JPH0355886A - ｐ―ｎ接合を有する立方晶窒化ほう素半導体の製造法 - Google Patents
ｐ―ｎ接合を有する立方晶窒化ほう素半導体の製造法Info
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- JPH0355886A JPH0355886A JP1191903A JP19190389A JPH0355886A JP H0355886 A JPH0355886 A JP H0355886A JP 1191903 A JP1191903 A JP 1191903A JP 19190389 A JP19190389 A JP 19190389A JP H0355886 A JPH0355886 A JP H0355886A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 14
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 14
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 14
- 230000009036 growth inhibition Effects 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 4
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 3
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 240000000233 Melia azedarach Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- -1 stearic acid Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/06—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
- B01J3/062—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies characterised by the composition of the materials to be processed
-
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
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- B01J2203/066—Boronitrides
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- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発鴫は発光ダイオード、特に紫外光を出す発光ダイオ
ード等に使用されるｐ−ｎ接合を有する立方晶窒化ほう
素（以下ｃ−ＢＮという）半導体の製造法に関する。
ード等に使用されるｐ−ｎ接合を有する立方晶窒化ほう
素（以下ｃ−ＢＮという）半導体の製造法に関する。
［従来の技術］
ｃ−ＢＮは六方晶窒化ほう素（以下ｈ−ＢＮという）を
触媒の存在下、ｃ−ＢＮの熱力学的安定領域である高温
高圧処理することにより製造される。
触媒の存在下、ｃ−ＢＮの熱力学的安定領域である高温
高圧処理することにより製造される。
近年ｃ−ＢＮの優れた半導体特性、特にエネルギーバン
ドギャップが６．４ｅＶ以上と非常に広く、また適当な
不純物を添加することでｐ型、ｎ型の両方が容易に得ら
れることからｐ−ｎ接合させて発光ダイオード素子材料
及び耐高温半導体等の応用が試みられている（無機材研
二ユース第１１０号．昭和６３年６月．特開昭６３ −
２７４！２９）。
ドギャップが６．４ｅＶ以上と非常に広く、また適当な
不純物を添加することでｐ型、ｎ型の両方が容易に得ら
れることからｐ−ｎ接合させて発光ダイオード素子材料
及び耐高温半導体等の応用が試みられている（無機材研
二ユース第１１０号．昭和６３年６月．特開昭６３ −
２７４！２９）。
従来発光ダイオードとしては主としてＧａＰ，ＧａＡｓ
等が実用化されている。
等が実用化されている。
［発明が解決しようとする課題］
ＧａＰやＧａＡｓ発光ダイオードは赤外、赤、緑程度迄
に限られており、その整流作用は２５０”Ｃ以下であり
、シリコン半導体では１５０℃以下である。
に限られており、その整流作用は２５０”Ｃ以下であり
、シリコン半導体では１５０℃以下である。
ｃ−ＢＮ半導体はさらに高温で整流作用があり、エネル
ギーバンドギャップが大きいことから紫外光の発光が可
能である。
ギーバンドギャップが大きいことから紫外光の発光が可
能である。
電気素子として使用するには大型のｃ−ＢＮ単結晶が必
要であるが、ｃ−ＢＮ単結晶はＧａＰやＧａＡｓのよう
に大きなものを簡単につくることはできない。
要であるが、ｃ−ＢＮ単結晶はＧａＰやＧａＡｓのよう
に大きなものを簡単につくることはできない。
現在大型のｃ−ＢＮ単結晶を得る方法としてｈ−ＢＮ（
又はｃ−ＢＮ微粉）、ｃ−ＢＮ合成触媒（以下単に触媒
ということもある。）、Ｃ−ＢＮシードを順に層状に配
置し、ｈ−ＢＮ側を高温にし、ｃ−ＢＮシード側を低温
にする温度勾配をつけて高温高圧処理し、ｈ−ＢＮ （
またＣ一ＢＮ微粉）を溶融触媒中に溶かし、シード上に
ｃ−ＢＮを析出させるいわゆる温度差法が知られている
。この他本発明者らが発明した炭素源を添加したｈ−Ｂ
Ｎ層と触媒層を積層して大型板状のｃ−ＢＮ結晶を得る
方法がある（特願平１−５１８７８）。
又はｃ−ＢＮ微粉）、ｃ−ＢＮ合成触媒（以下単に触媒
ということもある。）、Ｃ−ＢＮシードを順に層状に配
置し、ｈ−ＢＮ側を高温にし、ｃ−ＢＮシード側を低温
にする温度勾配をつけて高温高圧処理し、ｈ−ＢＮ （
またＣ一ＢＮ微粉）を溶融触媒中に溶かし、シード上に
ｃ−ＢＮを析出させるいわゆる温度差法が知られている
。この他本発明者らが発明した炭素源を添加したｈ−Ｂ
Ｎ層と触媒層を積層して大型板状のｃ−ＢＮ結晶を得る
方法がある（特願平１−５１８７８）。
ｃ−ＢＮのｐ−ｎ接合をつくるにはｐ型又はｎ型のｃ−
ＢＮ半導体結晶とこれとは異なる型のドープを添加した
ｃ−ＢＮ合成原料及び触媒を超高圧装置に装填し、前記
半導体結晶上に新たにｃ−ＢＮ半導体結晶を成長させて
いる。この場合必然的に予じめ配置したｃ−ＢＮ半導体
結晶の表面すべてにｃ−ＢＮが析出する。従って、これ
をｐ−ｎ接合の発光ダイオードとして使用するには一方
の面を削り取らねばならない。しかしＣ−ＢＮは硬いの
で削り取るのは容易でない。
ＢＮ半導体結晶とこれとは異なる型のドープを添加した
ｃ−ＢＮ合成原料及び触媒を超高圧装置に装填し、前記
半導体結晶上に新たにｃ−ＢＮ半導体結晶を成長させて
いる。この場合必然的に予じめ配置したｃ−ＢＮ半導体
結晶の表面すべてにｃ−ＢＮが析出する。従って、これ
をｐ−ｎ接合の発光ダイオードとして使用するには一方
の面を削り取らねばならない。しかしＣ−ＢＮは硬いの
で削り取るのは容易でない。
本発明は直接ｐ−ｎ接合を有するｃ−ＢＮ半導体結晶の
製造を可能とし、さらに望ましくは板状のｃ−ＢＮでｐ
−ｎ接合をつくることを目的とする。
製造を可能とし、さらに望ましくは板状のｃ−ＢＮでｐ
−ｎ接合をつくることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明はｐ型又はｎ型のｃ−ＢＮ半導体結晶基体を用い
、この基体の１部、例えば基体が板状である場合はその
片面にｃ−ＢＮ結晶成長阻害層を設け、この基体とｈ−
ＢＮ，触媒及び前記と異なる型のドープ剤とを混合、あ
るいは積層等で超高圧装置に装填し、ｃ−ＢＮの熱力学
的安定領域の高温、高圧下におき、前記結晶成長阻害層
のない面に前記ドープ剤を含むｃ−ＢＮ半導体結晶を成
長させてｐ−ｎ接合を行なう方広である。
、この基体の１部、例えば基体が板状である場合はその
片面にｃ−ＢＮ結晶成長阻害層を設け、この基体とｈ−
ＢＮ，触媒及び前記と異なる型のドープ剤とを混合、あ
るいは積層等で超高圧装置に装填し、ｃ−ＢＮの熱力学
的安定領域の高温、高圧下におき、前記結晶成長阻害層
のない面に前記ドープ剤を含むｃ−ＢＮ半導体結晶を成
長させてｐ−ｎ接合を行なう方広である。
ｐ型又はｎ型のｃ−ＢＮ半導体はｈ−ＢＮと触媒及びド
ープ剤、例えばｐ型の場合は１％（重量％以下同じ）程
度のＢｅ，ｎ型の場合は５％程度のＳｌを混合し、超゛
高圧、高温下で合威される。
ープ剤、例えばｐ型の場合は１％（重量％以下同じ）程
度のＢｅ，ｎ型の場合は５％程度のＳｌを混合し、超゛
高圧、高温下で合威される。
これによって、Ｂｅ ５０（ｆ 〜２０００ｐｐｍ，
Ｓ ｉ ５００ 〜２０００ｐｐａ＋程度ドープする。
Ｓ ｉ ５００ 〜２０００ｐｐａ＋程度ドープする。
基体の形状は望ましくは板状のｃ−ＢＮである。これは
ｈ−ＢＮに少量のＣ源を添加したものを層状に成形し、
別に触媒を層状に成形し、これらの層状物を交互に積層
し、超高圧、高温下で合成することにより得られる（特
願平ｒ−５１８７８）。Ｃ源としてはステアリン酸等の
脂肪酸、メラミン、尿素等の有機物、炭素粉末等が用い
られる。触媒はいずれの場合もＬｌ，Ｎａ等のアルカリ
、これらの窒化物（ＬｉａＮ等）、Ｃａ，Ｓｒ．Ｍｇ等
のアルカリ土類、これらの窒化物（Ｃａ３Ｎ３等）、複
窒化物（Ｃａ３ＢＮ２，ＬｔＣａＢＮ ＬｉＢａＢ
Ｎ２等）等が使用さ２ ゛ れる。これに水素化アルカリ等を混合することが好まし
い。圧力、温度はｃ−ＢＮの熱力学的安定領域であるが
特に４０〜６０ｋｂ， １２００〜１６００℃が適する
。
ｈ−ＢＮに少量のＣ源を添加したものを層状に成形し、
別に触媒を層状に成形し、これらの層状物を交互に積層
し、超高圧、高温下で合成することにより得られる（特
願平ｒ−５１８７８）。Ｃ源としてはステアリン酸等の
脂肪酸、メラミン、尿素等の有機物、炭素粉末等が用い
られる。触媒はいずれの場合もＬｌ，Ｎａ等のアルカリ
、これらの窒化物（ＬｉａＮ等）、Ｃａ，Ｓｒ．Ｍｇ等
のアルカリ土類、これらの窒化物（Ｃａ３Ｎ３等）、複
窒化物（Ｃａ３ＢＮ２，ＬｔＣａＢＮ ＬｉＢａＢ
Ｎ２等）等が使用さ２ ゛ れる。これに水素化アルカリ等を混合することが好まし
い。圧力、温度はｃ−ＢＮの熱力学的安定領域であるが
特に４０〜６０ｋｂ， １２００〜１６００℃が適する
。
板状ｃ−ＢＮは結晶が（１１１）面より主として構成さ
れ、合成された状態ではその形状が六角形をなしている
。板状比は２〜２０程度で大きさは５００〜ｌ０００−
のものが多い。本発明では六角形のまま用いてもよいが
任意の形に加工してもよい。
れ、合成された状態ではその形状が六角形をなしている
。板状比は２〜２０程度で大きさは５００〜ｌ０００−
のものが多い。本発明では六角形のまま用いてもよいが
任意の形に加工してもよい。
この板状のｃ−ＢＮが基体として望ましいが、その他の
形状のものも本発明の適用が可能である。
形状のものも本発明の適用が可能である。
このｃ−ＢＮ基体の１部、例えば板状の片面にｃ−ＢＮ
結晶成長阻害層を設ける。それには例えば基体を一層敷
き、これに上方からスバッター溶射等により金属の膜を
つける。阻害層の材質としてはｃ−ＢＮ合成温度で溶融
しないもので、金属ならＺｒ，Ｍｏ等が望ましい。その
他阻害層を設ける方法として板状のｃ−ＢＮをステンレ
ス板上に接着剤を用いて固定し、空気中で４００℃以上
の温度で熱処理する。これによってｃ−ＢＮの表面に８
２０３を主体とした酸化皮膜が形成される。
結晶成長阻害層を設ける。それには例えば基体を一層敷
き、これに上方からスバッター溶射等により金属の膜を
つける。阻害層の材質としてはｃ−ＢＮ合成温度で溶融
しないもので、金属ならＺｒ，Ｍｏ等が望ましい。その
他阻害層を設ける方法として板状のｃ−ＢＮをステンレ
ス板上に接着剤を用いて固定し、空気中で４００℃以上
の温度で熱処理する。これによってｃ−ＢＮの表面に８
２０３を主体とした酸化皮膜が形成される。
この皮膜は薄くても効果があり、この面にはＣーＢＮは
成長しない。熱処理によって接着剤は炭化し、ｃ−ＢＮ
はステンレス板から離れる。Ｃ−ＢＮは炭化物が付着し
ていても次のｃ−ＢＮの合成中に除去され、その面だけ
にｃ−ＢＮが成長する。
成長しない。熱処理によって接着剤は炭化し、ｃ−ＢＮ
はステンレス板から離れる。Ｃ−ＢＮは炭化物が付着し
ていても次のｃ−ＢＮの合成中に除去され、その面だけ
にｃ−ＢＮが成長する。
このｃ−ＢＮ基体を用いてｐ−ｎ接合を行なう。
それにはｃ−ＢＮ基体、ｈ−ＢＮ，触媒及び基体のドー
プ剤と異なるドープ剤を混合するが、或いは触媒を層状
にし、別にｈ−ＢＮとｃ−ＢＮの混合物を層状にし、こ
れらを積層して超高圧装置に装填し、ｃ−ＢＮ合成を行
なう。ドープ剤はいずれかの層中に含有させておく。合
成条件は前記の場合と同様である。
プ剤と異なるドープ剤を混合するが、或いは触媒を層状
にし、別にｈ−ＢＮとｃ−ＢＮの混合物を層状にし、こ
れらを積層して超高圧装置に装填し、ｃ−ＢＮ合成を行
なう。ドープ剤はいずれかの層中に含有させておく。合
成条件は前記の場合と同様である。
この合成によってｃ−ＢＮの結晶成長阻害層のない面に
ｃ−ＢＮ結晶が成長し、そこにｐ−ｎ接合が生じる。
ｃ−ＢＮ結晶が成長し、そこにｐ−ｎ接合が生じる。
合成後にこの結晶成長阻害層を除去する。阻害層が金属
の場合は酸、例えば王水によって溶解除去する。８ ２
０ ａの場合は簡単に水洗によって除去できる。
の場合は酸、例えば王水によって溶解除去する。８ ２
０ ａの場合は簡単に水洗によって除去できる。
［作 用］
ｃ−ＢＮの生成は種子があればそれを核として優先的に
起るが、本発明ではｃ−ＢＮの基体が核と同様の作用を
し、結晶成長阻害層のない面で成長が起る。従って板状
のｃ−ＢＮを用いれば板状のｐ−ｎ接合体が得られる。
起るが、本発明ではｃ−ＢＮの基体が核と同様の作用を
し、結晶成長阻害層のない面で成長が起る。従って板状
のｃ−ＢＮを用いれば板状のｐ−ｎ接合体が得られる。
そして結晶成長阻害層を設けた面にはｃ−ＢＮは成長し
ない。これによって表面のｐ型又はｎ型の研摩除去の工
程を要せずしてｐ−ｎ接合が得られる。
ない。これによって表面のｐ型又はｎ型の研摩除去の工
程を要せずしてｐ−ｎ接合が得られる。
［実施例１］
ｈ−ＢＮ（昭和電工製ＵＨＰ−１：粒度・平均粒度６〜
８−、純度９９．６％、Ｂ２０３０．３％）１００部（
重量部以下同じ）にＣ源としてステアリン酸（ＣＨ
（ＣＨ２） １Ｂ（ＣＯＯＨ））１部３ を添加混合し、成形した。次にｃ−ＢＮ合成触媒として
ＬｉＣａＢＮ２１００部に水素化アルカリを１０部、Ｂ
ｅを１部添加混合して或形した。その後ｈ−ＢＮ成形体
とｃ−ＢＮ合成触媒成形体とを積層した試料を約５０ｋ
ｂ，約１５００℃の条件下で処理することにより、板状
で濃青色のｐ型のｃ−ＢＮ結晶を成長させることができ
た。大きさ約７５０−、厚さ約１５０−である。
８−、純度９９．６％、Ｂ２０３０．３％）１００部（
重量部以下同じ）にＣ源としてステアリン酸（ＣＨ
（ＣＨ２） １Ｂ（ＣＯＯＨ））１部３ を添加混合し、成形した。次にｃ−ＢＮ合成触媒として
ＬｉＣａＢＮ２１００部に水素化アルカリを１０部、Ｂ
ｅを１部添加混合して或形した。その後ｈ−ＢＮ成形体
とｃ−ＢＮ合成触媒成形体とを積層した試料を約５０ｋ
ｂ，約１５００℃の条件下で処理することにより、板状
で濃青色のｐ型のｃ−ＢＮ結晶を成長させることができ
た。大きさ約７５０−、厚さ約１５０−である。
得られたｐ型のｃ−ＢＮ結晶をスパッタリング装置を用
いて、表面にＭｏを成膜させた。Ｍｏの膜は、数千人程
度であった。
いて、表面にＭｏを成膜させた。Ｍｏの膜は、数千人程
度であった。
続いて、ｈ−ＢＮＩＯＯ部にＣ源としてステアリン酸１
部と、前記金属被膜をほどこしたｐ型のｃ−ＢＮ粒子０
．１部を加え混合或形する。次にｃ−ＢＮ合成触媒とし
て、ＬｉＣａＢＮ２１００部に水素化アルカリを｛Ｏ部
、Ｓ１を５部添加混合して成形する。両者を積層してｐ
型のｃ−ＢＮ粒子を戊長させた方法でｎ型を薄く成長さ
せた。その結果ｎ型は、金属被膜のない面のみ成長が認
められた。ｎ型の厚さは５０一である。
部と、前記金属被膜をほどこしたｐ型のｃ−ＢＮ粒子０
．１部を加え混合或形する。次にｃ−ＢＮ合成触媒とし
て、ＬｉＣａＢＮ２１００部に水素化アルカリを｛Ｏ部
、Ｓ１を５部添加混合して成形する。両者を積層してｐ
型のｃ−ＢＮ粒子を戊長させた方法でｎ型を薄く成長さ
せた。その結果ｎ型は、金属被膜のない面のみ成長が認
められた。ｎ型の厚さは５０一である。
合成後得られたｐ−ｎ接合は、単結晶のｐ型の上にｎ型
がエビタキシャルに成長したものであった。このものの
Ｂｅは１３００ｐｐｍ． Ｓ １は１５００ｐｐｍであ
る。
がエビタキシャルに成長したものであった。このものの
Ｂｅは１３００ｐｐｍ． Ｓ １は１５００ｐｐｍであ
る。
この結晶をＨ２Ｓ０４で酸洗した後、ｐ型、ｎ型のそれ
ぞれに電極を設けて、電圧（Ｖ）一電流（Ｉ）測定を行
なったところ、整流特性が得られ、ｐ−ｎ接合ができて
いることが確認された。
ぞれに電極を設けて、電圧（Ｖ）一電流（Ｉ）測定を行
なったところ、整流特性が得られ、ｐ−ｎ接合ができて
いることが確認された。
［実施例２］
まず、実施例１と同一条件でｐ型のｃ−ＢＮ結晶を成長
させる。得られたｐ型のｃ−ＢＮ結晶をステンレス板の
上へ市販の接着剤を用いて固定する。この際後の戊長を
考慮して、接着剤はなるべく薄く付けるのが好ましい。
させる。得られたｐ型のｃ−ＢＮ結晶をステンレス板の
上へ市販の接着剤を用いて固定する。この際後の戊長を
考慮して、接着剤はなるべく薄く付けるのが好ましい。
この後、このステンレスの板ごと４００℃の温度で酸素
雰囲気中で熱処理を行なう。熱処理後ｃ−ＢＮ結晶を光
学顕微鏡で観察すると、酸化された表面は、Ｂ２０３を
主体とした酸化被膜により白っぽくなっていた。
雰囲気中で熱処理を行なう。熱処理後ｃ−ＢＮ結晶を光
学顕微鏡で観察すると、酸化された表面は、Ｂ２０３を
主体とした酸化被膜により白っぽくなっていた。
続いて、ｈ−ＢＮＩＯＯ部にこの酸化処理をほどこした
ｐ型のｃ−ＢＮ粒子０．１部を加え混合し、実施例１と
同一条件でｎ型を薄く成長させた。その結果ｎ型は酸化
被膜のない面のみ成長が認められた。
ｐ型のｃ−ＢＮ粒子０．１部を加え混合し、実施例１と
同一条件でｎ型を薄く成長させた。その結果ｎ型は酸化
被膜のない面のみ成長が認められた。
この結晶を、ｐ型，ｎ型のそれぞれに電極を設けて電圧
（Ｖ）一電流（１）測定を行なったところ、整流特性が
得られ、ｐ−ｎ接合ができていることが確認された。
（Ｖ）一電流（１）測定を行なったところ、整流特性が
得られ、ｐ−ｎ接合ができていることが確認された。
［効 果］
以上により、立方品窒化ほう素のｐ−ｎ接合結晶を得る
際、最初からｐ， ｎのそれぞれの端面が出ているた
め、ダイヤモンドによる研摩加工工程が不要となり、合
成後直接電極を付けることが可能となる。
際、最初からｐ， ｎのそれぞれの端面が出ているた
め、ダイヤモンドによる研摩加工工程が不要となり、合
成後直接電極を付けることが可能となる。
Claims (1)
- ｐ型又はｎ型の立方晶窒化ほう素半導体結晶の基体の
１部の面に立方晶窒化ほう素結晶成長阻害層を設け、該
基体、六方晶窒化ほう素、立方晶窒化ほう素合成触媒及
び前記と異なる型のドープ剤とを超高圧装置に装填し、
立方晶窒化ほう素の熱力学的安定領域下におくことによ
り、前記基体の結晶成長阻害層のない面に前記ドープ剤
を含む立方晶窒化ほう素半導体結晶を成長させることを
特徴とするｐ−ｎ接合を有する立方晶窒化ほう素半導体
の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19190389A JP2747044B2 (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | ｐ―ｎ接合を有する立方晶窒化ほう素半導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19190389A JP2747044B2 (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | ｐ―ｎ接合を有する立方晶窒化ほう素半導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0355886A true JPH0355886A (ja) | 1991-03-11 |
| JP2747044B2 JP2747044B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=16282367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19190389A Expired - Fee Related JP2747044B2 (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | ｐ―ｎ接合を有する立方晶窒化ほう素半導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2747044B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002101840A1 (fr) * | 2001-06-06 | 2002-12-19 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Element semi-conducteur a base de nitrure du groupe iii et procede de fabrication associe |
| WO2004113451A1 (ja) * | 2003-06-20 | 2004-12-29 | Meiji Seika Kaisha, Ltd. | 難溶性物質と水溶性高分子との共沈物およびその製造方法 |
| CN109791876A (zh) * | 2016-05-12 | 2019-05-21 | 环球晶圆股份有限公司 | 在硅基电介质上直接形成六方氮化硼 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107293624B (zh) * | 2017-07-31 | 2019-07-09 | 河北工业大学 | 一种基于h-BN隧穿结为空穴注入层的发光二极管外延结构 |
-
1989
- 1989-07-25 JP JP19190389A patent/JP2747044B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US6875629B2 (en) | 2001-06-06 | 2005-04-05 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | III group nitride based semiconductor element and method for manufacture thereof |
| WO2004113451A1 (ja) * | 2003-06-20 | 2004-12-29 | Meiji Seika Kaisha, Ltd. | 難溶性物質と水溶性高分子との共沈物およびその製造方法 |
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| CN109791876B (zh) * | 2016-05-12 | 2023-08-15 | 环球晶圆股份有限公司 | 在硅基电介质上直接形成六方氮化硼 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2747044B2 (ja) | 1998-05-06 |
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