JPH0350888A - 導体ビアの修復方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 各種電子機器の構成に広く使用されるセラミック回路基
板の導体ビアの修復方法に関し、絶縁基板に形成した導
体ビアの引け、若しくは未充填を簡単且つ、安価に修復
できることを目的とし、 絶縁基板のスルーホールに充填した導体金属の引け、ま
たは未充填の部分に、当該導体金属と同質の導電性を備
えた補正用金属部材を挿入して、当該補正用金属部材お
よび、引けを生じた上記導体金属を溶融するレーザビー
ムを照射して、溶融した該補正用金属により所定形状の
導体ビアを形成する 〔産業上の利用分野〕 本発明は、各種電子機器の構成に広く使用されるセラミ
ック回路基板の導体ビアの修復方法に関する。

最近、特に大型電算機等に装着されるプリント板は、セ
ラミックよりなる回路基板上にピングリッドアレイ形の
半導体パッケージ（以下ＬＳｉと略称する）を高密廣に
実装するため、その回路基板とＬＳｉ間に両画部品を電
気的に接続するセラミックより形成された中間導体（以
下個別プリント板と略称する）が配置されている。

この個別プリント板に実装されるＬＳｉはますます高集
積化されて入出力用のリードがパッケージの実装面に微
小ピッチで高密度に配列されおり、それに伴い個別プリ
ント板には前記リードと接合する導体ビアが多数個必要
となるので、その導体ビア形成時に発生する引け、若し
くは未充填の不良を修復する方法が要求されている。

〔従来の技術〕

個別プリント板の導体ビア充填方法は第３図の工程順側
断面図に示すように、 （ａ）は、セラミックより約１ｒＭ１の板厚に成形した
絶縁基板１に、実装するＬＳｉ３のリード３−１と同一
ピッチで微細径９例えば０．２　ｍａのスルーホール１
−１を配設した状態、 （ｂ）は、このスルーホール１−１の内壁に５μｍの無
電解のＣｕメツキ膜１−２を形成した状態、（Ｃ）は、
ビア充填用となるＣｕ粉末、若しくはＣＵよりなるシー
ト等の導体金属２−１上に絶縁基板ｌを載置した状態、 （ｄ）は、その状態で絶縁基板１を加熱炉に挿入して導
体金属２−１を溶融し、毛細管現象により導体金属２−
１をスルーホール１−１のメツキ膜１−２内に充填させ
て、表裏両面より膨出した形状（以下所定形状と略称す
る）の導体ビア２が形成された状態、 で示す工程により形成されている。

そして、上記導体ビアが形成された絶縁基板１の両面を
平面状に研磨して個別プリント板を形成している。

〔発明が解決しようとする課題］ 以上説明した従来の導体ビアの充填方法問題となるのは
、絶縁基板１のスルーホール１−１内壁に施したＣｕメ
ツキ膜１−２の濡れ不良により、溶融した導体金属２−
１が微細なスルーホール１−１内を上昇しないで未充填
が発生したり、あるいは上昇量の不足により凝固時にお
いて引は等が発生する。

しかるに、−枚の絶縁基板１に多数個のスルーホール１
１が穿設されており、これらの不良導体ビアが一個所で
も発生した絶縁基板１を全部廃却しているので、その製
造コストが高騰するという問題が住じている。

本発明は上記のような問題点に鑑み、絶縁基板に形成し
た導体ビアの引け、若しくは未充填を簡単且つ、安価に
修復できる導体ビアの修復方法の提供を目的とする。

［課題を解決するための手段〕 本発明は、第１図および第２図に示すように、絶縁基板
ｌのスルーホール１−１に充填した導体金属２−１の引
け、または未充填の部分に、当該導体金属２−１と同質
の導電性を備えた補正用金属部材１２、２２を挿入して
、当該補正用金属部材１２．２２および引けを生じた上
記導体金属２−１を溶融するレーザビーム１３を照射し
て、溶融した該補正用金属１２、２２により所定形状の
導体ビア２を形成する。

〔作　用〕

本発明では、絶縁基板１のスルーホール１−１に充填し
た導体金属２−１の引は部分および未充填部分に補正用
金属部材１２．２２を挿入して、表裏両面より当該補正
用金属部材１２．２２にレーザビーム１３を照射するこ
とにより、第１図に示すように引けが発生した部分は当
該補正用金属部材１２と在来の導体金属２−１が溶融し
て、スルーホール１−１内で一体となるため所定形状の
導体ビア２が形成される。また、第２図に示すように未
充填の部分は、挿入した導体細線２２が溶融してスルー
ホール１−１のＣｕメツキ膜１−２に密着するので所定
形状の導体ビア２を形成され。

以上により、不良となる絶縁基板１を簡単、且つ安価に
修復することが可能となる。

〔実　施　例〕

以下第１図および第２図について本発明の詳細な説明す
る。

第１図は本実施例による引けを生じた導体ビアの修復方
法を示す工程順側断面図、第２図は未充填の導体ビア修
復方法の工程順側断面図を示し、図中において、第３図
と同一部材には同一記号が付しているが、その他の１２
は引けが生じて不良となった導体ビアを修復する補充用
の導体ボール。

２２は未充填のスルーホールを修復する導体細線である
。

１ボール１２は、絶縁基板１のスルーホール１−１に充
填される前記導体金属２−１と同質、即ちＣＵで、その
スルーホール１−１の径より小さな直径に成形した粒子
である。

導体細線２２は、絶縁基板１のスルーホール１−１に挿
入できる径のＣｕ細線を、その絶縁基板１の板厚寸法よ
り若干長い１例えば１．２　ｍｍに切断したものである
。

そして、引けが生じた導体ビアの修復方法は第１し１の
工程順側断面図に示すように、（ａ）は、従来の導体ビ
ア形成時に絶縁基板１のスルーホールＬＬに充填した導
体金属２−１が、凝固時に当該導体金属２−１が収縮し
て表裏両面に引けが発生した状態、 （ｂｌは、前記導体金属２−１の引けの部分に導体ボー
ル１２を挿入して、表裏両面より当該導体ボール１２と
在来の導体金属２−１を溶融するレーザビーム１３を照
射した状態、 （Ｃ１は、溶融した前記導体ボール１２と導体金属２−
１が一体となって所定形状の導体ビア２が形成された状
態、 で示す工程により修復する。

また、未充填導体とアの修復方法は第２図の工程順側断
面図に示すように、 （ａ）は、従来の導体ビア形成時においてスルーホール
１−１に導体金属が未充填となり、絶縁基板ｌのスルー
ホール１−１内壁にＣｕのメツキ膜１−２が露出した状
態、 （ｂ）は、前記メツキ膜１−２が施されたスルーホール
１−１に導体細線２２を挿入して、表裏両面より当該導
体細線２２を溶融するレーザビーム１３を照射した状態
、 （Ｃ）は、溶融した前記導体細線２２がスルーホール１
−１のメツキ膜１−２に密着して所定形状の導体ビア２
を形成した状態、 で示す工程順により修復する。

その結果、導体ビア形成時に発生した導体金属２−１の
引け、或いは未充填のスルーホール１−１に対して、所
定形状の導体ビア２が簡単、且つ安価に形成されるので
不良となる絶縁基板１を良品に修復することができる。

〔発明の効果］ 以上の説明から明らかなように本発明によれば極めて簡
単な方法で、引け、或いは未充填の導体ビアを修復して
不良としていた絶縁基板を良品にすることができる等の
利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期
待できる導体ビアの修復方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例による引けを生じた導体ビア
の修復方法を示す工程順側断面図、第２図は未充填導体
ビアの修復方法を示す工程順側断面図、 第３図は従来の導体ビア充填方法を示す工程順断面図で
ある。 図において、 ｌは絶縁基板、 １−１はスルーホール、 １−２はメツキ膜、 ２は温体ビア、 ２−１は導体金属、 １２は導体ボール、 １３はレーザビーム、 ２２は導体細線、 を示す。 １’ｌ碕僕記ｈスＴΣノ阿劉けご 第１図 を談ζＴＩオ冒「グｐ）ツ（＃ｊＵＩ！１第２図 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 絶縁基板（１）のスルーホール（１−１）に充填した導
   体金属（２−１）の引け，または未充填の部分に、当該
   導体金属（２−１）と同質の導電性を備えた補正用金属
   部材（１２，２２）を挿入して、当該補正用金属部材（
   １２，２２）および，引けを生じた上記導体金属（２−
   １）を溶融するレーザビーム（１３）を照射して、溶融
   した該補正用金属（１２，２２）により所定形状の導体
   ビア（２）を形成することを特徴とする導体ビアの修復
   方法。