JPH0352138A - 相変化形記録媒体及びそれを用いて構成される光ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、樹脂から成る基板と、該基板上に配され、相
変化形の記録膜と、で構成され、特に、記録膜の耐酸化
性に優れた相変化形記録媒体と、それを用いて構威され
る光ディスクとに関するものである。

〔従来の技術］ 相変化形記録媒体の記録膜に情報を記録するには、レー
ザ光等の光ビームのエネルギ等を記録膜に与えて、記録
膜の１つの構造状態を他の構造状態に物理化学的に変化
させて行なうことができる。

この様な相変化形の記録膜としては、カルコゲン化物が
知られている。このカルコゲン化物は、例えば、非晶質
状態と結晶質状態の異なる２つの構造をとることができ
る。例えば、光ビームを記録膜に照射し、加熱徐冷する
と、記録膜は結晶化し，、加熱急冷すると、非晶質とな
る。また、記録膜に記録された情報を再生するには、記
録膜の結晶質状態および非晶質状態の構造変化にともな
う反射率変化を検出することにより行なう。

さて、一方、相変化形記録媒体を構成する基板としては
、従来、ガラス板が使用されていたが、光ディスクの普
及とともに透明樹脂基板を使用するようになってきてい
る。この樹脂材料としては、例えば、ボリカーボネート
．ポリオレフィン，塩化ビニール等がある。

しかし、一般に、樹脂材料はガラスに比較して、吸水率
，透湿度が大きいため、樹脂基板上に形威した相変化形
の記録膜は、酸化し易い。記録膜が酸化すると、記録膜
の光学特性（反射率，透過率）が変化し、最悪の場合に
は．，記録された情報が消失してしまうことがある。従
って、この様に、樹脂基板上に相変化形の記録膜を形威
して威る相変化形記録媒体は、記録膜が耐酸化性に劣る
ため、長期間にわたる情報の保存が困難であった。

そこで、この様な記録膜の酸化を防止する方法として、
従来においては、例えば特開昭５８−２０３６４３号公
報にて、記録膜上に、塩化ビニル酢酸ビニール共重合体
等の低融点樹脂層を、保護膜として設けることが開示さ
れている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記した従来技術においては、記録股上に保護膜として
低融点樹脂層を設けているが、低融点樹脂層は、樹脂基
板同様、樹脂材料から戒っているため、あまり高い耐酸
化性は期待できず、また、その低融点樹脂層は記録膜上
のみに形威すると言う構造であるため、その点において
もあまり高い耐酸化性は期待できない。そのため、従来
技術においては、長期間の情報の保存についていささか
問題があった。

本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を解決し、
記録膜の耐酸化性の優れた相変化形記録媒体を提供し、
延いては耐酸化性の優れた光ディスクを提供することに
ある。

〔課題を解決するための手段〕

上記した目的は、樹脂基板と、該樹脂基板上に配され、
非晶質と結晶質との間で相変化することが可能な記録膜
と、で構成される相変化形記録媒体において、 ■前記記録股上及び／または前記記録膜と前記樹脂基板
との間に、前記記録膜を構成する材料の窒化物薄膜を設
けるか、 ■前記記録膜上及び／または前記記録膜と前記樹脂基板
との間に、不動態金属酸化物薄膜及びＳｉ酸化物薄膜の
うちの少なくとも一方を設けるか、■前記記録膜上及び
／または前記記録膜と前記樹脂基板との間に、前記記録
膜を構成する材料の窒化物薄膜，不動態金属酸化物薄膜
及びＳｌ酸化物薄膜のうちの少なくとも２つの薄膜から
成る多重層を設けるか、 ■前記記録膜に、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａ
，Ａｆｆｉ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔのうちの少なくとも１つ
の元素を２原子％以上ｌ５原子％以下含有させるか、 のいずれかによって達戒される。

〔作用〕

本発明者は、記録膜の耐酸化性向上のために、■記録膜
に隣接して設けるべき保Ｓｉ！膜の材料の探索と、 ■記録膜に添加するべき元素の探索と、を行った。

その結果、まず、保護膜の材料としては、記録膜を構成
する材料の窒化物が有効であることを見い出した。

即ち、記録膜を構成する材料の窒化物薄膜を保護膜とし
て用いた場合、次のような結果が得られた。

つまり、相変化形記録媒体を恒温恒温状態（例えば、８
０゜Ｃ，９０％Ｒ．Ｈ．Ｃ相対湿度〕）に放置した後の
、波長８　３　０　ｎｍにおける透過率でもって、記録
膜の耐酸化性を比較して見ると、樹脂基板上に記録膜の
みを形或して戒る相変化形記録媒体（比較対象）を１と
した時、前述の記録膜を構威する材料の窒化物薄膜を、
記録膜上及び記録膜と樹脂基板との間にそれぞれ設けて
威る相変化形記録媒体では、約１０倍の、また、記録膜
と樹脂基板との間のみ設けて威る相変化形記録媒体では
、約４倍の、さらにまた、記録膜上のみ設けて威る相変
化形記録媒体では、約６倍の、耐酸化性の向上が見られ
た。

こうして、記録膜の材料を窒化物化して成膜することに
より、膜の緻密化，アルカリイオンの侵入防止，０−Ｈ
の拡散防止の効果が得られていると考えられる。尚、記
録膜の威膜は、Ａｒガスによるスパンタリング法が適し
、記録膜をｔＪＩ威する材料の窒化物薄膜の或膜は、（
　Ａ　ｒ　十Ｎ　ｚ　）ガス，（Ａ　ｒ　＋Ｎ　Ｈｓ　
）ガス，Ｎ２ガス，ＮＨ，ガスのいずれかによる、記録
膜成膜用ターゲットのスパッタリング法が適する。

また，．その他、保，ｉｌ膜の材料としては、不動態金
属酸化物またはＳｉ酸化物も有効であることを見い出し
た。

即ち、不動態金属酸化物薄膜またはＳｉ酸化物薄膜を保
護膜として用いた場合、次のような結果が得られた。

つまり、前述と同様にして、記録膜の耐酸化性を比較し
て見ると、樹脂基板上に記録膜のみを形成して戊る相変
化形記録媒体（比較対象）を１とした時、前述の不動態
金属酸化物薄膜またはＳｉ酸化物薄膜を、記録膜上及び
記録膜と樹脂基板との間にそれぞれ設けて戒る相変化形
記録媒体では、約１４倍の、また、記録膜と樹脂基板と
の間のみ設けて成る相変化形記録媒体では、約６倍の、
さらにまた、記録膜上のみ設けて戒る相変化形記録媒体
では、約８倍の、耐酸化性の向上が見られた。

尚、不動体金属酸化物としては、Ｃｒ．Ｏ．，ＴｔＯ，
，ＺｒＯｚ　，Ｎｉｐ，ＮｂｚＯｓ　，ＴａｘｅｓＡ１
！Ｏｆｆが適し、Ｓｔ酸化物はＳｉｎｇ（但し、１≦ｘ
≦２）が適する。ここで、Ｘ＞２の場合、ＳｔＯ．内の
０ラジカルが記録膜の酸化を促進するため好ましくなく
、また、Ｘ＜１の場合、波長８３０ｎｍにおいて、光吸
収性が生じ、光ビームによる情報記録時に、効率的に記
録膜を加熱することができず好ましくない。

ところで、保護膜を記録膜上及び記録膜と樹脂基板との
間にそれぞれ設けて成る相変化形記録媒体の場合、記録
膜上の保護膜の材料と、記録膜と樹脂基板との間の保護
膜の材料とは、記録膜を構成する材料の窒化物，不動態
金属酸化物及びＳｉ酸化物のうち、同し種類の材料のみ
を用いる必要はなく、別々の種類の材料を用いても良い
。

また、保３Ｉ膜自体の構成としては、記録膜を構成する
材料の窒化物，不動態金属酸化物及びＳｉ酸化物のうち
、ｌ種類の材料を用いた単層による構成である必要はな
く、そのうちの２種類以上の材料を用いた多重層による
構成であっても良い。

例えば、記録膜を構成する材料の窒化物薄膜と不動態金
属酸化物薄膜（またはＳｔ酸化物薄膜）とで措威される
多重層を、保護膜として用いた場合、次の様な結果が得
られた。

即ち、前述と同様にして、記録膜の耐酸化性を比較して
見ると、樹脂基板上に記録膜のみを形威して威る相変化
形記録媒体（比較対象）を１とした時、前述の多重層を
記録膜上及び記録膜と樹脂基板との間にそれぞれ設けて
成る相変化形記録媒体では、約３０倍の耐酸化性の向上
が見られた。

また、次に、記録膜への添加元素を探索したところ、記
録膜として特にＳｂ−Ｓｅ−Ｂｉ系記録膜に関しては、
添加元素として不動態金属が有効であり、そのうちＣｒ
，Ｔｉ，Ｎｉがより望ましく、Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ａ１
，Ａｕ，Ｐｄ、Ｐｔが次に望ましいことを見い出した。

尚、約２倍の耐酸化性を得るためには、添加含有量とし
て、２原子％以上の添加により効果があった。しかし，
１５原子％より多く含有した場合は、レーザ光による記
録において、Ｃ／Ｎ比が４６ｄＢ未満となり、実用外で
あった。従って、添加含有量は、２原子％以上１５原子
％以下にする必要があることが明らかとなった。

この様に、不動態金属を記録膜に２原子％以上ｌ５原子
％以下添加した場合、次のような結果が得られた。

つまり、前述と同様にして、記録膜の耐酸化性を比較し
て見ると、樹脂基板上に、前述の不動態金属を含有しな
い記録膜のみを形威して成る相変化形記録媒体（比較対
象）を１とした時、樹脂基板上に、前述の不動態金属を
添加した記録膜のみを形威して成る相変化形記録媒体で
は、約５倍の耐酸化性の向上が見られた． 〔実施例〕 以下、本発明の実施例について図面を用いて説明する。

第１図は本発明の第ｌの実施例としての相変化形記録媒
体の断面を示す断面図である。

本実施例における相変化形記録媒体は、次のような構成
となっている。

即ち、光学的に透明なポリカーボネート（以下、ＰＣと
略す）樹脂基板ｌ上に、順番に、保護膜２としてＳｂＳ
ｅＢｉＮ膜をｌｏｎｍ，記録膜３としてＳｂＳｅＢ　ｉ
膜をｌｏｏｎｍ、保護！Ｗ４４としてＳｂＳｅＢｉＮ膜
を１０ｎｍ，スパッタリングにより戒膜した構戊となっ
ている。

戒膜方法としては、まず、ＰＣ樹脂基仮１をスパッタリ
ング装置にセットし、真空度２　Ｘ　１　０−’ρａま
で真空排気後、Ｎ２ガスを導入し、０．　３　ｐ　ａの
ガス圧において、ＳｂＳｅＢｉ合金ターゲットをスパッ
タリングし、ターゲット上方で自公転しているＰＣ樹脂
基板ｌ上に、保護膜２を成膜する。

次に、真空度２Ｘ１０−’ｐａまで真空排気後、Ａｒガ
スを導入し、０．　３　ｐ　ａのガス圧において、夕一
ゲソトをスバソタリングし、記録膜３を成膜する．次に
、真空度２ＸＩＯ−３ｐａまで真空排気し、Ｎ８ガスを
導入し、０．　３　ｐ　ａのガス圧において、夕一ゲッ
トをスパッタリングし、保護膜４を成膜する。

ここで、保護膜２，４としてのＳｂＳｅＢｉＮ膜の複素
屈折率は２．　０　−　ｉ　０．　０であり、記録膜３
としてのＳｂＳｅＢｉ膜の複素屈折率は４．　４　−　
ｉ　Ｉ．　０である。

次に、この様にして作製された相変化形記録媒体を８０
℃，９０％Ｒ．Ｈ．の恒温恒湿試験にかけ、記録膜の耐
酸化性の評価を行った．即ち、上記相変化形記録媒体を
８０゜Ｃ，９０％Ｒ．Ｈ．の恒温恒湿状態に放置し、成
る時間経過後、波長８３００ｍにおける透過率を調べ、
その透過率でもって記録膜の耐酸化性を評価するもので
ある。つまり、記録膜が酸化すると、透過率が増加する
ことに着目したものである。

第２図に、８０’Ｃ，９０％Ｒ．Ｈ．の恒温恒湿下にお
ける経過時間と波長８　３　０　ｎｍにおける透過率の
増加分との関係を、第１図の実施例と、保遭膜２．４を
設けない比較例（即ち、ＰＣ樹脂基仮１上に記録膜３の
みを形威して成る相変化形記録媒体）と、で比較して示
す。

第２図から明らかなように、透過率の増加分ｌＯ％に達
する経過時間で比較してみると、第ｌ図の実施例では、
保護膜２，４を設けたことにより、比較例の約ｌＯ倍の
耐酸化性が得られた。

第３図は本発明の第２の実施例としての相変化形記録媒
体の断面を示す断面図である。

本実施例における相変化形記録媒体は、光学的に透明な
ＰＣ樹脂基板ｌ上に、保ｊＩ膜２としてＳｂＳｅＢ　ｉ
Ｎ膜を、記録膜３としてＳｂＳｅＢｉ膜を、スパッタリ
ングにより或膜した構成となっている。

また、第４図は本発明の第３の実施例としての相変化形
記録媒体の断面を示す断面図である。

本実施例における相変化形記録媒体は、光学的に透明な
ＰＣ樹脂基仮ｌ上に、記録膜３としてＳｂＳｅＢ　ｉ膜
を、保護膜４としてＳｂＳｅＢｉＮ膜を、スパッタリン
グにより成膜した構威となっている。

第３図及び第４図の実施例共、或膜方法は第１図の実施
例と同様である。

次に、こうして作製された相変化形記録媒体を、第１図
の実施例同様、８０゜Ｃ，９０％Ｒ　．　Ｈ　．の恒温
恒湿試験にかけ、記録膜の耐酸化性の評価を行った。

第５図に、８０゜Ｃ，９０％Ｒ．Ｈ．の恒温恒湿下にお
ける経過時間と波長８３０ｎｍにおける透過率の増加分
との関係を、第３図の実施例と第４図の実施例と、で比
較して示す。

第５図から明らかなように、透過率の増加分１０％に達
する経過時間で比較してみると、保護膜２．４を設けな
い比較例（第２図参照）より、第３図の実施例では約４
倍の、第４図の実施例では約６倍の耐酸化性が得られた
。

尚、第１図，第３図及び第４図の実施例では、保護膜２
，４としてのＳｂＳｅＢｉＮ膜は、Ｎ２ガスによるスパ
ッタリングによりその成膜を行なったが、スパッタガス
として、Ｎ２ガスの代りに（Ａ　ｒ　＋Ｎ！　）ガス，
（Ａｒ＋ＮＩ｛；１　）ガス，ＮＨ．ガスを使用しても
、上記した記録膜の耐酸化性の評価において相違は無か
った。

第６図は本発明の第４の実施例としての相変化形記録媒
体の断面を示す断面図である。

本実施例における相変花形記録媒体は、次のような構成
となっている。

即ち、光学的に透明なＰＣ樹脂基板ｌ上に、順番に、保
護Ｊｌ！５としてＣｒ．０：Ｉ膜を１００ｎｍ、記録膜
３としてＳｂＳｅＢｉ膜を１００ｎｍ、保護膜６として
ＣｒｚＯ３膜を１００ｎｍ、スパンタリングによりｆｉ
．膜した構成となっている。

成膜方法としては、ＰＣ樹脂基板ｌをスパンタリング装
置にセットし、真空度２ＸｌＯ−３ｐａまで真空排気後
、Ａｒガスを導入し、０．　３　ｐ　ａのガス圧におい
て、Ｃｒ２０３ターゲットをスパッタリングし、ターゲ
ット上方で自公転しているＰＣ樹脂基仮ｌ上に、保護膜
５を或膜する。次に、真空度２Ｘ１０−’Ｐａまで真空
排気後、Ａｒガスを導入し、０．　３ρａのガス圧にお
いて、ＳｂＳｅＢｉ合金ターゲソトをスパンタリングし
、記録ＩＩ！Ｊ３を戊膜する。次に、真空度２ｘｉｏ−
’Ｐａまで真空排気し、Ａｒガスを導入し、０．　３　
ｐ　ａのガス圧において、Ｃｒ．０．ターゲットをスパ
ンタリングし、保護膜６を戒膜する。ここで、保護膜５
，６としてのＣｒ．Ｏ．膜の複素屈折率は２．　７　−
　ｉ　０．　４であり、記録膜３としてのＳｂＳｅＢｉ
膜の複素屈折率は４．４−１１．０である。

次に、この様にして作製された相変化形記録媒体を、前
述の各実施例同様、８０゜Ｃ，９０％Ｒ．Ｈ．の恒温恒
湿試験にかけ、記録膜の耐酸化性の評価を行った。

第７図に、８０℃，９０％Ｒ．Ｈ．の恒温恒湿下におけ
る経過時間と波長８　３　０　ｎｍにおける透過率の増
加分との関係を、第６図の実施例と、保護１１１Ｊ５．
６を設けない比較例（即ち、ＰＣ樹脂基板ｌ上に記録膜
３のみを形成して戊る相変化形記録媒体）と、で比較し
て示す。

第７図から明らかなように、透過率の増加分１０％に達
する経過時間で比較してみると、第６図の実施例では、
保護膜５，６を設けたことにより、比較例の約１４倍の
耐酸化性が得られた。

第８図は本発明の第５の実施例としての相変化形記録媒
体の断面を示す断面図である。

本実施例における相変化形記録媒体は、光学的に透明な
ＰＣ樹脂基板１上に、保護膜５としてＣｒｚＯｚ膜を、
記録膜３としてＳｂＳｅＢｉ膜を、スパッタリングによ
り戒膜した構成となっている。

また、第９図は本発明の第６の実施例としての相変化形
記録媒体の断面を示す断面図である。

本実施例における相変化形記録媒体は、光学的に透明な
ＰＣ樹脂基ｖｉｌ上に、記録ｒＰｊ！３としてＳｂＳｅ
Ｂｉ膜を、保護膜６としてＣｒ！０３１１！を、スパッ
タリングにより威膜した構成となっている。

第８図及び第９図の実施例共、成膜方法は第６図の実施
例と同様である。

次に、こうして作製された相変化形記録媒体を、前述の
各実施例同様、８０゜Ｃ，９０％Ｒ，Ｈ．の恒温恒湿試
験にかけ、記録膜の耐酸化性の評価を行った。

第１０図に、８０゜Ｃ，９０％Ｒ．Ｈ．の恒温恒湿下に
おける経過時間と波長８３０ｎｍにおける透過率の増加
分との関係を、第８図の実施例と第９図の実施例と、で
比較して示す。

第１０図から明らかなように、透過率の増加分ｌＯ％に
達する経過時間で比較してみると、保護ｎｆｉ５．６を
設けない比較例（第７図参照）より、第８図の実施例で
は約６倍の、第９図の実施例では約８倍の耐酸化性が得
られた。

尚、第６図，第８図及び第９図の実施例では、保護膜５
．６としてＣｒ．○，膜を用いたが、その他、Ｔｉｅ．
，ＺｒＯ．，ＮｔＯ，Ｎｂ．Ｏ，，ＴａｚＯｓ　，Ａｌ
．０３，Ｓ　ｉＯ，Ｓ　ｉｏ．の各膜を保護膜５，６と
して用いても同様な結果が得られた。ここで、各膜の組
或は、使用したターゲット組戒で示してある。しかし、
実際に成膜した膜のｍ戒は、ターゲット＆Ｉｌ戒と多少
異なっている場合があるため、厳密に上記した組戊に限
定するものではない。

第１１図は本発明の第７の実施例としての相変化形記録
媒体の断面を示す断面図である。

本実施例における相変化形記録媒体は、次のような構成
となっている。

即ち、光学的に透明なＰＣ樹脂基板ｌ上に、順番に、保
護膜５としてＣｒｚＯ＝膜を１００ｎｍ、保ｊ！膜２と
してＳｂＳｅＢｉＮＩＩｌを１０ｎｍ，記録膜３として
ＳｂＳｅＢｉ膜を１００ｎｍ、保護膜４としてＳｂＳｅ
ＢｉＮ膜を１０ｎｍ、保護膜６としてＣｒｔＣｈ膜を１
　０　０　ｎｍ、スパッタリングにより戒膜した構成と
なっている。

本実施例における成膜方法は第ｌ図の実施例または第６
図の実施例と同様である。

次に、こうして作製された相変化形記録媒体を、前述の
各実施例同様、８０゜Ｃ，９０％Ｒ，Ｈ．の恒温恒湿試
験にかけ、記録膜の耐酸化性の評価を行った。

その結果、本実施例では、保護膜２，４，５．６を設け
ない比較例（即ち、ＰＣ樹脂基板１上に記録膜３のみを
形成して成る相変化形記録媒体）より、約３０倍の耐酸
化性が得られた。

尚、前述した各実施例では、各保護膜の膜厚及び記録膜
の膜厚を規定して説明を行ったが、各保ｙ１膜及び記録
膜は、必ずしも、それらの膜厚に限定する必要はなく、
所望の特性（反射率，　　Ｃ／Ｎ比等）を得るように設
定すれば良い。

第１２図は本発明の第８の実施例としての相変化形記録
媒体の断面を示す断面図である。

本実施例における相変化形記録媒体は、次のような構成
となっている。

即ち、光学的に透明なＰＣ樹脂基板ｌ上に、記録膜７と
してＳｂＳｅＢ　ｉｃｒ膜を１００ｎｍ、スパッタリン
グにより成膜した横戒となっている。

ここで、記録膜７の複素屈折率は、４．　５　−　ｉ　
１．　１であり、Ｃｒの含有量は５原子％である。

次に、この様にして作製された相変化形記録媒体を、前
述の各実施例同様、８０’Ｃ，９０％Ｒ　．　Ｈ　．の
恒温恒湿試験にかけ、記録膜の耐酸化性の評価を行った
。

その結果、本実施例では、記録膜にＣｒを含有しない比
較例（即ち、ＰＣ樹脂基仮ｌ上に記録膜３を形成して成
る相変化形記録媒体）より、約５倍の耐酸化性が得られ
た。

また、この様な相変化形記録媒体に、３．　７　Ｍ　Ｈ
ｚの信号で変調されたレーザパワ−１１ｍＷのレーザ光
によって、信号の記録を行い、その後、それよりも低い
レーザバワーのレーザ光によって、その信号の再生を行
ったところ、Ｃ／Ｎ比として４９ｄＢが得られ、実用レ
ベルであった。

次に、記録膜７に含有される元素、即ち、言い換えれば
、添加元素として、Ｃｒ以外の元素についても調べた。

また、Ｃｒに関しては、含有量を変エた場合についても
調べた。

その結果を下記の第１表に示す。

第 ｌ 表 尚、第１表における「判定」の項では、耐酸化性が２倍
以上，Ｃ／Ｎ比が４６ｄＢ以上を有効として“○“を、
それ以外を無効として“×′゛を、それぞれ付してある
。

従って、第ｌ表から明らかな様に、添加元素として、Ｃ
ｒの他にＴｉ，Ｎｉ，Ｚｒ，Ｎｄ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｕ，
Ｐｄ，Ｐｔが有効であり、また、含有量としては２原子
％以上１５原子％以下が有効となる。

尚、本実施例においては、ＰＣ樹脂基板ｌ上に上記元素
を含有した記録膜７のみを形威した構成となっているが
、この様な記録膜７を、前述した各実施例において記録
膜３の代わりとして用いる様にしても有効である。

さて、以上述べたようにして、各実施例においては、記
録膜の耐酸化性の優れた相変化形記録媒体を得ることが
できる。従って、この様な相変化形記録媒体を用いて光
ディスクを構成すれば、記録膜の耐酸化性の優れた光デ
ィスクを実現することができる。

〔発明の効果］ 本発明によれば、記録膜の耐酸化性の優れた相変化形記
録媒体を得ることができ、情報を長期間にわたって保存
することができる。また、この様な相変化形記録媒体を
用いて光ディスクを構成すれば、記録膜の耐酸化性の優
れた光ディスクを実現することができ、情報の長期保存
の可能により、光ディスクの用途が大幅に拡がる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例としての相変化形記録媒
体の断面を示す断面図、第２図は恒温恒温下における経
過時間と透過率の増加分との関係を、第１図の実施例と
保護膜を設けない比較例とで比較して示した特性図、第
３図は本発明の第２の実施例としての相変化形記録媒体
の断面を示す断面図、第４図は本発明の第３の実施例と
しての相変化形記録媒体の断面を示す断面図、第５図は
恒温恒温下における経過時間と透過率の増加分との関係
を、第３図の実施例と第４図の実施例とで比較して示し
た特性図、第６図は本発明の第４の実施例としての相変
化形記録媒体の断面を示す断面図、第７図は恒温恒湿下
における経過時間と透過率の増加分との関係を、第６図
の実施例と保護膜を設けない比較例とで比較して示した
特性図、第８図は本発明の第５の実施例としての相変化
形記録媒体の断面を示す断面図、第９図は本発明の第６
の実施例としての相変化形記録媒体の断面を示す断面図
、第ｌＯ図は恒温恒湿下における経過時間と透過率の増
加分との関係を、第８図の実施例と第９図の実施例とで
比較して示した特性図、第１１図は本発明の第７の実施
例としての相変化形記録媒体の断面を示す断面図、第１
２図は本発明の第８の実施例としての相変化形記録媒体
の断面を示す断面図である。 符号の説明 ｌ・・・ＰＣ樹脂基板、２，４，５．６・・・保護膜、
３，７・・・記録膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、樹脂から成る基板と、該基板上に配され、非晶質と
   結晶質との間で相変化することが可能な記録膜と、で構
   成される相変化形記録媒体において、 前記記録膜上及び／または前記記録膜と前記基板との間
   に、前記記録膜を構成する材料の窒化物薄膜を有するこ
   とを特徴とする相変化形記録媒体。 ２、樹脂から成る基板と、該基板上に配され、非晶質と
   結晶質との間で相変化することが可能な記録膜と、で構
   成される相変化形記録媒体において、 前記記録膜上及び／または前記記録膜と前記基板との間
   に、不動態金属酸化物薄膜及びＳｉ酸化物薄膜のうちの
   少なくとも一方を有することを特徴とする相変化形記録
   媒体。 ３、樹脂から成る基板と、該基板上に配され、非晶質と
   結晶質との間で相変化することが可能な記録膜と、で構
   成される相変化形記録媒体において、 前記記録膜上及び／または前記記録膜と前記基板との間
   に、前記記録膜を構成する材料の窒化物薄膜、不動態金
   属酸化物薄膜及びＳｉ酸化物薄膜のうちの少なくとも２
   つの薄膜から成る多重層を有することを特徴とする相変
   化形記録媒体。 ４、樹脂から成る基板と、該基板上に配され、非晶質と
   結晶質との間で相変化することが可能な記録膜と、で構
   成される相変化形記録媒体において、 前記記録膜は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、
   Ａｌ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔのうちの少なくとも１つの元素
   を２原子％以上１５原子％以下含有することを特徴とす
   る相変化形記録媒体。 ５、請求項１または３に記載の相変化形記録媒体におい
   て、前記記録膜を構成する材料の窒化物薄膜は、Ｎ＿２
   ガス、（Ａｒ＋Ｎ＿２）ガス、（Ａｒ＋ＮＨ＿３）ガス
   及びＮＨ＿３ガスのうちのいずれか１つによって、前記
   記録膜を構成する材料をスパッタリングすることにより
   、成膜することを特徴とする相変化形記録媒体。 ６、請求項２または３に記載の相変化形記録媒体におい
   て、前記不動態金属酸化物薄膜を構成する不動態金属酸
   化物は、Ｃｒ＿２Ｏ＿３、ＴｉＯ＿２、ＺｒＯ＿２、Ｎ
   ｉＯ、Ｎｂ＿２Ｏ＿５、Ｔａ＿２Ｏ＿５及びＡｌ＿２Ｏ
   ＿３のうちのいずれかであると共に、前記Ｓｉ酸化物薄
   膜を構成するＳｉ酸化物は、ＳｉＯ＿ｘ（但し、１≦ｘ
   ≦２）であることを特徴とする相変化形記録媒体。 ７、請求項１、２、３、４、５または６に記載の相変化
   形記録媒体を用いて構成されることを特徴とする光ディ
   スク。