JPH0350833B2 - - Google Patents

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JPH0350833B2
JPH0350833B2 JP58224977A JP22497783A JPH0350833B2 JP H0350833 B2 JPH0350833 B2 JP H0350833B2 JP 58224977 A JP58224977 A JP 58224977A JP 22497783 A JP22497783 A JP 22497783A JP H0350833 B2 JPH0350833 B2 JP H0350833B2
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JP
Japan
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gear
planetary gears
point
fixed gear
vapor deposition
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JP58224977A
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Inventor
Yoshikazu Sakashita
Shunji Inamura
Kazuyuki Suganuma
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Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Electronic Corp
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Publication date
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Publication of JPS60116775A publication Critical patent/JPS60116775A/ja
Publication of JPH0350833B2 publication Critical patent/JPH0350833B2/ja
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • C23C14/505Substrate holders for rotation of the substrates

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、蒸着処理装置に関し、特に光学式情
報記録媒体(以下単にデイスクと称する)の信号
面上に金属を真空蒸着して反射膜を形成するため
の蒸着処理装置に関するものである。
従来この種の装置として第1図に示すものがあ
つた。図において、基台1及びハウジング2によ
り、真空で金属蒸気雰囲気の蒸着室が画定され、
基台1の中央部には固定ギア3が配置されてい
る。固定ギア3の中心部には、蒸着されるべき金
属の蒸着源4が配置されている。蒸着源4には、
第2図に示す如く、支柱5により保持された電極
6によつて電位が与えられる。固定ギア3の下方
に設けられた駆動部材7は固定ギア3の中心軸の
周りに回転自在であり、この駆動部材7上でかつ
固定ギア3を中心とする所定円周上には、例えば
8個の遊星ギア8a〜8hが等間隔にて回転自在
に軸支されている。
これら遊星ギア8a〜8hは互いに同一径を有
して固定ギア3に噛合し、前記駆動部材7の回転
に伴つて固定ギア3の周りを自転しつつ公転す
る。例えば、固定ギア3のピツチ円を630mm、歯
数を315、モジユールを2とし、遊星ギア8a〜
8hのピツチ円を210mm、歯数を105、モジユール
を2とすると、公転直径が840mm、公転/自転=
1/3となる。遊星ギア8a〜8h上には、8枚
のデイスク9a〜9hがホルダ(図示せず)を介
して担持される。
8枚のデイスク9a〜9hは駆動部材7の回転
に伴つて各遊星ギア8a〜8hと一体に固定ギア
3の周りを自転しつつ公転する。そして各デイス
クの表面及び裏面が蒸着源4とほぼ対向する角度
範囲X、Xが蒸着有効範囲となり、他の角度範囲
Y、Yが蒸着無効範囲となる。
このように構成された従来装置では、隣り合う
デイスク同士が自転するときにぶつかり合わない
ようにするためには、隣り合う遊星ギアの軸間距
離をデイスクの自転直径より大に設定しなければ
ならないので、所定の公転直径に対し1バツチ当
りのデイスクの収容数量に限界が生じていた。例
えば、公転直径を840mmとした場合には、30cmデ
イスクで8枚/バツチ、20cmデイスクで12枚/バ
ツチが限界となつていた。
但し、物理的には、隣り合うデイスクの取付け
位相を適当に設定することにより、前記軸間距離
をデイスクの自転直径以下にすることは可能であ
るが、この場合次の理由により現実的には非常に
好ましくない。すなわち、自公転方式の場合、蒸
着源4に電位を与える為の電極6や、この電極6
を保持する為の支柱5などが必要であり、これら
によつて遮蔽される角度範囲Y、Yでは有効に蒸
着されず、また蒸気の様に位相をずらせた場合、
蒸着有効範囲X、X内では、蒸着源4に全面が対
向すべきデイスクが隣りのデイスクにより遮ぎら
れてしまうことになるからである。
本発明は、上記のような従来のものの欠点を除
去すべくなされたもので、1バツチ当りのデイス
ク収容量を増加さることにより、生産性を向上せ
しめた蒸着処理装置を提供することを目的とす
る。
本発明による蒸着処理装置においては、固定ギ
アに対して回転自在な駆動部材上に、該固定ギア
に噛合した複数の基本遊星ギヤを等間隔にて回転
自在に設けると共に、これら基本遊星ギアの隣り
合うもの同士間に複数の付加遊星ギアを等間隔に
て回転自在に設け、基本遊星ギアと付加遊星ギア
とを該駆動部材の回転に伴つて互いに同期させつ
つ反対方向に回転させる構成となつている。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
第3図は、本発明の一実施例を示す平面図であ
る。第3図において、固定ギア3に対して回転自
在な駆動部材7(第1図参照)上でかつ固定ギア
3を中心とする所定円周上には、例えば6個の基
本遊星ギア11a〜11fが等間隔にて回転自在
に軸支され、これら基本遊星ギア11a〜11f
は互いに同一径を有して固定ギア3に噛合し、前
記駆動部材7の回転に伴つて固定ギア3の周りを
自転しつつ公転する。駆動部材7上の前記所定円
周上には更に、基本遊星ギア11a〜11fの隣
り合うもの同士間に等間隔で位置するように、互
いに同一径の6個の付加遊星ギア12a〜12f
が回転自在に軸支されている。これら付加遊星ギ
ア12a〜12fと固定ギア3との間には、双方
に噛合した同軸の2段中間ギア13a〜13f,
14a〜14fが介在しており、これらの中間ギ
ア13a〜13f,14a〜14fをは前記駆動
部材7の回転に伴つて付加遊星ギア12a〜12
bを基本遊星ギア11a〜11fに対して同期さ
せつつ反対方向に回転せしめる機械的連絡手段を
構成している。基本遊星ギア11a〜11f及び
付加遊星ギア12a〜12f上には、図示せぬホ
ルダを介して12枚のデイスク9a〜9lが担持さ
れ、これらデイスクの隣り合うもの同士は前記駆
動部材7の回転に伴つて固定ギア3の周りを互い
に同期しかつ逆方向に自転しつつ公転する。
ここで、隣り合うデイスク同士が互いに同期し
つつ逆方向に自転するためには、各ギア間で次の
条件を満足する必要がある。すなわち、基本遊星
ギア11a〜11f(B)のピツチ円をφb、歯数を
Tb、中間ギア13a〜13f(C)のピツチ円をφc
歯数をTc、中間ギア14a〜14f(D)のピツチ
円をφd、歯数をTd、付加遊星ギア(E)12a〜1
2fのピツチ円をφe、歯数をTeとすると、 φb=φc+φd+φe φb>2φc Tb/Tc=Te/Td 具体的数値の一例を示すと、固定ギア3Aのピ
ツチ円をφa、歯数をTaとすると、 固定ギアA:φa=630mm Ta=313 遊星ギアB:φb=210mm Tb=105 中間ギアC:φc=84mm Tc=42 中間ギアD:φd=36mm Td=18 遊星ギアE:φe=90mm Te=45 となり、各ギアのモジユールMは共に2となる。
このときの自公転比率は公転/自転=1/3とな
る。なお、この数値に限定されるものではない。
また、隣り合うデイスク(又はホルダ)同士が
自転するときぶつかり合わないようにするために
は、公転半径R、隣り合う遊星ギアの軸間角度
A、デイスク(又はホルダ)の自転直径2L、隣
り合うデイスク(又はホルダ)の位相差Bを適当
に設定することが重要である。これについて、第
4図及び第5図a,bを参照して説明する。今、
回動面内におけるデイスク(又はホルダ)の外
方端の座標を(X1、Y1)、中心の座標を(X2
Y2)、デイスク(又はホルダ)の外方端の座標
を(X3、Y3)、中心の座標を(X4、Y4)とする。
また、点(X1、Y1)、点(X2、Y2)を通る直線
と点(X3、Y3)、点(X4、Y4)を通る直線との
交点の座標を(u、v)とする。そして、デイス
ク、デイスクを共に角度P(0°→180°)回転
したときに、(u、v)と(X2、Y2)間の距離<
Lかつ(u、v)と(X4、Y4)間の距離<Lの
時、デイスク、がぶつかり、その他の時には
ぶつからないと判断する。
X1=R+L・cosP ……(1) Y1=L・sinP ……(2) X2=R ……(3) Y2=0 ……(4) X3=R・cosA+L・cos(−P+B) ……(5) Y3=R・sinA+L・sin(−P+B) ……(6) X4=R・cosA ……(7) Y4=R・sinA ……(8) 点(X1、Y1)、点(X2、Y2)を通る直線の式
は、 (X2−X1)(y−Y1) =(Y2−Y1)(x−X1) ……(9) 点(X3、Y3)、点(X4、Y4)を通る直線の式
は、 (X4−X3)(y−Y3) =(Y4−Y3)(x−X3) ……(10) 交点の座標(u、v)は u=(X2−X1)(X4−X3)(Y3−Y1)+(Y2−Y1)(X4
−X3)・X1−(Y4−Y3)(X2−X1) ・X3/(Y2−Y1)(X4−X3)−(Y4−Y3)(X2−X1) v=(Y2−Y1)(Y4−Y3)(X3−X1)+(X4−X3)(Y2
−Y1)・Y3−(X2−X1)(Y4−Y3) ・Y1/(X2−X1)(Y4−Y3)−(X4−X3)(Y2−Y1) ただし |Y2−Y1 X2−X1 Y4−Y3 X4−X3|≠0のとき |Y2−Y1 X2−X1 Y4−Y3 X4−X3|=0のとき (9)式より y=Y2−Y1/X2−X1x−Y2−Y1/X2−X1・X1
Y1 (10)式より y=Y4−Y3/X4−X3x−Y4−Y3/X4−X3・X3+Y3−Y2
Y1/X2−X1・X1+Y1 =−Y4−Y3/X4−X3・X3+Y3 Y2−Y1/X2−X1=Y4−Y3/X4−X3=Aとする −A・X1+Y1=−A・X3+Y3 Y1−Y3−A(X1−X3)=0 Y1−Y3−A(X1−X3)=0のとき ぶつかる Y1−Y3−A(X1−X3)≠0のとき ぶつからない R、A、L、Bを代入して、Pを→180°とした
とき √(−22+(−22、 √(−42+(−42 とLとの大小を比較する。
本願発明者の実験結果によれば、30cmデイスク
の場合、R=420mm、A=30°、2L=310mm、B=
120°とすることにより、隣り合うデイスク同士が
ぶつかり合わないことが判明している。また、20
cmデイスクの場合、R=420mm、A=22°、2L=
215mm、B=112°とすることにより、隣り合うデ
イスク同士がぶつかり合わないことが判明してい
る。
また、上記数値例においては、蒸着源4と対向
するデイスクを全面に亘つて有効に蒸着できると
いう実験結果も得られている。
なお、上記実施例においては、30cmデイスク用
の蒸着処理装置に適用した場合について説明した
が、20cmデイスク用蒸着処理装置の場合には、各
ギアの組み合わせを、例えば 固定ギアA:φa=672mm Ta=336 遊星ギアB:φb=168mm Tb=84 中間ギアC:φc=56mm Tc=28 中間ギアD:φd=28mm Td=14 遊星ギアE:φe=84mm Te=42 とし、各ギアのモジユールMを共に2とすること
により、公転/自転=1/4となる自公転比率と
なる。なお、上記数値例に限定されるものではな
い。
第6図は、本発明の他の実施例を示す一部分の
平面図であり、本実施例においては、基本遊星ギ
ア11に中間ギア15が同軸にかつ一体に設けら
れており、この中間ギア15は付加遊星ギア12
と噛合し、この付加遊星ギア12を基本遊星ギア
11に対して同期させつつ反対方向に回転せしめ
る機械的連絡手段を構成している。中間ギア15
は基本遊星ギア11とほぼ等しいピツチ円及び歯
数を有し、付加遊星ギア12とは全く等しいピツ
チ円及び歯数を有しており、この構成により上記
実施例の同様の効果が得られる。
上記実施例においては各々の基本遊星ギア11
に中間ギア15がそれぞれ同軸にかつ一体に設け
る構成について説明したが、中間ギア15は一つ
おきの基本遊星ギア11に設けるようにしても同
様な作用効果が得られる。
以上説明したように、本発明によれば、固定ギ
アに対して回動自在な駆動部材上に、該固定ギア
に噛合した複数の基本遊星ギアを等間隔にて回転
自在に設けると共に、これら基本遊星ギアの隣り
合うもの同士間に複数の付加遊星ギアを等間隔に
て回転自在に設け、基本遊星ギアと付加遊星ギア
とを該駆動部材に回転に伴つて互いに同期させつ
つ反対方向に回転させる構成としたので、従来と
同じ公転直径であつてもデイスクの処理量を増加
でき、生産性を向上できることになる。具体的に
は、公転直径を例えば840mmとした場合、30cmデ
イスクで従来8枚/バツチであつたものを12枚/
バツチと50%増加でき、20cmデイスクでは従来12
枚/バツチであつたものを16枚/バツチと33.3%
増加できるという結果が得られている。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来装置を示す一部断面を含む斜視
図、第2図は第1図の要部の平面図、第3図は本
発明の一実施例を示す平面図、第4図及び第5図
a,bは第3図の動作原理を示す図、第6図は本
発明の他の実施例を示す平面図である。 主要部分の符号の説明、4……蒸着源、9,9
a〜9l……デイスク、11,11a〜11f…
…基本遊星ギア、12,12a〜12f……付加
遊星ギア、13a〜13f,14a〜14f,1
5……中間ギア。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ハウジング内に配置された固定ギアと、前記
    固定ギアの中心部に配置された蒸着されるべき金
    属の蒸着源と、前記固定ギアの中心軸の周りに回
    転自在に設けられた駆動部材と、前記駆動部材上
    においてかつ前記固定ギアを中心とする所定円周
    上に等間隔にて回転自在に配置されかつ前記固定
    ギアに噛合した同一径の複数の基本遊星ギアとを
    有する蒸着処理装置であつて、前記基本遊星ギア
    の隣り合うもの同士間に等間隔で位置するように
    前記駆動部材上の前記所定円周上に回転自在に配
    置された同一径で前記基本遊星ギアと同数の付加
    遊星ギアと、前記付加遊星ギアと前記固定ギアと
    の間を機械的に連絡し前記駆動部材の回転に伴つ
    て前記付加遊星ギアを前記基本遊星ギアに対して
    同期させつつ反対方向に回転せしめる機械的連絡
    手段と、前記基本及び付加遊星ギアの中心軸上に
    設けられかつその直径が前記固定ギアの中心軸と
    平行に配置されるように被蒸着対象のデイスクを
    保持する被蒸着対象物ホルダとからなり、前記所
    定円周の公転半径をRとし、隣り合う前記基本及
    び付加遊星ギアにおける中心軸間角度をA並びに
    配置された前記デイスクの自動直径を2Lとし、
    隣り合う2つの前記デイスクにおいて一方の前記
    デイスクにおける回動面内の回動角度をP、外方
    端の座標を点(X1、Y1)及び中心の座標を点
    (X2、Y2)とし、他方の前記デイスクにおける回
    動面内の回転のPからの位相差角度をB、外方端
    の座標を点(X3、Y3)及び中心の座標を点
    (X4、Y4)とし、点(X1、Y1)及び点(X2
    Y2)を通る直線と点(X3、Y3)及び点(X4
    Y4)を通る直線との交点の座標を点(u、v)
    とし、Pを角度0°から180°の範囲で回転したとき
    に、下記(1)式ないし(8)式を満し、 X1=R+L・cosP ……(1) Y1=L・sinP ……(2) X2=R ……(3) Y2=0 ……(4) X3=R・cosA+L・cos(−P+B) ……(5) Y3=R・sinA+L・sin(−P+B) ……(6) X4=R・cosA ……(7) Y4=R・sinA ……(8) かつ点(u、v)と点(X2、Y2)間の距離が
    Lより小さくならずかつ点(u、v)と点(X4
    Y4)間の距離がLより小さくならない範囲に前
    記R、A、L及びBを設定したことを特徴とする
    蒸着処理装置。 2 前記機械的連絡手段は、前記付加遊星ギアと
    前記固定ギアとの間に介在して双方に噛合した中
    間ギアであることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載の蒸着処理装置。 3 前記機械的連絡手段は、前記基本遊星ギアと
    同軸にかつ一体に設けられて前記付加遊星ギアに
    噛合した中間ギアであることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載の蒸着処理装置。
JP22497783A 1983-11-28 1983-11-28 蒸着処理装置 Granted JPS60116775A (ja)

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JP22497783A JPS60116775A (ja) 1983-11-28 1983-11-28 蒸着処理装置

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JPS60116775A JPS60116775A (ja) 1985-06-24
JPH0350833B2 true JPH0350833B2 (ja) 1991-08-02

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