JPH035068B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ゲート絶縁皮膜として、酸化ベリリ
ウム（以下BeOという）を用いたMOS形半導体
装置の製造方法に関するものである。

［従来の技術］ 例えば、集積回路用の半導体素子構造として、
消費電力が少なく、小形化が可能で集積化が容易
であり、また製造方法も簡単であるMOS形の半
導体素子が多く用いられている。

このMOS形半導体素子の基本構造は、第１図
に示すようになり、例えばｐチヤネルの場合は、
ｎ形の半導体の基板１に、ｐ形ドーパントを高濃
度でドープしたｐ形領域２，３を形成し、さらに
このｐ形領域２，３間の基板１の表面上に絶縁皮
膜６を形成する。さらに、この絶縁皮膜６上に
Au、AlあるいはMoなどの金属からなるゲート
電極７を被着し、また前記ｐ形領域２，３をそれ
ぞれソース及びドレインとして、金属からなるソ
ース電極４及びドレイン電極５を被着した構造に
なるものである。

ところで、前記絶縁皮膜６は、製造される素子
の特性を大きく左右する重要な部分であり、その
材料としては、SiO₂、Si₃N₄あるいはAl₂O₃など
を用いることができるが、一般には、電気的特性
にすぐれ、かつ製作容易なSiO₂が最も多く用い
られている。

すなわち、鏡面研摩された−導電形の半導体の
基板900℃〜1100℃程度に加熱された炉中に入れ、
この炉に乾燥した酸素（O₂）、あるいは水蒸気を
送入して、基板の表面に熱酸化法によるSiO₂皮
膜の形成を行う。

しかる後、このSiO₂皮膜上にフオトレジスト
を塗布し、マスクをかけて所要部分を露光し、エ
ツチングによつて前記SiO₂皮膜の所定部分を除
去する、いわゆるフオトエツチング技術によるｐ
形領域形成の窓開け作業を行い、ドーパントを拡
散してｐ形領域を形成した後、ゲート絶縁皮膜用
のSiO₂皮膜を上述した熱酸化法により形成し、
ソース、ドレイン及びゲート絶縁皮膜上に各電極
を形成してなるものである。

また、基板表面にSiO₂皮膜を形成する方法と
して、上述した熱酸化法以外にも、例えばSiH₄
−O₂系のガスを基板上に導入し、ここで熱分解
させてSiO₂皮膜を堆積させる気相成長法による
絶縁皮膜の形成も行われている。

［発明が解決しようとする問題点］ ここで、一般には前者の熱酸化法で得たSIO₂
膜の方が、気相成長法で得られるSiO₂膜よりも
電気的特性にすぐれているといわれているが、熱
酸化法においてもその工程中、基板が1000℃程度
の高温にさらされるために、基板１中に作り込ま
れているｐ−ｎ接合部が劣化して、得られる素子
のリーク電流が多くなつたり、また基板皮膜６に
接する表面に格子欠陥が生じ、素子の特性を悪化
させる原因となるという問題点があつた。

さらに、熱酸化法、あるいは気相成長法のいず
れの方法で得られた絶縁皮膜も、結晶構造の完全
な膜ではなく、一般に多結晶、あるいは非結晶の
皮膜である。

したがつて、この絶縁皮膜中には、空孔、クラ
ツク、構造欠陥による電荷密度の増大、その他
種々の不純物準位が存在し、また工程中の汚染、
とくに高温酸化にともなう汚染により、例えば形
成される絶縁皮膜中を容易に移動できるNa＋イ
オンなどが混入して基板１の表面にｎ形反転層を
形成する原因となる。

一方、半導体装置の小形化、高速動作化傾向に
対して、MOS形半導体装置でも、各素子の高密
度化が行われるようになつてきている。

この高密度化には、チヤネルの短チヤネル化、
あるいは狭チヤネル化が必要となるが、このチヤ
ネル寸法の微小化にともない、上述した絶縁皮膜
の結晶性の不完全さが、形成される半導体装置の
特性改善をはばむ大きな原因となつてきている。

さらに近時、このMOS形構造の半導体装置は、
集積回路に限らず、高電圧用トランジスタや電力
用トランジスタなどの各種半導体装置に適用され
るようになつてきており、これら装置の耐圧や熱
的破壊を防止するためには、構造欠陥やピンホー
ルがなく、かつ熱伝導特性のよい絶縁皮膜が要求
される。しかしながら、従来の熱酸化法や気相成
長法で得られたSiO₂膜やSi₃N₄膜などの絶縁皮膜
では、これらの特性を十分に満たすことができ
ず、MOS形半導体装置の電気的、熱的特性を改
善するには不十分であつた。

［発明の目的］ 本発明は上述した事情に鑑みてなされたもので
あり、集積回路や各種のトランジスタとして勝れ
た特性を有するMOS形半導体装置を実現するた
めに、絶縁皮膜として電気的特性にすぐれ、かつ
熱伝導特性にもすぐれた結晶性のBeO皮膜を有
するMOS形半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。

以下、図面を参照して、本発明によるMOS形
半導体装置の製造方法の一実施例を説明するに、
まず本発明の要旨となる結晶性のBeO皮膜につ
いて述べる。

BeOは、六方晶ウルツ形結晶構造を有し、禁
止帯幅が約11.2eVときわめて大きいために電気
抵抗も10¹⁰Ω・cm以上と大きく、良好な絶縁体で
ある。さらに、このBeOは、比誘電率が６〜８
程度とAl₂O₃などと比べてかなり小さく電気的特
性にすぐれ、また熱伝導特性もきわめてよく、か
つ化学的にも安定しているため、例えばマイクロ
波用電力装置の部品、あるいは高温燃焼室の内張
り部材、さらに原子炉の減速材や反射材、Ｘ線管
の窓部材などに用いられている。

ところで、このBeOは、融点が2570℃ときわ
めて高く皮膜形成が困難であるため、従来は、
BeOの微粉末をホツトプレス法などにより加圧
形成して板状とし、使用しているのが現状であ
る。

また一部では、酸化モリブデン（MoO₃）をフ
ラツクスとして用いたフラツクス法により、単結
晶を育成することが試みられているが、この方法
により得られたものは、いわば単結晶片にすぎず
工業的に利用されるまでは至つていない。

一方、BeOは、前述したように高熱伝導特性
及び高絶縁特性を有しており、熱的にも、また電
気的にもすぐれた絶縁材料であり、さらに、モー
ス硬度も９ときわめて硬い材料である。

したがつて、各種電気及び電子の部品に直接こ
のBeO皮膜を形成できれば、熱放散特性にすぐ
れ、かつ高耐圧の電気及び電子の部品が得られる
ことが予想され、しかも結晶性を制御して、結晶
性のよいBeO皮膜が得られれば、半導体素子の
絶縁膜としてもすぐれた特性を有するものが得ら
れると考えられる。

本発明者は、上述したBeOのすぐれた特性に
着目し種々検討した結果、少なくともその一部が
イオン化された金属Beの蒸気と、酸素（O₂）と
を基板に射突させることによつて、結晶性のよい
BeO皮膜が得られることを明らかにし、この
BeO皮膜とその具体的な製造方法についてすで
に提案している。

本発明に係るMOS形半導体装置の製造方法は、
上述した本発明者の既に提案しているBeO皮膜
をMOS形半導体装置の酸化膜として用いたもの
であり、以下具体的な実施例について述べる。

まず、MOS形半導体装置の基板となる半導体
の基板を用意する。これは例えばｐチヤンネルの
MOS形半導体装置を製造する場合は、第１導電
形基板としてのｎ形のSiの基板、もしくはｎ形領
域を有するSiの基板を用いる。

しかして、この基板上に、まず結晶性のBeO
皮膜を被着形成する。

このBeO皮膜の被着は、例えば第２図に示す
ような装置を用いて、次のようにして行う。

この第２図においては、２１は、0.5mm〜2.0mm
程度の孔径の１個又は複数個のノズル２２を有す
る密閉形のるつぼである。ここで、前記ノズル２
２は、その軸方向の厚みをできるだけ薄くし、少
なくともノズル径よりは厚みを薄くするいわゆる
アスペクト比を１以下にしておくことが望まし
い。また、このるつぼ２１内には、フレーク状あ
るいはフレーク状のものを適宜加工してペレツト
状とした金属Be２３が充填されている。

２４は、前記るつぼ２１の周囲に設けられた加
熱装置であり、この実施例では、前記るつぼ２１
の周囲に電子放出用のコイル状のフイラメントを
配置し、これを加熱するとともに、図示しない電
源により前記るつぼ２１を正電位を付与いて、フ
イラメントからの電子を加速し、るつぼ２１の表
面に射突させてるつぼ２１の温度を上昇させる電
子衝撃形の加熱装置を用いている。

そのほか、るつぼ２１を加熱する方法として、
るつぼ２１が導電材料で形成されている場合は、
このるつぼ２１の上下部に特定の端子を設け、る
つぼ２１自体に低電圧電流を印加することによつ
てるつぼ２１全体を過熱する抵抗過熱法、あるい
はるつぼ２１の周囲にヒータを配置してるつぼ２
１の加熱を行なう輻射加熱法や、これらの組合せ
による加熱方法を必要に応じて適宜選択して使用
できる。

また２５は、熱遮へい板、２６はイオン化室で
あり、後述する金属Beの蒸気の通路を囲むよう
に円筒、角筒あるいは平行板状に形成された網状
のイオン化用の陽極２７と、この陽極の周囲に配
置された電子放出用のフイラメント２８及び遮へ
い板２９とにより構成されている。

３１は、その表面にBeO皮膜が被着される半
導体の基板１１を保持する基板ホルダ、３３は、
不要時に前記基板１１に対するBeあるいは酸素
（O₂）の射突を阻止するシヤツタである。

さらに３５は、１個ないし複数個のノズル３６
が設けられた酸素供給用パイプである。この場
合、前記ノズル３６は、るつぼ２１のノズル２２
の近傍に配設されているが、基板１１の近傍に前
記ノズル３６を設けるようにしてもよい。

また３７は、必要に応じて前記イオン化室２６
と基板１１間に設けられ、図示しない電源により
るつぼ２１に対して負の電位が印加されて後述す
るイオン化されたBe蒸気を加速する加速電極で
あり、４０は、必要に応じて前記基板１１に密
着、あるいは微小間隔を存して設けられ、基板１
１の所定領域にBeO皮膜を形成させるための蒸
着用のマスクである。

さらに図示はしていないが、必要に応じて前記
基板１１の近傍に、基板加熱用の加熱装置を設け
るようにしてもよい。

しかして、上述した各部が図示しない真空容器
内に適宜な支持部材により支持されて配設され、
この真空容器内がすくなくとも10^-5Torr以下の
高真空雰囲気に排気される。

この状態で、酸素供給用パイプ３５を介してノ
ズル３６から真空容器内に酸素３６ａを供給し、
真空容器内の圧力を10^-6Torr〜10^-3Torr程度に
保つ。

この場合、真空容器内に導入する酸素３６ａの
圧力が小さければ、良質のBeO皮膜の形成が期
待できるが、酸素導入前に真空容器内を高真空、
あるいは超高真空状態に排気することが必要とな
つたり、BeO皮膜の形成速度が遅くなるなどの
ため、実用上は前記真空容器内の圧力を
10^-6Torr〜10^-3Torr程度になるように酸素の導
入量を調整するのが適当である。

しかして、前記加熱装置２４を作動させ、るつ
ぼ２１を加熱してるつぼ２１内に充填されている
金属Beを加熱溶融させて金属Beの蒸気２３ａを
発生させる。

この場合、金属Beの加熱温度はるつぼ２１の
周囲空間、すなわち真空容器内の圧力に応じて設
定されるものであり、るつぼ２１内の金属Beの
蒸気の圧力をＰ、真空容器内の圧力をPoとした
場合、Ｐ／Po≧10²好ましくはＰ／P0≧10⁴とな
るように設定する。

例えば、金属Beの溶融点が1280℃であるので、
加熱温度1300℃で蒸気圧Ｐは約５×10^-2Torr、
1380℃で１×10^-1Torrとなる。したがつて、真
空容器内の圧力が10^-6Torr〜10^-5Torr程度であ
れば、前記加熱温度は1300℃〜1400℃程度に設定
すればよい。

さらに、前記蒸気圧Ｐを大きくして皮膜形成速
度を上げるために、形成されるBeO皮膜の膜質
を損なわない範囲内で前記加熱温度を上げるよう
にしてもよい。

しかして、るつぼ２１の内外の圧力差により金
属Beの蒸気２３ａはノズル２２よりるつぼ２１
外へ噴出し、この噴出速度に相当する運動エネル
ギーを得て、基板１１方向へ向う蒸気流２３ｂと
なる。

この場合、ノズル２２の形状と前記圧力Ｐ及び
Poを前述した条件に応じて適宜調整する、ある
いはつぼ２１のノズル２２の形状を工夫すること
によつて、噴出時に断熱膨張に基づく過冷却現象
を利用し、蒸気状のBe原子や分子がフアンデル
ワールス力で緩く結合した強大な集合体であるク
ラスタを形成するようにすれば、次に述べるイオ
ン化室２６でのイオン化効率の向上が図れたり、
あるいは基板１１上により良質の皮膜が形成でき
るようになる。

ところで、るつぼ２１外への噴出によつて運動
エネルギーを得た金属Beの蒸気流２３ｂは、イ
オン化室２６に入りここで少なくともその一部が
イオン化される。

すなわち、加熱されたフイラメント２８から放
出された電子が、このフイラメント２８と網状の
陽極２７との間に印加された100〜1000V程度の
電圧により加速され、網状の陽極２７を通り抜け
て前記蒸気流２３ａに射突し、少なくともその一
部をイオン化する。

また、ノズル２２から噴出した金属Beの蒸気
流２３ｂがクラスタを形成している場合は、前記
イオン化室２６でクラスタを構成する原子集団の
うちの１個の原子が前記電子衝撃によりイオン化
され、いわゆるクラスタイオンが形成される。さ
らに、ノズル３６から噴出した酸素もその一部は
イオン化室２６に入り電子衝撃を受けてイオン化
される。

このようにして、イオン化されたBe原子、中
性のBe原子あるいはBeのクラスタやクラスタイ
オンが、その通路にある酸素を含んだ酸素混合体
として、さらに基板１１方向に進み、シヤツタ３
３が開放されていると、マスク４０の開口を通し
て基板１１の表面に射突し、ここに被着して
BeO皮膜４１が形成される。

この場合、基板１１に射突する金属Beの蒸気
流２３ｂは、前述したようにイオン化室２６を通
過することによつて少なくともその一部がイオン
化されているので、このイオンのもつ電界が被膜
形成時の初期段階において有効に作用する。

すなわち、このイオンのもつ電界によつて結晶
成長のための核形成が促進され、さらにこの形成
された核を中心にして原子が集まり島状領域を形
成する、いわゆるコアレツセンスに有効に作用す
る。

また、このイオン化の効果は、Beと酸素との
反応をも促進し化学量論的組成にあつた結晶性の
よい皮膜が形成できるようになる。

さらにまた、金属Beの蒸気流２３ｂは、噴出
時に得た運動エネルギーをもつて基板１１に射突
するようになるので、この入射エネルギーにより
基板１１に対して、付着力の強いBeO皮膜４１
が形成できるとともに、BeO皮膜４１のパツキ
ング密度の増加や、結晶性の改善に大きく寄与
し、良質の皮膜が形成できる。

この場合、前記陽極２７に印加する加速電圧を
調整し、フイラメント２８から引出すイオン化電
流を変えることによつて金属Beの蒸気流２３ａ
のイオン化率を制御でき、これによつて基板１１
に被着されるBeO皮膜の結晶性や諸特性を制御
できる。

ところで、上述した実施例ではるつぼ２１内外
の圧力差を利用して蒸気２３ａをるつぼ２１外に
噴出させ、運動エネルギーを得るようにしている
が、イオン化室２６を通過して少なくともその一
部がイオン化された前記蒸気流２３ｂを電界によ
つて加速し、さらに運動エネルギーを増大させて
結晶性の制御や改善を行うようにしてもよい。

すなわち、加速電極３７に、るつぼ２１に対し
て負の電圧、例えば０〜10KV程度の適当な加速
電圧を印加すれば、イオン化室２６を通過しイオ
ン化された前記蒸気流２３ｂ中の粒子が加速され
て運動エネルギーを得、このエネルギーが皮膜形
成時に結晶性の改善や制御に有効に作用し、良質
のBeO皮膜４１が形成できるようになる。

また、形成されるBeO皮膜４１の結晶性をと
くによくしたい場合は、基板１１をある程度加熱
することが必要となるが、この場合の基板加熱温
度は、300℃程度、高々500℃以下の加熱温度で十
分である。

しかして、上述した工程を経て基板１１上に被
着されたBeO皮膜４１の所要部分を除去するた
めに、前記BeO皮膜４１の表面にフオトレジス
トを塗布し、マスクをかけて所要部分を露光して
現像、除去する。

次に、エツチングにより所要部分のBeO皮膜
を除去し、ゲート絶縁皮膜の形成とｐ形ドーパン
トを導入するための窓開け作業を行うことになる
が、このBeO皮膜４１のエツチング方法として
は、例えばプラズマエツチングやイオンエツチン
グなど公知の方法で行うことができる。

このエツチング工程により、基板１１上には第
３図に示すようにBeO皮膜４１ａ，４１ｂ及び
４１ｃが形成され、BeO皮膜４１ａがゲート絶
縁皮膜となり、またBeO４１ｂ及び４１ｃは、
それぞれソース電極及びドレイン電極と基板１１
とを電気的に絶縁するための絶縁膜として作用す
るようになる。

しかる後、前記エツチング工程により窓開けさ
れた部分を通して、基板１１に対し熱拡散法、あ
るいはイオン注入法などによりｐ形ドーパントと
なる例えばＢやAlなどの族元素を高濃度に導
入し、第４図に示すように第２導電形の半導体と
してのソース１２及びドレイン１３を形成する。

さらに、前記BeO皮膜４１ａ上に例えばAlあ
るいはAuなどの金属を蒸着してなるゲート電極
４２を被着し、またソース１２呼びドレイン１３
に対しては、前記BeO皮膜４１ｂ及び４１ｃに
より基板１１とは絶縁された状態でソース電極４
３及びドレイン電極４４を被着する。

４５は、基板１１の裏面に被着され、一般には
ソース４３と同電位に接続される基板電極であ
り、これら各電極にリード線４６を接続すること
により、MOS形半導体装置が完成する。

すなわち、本実施例の方法によつて製造した
MOS形半導体装置は、ゲート酸化膜としてBeO
皮膜４１ａを用いた構造になるものである。

しかもこのBeO皮膜４１ａは、上述した製造
工程を経ることによつてきわめて結晶性のよい皮
膜として得られるものである。

ここで、上述した実施例では、Siの基板表面に
直接結晶性のBeO皮膜を形成し、このBeO皮膜
をゲート絶縁皮膜、電極絶縁皮膜及びドーパント
導入窓部を有する拡散マスクとして利用する場合
について述べているが、第５図(a)に示すように、
ドーパント拡散用マスク及び電極絶縁皮膜は、公
知の手段用いて形成したSiO₂皮膜６１を用い、
ドーパント拡散後にゲート領域のSiO₂皮膜６１
を除去して、ここに前述の方法で第５図ｂに示す
ようにゲート絶縁皮膜となるBeO皮膜６２を形
成することにより、MOS形半導体装置を作成す
ることもできる。即ち、この場合には前記実施例
と異なり、第２導電形の半導体の形成工程よりも
BeO皮膜の形成工程が後になる。

また、大形の半導体装置などの場合は、前述の
BeO皮膜形成の際、第２図に示す蒸着用のマス
ク４０の開口を、ゲート及び電極に対応する位置
に設けた選択蒸着用マスクとなし、あらかじめ公
知の方法で所定領域にソース及びドレイン領域を
形成した−導電形のSiの基板を用いてBeO皮膜の
形成を行うようにすれば、半導体装置の作成工程
が簡略化されて有利である。

ところで、このBeO皮膜の結晶性のよさは、
第６図及び第７図に示す測定結果により明らかで
ある。

第６図は、BeO皮膜の結晶性を評価するため
に、第２図に示す装置によりガラス基板上に
BeO皮膜を被着し、得られたBeO皮膜の走査電
子顕微鏡写真像を示し、第７図は、Si単結晶基板
上に、第２図に示す装置により被着したBeO皮
膜のＸ線回析パターンを示している。

この第６図及び第７図から明らかなように、上
述した工程を経て得られるBeO皮膜は、六方晶
系結晶に特有の柱状組織がみられ、Ｃ軸方向に優
先配向していることが明らかである。

しかして、MOS形半導体装置において、ゲー
ト酸化膜を結晶性のよい絶縁膜で形成した場合、
次のような利点が生ずる。

まず、BeO皮膜４１ａの結晶性が完全に近い
状態であれば、空孔、クラシツク、構造欠陥など
に基づく電荷の密度がきわめて少なくなり、また
電荷の移動もなく、基板１１の表面の表面準位が
小さくなつて、基板１１の表面に反転層が形成さ
れることがない。

したがつて、すぐれた特性を有する素子が形成
できることになる。

さらに、このBeO皮膜の形成は、例えば熱酸
化法によつてSiO₂皮膜を形成する場合と比べて
高々500℃程度の低温工程で実施できるので、基
板１１の表面付近に構造欠陥を生ずるおそれがな
く素子の微細化構造が可能になるとともに、また
基板１１内に形成されているｐ−ｎ接合を破壊さ
せることもない。

また、上述したように低温工程でBeO皮膜が
形成されるために、Na⁺イオンなどの侵入が少な
く、不純物の拡散も少なくなるなどの利点が生ず
る。

BeO皮膜４１ａの上述した結晶性のよさは、
得られるMOS形半導体装置の電気的特性の改善
に大きく寄与するものである。

例えば、第８図ａに示すようにｐ形の半導体の
基板５１の表面に結晶性のBeO皮膜５２を被着
し、このBeO皮膜５２と基板５１の裏面にAuか
らなる一対の金属電極５３を被着して、この電極
５３間に1KHzの交流電圧を印加した場合のＣ−
Ｖ特性を第８図ｂに示す。

この第８図ｂから明らかなように、BeO皮膜
５２は、1KHzの周波数ではＣ−Ｖ特性にヒステ
リシスが生ぜず、基板５１の界面に近い部分に高
密度のトラツプが少ないことが明らかになる。

したがつて、電気的な効率や高周波特性のよい
半導体装置が得られるようになるものである。

また、上述したようにBeO皮膜４１ａ自体の
電気抵抗は10¹⁰Ω・cm以上ときわて高く、熱伝導
特性もきわめてすぐれているので、高耐圧の半導
体装置、あるいは電力用の半導体装置としてもす
ぐれた特性のものが得られる。

ところで、上述した実施例では、プレーナ構造
のMOS半導体装置により本発明を説明したが、
電力用半導体装置として採用されているＶ溝構
造、あるいはオフセツトゲート構造のMOS形半
導体装置を製造する場合にも、本発明を適用でき
ることはもちろんである。

また、基板１１として、上述した実施例では、
第１導電形基板としてｎ導電形基板としてｎ形の
シリコン基板を用いた例を説明しているが、基板
１１としてｐ形のシリコン、あるいはGaAsなど
の化合物半導体等を任意に選択できるものであ
り、とくに、BeO皮膜４１ａの形成を低温工程
で行うことができるので、高温工程では格子欠陥
が生じやすい化合物半導体でMOS形半導体装置
を構成する場合に有利である。

そのほか本発明は、上記し、かつ図面に示した
実施例に限定されることなく、その要旨を変更し
ない範囲で工程や製造装置を種々変更して実施で
きるものである。

［発明の効果］ 以上述べたように、本発明によるMOS形半導
体装置の製造方法は、ゲート絶縁皮膜として、結
晶性のBeO皮膜を形成する工程を含んでいる。

しかして、本発明に係るMOS形半導体装置の
製造方法によれば、ゲート絶縁皮膜の格子欠陥な
どがきわめて少ないため絶縁皮膜中における電荷
密度が少なく、例えば半導体基板表面に反転層を
形成するなどの不具合を生ずることがない、すぐ
れた特性を有する高品質の半導体装置が得られる
という効果がある。

また、BeO皮膜の被着による半導体基板側の
構造欠陥を大幅に抑制できることから、素子の微
細構造化が可能となり、例えば高集積度、大容量
の装置の製造が実現できるなど、MOS形半導体
装置の適用分野を拡げる上からも、得られる効果
は極めて大である。

さらに、BeO皮膜自体が高絶縁性であるとと
もに、高熱伝導特性を有していることから、例え
ばMOS構造の高耐圧用トランジスタや電力用ト
ランジスタの製造に本発明を適用すれば、電気的
及び熱的特性にすぐれた半導体装置が得られる
等、多大の効果が期待できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、MOS形半導体装置の一般的な構造
を説明するための図、第２図は、本発明の一実施
例において酸化ベリリウム皮膜を形成するために
用いられる装置の概略構成を示す図、第３図は、
同実施例におけるMOS形半導体装置の製造途中
工程を示す図、第４図は、同実施例において製造
したMOS形半導体装置の要部断面図、第５図ａ，
ｂは、本発明によるMOS形半導体装置の他の実
施例の製造途中工程を示す図、第６図は、前記各
実施例において形成した酸化ベリリウム皮膜の結
晶の構造を示す走査電子顕微鏡写真、第７図は、
同実施例において形成した酸化ベリリウム皮膜の
Ｘ線回析パターンを示す図、第８図ａ，ｂは、同
実施例において形成した酸化ベリリウム皮膜のＣ
−Ｖ特性を示す図である。 １１……第１導電形基板としてのｎ形の基板、
１２……第２導電形の半導体としてのｐ形のソー
ス、１３……第２導電形の半導体としてのｐ形の
ドレイン、４１ａ〜４１ｃ，６２……酸化ベリリ
ウム皮膜、４２……ゲート電極、４３……ソース
電極、４４……ドレイン電極。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 真空雰囲気内で、酸素と結合して酸化ベリリ
   ウムを形成すべき金属ベリリウム蒸気及び酸素と
   結合して形成された酸化ベリリウムの少なくとも
   一部をイオン化して第１導電形基板に射突せしめ
   ることにより、前記基板に酸化ベリリウム皮膜を
   形成する工程と、 前記基板に第２導電形の半導体を形成する工程
   と、 前記酸化ベリリウム皮膜および第２導電形の半
   導体各々に電極を形成する工程とから成るMOS
   形半導体装置の製造方法。 ２ 前記金属ベリリウム蒸気の少なくとも一部が
   クラスタを形成している特許請求の範囲第１項記
   載のMOS形半導体装置の製造方法。