JPH0353407A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH0353407A JPH0353407A JP1187892A JP18789289A JPH0353407A JP H0353407 A JPH0353407 A JP H0353407A JP 1187892 A JP1187892 A JP 1187892A JP 18789289 A JP18789289 A JP 18789289A JP H0353407 A JPH0353407 A JP H0353407A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電率、絶縁抵抗及び絶縁破壊竜圧が高く、良
好度Ｑにすぐれ、かつ温度係数の小さい誘電体磁器紐成
物に関するものである。
好度Ｑにすぐれ、かつ温度係数の小さい誘電体磁器紐成
物に関するものである。
従来の技術
従来から誘電体磁器組威物として下記のような系が知ら
れている。
れている。
・Ｌａ２０３ ２ＴｉＯ２−ＣａＴｉ０３ ２ＭｇＯ
−Ｔｉ０２系 ・ＴｉＯｚ−ＢａＴｉＯ３ Ｂｉ２０３ Ｌａ２’３系
・Ｂ ａ Ｔ ｉ’０３系 ・ＳｒＴ’０３系 −ＣａＴｉＯ３系 ・Ｍ ｇ Ｔ ｉ ０３系 ・ＳｒＴｉ○３ ＣａＴｉ０３系 発明が解決しようとする課題 しかし、これらの一つの組成物が高い誘電率、小さい温
度係数、及びすぐれた良好度Ｑの全てを満足することは
不可能である。
−Ｔｉ０２系 ・ＴｉＯｚ−ＢａＴｉＯ３ Ｂｉ２０３ Ｌａ２’３系
・Ｂ ａ Ｔ ｉ’０３系 ・ＳｒＴ’０３系 −ＣａＴｉＯ３系 ・Ｍ ｇ Ｔ ｉ ０３系 ・ＳｒＴｉ○３ ＣａＴｉ０３系 発明が解決しようとする課題 しかし、これらの一つの組成物が高い誘電率、小さい温
度係数、及びすぐれた良好度Ｑの全てを満足することは
不可能である。
さらに、Ｂｉ２０３を含んでいるものは、積層セラミッ
クコンデンサの内部電極として、Ｐｄを用いることがで
きないという課題があった。
クコンデンサの内部電極として、Ｐｄを用いることがで
きないという課題があった。
本発明は誘電率、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧が高く、良
好度Ｑにすぐれ、かつ温度係数の小さい誘電体磁器を得
ることを目的とするものである。
好度Ｑにすぐれ、かつ温度係数の小さい誘電体磁器を得
ることを目的とするものである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明の誘電体磁器組戊物は
、一般式ｘＳｒＯ−ｙＣａＯ−ｚＴｉＯ２と表わした時
（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．ＯＯ）、ｘ，ｙ，ｚが以下
に表わす各点ａ，ｂ，ｃ，ｄで囲まれるモル比の範囲を
主成分とする組成物に対し、副成分としてＶ２０５０．
１〜５．０重量％を含有することを特徴とするものであ
る。
、一般式ｘＳｒＯ−ｙＣａＯ−ｚＴｉＯ２と表わした時
（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．ＯＯ）、ｘ，ｙ，ｚが以下
に表わす各点ａ，ｂ，ｃ，ｄで囲まれるモル比の範囲を
主成分とする組成物に対し、副成分としてＶ２０５０．
１〜５．０重量％を含有することを特徴とするものであ
る。
（以 下 余 白）
第１図は本発明にかかる組成物の主威分の組成範囲を示
す三角図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を図
を参照しながら説明する。ずなわち、Ａ領域とＣ領域で
は温度係数かー（マイナス）側に大きくなり過ぎて、実
用的でなくなる。
す三角図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を図
を参照しながら説明する。ずなわち、Ａ領域とＣ領域で
は温度係数かー（マイナス）側に大きくなり過ぎて、実
用的でなくなる。
また、Ｂ領域とＤ領域では焼結困難となり、誘電率、良
好度Ｑ、絶縁抵抗が低下する。
好度Ｑ、絶縁抵抗が低下する。
また、第２図（ａ）〜（ｅ）は第１図に示す主成分に対
し、副成分としてのＶ２Ｏ．含有の効果を示すグラフで
あり、ｖ２ｏ５含有範囲を限定した理由をグラフを参照
しながら説明する。第２図（ａ）〜（ｅ）に示すように
Ｖ２０Ｓを含有することにより、絶縁破壊電圧が増大す
る効果を有し、その含有量が主成分に対し０．１重量％
未満では含有効果がなく、一方５．０重量％を超えると
良好度Ｑが低下し、温度係数がー（マイナス）側に大き
くなり、実用的でなくなる。さらに、本発明は上記主成
分と副威分に対し、マンガン，クロム，鉄，ニッケル，
コバルト及びケイ素の酸化物からなる群の中から選ばれ
た少なくともｌｆｉ類を、それぞれＭｎ０２，Ｃｒ２０
２，Ｆｅｄ，Ｎｉｐ，Ｃ００，及びＳｉ０３に換算して
、上記主戒分の０．０５〜１．００重量％添加せしめた
構成とすることができる。これらの添加物は、磁器の焼
結性を向上させる効果を有しているが、その添加量が０
．０５重量％未満では添加効果はなく、一方１．００重
量％を超えると誘電率が低下する。
し、副成分としてのＶ２Ｏ．含有の効果を示すグラフで
あり、ｖ２ｏ５含有範囲を限定した理由をグラフを参照
しながら説明する。第２図（ａ）〜（ｅ）に示すように
Ｖ２０Ｓを含有することにより、絶縁破壊電圧が増大す
る効果を有し、その含有量が主成分に対し０．１重量％
未満では含有効果がなく、一方５．０重量％を超えると
良好度Ｑが低下し、温度係数がー（マイナス）側に大き
くなり、実用的でなくなる。さらに、本発明は上記主成
分と副威分に対し、マンガン，クロム，鉄，ニッケル，
コバルト及びケイ素の酸化物からなる群の中から選ばれ
た少なくともｌｆｉ類を、それぞれＭｎ０２，Ｃｒ２０
２，Ｆｅｄ，Ｎｉｐ，Ｃ００，及びＳｉ０３に換算して
、上記主戒分の０．０５〜１．００重量％添加せしめた
構成とすることができる。これらの添加物は、磁器の焼
結性を向上させる効果を有しているが、その添加量が０
．０５重量％未満では添加効果はなく、一方１．００重
量％を超えると誘電率が低下する。
作用
本発明の誘電体磁器組成物により、誘電率、絶縁抵抗及
び絶縁破壊電圧が高く、良好度Ｑにすぐれ、かつ温度係
数の小さい誘電体磁器組成物を得ることができる。
び絶縁破壊電圧が高く、良好度Ｑにすぐれ、かつ温度係
数の小さい誘電体磁器組成物を得ることができる。
実施例
以下、本発明を具体的実施例により説明する。
（実施例ｌ）
出発原料には化学的に高純度のＳｒＣ（ｈ，ＣａＣＯ３
，ＴｉＯｚ，Ｚｒ０２及びＶ２０５粉末を下記の第１表
に示す組成になるように秤量し、めのうボールを備えた
ゴム内張りしたボールミルに純水とともに入れ、２０時
間、湿式混合した。次いで、この混合物を脱水乾燥後、
１１００℃で２時間仮焼成した。次に、粗粉砕後、再度
、めのうボールを備えたゴム内張りしたボールミルに純
水とともに入れ、２０時間、湿式粉砕を行った。次いで
、この粉砕物を脱水乾燥した後、粉末にバインダーとし
て濃度５％のポリビニルアルコール水溶液を９重量％添
加して均質とした後、３２メッシュのふるいを通して整
粒した。次に、整粒粉体を金型と油圧プレスを用いて成
形圧力１ｔｏｎ，／ｃｎｆで直径１５ｎｎ、厚み０．４
ｍｍに成形し、成形物をＺｒ０２粉を敷いた高純度のア
ルミナ匣鉢中に入れ、空気中において下記の第１表に示
す温度で２時間焼成し、第ｌ表に示す配合組成の誘電体
磁器を得た。
，ＴｉＯｚ，Ｚｒ０２及びＶ２０５粉末を下記の第１表
に示す組成になるように秤量し、めのうボールを備えた
ゴム内張りしたボールミルに純水とともに入れ、２０時
間、湿式混合した。次いで、この混合物を脱水乾燥後、
１１００℃で２時間仮焼成した。次に、粗粉砕後、再度
、めのうボールを備えたゴム内張りしたボールミルに純
水とともに入れ、２０時間、湿式粉砕を行った。次いで
、この粉砕物を脱水乾燥した後、粉末にバインダーとし
て濃度５％のポリビニルアルコール水溶液を９重量％添
加して均質とした後、３２メッシュのふるいを通して整
粒した。次に、整粒粉体を金型と油圧プレスを用いて成
形圧力１ｔｏｎ，／ｃｎｆで直径１５ｎｎ、厚み０．４
ｍｍに成形し、成形物をＺｒ０２粉を敷いた高純度のア
ルミナ匣鉢中に入れ、空気中において下記の第１表に示
す温度で２時間焼成し、第ｌ表に示す配合組成の誘電体
磁器を得た。
これらの試料の電気特性は、試料の両面に銀電極を焼き
付け、誘電率、良好度Ｑ，温度係数はＹＨＰ社製デシタ
ルＬＣＲメータモデル４２７５Δを使用し、測定温度２
０℃，測定電圧１ ． Ｏ Ｖ ｒ ｍ ｓ ，測定周
波数ＩＭＨｚによる測定で求めた。なお、温度係数は２
０℃にわける容量値を基準とし、次式より求めた。
付け、誘電率、良好度Ｑ，温度係数はＹＨＰ社製デシタ
ルＬＣＲメータモデル４２７５Δを使用し、測定温度２
０℃，測定電圧１ ． Ｏ Ｖ ｒ ｍ ｓ ，測定周
波数ＩＭＨｚによる測定で求めた。なお、温度係数は２
０℃にわける容量値を基準とし、次式より求めた。
温度係数＝（Ｃａｓ℃−Ｃ２０℃）／（Ｃ２０’ＣＸ
６ ５）×１０６（ｐｐｍ／’Ｃ） また、絶縁抵抗はＹＨＰ社製ＨＲメータモデル４３２９
Ａを使用し、測定電圧Ｄ．Ｃ．５０Ｖ、測定時間１分間
による測定で求めた。さらに、絶縁破壊電圧は菊水電子
工業■高電圧電源Ｐ Ｈ ８ ３ ５ Ｋ −３形を使
用し、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃにより求めた絶縁破壊電
圧を素子厚みで除算し、単位長さ当たりの絶縁破壊電圧
値とした。試験条件及び結果を第１表に併せて示す。
６ ５）×１０６（ｐｐｍ／’Ｃ） また、絶縁抵抗はＹＨＰ社製ＨＲメータモデル４３２９
Ａを使用し、測定電圧Ｄ．Ｃ．５０Ｖ、測定時間１分間
による測定で求めた。さらに、絶縁破壊電圧は菊水電子
工業■高電圧電源Ｐ Ｈ ８ ３ ５ Ｋ −３形を使
用し、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃにより求めた絶縁破壊電
圧を素子厚みで除算し、単位長さ当たりの絶縁破壊電圧
値とした。試験条件及び結果を第１表に併せて示す。
（以 下 余 白）
（実施例２）
出発原料には化学的に高純度のＳｒＣＯ３．ＣａＣＯ３
，Ｔｉ○２， Ｖ２０ｓ．Ｍｎ ０２．Ｃ ｒ２ｃｈ，
Ｆｅｄ，Ｎｉｐ，Ｃ００及びＳｉ０２粉末を下記の第２
表に示す組成になるように秤量し、それ以降は実施例１
の場合と同様に処理して第２表に示す配合組成の誘電体
磁器を得た。
，Ｔｉ○２， Ｖ２０ｓ．Ｍｎ ０２．Ｃ ｒ２ｃｈ，
Ｆｅｄ，Ｎｉｐ，Ｃ００及びＳｉ０２粉末を下記の第２
表に示す組成になるように秤量し、それ以降は実施例１
の場合と同様に処理して第２表に示す配合組成の誘電体
磁器を得た。
これらの試料の試験方法は実施例１と同一であり、試験
条件及び結果を第２表に併せて示す。
条件及び結果を第２表に併せて示す。
（以 下 余 白）
なお、これらの実施例における誘電体磁器組成物の製造
方法では、Ｓ ｒ Ｃ ０３， Ｃ ａ Ｃ ０３．
Ｔ ｉ ０２，Ｖ２０５を使用したが、この方法に限定
されるものではなく、所望の組成比になるように、Ｓ
ｒＴ ｉ ０３， ＣａＴ ｉ○３などの化合物を使用
し製造しても実施例と同程度の特性を得ることができる
。
方法では、Ｓ ｒ Ｃ ０３， Ｃ ａ Ｃ ０３．
Ｔ ｉ ０２，Ｖ２０５を使用したが、この方法に限定
されるものではなく、所望の組成比になるように、Ｓ
ｒＴ ｉ ０３， ＣａＴ ｉ○３などの化合物を使用
し製造しても実施例と同程度の特性を得ることができる
。
また、実施例２において、Ｍｎ０２，Ｃｒ２０３，Ｆｅ
ｄ，Ｎｉｐ，Ｃ００及びＳ ｉ Ｏ ２を使用し製造し
たが、この方法に限定されるものではなく、Ｍｎ （Ｃ
Ｏ３）２．Ｍｎ （ＯＨ）４などの炭酸塩，水酸化物を
使用して製造しても実施例と同程度の特性を得ることが
できる。
ｄ，Ｎｉｐ，Ｃ００及びＳ ｉ Ｏ ２を使用し製造し
たが、この方法に限定されるものではなく、Ｍｎ （Ｃ
Ｏ３）２．Ｍｎ （ＯＨ）４などの炭酸塩，水酸化物を
使用して製造しても実施例と同程度の特性を得ることが
できる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、誘電率、絶縁抵抗及び絶
縁破壊電圧が高く、良好度Ｑにすぐれ、かつ温度係数の
小さい誘電体磁器を得ることができる。
縁破壊電圧が高く、良好度Ｑにすぐれ、かつ温度係数の
小さい誘電体磁器を得ることができる。
また，マンガン，クロム，鉄，ニッケル，コバルト及び
ケイ素の酸化物の添加により、焼成温度を低下させるこ
とができる。
ケイ素の酸化物の添加により、焼成温度を低下させるこ
とができる。
さらに、得られた誘電体磁器は高誘電率であるため、素
体をきわめて小形にすることができ、回路の微小化に有
効であり、特に薄板状にして積層セラミックコンデンサ
、ハイブリッド微小回路などの用途に適している。
体をきわめて小形にすることができ、回路の微小化に有
効であり、特に薄板状にして積層セラミックコンデンサ
、ハイブリッド微小回路などの用途に適している。
第１図は本発明にかかる主成分の組成範囲を説明する三
元図、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明にかかる主成分の
一般式をｘＳ ｒｏ−ｙＣａＯ−ｚＴｉ ０２と表わし
た時、ｘ＝０．３０，ｙ＝０．１９．ｚＯ．５１とし、
副成分Ｖ２０５の含有量を１５重量％まで変化させた時
の特性の変化を示ｒグラフである。
元図、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明にかかる主成分の
一般式をｘＳ ｒｏ−ｙＣａＯ−ｚＴｉ ０２と表わし
た時、ｘ＝０．３０，ｙ＝０．１９．ｚＯ．５１とし、
副成分Ｖ２０５の含有量を１５重量％まで変化させた時
の特性の変化を示ｒグラフである。
Claims (2)
- （１）一般式 ｘＳｒＯ−ｙＣａＯ−ｚＴｉＯ＿２と表わした時（ただ
し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００）、ｘ，ｙ，ｚが以下に表わ
す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄで囲まれるモル比の範囲を主成分
とする組成物に対し、副成分としてＶ＿２Ｏ＿５０．１
〜５．０重量％を含有することを特徴とする誘電体磁器
組成物。 - （２）マンガン，クロム，鉄，ニッケル，コバルト及び
ケイ素の酸化物からなる群の中から選ばれた少なくとも
一種を、それぞれＭｎＯ＿２，Ｃｒ＿２Ｏ＿３，ＦｅＯ
，ＮｉＯ，ＣｏＯ及びＳｉＯ＿２に換算して、主成分の
０．０５〜１．００重量％添加含有したことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1187892A JPH0353407A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1187892A JPH0353407A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353407A true JPH0353407A (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=16214023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1187892A Pending JPH0353407A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0353407A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5350639A (en) * | 1991-09-10 | 1994-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic for use in microwave device, a microwave dielectric ceramic resonator dielectric ceramics |
| US6627570B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-09-30 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method of producing the same |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP1187892A patent/JPH0353407A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5350639A (en) * | 1991-09-10 | 1994-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic for use in microwave device, a microwave dielectric ceramic resonator dielectric ceramics |
| US6627570B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-09-30 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method of producing the same |
| US6933256B2 (en) * | 2000-02-09 | 2005-08-23 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing same |
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