面の面内における電極パターンの方向が含
まれる。光不透過及び光透過のパターンを発生させる内
部電極701〜716.801〜816は、平面積全体
にわたっているから、小型化された場合にも、方向性を
確実に識別できる。
第7図は本発明に係る方向性識別の全体的な構成を示す
図、第8図は要部の斜視図である。第7図において、9
はパーツフィーダ、10は方向性識別装置、11は吸着
搬送装置、12はパレット、13は搬送装置、14は本
発明に係るMHC素子である。
MMC素子14は、第1図及び第2図において、コンデ
ンサネットワーク層2だけで、他9回路素子よりなるネ
ットワーク層3、集積回路素子4を搭載する前の状態と
なっている。従って、実質的にコンデンサとしての構成
となっている。
上述のMHC素子14は、パーツフィーダ9カ)ら矢印
a、の方向に、例えばリニアフィーダまたは真空吸着装
置等によって搬送され、方向性識別装置10に移される
方向性識別装置10は、第8図に示すように、イメージ
センサ101、光源102及び遮光板となる受台103
を備えている。受台103には、MMC素子14が位置
する領域に、光透過窓104が設けられている。光透過
窓104からMHC素子14に入った光は、イメージセ
ンサ101によって受光される。このときの受光パター
ンは、第3図〜第6図を参照して、内部電極701〜7
16.801〜816の部分が光不透過部分、内部電極
701〜716.801〜816のない部分が光透過部
分となるパターンとなる。従ってこのパターンから、M
MC素子14の方向性が識別される。イメージセンサ1
01によって得られた識別信号に基づいて、方向識別装
置10を構成する受台103を矢印blまたはb2に回
転駆動し、所定の方向となるように位置合せする。
上述のようにして位置合せされたMMC素子14は、吸
着搬送装置111により矢印a2の方向に搬送され、搬
送装置13上のパレット12に移される。パレット12
に移されたMHC素子14は、搬送装置13により、他
のネットワーク素子及び集積回路素子の搭載工程に導か
れる。表裏が逆になっている場合は、図示しない反転装
置により反転させた上で、パレット12に移す。
〈発明の効果〉 以上述べたように、本発明に係るコンデンサまたはMM
C素子は、光透過性セラミック層の内部に内部電極を埋
設してなるので、次のような効果が得られる。
(a)内部電極の部分が光不透過部分、内部電極のない
部分が光透過部分となる。従って、この光不透過及び光
透過のパターンを、反対側に配置されたイメージセンサ
によって受光し、受光パターンから方向性を識別し得る
コンデンサまたはMMC素子を提供できる。
(b)光不透過及び光透過のパターン1よ素子の平面積
全体にわたっているから、小型化された場合にも、方向
性を確実に識別し得るコンデンサまた。
はMHC素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るMHC素子の正面図、第2図は同
じくその平面図、第3図はコンデンサネットワーク層の
内、下部の内部電極のパターンを示す図、第4図は第3
図A、−A、線上における断面図、第5図は同じく上部
の内部電極パターンを示す図、第6図は第5図A2−A
2線上における断面図、第7図は本発明に係る方向性識
別の全体的な構成を示す図、第8図は要部の斜視図であ
る。 1・・・支持層 2・・・コンデンサネットワーク層 3・・・他の回路素子ネットワーク層 4・・・集積回路素子 701〜716・・・内部電極 801〜816・・・内部電極 10・・・方向性識別装置 101・・・イメージセンサ 102・・・光源 第 図 第 図 第 図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光透過性セラミック層の内部に内部電極を埋設し
    たことを特徴とするコンデンサ。
  2. (2)コンデンサネットワーク層を有する多層混成回路
    素子であって、 前記コンデンサネットワーク層は、光透過性セラミック
    層の内部に内部電極を埋設してなること を特徴とする多層混成回路素子。
  3. (3)光透過性セラミック層の内部に内部電極を埋設し
    たコンデンサの方向性識別方法であって、 前記セラミック層の一面側から光を照射し、反対側に配
    置されたイメージセンサによって透過光を受光し、受光
    パターンから方向性を識別すること を特徴とするコンデンサの方向性識別方法。
  4. (4)コンデンサネットワーク層を有する多層混成回路
    素子の方向性識別方法であって、 前記コンデンサネットワーク層は、光透過性セラミック
    層の内部に内部電極を埋設してなり、前記セラミック層
    の一面側から光を照射し、反対側に配置されたイメージ
    センサによって透過光を受光し、受光パターンから方向
    性を識別すること を特徴とする多層混成回路素子の方向性識別方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0794357A (ja) * 1993-09-20 1995-04-07 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック部品
KR20040049757A (ko) * 2002-12-07 2004-06-12 김택규 개량 갈고리를 이용한 탈착이 용이한 브래지어
JP2018056433A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 住友金属鉱山株式会社 積層セラミック電子部品の内部電極膜の評価方法、並びに、積層セラミック電子部品の製造方法

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JP2018056433A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 住友金属鉱山株式会社 積層セラミック電子部品の内部電極膜の評価方法、並びに、積層セラミック電子部品の製造方法

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