JPH03112887A - 液相エピタキシァル成長方法 - Google Patents
液相エピタキシァル成長方法Info
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- JPH03112887A JPH03112887A JP24864089A JP24864089A JPH03112887A JP H03112887 A JPH03112887 A JP H03112887A JP 24864089 A JP24864089 A JP 24864089A JP 24864089 A JP24864089 A JP 24864089A JP H03112887 A JPH03112887 A JP H03112887A
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- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 4
- 241000238557 Decapoda Species 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 solutes Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は縦型ディッピング法による液相エピタキシャル
成長方法に関するものである。
成長方法に関するものである。
（従来の技術）
縦型ディッピング法による液相エピタキシャル成長方法
は量産性にすぐれた結晶成長方法である。
は量産性にすぐれた結晶成長方法である。
第１図はこのような縦型ディッピング法にょる液相エピ
タキシャル成長方法の説明図である。カセッ） （１）
にはそれぞれ基板保持具（ｌりに保持された基板（ｌＯ
）の複数枚が縦方向に配列され収納されている。カセッ
ト（１）の下方の原料溶液溜（４）には溶媒、溶質、ド
ーパント等の成長用原料を加熱溶融した原料溶液（３）
が入れられている。カセット（１）を降下させると、カ
セット下部に形成した導入、排出孔（２）がら原料溶液
（３）がカセット（り内に導入され、この状態で原料溶
液を徐冷することにより、基板（１θ）上にエピタキシ
ャル膜が成長する。成長終了後、再びカセット（１）を
引上げると、原料溶液（３）は導入、排出孔（２）を通
して排出される。
タキシャル成長方法の説明図である。カセッ） （１）
にはそれぞれ基板保持具（ｌりに保持された基板（ｌＯ
）の複数枚が縦方向に配列され収納されている。カセッ
ト（１）の下方の原料溶液溜（４）には溶媒、溶質、ド
ーパント等の成長用原料を加熱溶融した原料溶液（３）
が入れられている。カセット（１）を降下させると、カ
セット下部に形成した導入、排出孔（２）がら原料溶液
（３）がカセット（り内に導入され、この状態で原料溶
液を徐冷することにより、基板（１θ）上にエピタキシ
ャル膜が成長する。成長終了後、再びカセット（１）を
引上げると、原料溶液（３）は導入、排出孔（２）を通
して排出される。
（解決しようとする課題）
上述した液相エピタキシャル成長方法において、基板（
１０）を水平に保持すると、原料溶液排出時に原料溶液
（３）が基板（１０）上に残存し、この状態で冷却する
とエビ表面は著しく劣化し、使用出来なくなる。一方、
基板（ｌＯ）を傾斜させて位置させると、原料溶液（３
）は完全に排出され、エピタキシャル膜表面は平坦な良
質の而が得られるが、成長中に基板（１０）の傾き方向
にエピタキシャル膜の厚さ分布を生ずるという問題点が
あった。
１０）を水平に保持すると、原料溶液排出時に原料溶液
（３）が基板（１０）上に残存し、この状態で冷却する
とエビ表面は著しく劣化し、使用出来なくなる。一方、
基板（ｌＯ）を傾斜させて位置させると、原料溶液（３
）は完全に排出され、エピタキシャル膜表面は平坦な良
質の而が得られるが、成長中に基板（１０）の傾き方向
にエピタキシャル膜の厚さ分布を生ずるという問題点が
あった。
（課題を解決するための手段）
本発明は上述の問題点を解消した液相エピタキシャル成
長方法を提供するもので、その特徴は、前述のディッピ
ング法によるエピタキシャル成長方法において、複数の
基板を収容したカセット内に基板角度調整治具を配置し
、該治具の操作によりエピタキシャル結晶成長中と原料
溶液排出中で基板を異なる角度に傾斜させることにある
。
長方法を提供するもので、その特徴は、前述のディッピ
ング法によるエピタキシャル成長方法において、複数の
基板を収容したカセット内に基板角度調整治具を配置し
、該治具の操作によりエピタキシャル結晶成長中と原料
溶液排出中で基板を異なる角度に傾斜させることにある
。
（作用）
本発明のエピタキシャル成長方法においては、エピタキ
シャル結晶成長中は基板を水平状態に保持し、原料溶液
排出中は基板角度調整治具を操作して基板を傾斜させて
保持する。
シャル結晶成長中は基板を水平状態に保持し、原料溶液
排出中は基板角度調整治具を操作して基板を傾斜させて
保持する。
基板を水平状態に保持して成長を行なうことにより、厚
さの均一なエピタキシャル膜成長を行すうことが出来、
又溶液排出時に基板を傾けることにより、溶液を略完全
に除去することが出来、基板表面に残留しないため、良
質の表面状態を得ることが出来る。
さの均一なエピタキシャル膜成長を行すうことが出来、
又溶液排出時に基板を傾けることにより、溶液を略完全
に除去することが出来、基板表面に残留しないため、良
質の表面状態を得ることが出来る。
（実施例）
第２図及び第３図はいずれも本発明のエピタキシャル成
長方法におけるカセットの縦断面図で、第２図は基板を
水平状態に位置せしめた状態図、第３図は基板を傾けた
状態図である。なお、（５）は基板角度調整治具である
。
長方法におけるカセットの縦断面図で、第２図は基板を
水平状態に位置せしめた状態図、第３図は基板を傾けた
状態図である。なお、（５）は基板角度調整治具である
。
第２図及び第３図に示すカセット（１）によりＧａＡｓ
基板（ｌＯ）上にアンドープＡＩＧａＡｓｒ−ピタキシ
アル膜の成長を行なった。ＧａＡｓ基板（１０）として
は直径５０ ＊＊＊の亜鉛ドープ（＋００）ウェハを用
いた。基板角度調整治具（５）は高純度カーボン環の棒
状治具を用いた。
基板（ｌＯ）上にアンドープＡＩＧａＡｓｒ−ピタキシ
アル膜の成長を行なった。ＧａＡｓ基板（１０）として
は直径５０ ＊＊＊の亜鉛ドープ（＋００）ウェハを用
いた。基板角度調整治具（５）は高純度カーボン環の棒
状治具を用いた。
まず、第２図に示すように、カセット（１）内に基板保
持具（１１）に保持された基板（１０）を水平に６枚セ
ットし、原料溶液溜（４）（第１図参照）にはＧａ８０
０ｇ１ＡＩ３０３［ｉ鰭、ＧａＡｓ多結晶２４ｇの原料
溶液（３）をチャージした。上記原料溶液（３）を９０
０℃まで昇温した後、カセット（１）を降下させて原料
溶液（３）に浸漬し、所定の時間徐冷して基板（１０）
にエピタキシャル膜成長を終了させた。その後、カセッ
ト（１）内に挿入しである高純度カーボン環の棒状の基
板角度調整治具（５）を第３図のように上方に移動させ
、基板（１０）を水平状態から７度傾けた後、カセット
（１）を上方に引き上げ溶液の排出を行なった。
持具（１１）に保持された基板（１０）を水平に６枚セ
ットし、原料溶液溜（４）（第１図参照）にはＧａ８０
０ｇ１ＡＩ３０３［ｉ鰭、ＧａＡｓ多結晶２４ｇの原料
溶液（３）をチャージした。上記原料溶液（３）を９０
０℃まで昇温した後、カセット（１）を降下させて原料
溶液（３）に浸漬し、所定の時間徐冷して基板（１０）
にエピタキシャル膜成長を終了させた。その後、カセッ
ト（１）内に挿入しである高純度カーボン環の棒状の基
板角度調整治具（５）を第３図のように上方に移動させ
、基板（１０）を水平状態から７度傾けた後、カセット
（１）を上方に引き上げ溶液の排出を行なった。
全工程基板を水平位置に保持した場合と、全工程中基板
を７度傾けて位置せしめた場合との比較の形で、本成長
の結果を第１表に示す。
を７度傾けて位置せしめた場合との比較の形で、本成長
の結果を第１表に示す。
第 １ 表
（発明の効果）
以上説明したように本発明の液相エピタキシャル成長方
法によれば、高品質のエピタキシャル膜を高歩留で成長
させることが可能となる。
法によれば、高品質のエピタキシャル膜を高歩留で成長
させることが可能となる。
第１図は縦型ディッピング法による液相エピタキシャル
成長方法の説明図である。 第２図及び第３図はいずれも本発明のエピタキシャル成
長方法におけるカセットの縦断面図で、第２図は基板を
水平状態に位置せしめた状態図、第３図は基板を傾けて
位置せしめた状態図である。 ■・・・基板、２・・・導入、排出孔、３・・・原料溶
液、４・・・原料溶液溜、５・・・基板角度調整治具、
ＩＯ・・・基板、１１・・・基板保持具。
成長方法の説明図である。 第２図及び第３図はいずれも本発明のエピタキシャル成
長方法におけるカセットの縦断面図で、第２図は基板を
水平状態に位置せしめた状態図、第３図は基板を傾けて
位置せしめた状態図である。 ■・・・基板、２・・・導入、排出孔、３・・・原料溶
液、４・・・原料溶液溜、５・・・基板角度調整治具、
ＩＯ・・・基板、１１・・・基板保持具。
Claims (1)
- （１）複数の基板を収容したカセットを原料溶液中に浸
漬し、上記カセットに形成した導入、排出孔からカセッ
ト内に原料溶液を導入して基板上にエピタキシャル結晶
層を成長させた後、前記カセットを引上げて導入、排出
孔から原料溶液を排出する液相エピタキシャル成長方法
において、前記カセット内に基板角度調整治具を配置し
、該治具を用いてエピタキシャル結晶層成長中と原料溶
液排出中で基板を異なった角度に傾斜させることを特徴
とする液相エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24864089A JPH03112887A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 液相エピタキシァル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24864089A JPH03112887A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 液相エピタキシァル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03112887A true JPH03112887A (ja) | 1991-05-14 |
Family
ID=17181121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24864089A Pending JPH03112887A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 液相エピタキシァル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03112887A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006176369A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Kobe Steel Ltd | 高圧液相エピタキシャル成長装置 |
-
1989
- 1989-09-25 JP JP24864089A patent/JPH03112887A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006176369A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Kobe Steel Ltd | 高圧液相エピタキシャル成長装置 |
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