JPH0359036A - 有機単結晶膜の作製方法 - Google Patents
有機単結晶膜の作製方法Info
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- JPH0359036A JPH0359036A JP19272889A JP19272889A JPH0359036A JP H0359036 A JPH0359036 A JP H0359036A JP 19272889 A JP19272889 A JP 19272889A JP 19272889 A JP19272889 A JP 19272889A JP H0359036 A JPH0359036 A JP H0359036A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔１既 要］
溶媒蒸発法により、基板上に結晶薄膜を成長させる方法
に関し、 溶媒蒸発法によって基板上に大面積の有機単結晶の薄膜
を効率良く成長させることを目的とし、溶媒蒸発法によ
り基板上に有機単結晶膜を成長させるにあたり、基板を
単結晶膜成長用有機物質溶液中に傾斜状態で配置して溶
媒を蒸発せしめ乍ら有機物質の単結晶膜を基板上に成長
させることにより構成する。
に関し、 溶媒蒸発法によって基板上に大面積の有機単結晶の薄膜
を効率良く成長させることを目的とし、溶媒蒸発法によ
り基板上に有機単結晶膜を成長させるにあたり、基板を
単結晶膜成長用有機物質溶液中に傾斜状態で配置して溶
媒を蒸発せしめ乍ら有機物質の単結晶膜を基板上に成長
させることにより構成する。
本発明は、溶媒蒸発法により、基板上に結晶薄膜を成長
させる方法に関する。このようにして得られた有機単結
晶の、特に非線型光学特性を有する薄膜は、例えば光回
路素子用の光導波路として有用である。
させる方法に関する。このようにして得られた有機単結
晶の、特に非線型光学特性を有する薄膜は、例えば光回
路素子用の光導波路として有用である。
従来、石英などの基板を複数枚重ねて、その基板間の隙
間に、溶媒蒸発法により、非線型光学特性を有する有機
物質（例えばジアセチレン）などの単結晶薄膜を成長さ
せる方法が知られている。
間に、溶媒蒸発法により、非線型光学特性を有する有機
物質（例えばジアセチレン）などの単結晶薄膜を成長さ
せる方法が知られている。
従来の方法は、有機物質の溶液を含む容器内に、基板を
液面に対して、水平に配置して単結晶の薄膜を成長させ
ていた。しかしながら、このような配置では、基板間で
の結晶成長が、溶媒蒸発がかなり進行した段階で初めて
開始されるため、効率が悪く、また種結晶の発生、成長
のプロセスが円滑に進行しないという問題があった。
液面に対して、水平に配置して単結晶の薄膜を成長させ
ていた。しかしながら、このような配置では、基板間で
の結晶成長が、溶媒蒸発がかなり進行した段階で初めて
開始されるため、効率が悪く、また種結晶の発生、成長
のプロセスが円滑に進行しないという問題があった。
従って、本発明は前記した従来技術の問題点を解決し、
溶媒蒸発法によって基板上に大面積の有機単結晶の薄膜
を効率良く成長させることを目的とする。
溶媒蒸発法によって基板上に大面積の有機単結晶の薄膜
を効率良く成長させることを目的とする。
即ち、本発明に従えば、溶媒蒸発法により基板上に有機
単結晶膜を成長させるにあたり、基板を単結晶膜成長用
有機物質溶液中に傾斜状態で配置して溶媒を蒸発せしめ
乍ら有機物質の単結晶膜を基板上に成長させることによ
って前記ｉｑ！題が解決される。
単結晶膜を成長させるにあたり、基板を単結晶膜成長用
有機物質溶液中に傾斜状態で配置して溶媒を蒸発せしめ
乍ら有機物質の単結晶膜を基板上に成長させることによ
って前記ｉｑ！題が解決される。
〔実施例］
以下、添付第１図〜第３図を参照し乍ら本発明の詳細な
説明する。
説明する。
第１図に示したように、例えば、２枚の石英基板（５５
ｍｍ Ｘ ５５Ｍ Ｘ Ｏ，５１＋１１ ） １を支持
台２に支承し、傾斜した状態で、容器３に配する。容器
３中には、例えばＰＴＳ−ジアセチレンのモノマーのア
セトン溶液４（？ａ度：例えば１０■／１０６！１！
）を入れる。
ｍｍ Ｘ ５５Ｍ Ｘ Ｏ，５１＋１１ ） １を支持
台２に支承し、傾斜した状態で、容器３に配する。容器
３中には、例えばＰＴＳ−ジアセチレンのモノマーのア
セトン溶液４（？ａ度：例えば１０■／１０６！１！
）を入れる。
ＰＴＳ ： Ｒ−ｃ＝ｃ−ｃ＝ｃ−Ｒ
Ｒ＝ ＣＨｚ ＯＳ ０２−ｃ）−ＣＨ３容器３の蓋の
間隙を適当に調節することにより、溶媒が所望の速度で
蒸発し、例えば第２図に示すように溶液４の液面が低下
する。この液面低下に従って第２図に示したように石英
基板１の間隙に薄膜結晶５が成長する。例えば不活性ガ
ス中で暗状態に容器３を保っておくと、第３図に示すよ
うに、約２週間で５皿×３１１ＩＩｎ×数μｍ程度のＰ
ＴＳ−ジアセチレン薄膜単結晶が基板上に成長する。
間隙を適当に調節することにより、溶媒が所望の速度で
蒸発し、例えば第２図に示すように溶液４の液面が低下
する。この液面低下に従って第２図に示したように石英
基板１の間隙に薄膜結晶５が成長する。例えば不活性ガ
ス中で暗状態に容器３を保っておくと、第３図に示すよ
うに、約２週間で５皿×３１１ＩＩｎ×数μｍ程度のＰ
ＴＳ−ジアセチレン薄膜単結晶が基板上に成長する。
以上２枚の石英基板上にＰＴＳ−ジアセチレンの薄膜結
晶をアセトン溶液から成長させる態様について説明した
が、本発明の範囲をこの実施例に限定するものでないこ
とはいうまでもない。例えば基板として、石英の他に酸
化珪素、ガラスなどを用いることができ、基板の枚数に
は特に限定はない。
晶をアセトン溶液から成長させる態様について説明した
が、本発明の範囲をこの実施例に限定するものでないこ
とはいうまでもない。例えば基板として、石英の他に酸
化珪素、ガラスなどを用いることができ、基板の枚数に
は特に限定はない。
本発明に従えば、基板１は溶液中に傾斜状態に保持すれ
ばよく、その傾斜角度には特に限定はない。
ばよく、その傾斜角度には特に限定はない。
傾斜角度は使用する容器の大きさ、特に液面の高さ及び
基板の大きさによって大幅に変動し得るが、−船釣に言
えば傾斜角度１０〜６０度の範囲内で溶液の高さ方向全
域に亘って有効に単結晶を成長させるようにするのが望
ましい。
基板の大きさによって大幅に変動し得るが、−船釣に言
えば傾斜角度１０〜６０度の範囲内で溶液の高さ方向全
域に亘って有効に単結晶を成長させるようにするのが望
ましい。
溶液４中に溶解する有機物質には特に限定はなく、例え
ば非線型光学特性を有する任意の物質（例えば前記ＰＴ
Ｓ 、ジアセチレンの他に２−メチル−４−ニトロアニ
リンなと）をこれらを溶解する易蒸発性の溶媒（例えば
アセトン、クロロホルムなど）に溶解したものを用いる
ことができる。
ば非線型光学特性を有する任意の物質（例えば前記ＰＴ
Ｓ 、ジアセチレンの他に２−メチル−４−ニトロアニ
リンなと）をこれらを溶解する易蒸発性の溶媒（例えば
アセトン、クロロホルムなど）に溶解したものを用いる
ことができる。
単結晶成長条件には通常大気圧下で実施することができ
るが、熱重合を引き起さない範囲で加温することもでき
、また必要に応じ真空中又は加圧下に実施することもで
きる。また光重合を防止する目的で不活性ガス雰囲気（
例えば窒素）中で暗状態で実施するのが望ましい。
るが、熱重合を引き起さない範囲で加温することもでき
、また必要に応じ真空中又は加圧下に実施することもで
きる。また光重合を防止する目的で不活性ガス雰囲気（
例えば窒素）中で暗状態で実施するのが望ましい。
得られた薄膜単結晶は、加熱または光照射を行うことに
より重合してＰＴＳ−ポリジアセチレン膜が得られる。
より重合してＰＴＳ−ポリジアセチレン膜が得られる。
以上の説明したように、基板を傾斜状態で単結晶成長用
有機物’Ｊｆ溶液中に静置することにより大面積の有機
物質の単結晶膜が得られ、例えば光回路素子用光導波路
として効果的に使用することができる。
有機物’Ｊｆ溶液中に静置することにより大面積の有機
物質の単結晶膜が得られ、例えば光回路素子用光導波路
として効果的に使用することができる。
第１図〜第３図は本発明に従って基板上に有機単結晶膜
を成長させる方法を模式的に示した図面である。 １・・・基板、２・・・支持台、３・・・容器、４・・
・溶液、５・・・単結晶
を成長させる方法を模式的に示した図面である。 １・・・基板、２・・・支持台、３・・・容器、４・・
・溶液、５・・・単結晶
Claims (1)
- １、溶媒蒸発法により基板上に有機単結晶膜を成長させ
るにあたり、基板を単結晶膜成長用有機物質溶液中に傾
斜状態で配置して溶媒を蒸発せしめ乍ら有機物質の単結
晶膜を基板上に成長させることを特徴とする有機単結晶
膜の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19272889A JPH0359036A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 有機単結晶膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19272889A JPH0359036A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 有機単結晶膜の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0359036A true JPH0359036A (ja) | 1991-03-14 |
Family
ID=16296078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19272889A Pending JPH0359036A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 有機単結晶膜の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0359036A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5385116A (en) * | 1992-03-24 | 1995-01-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for producing organic crystal film |
| US6406647B1 (en) * | 1998-02-13 | 2002-06-18 | Mrinal Thakur | Method for preparation of single crystal films of organic second order optical materials |
| WO2014136953A1 (ja) | 2013-03-08 | 2014-09-12 | 国立大学法人神戸大学 | 有機半導体薄膜の作製方法 |
| US8921152B2 (en) | 2009-10-02 | 2014-12-30 | Osaka University | Method for manufacturing organic semiconductor film, and organic semiconductor film array |
| CN104562174B (zh) * | 2014-12-29 | 2017-02-22 | 青岛大学 | 一种自发成核过程可控式的dast晶体生长装置 |
-
1989
- 1989-07-27 JP JP19272889A patent/JPH0359036A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5385116A (en) * | 1992-03-24 | 1995-01-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for producing organic crystal film |
| US6406647B1 (en) * | 1998-02-13 | 2002-06-18 | Mrinal Thakur | Method for preparation of single crystal films of organic second order optical materials |
| US8921152B2 (en) | 2009-10-02 | 2014-12-30 | Osaka University | Method for manufacturing organic semiconductor film, and organic semiconductor film array |
| WO2014136953A1 (ja) | 2013-03-08 | 2014-09-12 | 国立大学法人神戸大学 | 有機半導体薄膜の作製方法 |
| CN104562174B (zh) * | 2014-12-29 | 2017-02-22 | 青岛大学 | 一种自发成核过程可控式的dast晶体生长装置 |
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