JPH0355070Y2 - - Google Patents

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JPH0355070Y2
JPH0355070Y2 JP7288684U JP7288684U JPH0355070Y2 JP H0355070 Y2 JPH0355070 Y2 JP H0355070Y2 JP 7288684 U JP7288684 U JP 7288684U JP 7288684 U JP7288684 U JP 7288684U JP H0355070 Y2 JPH0355070 Y2 JP H0355070Y2
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signal
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  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔考案の属する技術分野〕 本考案は、光を受けて光強度に応じたデイジタ
ル信号に変換する光パワーメータに関するもので
ある。
〔従来例による説明〕
第6図は光パワーメータの従来例の構成ブロツ
ク図である。
第6図において、1は光電変換器、2は演算増
幅器(以下、OPアンプとする)、3はサンプルホ
ールド回路、4はA/D変換器、5はデイジタル
回路例えばマイコン回路である。
光電変換器1は、例えばシリコンフオトダイオ
ードであり、光を受けて光強度に応じた電気信号
に変換する。
OPアンプ2の反転入力端子には抵抗rが接続
されている。また、OPアンプ2の反転入力端子
と出力端子の間の帰還回路には、抵抗r1〜roが並
列に接続されている。各抵抗r1〜roの並列回路に
は、スイツチS1〜Soが設けられている。OPアン
プ2は、光電変換器1からの電気信号を増幅す
る。スイツチS1〜Soを選択的に閉じることによつ
て、OPアンプ2のゲイン切換を行なう。
サンプルホールド回路3は、OPアンプ2の出
力信号値をホールドする。
A/D変換器4は、サンプルホールド回路3で
ホールドした信号をデイジタル信号に変換する。
マイコン回路5は、A/D変換器4から送られ
たデイジタル信号をもとにして演算を行ない、光
強度を求める。
しかし、このような光パワーメータでは、スイ
ツチS1〜Soの選択的開閉でゲイン切換を行なつて
いるため、抵抗r1〜roの抵抗値の誤差によつて、
測定信号に誤差が生じるという問題点があつた。
言また、A/D変換器4が設けられているため、
高価になるという問題点があつた。
〔考案の目的〕
本考案は上述したような問題点を除去するため
になされたものであり、ゲイン切換による誤差が
生じにくく、安価な光パワーメータを実現するこ
とを目的とする。
〔実施例による説明〕 第1図は本考案にかかる光パワーメータの一実
施例の構成ブロツク図である。第1図において、
第6図と同一のものは同一符号を付ける。以下、
図において同様とする。
第1図において、10は発振器、20はタイミ
ング信号発生回路、30は積分回路、40はカウ
ンタである。
発振器10は、一定周波数のクロツク信号fを
発生する。
タイミング信号発生回路20は、発振器10か
らのクロツク信号fを分周し、分周信号をもとに
してタイミング信号P1,P2と分周クロツク信号
Fを発生する。光パワーメータは、タイミング信
号P1と分周クロツク信号Fの変更によつてゲイ
ン切換が行なわれる。そして、これらの信号はタ
イミング信号発生回路20内のガイン切換回路か
ら発生される。ゲイン切換回路の具体的な構成に
ついては後述する。
積分回路30において、Aは増幅器であり、光
電変換器1からの電気信号を増幅する。
OPはOPアンプであり、帰還回路にコンデンサ
Cが設置されている。OPアンプOPとコンデンサ
Cにより積分器ICを構成している。OPアンプOP
は、増幅器Aの出力信号を積分する。
SW1およびR1はスイツチおよび抵抗であり、
増幅器Aの出力端子とOPアンプOPの反転入力端
子の間に接続されている。スイツチSW1は、タ
イミング信号P1により開閉される。
Vは基準電圧源であり、スイツチSW2および
抵抗R2を介してOPアンプOPの反転入力端子に
接続されている。
COMはコンパレータであり、OPアンプOPの
出力V1を基準値と比較して2値信号V2を出力す
る。
G1はアンドゲートであり、コンパレータ
COMの出力V2とタイミング信号P2の論理積V3
出力する。ゲートG1の出力信号V3によつてス
イツチSW2は開閉される。
G2はアンドゲートであり、ゲートG1の出力
信号V3と分周クロツク信号Fの論理積V4を出力
する。
カウンタ40は、ゲートG2の出力信号のクロ
ツク数をカウントする。このカウント数が光強度
に対応している。
次に、このような光パワーメータの動作につい
て説明する。
第2図は第1図の光パワーメータの動作説明用
のタイムチヤートである。
第2図において、aはタイミング信号P1、b
はOPアンプOPの出力信号V1、cはタイミング
信号P2、dはコンパレータCOMの出力信号V2
eはアンドゲートG1の出力信号V3、fは分周ク
ロツク信号F、gはアンドゲートG2の出力信号
V4のタイムチヤートである。
タイミング信号P1がHIGH状態になると、スイ
ツチSW1が閉じられてコンデンサCが充電され
る。この充電時間T1が積分器ICの積分時間であ
る。この時間内では、タイミング信号P2がLOW
状態で、カウンタ40にはクロツク信号は送られ
ない。
一方、タイミング信号P1がLOW状態になると、
スイツチSW1が開かれてコンデンサCが放電さ
れる。放電が開始されると、タイミング信号P2
がHIGH状態になり、しかもコンパレータCOM
の出力信号V2は充放電期間はHIGH状態にある
ことから、アンドゲートG1の出力信号V3
HIGH状態になる。これによつて、分周クロツク
信号FがアンドゲートG2を通過し、カウンタ4
0にはgに示すようなクロツクパルスV4が送ら
れる。また、放電期間はアンドゲートG1の出力
信号がHIGH状態になつていることから、スイツ
チSW2は閉じている。
ここで、コンデンサCの充電電流をiとする
と、充電期間でコンデンサCに充電される電荷Q
は、 Q=iT1 (1) となる。増幅器Aの出力電圧をviとすると、充電
電流iは、 i=vi/R (2) となり、(2)式を(1)式に代入すると、 Q=viT1/R1 (3) となる。また、この電荷Qを放電するのに要する
時間をt、このときの放電電流をi′とすると Q=i′t (4) となる。ここで、放電電流i′は、 i′=Vref/R2 (5) となる。ここで、Vrefは基準電圧源Vの供給電圧
である。(5)式を(4)式に代入すると、 Q=Vref/R2t (6) となる。(3)式と(6)式から、 t=vi/Vref・R2/R1・T1 (7) となる。また、発振器10が発生するクロツク信
号の周波数も、タイミング信号発生回路20が
発生する分周クロツク信号の周波数もFとする
と、T1∝1/,F∝となることから、T1
k1/,F=k2(k1,k2は定数)とすると、放
電時間tでアンドゲートG2を通過するクロツク
パルスの数Pcは、(7)式を用いて、 Pc=F・t =F・vi/Vref・R2/R1・T1 =k2・vi/Vref・R2/R1・k1/ =vi/Vref・R2/R1・k1k2 =vi/Vref・R2/R1・k (8) ここで、k=k1k2 となる。(8)式に示すように、パルス数Pcは入力信
号viに比例している。したがつて、パルス数Pc
カウンタ40でカウントすれば、入力信号の大き
さが求められる。
また、このような光パワーメータでは、測定レ
ンジを大きくとりたいときには、ゲイン切換を必
要とするが、このようなゲイン切換は次のように
して行なわれる。
第3図はゲイン切換回路の一例を示した構成ブ
ロツク図である。第3図で、Bに示す部分がゲイ
ン切換回路である。
第3図において、OP1はOPアンプであり、増
幅器Aの出力信号を増幅する。SHはサンプルホ
ールド回路であり、OPアンプOP1の出力値をホ
ールドする。
21は電圧判定回路であり、サンプルホールド
回路SHからの信号をもとにして測定レンジを選
択し、ゲイン切換信号J1,J2およびJ3を出力す
る。
22,23は分周器である。分周器22は、発
振器10からのクロツク信号fを周波数1の分周
クロツク信号に分周する。分周器23は、分周器
22からの分周クロツク信号を複数種類のクロツ
ク信号Q1,Q2およびQ3に変換する。
G2〜G6はアンドゲート、G7はオアゲートで
ある。アンドゲートG2は、クロツク信号Q1
Q2およびQ3の論理積を出力する。アンドゲート
G3は、クロツク信号Q2とQ3の論理積を出力す
る。アンドゲートG4は、アンドゲートG2の出
力とゲイン切換信号J1の論理積を出力する。アン
ドゲートG5は、アンドゲートG3とゲイン切換
信号J2の論理積を出力する。アンドゲートG6
は、クロツク信号Q3とゲイン切換信号J3の論理
積を出力する。オアゲートG7は、アンドゲート
G4,G5およびG6の出力の論理和を出力す
る。オアゲートG7の出力がタイミング信号P1
になる。
第4図は第3図のゲイン切換回路の動作説明用
のタイムチヤートである。
第4図において、aは分周クロツク信号f1
b,cおよびdはクロツク信号Q1、Q2およびQ3
e,fおよびgはゲイン切換信号J1,J2および
J3、hはタイミング信号P1のタイムチヤートであ
る。
第3図のゲイン切換回路では、積分時間をT2
にしたときには、ゲイン切換信号J1をHIGH状態
にして、クロツク信号Q1,Q2およびQ3の論理積
をとる。また、積分時間をT3にしたいときは、
ゲイン切換信号J2をHIGH状態にして、クロツク
信号Q2とQ3の論理積をとる。積分時間をT4にし
たいときには、ゲイン切換信号J3をHIGH状態に
して、クロツク信号Q3を利用する。
このようにして積分時間を変えることによつて
ゲイン切換を行なう。
このようにしてゲイン切換が行なわれる光パワ
ーメータは、測定レンジが広い測定器例えば放射
温度計等に用いることができる。
なお、実施例では積分時間を変えることによつ
てゲイン切換を行なう場合について説明したが、
これに限らず例えば分周クロツク信号Fを変える
ことによつてゲイン切換を行なうようにしてもよ
い。この場合は、ゲイン切換回路は第5図に示す
ような構成になる。
第5図において、G8〜G10はアンドゲー
ト、G11はオアゲートである。また、Bに示す
部分がゲイン切換回路である。
アンドゲートG8,G9およびG10は、ゲイ
ン切換信号J1とクロツク信号Q1、ゲイン切換信
号J2とクロツク信号Q2およびゲイン切換信号J3
クロツク信号Q3の論理積をそれぞれ出力する。
オアゲートG11は、アンドゲートG8,G9
およびG10の論理和を出力する。オアゲートG
11の出力が分周クロツク信号Fになる。
ゲイン切換信号J1,J2およびJ3、クロツク信号
Q1,Q2およびQ3のタイムチヤートは、第4図の
タイムチヤートと同様である。また、ゲイン切換
信号J1,J2およびJ3の発生回路は、第3図に示す
ゲイン切換回路と同じものである。
このようなゲイン切換回路では、ゲイン切換信
号J1,J2,J3のいずれかをHIGH状態にすること
によつて、クロツク信号Q1,Q2,Q3のいずれか
を分周クロツク信号Fとして得ることができる。
これによつて、アンドゲートG2を通過するク
ロツク信号の周波数が変わり、ゲインが切換えら
れる。
また、クロツク信号としてQ1,Q2,Q3の3種
類が設けられている場合について説明したが、ク
ロツク信号はこれ以外の数の種類だけ設けられて
いてもよい。
〔考案の効果〕 このような光パワーメータによれば、〜に
示すような効果が得られる。
分周器で分周したクロツク信号を用いてゲイ
ン切換を行なつているため、ゲイン切換による
誤差が生じにくい。
積分回路30により、光強度に応じたクロツ
ク数のクロツクパルス信号をカウンタ40に送
るようにしているため、A/D変換器が不要に
なつて安価になる。
カウンタ40に送るクロツクパルス数Pcを表
わす(8)式には周波数が含まれていないため、
測定値は、発振器10の周波数の変動の影響を
受けない。
回路が積分器ICを用いた積分型になつてい
るため、ノイズに強くなる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案にかかる光パワーメータの一実
施例の構成ブロツク図、第2図は第1図の光パワ
ーメータの動作説明用のタイムチヤート、第3図
は第1図の光パワーメータのゲイン切換回路の一
例を示した構成ブロツク図、第4図は第3図のゲ
イン切換回路の動作説明用のタイムチヤート、第
5図は第1図の光パワーメータのゲイン切換回路
の他の例を示した構成ブロツク図、第6図は光パ
ワーメータの従来例の構成ブロツク図である。 1……光電変換器、10……発振器、22,2
3……分周器、30……積分回路、40……カウ
ンタ、IC……積分器、B……ゲイン切換回路。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 光を受けて光強度に応じた電気信号に変換する
    光電変換器と、発振器からのクロツク信号を分周
    する分周器と、前記光電変換器からの信号を受け
    積分器を用いて光強度に応じたクロツク数のパル
    ス信号を前記分周器からカウンタに送る積分回路
    と、前記光電変換器で受けた光の強度に応じて前
    記分周器の分周周波数を変更してゲイン切換を行
    なうゲイン切換回路とを具備したことを特徴とす
    る光パワーメータ。
JP7288684U 1984-05-18 1984-05-18 光パワ−メ−タ Granted JPS60185235U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7288684U JPS60185235U (ja) 1984-05-18 1984-05-18 光パワ−メ−タ

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JP7288684U JPS60185235U (ja) 1984-05-18 1984-05-18 光パワ−メ−タ

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JPS60185235U JPS60185235U (ja) 1985-12-09
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US8334495B2 (en) * 2008-06-25 2012-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photometric device including a photoelectric conversion element for detecting illuminance of light

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