JPH0815010B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0815010B2 JPH0815010B2 JP62022424A JP2242487A JPH0815010B2 JP H0815010 B2 JPH0815010 B2 JP H0815010B2 JP 62022424 A JP62022424 A JP 62022424A JP 2242487 A JP2242487 A JP 2242487A JP H0815010 B2 JPH0815010 B2 JP H0815010B2
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- JP
- Japan
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- composition
- dielectric
- dielectric constant
- temperature coefficient
- dielectric porcelain
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は誘電率が高く、温度係数が小さく、良好度Ｑ
にすぐれ、かつ絶縁抵抗の高い誘電体磁器組成物に関す
るものである。
にすぐれ、かつ絶縁抵抗の高い誘電体磁器組成物に関す
るものである。
従来の技術 従来から温度係数の小さい誘電体が、コンデンサ用素
子として要求され、誘電体磁器組成物として下記のよう
な系が知られている。
子として要求され、誘電体磁器組成物として下記のよう
な系が知られている。
MgO−TiO2−CoO系 La2O3−2TiO2−CaTiO3−2MgO−TiO2系 TiO2−BaTiO3−Bi2O3−La2O3系 SrZrO3−SrO−Nb2O5−CaTiO3系 発明が解決しようとする問題点 しかし、これらの組成は誘電率が低く、また、SrZrO3
−SrO−Nb2O5−CaTiO3系は良好度Ｑも悪い。更に、Bi2O
3を含んでいるものは、積層セラミックコンデンサの内
部電極として、Pdを用いることができないという問題が
あった。
−SrO−Nb2O5−CaTiO3系は良好度Ｑも悪い。更に、Bi2O
3を含んでいるものは、積層セラミックコンデンサの内
部電極として、Pdを用いることができないという問題が
あった。
本発明は誘電率が高く、温度係数が小さく、良好度Ｑ
にすぐれ、かつ絶縁抵抗が高い誘電体磁器を得ることを
目的とするものである。
にすぐれ、かつ絶縁抵抗が高い誘電体磁器を得ることを
目的とするものである。
問題点を解決するための手段 この問題点を解決するために本発明の誘電体磁器組成
物は、一般式 xBaO−ｙ［（TiO2）１−ｍ（ZrO2）ｍ］−zSm2O3 と表わした時、x,y,zが以下に表わす各点a,b,c,d,で囲
まれるモル比の範囲にある組成物を主成分としたことを
特徴とする。
物は、一般式 xBaO−ｙ［（TiO2）１−ｍ（ZrO2）ｍ］−zSm2O3 と表わした時、x,y,zが以下に表わす各点a,b,c,d,で囲
まれるモル比の範囲にある組成物を主成分としたことを
特徴とする。
第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を
示す三角図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を
図を参照しながら説明する。Ａ領域では焼結困難となり
誘電率、良好度Ｑ、絶縁抵抗が低下する。Ｂ領域では温
度係数が−（マイナス）側に大きくなり過ぎて、実用的
でなくなる。Ｃ領域では温度係数が＋（プラス）側に大
きくなり、誘電率も小さい。Ｄ領域では焼結が困難とな
り、誘電率、良好度Ｑ、絶縁抵抗が低下する。また、０
＜ｍ≦0.25の範囲ではｍを大きくすると温度係数は＋
（プラス）側に移行し、適当な組成を選ぶことによって
温度係数NPO付近で誘電率の大きな組成が得られる。ｍ
が0.25を越えると焼結が困難となり、誘電率、良好度
Ｑ、絶縁抵抗が低下する。
示す三角図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を
図を参照しながら説明する。Ａ領域では焼結困難となり
誘電率、良好度Ｑ、絶縁抵抗が低下する。Ｂ領域では温
度係数が−（マイナス）側に大きくなり過ぎて、実用的
でなくなる。Ｃ領域では温度係数が＋（プラス）側に大
きくなり、誘電率も小さい。Ｄ領域では焼結が困難とな
り、誘電率、良好度Ｑ、絶縁抵抗が低下する。また、０
＜ｍ≦0.25の範囲ではｍを大きくすると温度係数は＋
（プラス）側に移行し、適当な組成を選ぶことによって
温度係数NPO付近で誘電率の大きな組成が得られる。ｍ
が0.25を越えると焼結が困難となり、誘電率、良好度
Ｑ、絶縁抵抗が低下する。
本発明は更に、上記主成分に対し、マンガン、クロ
ム、鉄、ニッケル、コバルト及びケイ素からなる群の中
から選ばれた少なくとも１種の元素を、それぞれMnO2、
Cr2O3、FeO、NiO、CoO及びSiO2に換算して前記主成分の
0.05〜1.00重量％添加せしめた構成とすることができ
る。これらの添加物は磁器の焼結性を向上する効果を有
し、その添加量が0.05重量％未満では添加効果はなく、
1.00重量％を越えると誘電率が低下し実用的でなくな
る。
ム、鉄、ニッケル、コバルト及びケイ素からなる群の中
から選ばれた少なくとも１種の元素を、それぞれMnO2、
Cr2O3、FeO、NiO、CoO及びSiO2に換算して前記主成分の
0.05〜1.00重量％添加せしめた構成とすることができ
る。これらの添加物は磁器の焼結性を向上する効果を有
し、その添加量が0.05重量％未満では添加効果はなく、
1.00重量％を越えると誘電率が低下し実用的でなくな
る。
作用 本発明の誘電体磁器組成物により、誘電率が高く温度
係数が小さく、良好度Ｑにすぐれ、かつ絶縁抵抗が高い
誘電体磁器を得ることができる。
係数が小さく、良好度Ｑにすぐれ、かつ絶縁抵抗が高い
誘電体磁器を得ることができる。
実施例 以下、本発明を具体的実施例により説明する。
実施例１ 出発原料には化学的に高純度のBaCO3、TiO2、ZrO2お
よびSm2O3粉末を第１表に示す組成になるように秤量
し、めのうボールを備えたゴム内張りしたボールミルに
純水とともに入れ、湿式混合後、脱水乾燥した。この乾
燥粉末を高アルミナ質のルツボに入れ、1100℃で２時間
仮焼した。この仮焼粉末をめのうボールを備えたゴム内
張りしたボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕し
た。この粉砕物を脱水乾燥した後、粉末にバインダーと
して濃度５％のポリビニルアルコール溶液を９重量％添
加して均質とした後、32メッシュのふるいを通して整粒
した。整粒粉体を金型と油圧プレスを用いて成形圧力1t
on/cm2で直径15mm、厚み0.4mmに成形し、成形物をジル
コニア匣鉢中に入れ、空気中において第１表に示す温度
で２時間焼成し、第１表に示す配合組成の誘電体磁器を
得た。
よびSm2O3粉末を第１表に示す組成になるように秤量
し、めのうボールを備えたゴム内張りしたボールミルに
純水とともに入れ、湿式混合後、脱水乾燥した。この乾
燥粉末を高アルミナ質のルツボに入れ、1100℃で２時間
仮焼した。この仮焼粉末をめのうボールを備えたゴム内
張りしたボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕し
た。この粉砕物を脱水乾燥した後、粉末にバインダーと
して濃度５％のポリビニルアルコール溶液を９重量％添
加して均質とした後、32メッシュのふるいを通して整粒
した。整粒粉体を金型と油圧プレスを用いて成形圧力1t
on/cm2で直径15mm、厚み0.4mmに成形し、成形物をジル
コニア匣鉢中に入れ、空気中において第１表に示す温度
で２時間焼成し、第１表に示す配合組成の誘電体磁器を
得た。
これらの試料の電気特性は、試料の両面に銀電極を焼
き付け、誘電率、良好度Ｑ、温度係数はYHP社製デジタ
ルLCRメータのモデル4275Aを使用し、測定温度25℃、測
定電圧1.0Vrms、測定周波数1MHzよる測定より求めた。
なお、温度係数は25℃における容量値を基準とし、次式
により求めた。
き付け、誘電率、良好度Ｑ、温度係数はYHP社製デジタ
ルLCRメータのモデル4275Aを使用し、測定温度25℃、測
定電圧1.0Vrms、測定周波数1MHzよる測定より求めた。
なお、温度係数は25℃における容量値を基準とし、次式
により求めた。
温度係数（ppm/℃） ＝［（C85℃−C25℃）／（C25℃×60）］×106 絶縁抵抗はYHP社製HRメータのモデル4329Aを使用し、
測定電圧DC50V、測定時間１分間による測定より求め
た。試験結果を第１表に示した。
測定電圧DC50V、測定時間１分間による測定より求め
た。試験結果を第１表に示した。
実施例２ 出発原料には化学的に高純度のBaCO3、TiO2、ZrO2、S
m2O3、MnO2、Cr2O3、FeO、NiO、CoO及びSiO2粉末を第２
表に示す組成になるように秤量し、それ以後は実施例１
の場合と同様に処理して第２表に示す配合組成の誘電体
磁器を得た。
m2O3、MnO2、Cr2O3、FeO、NiO、CoO及びSiO2粉末を第２
表に示す組成になるように秤量し、それ以後は実施例１
の場合と同様に処理して第２表に示す配合組成の誘電体
磁器を得た。
これらの試料の試験方法は実施例１と同一であり試験
結果を第２表に示す。
結果を第２表に示す。
発明の効果 以上のように本発明によれば、誘電率が高く、温度係
数が小さく、良好度Ｑにすぐれ、かつ絶縁抵抗の高い誘
電体磁器が得られる。また、マンガン、クロム、鉄、ニ
ッケル、コバルト及びケイ素等の元素の添加により焼成
温度を低下させることができる。
数が小さく、良好度Ｑにすぐれ、かつ絶縁抵抗の高い誘
電体磁器が得られる。また、マンガン、クロム、鉄、ニ
ッケル、コバルト及びケイ素等の元素の添加により焼成
温度を低下させることができる。
更に得られた誘電体磁器は高誘電率であるため、素体
をきわめて小形にすることができ、回路の微小化に有効
であり、特に薄層状にして積層セラミックコンデンサ、
ハイブリット微小回路などの用途に適している。
をきわめて小形にすることができ、回路の微小化に有効
であり、特に薄層状にして積層セラミックコンデンサ、
ハイブリット微小回路などの用途に適している。
第１図は本発明にかかる主成分の組成範囲を示す三角図
である。
である。
Claims (2)
- 【請求項１】一般式 xBaO−ｙ［（TiO2）１−ｍ（ZrO2）ｍ］−zSm2O3 と表わした時、x,y,zが以下に表わす各点a,b,c,d,で囲
まれるモル比の範囲にある組成物を主成分としたことを
特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】マンガン、クロム、鉄、ニッケル、コバル
ト及びケイ素からなる群の中から選ばれた少なくとも１
種の元素を、それぞれMnO2、Cr2O3、FeO、NiO、CoO及び
SiO2に換算して、主成分の0.05乃至1.00重量％添加含有
したことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項に記載
の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62022424A JPH0815010B2 (ja) | 1987-02-04 | 1987-02-04 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62022424A JPH0815010B2 (ja) | 1987-02-04 | 1987-02-04 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63193402A JPS63193402A (ja) | 1988-08-10 |
| JPH0815010B2 true JPH0815010B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=12082301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62022424A Expired - Lifetime JPH0815010B2 (ja) | 1987-02-04 | 1987-02-04 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0815010B2 (ja) |
-
1987
- 1987-02-04 JP JP62022424A patent/JPH0815010B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63193402A (ja) | 1988-08-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |