JPS6226594B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ゲート絶縁皮膜として、酸化ベリリ
ウム（以下BeOという）を用いたMOS形半導体
装置に関するものである。

例えば、集積回路用の半導体素子構造として、
消費電力が少なく、小形化が可能で集積化が容易
であり、また製造方法も簡単であるMOS形の半
導体素子が多く用いられている。

このMOS形半導体素子の基本構造は、第１図
に示すようになり、例えばｐ形チヤネルの場合
は、ｎ形の半導体の基板１に、ｐ形ドーパントを
高濃度でドープしたｐ形領域２，３を形成し、さ
らにこのｐ形領域２，３間の基板１の表面上に絶
縁皮膜６を形成する。さらに、この絶縁皮膜６上
にAu、AlあるいはMoなどの金属からなるゲート
電極７を被着し、また前記ｐ形領域２，３をそれ
ぞれソース及びドレインとして、金属からなるソ
ース電極４及びドレイン電極５を被着した構造に
なるものである。

ところで、前記絶縁皮膜６は、製造される素子
の特性を大きく左右する重要な部分であり、その
材料としては、SiO₂、Si₃N₄あるいはAl₂O₃など
を用いることができるが、一般には、電気的特性
にすぐれ、かつ製作容易なSiO₂が最も多く用い
られている。

すなわち、鏡面研摩された一導電形の半導体の
基板を900℃〜1100℃程度に加熱された炉中に入
れ、この炉に乾燥した酸素（O₂）、あるいは水蒸
気を送入して、基板の表面に熱酸化法による
SiO₂皮膜の形成を行う。

しかる後、このSiO₂皮膜上にフオトレジスト
を塗布し、マスクをかけて所要部分を露光し、エ
ツチングによつて前記SiO₂皮膜の所定部分を除
去する、いわゆるフオトエツチング技術によるｐ
形領域形成の窓開け作業を行い、ドーパントを拡
散してｐ形領域を形成した後、ゲート絶縁皮膜用
のSiO₂皮膜を上述した熱酸化法により形成し、
ソース、ドレイン及びゲート絶縁皮膜上に各電極
を形成してなるものである。

また、基板表面にSiO₂皮膜を形成する方法と
して、上述した熱酸化法以外にも、例えばSiH₄
―O₂系のガスを基板上に導入し、こで熱分解さ
せてSiO₂皮膜を推積させる気相成長法による絶
縁皮膜の形成も行われている。

ここで、一般には前者の熱酸化法で得たSiO₂
膜の方が、気相成長法で得られるSiO₂膜よりも
電気的特性にすぐれているといわれているが、熱
酸化法においてもその工程中、基板が1000℃程度
の高温にさらされるために、基板１中に作り込ま
れているｐ―ｎ接合部が劣化して、得られる素子
のリーク電流が多くなつたり、また基板１の絶縁
皮膜６に接する表面に格子欠陥が生じ、素子の特
性を悪化させる原因となるという問題点があつ
た。

さらに、熱酸化法、あるいは気相成長法のいず
れの方法で得られた絶縁皮膜も、結晶構造の完全
な膜ではなく、一般に多結晶、あるいは非晶質の
皮膜である。

したがつて、この絶縁皮膜中には、空孔、クラ
ツク、構造欠陥による電荷密度の増大、その他
種々の不純物準位が存在し、また工程中の汚染、
とくに高温酸化にともなう汚染により、例えば形
成される絶縁皮膜中を容易に移動できるNa⁺イオ
ンなどが混入して基板１の表面ｎ形反転層を形成
する原因となる。

一方、半導体装置の小形化、高速動作化傾向に
対して、MOS形半導体装置でも、各素子の高密
度化が行われるようになつてきている。

この高密度化には、チヤネルの短チヤネル化、
あるいは狭チヤネル化が必要となるが、このチヤ
ネル寸法の微小化にともない、上述した絶縁皮膜
の結晶性の不完全さが、形成される半導体装置の
特性改善をはばむ大きな原因となつてきている。

さらに近時、このMOS形構造の半導体装置
は、集積回路に限らず、高電圧用トランジスタや
電力用トランジスタなどの各種半導体装置に適用
されるようになつてきており、これら装置の耐圧
や熱的破壊を防止するためには、構造欠陥やピン
ホールがなく、かつ熱伝導特性のよい絶縁皮膜が
要求される。しかしながら、従来の熱酸化法や気
相成長法で得られたSiO₂膜やSi₃N₄膜などの絶縁
皮膜では、これらの特性を十分に満たすことがで
きず、MOS形半導体装置の電気的、熱的特性を
改善するには不十分であつた。

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもの
であり、絶縁皮膜として電気的特性にすぐれ、か
つ熱伝導特性にもすぐれた結晶性のBeO皮膜を用
いて、集積回路や各種のトランジスタとして、す
ぐれた特性を有するMOS形半導体装置を提供す
ることを目的とするものである。

以下、図面を参照して、本発明によるMOS形
半導体装置の一実施例を説明するに、まず、本発
明の要旨となる結晶性のBeO皮膜について述べ
る。

BeOは、六方晶ウルツ形結晶構造を有し、禁止
帯幅が11.2eVときわめて大きいために電気抵抗
も10¹⁰Ω・cm以上と大きく、良好な絶縁体であ
る。さらに、このBeOは、比誘電率が６〜８程度
とAl₂O₃などと比べてかなり小さく電気的特性に
すぐれ、また熱伝導特性もきわめてよく、かつ化
学的にも安定しているため、例えばマイクロ波用
電力装置の部品、あるいは高温燃焼室の内張り部
材、さらに原子炉の減速材や反射材、Ｘ導管の窓
部材などに用いられている。

ところで、このBeOは、融点が2570℃ときわめ
て高く皮膜形成が困難であるため、従来は、BeO
の微粉末をホツトプレス法などにより加圧成形し
て板状とし、使用しているのが現状である。

また一部では、酸化モリブデン（MoO₃）をフ
ラツクスとして用いたフラツクス法により、単結
晶を育成することが試みられているが、この方法
により得られたものは、いわば単結晶片にすぎず
工業的に利用されるまでには至つていない。

一方、BeOは、前述したように高熱伝導特性及
び高絶縁特性を有しており、熱的にも、また電気
的にもすぐれた絶縁材料であり、さらに、モース
硬度も９ときわめて硬い材料である。

したがつて、各種電気及び電子の部品に直接こ
のBeO皮膜を形成できれば、熱放散特性にすぐ
れ、かつ高耐圧の電気及び電子の部品が得られる
ことが予想され、しかも結晶性を制御して、結晶
性のよいBeO皮膜が得られれば、半導体素子の絶
縁膜としてもすぐれた特性を有するものが得られ
ると考えられる。

本発明者は、上述したBeOのすぐれた特性に着
目し種々検討した結果、少なくともその一部がイ
オン化された金属Beの蒸気と、酸素（O₂）とを基
板に射突させることによつて、結晶性のよいBeO
皮膜が得られることを明らかにし、このBeO皮膜
とその具体的な製造方法についてすでに提案して
いる。

本発明は、上述した本発明者の既に提案してい
るBeO皮膜により、MOS形半導体装置の酸化膜
を構成したものであり、以下具体的な実施例につ
いて述べる。

まず、本発明のMOS形半導体装置の基板とな
る半導体の基板を用意する。これは例えばｐチヤ
ネルのMOS形半導体装置の場合は、ｎ形のSiの
基板、もしくはｎ形領域を有するSiの基板を用い
る。

しかして、この基板上に、まず結晶性のBeO皮
膜を被着形成する。

このBeO皮膜の被着は、例えば第２図に示すよ
うな装置を用いて、次のようにして行う。

この第２図において、２１は、0.5mm〜2.0mm程
度の孔径の１個又は複数個のノズル２２を有する
密閉形のるつぼである。ここで、前記ノズル２２
は、その軸方向の厚みをできるだけ薄くし、少な
くともノズル径よりは厚みを薄くするいわゆるア
スペクト比を１以下にしておくことが望ましい。
また、このるつぼ２１内には、フレーク状あるい
はフレーク状のものを適宜加工してペレツト状と
した金属Be２３が充填されている。

２４は、前記るつぼ２１の周囲に設けられた加
熱装置であり、この実施例では、前記るつぼ２１
の周囲に電子放出用のコイル状のフイラメントを
配置し、これを加熱するとともに、図示しない電
源により前記るつぼ２１に正電位を付与して、フ
イラメントからの電子を加速し、るつぼ２１の表
面に射突させてるつぼ２１の温度を上昇させる電
子衝撃形の加熱装置を用いている。

そのほか、るつぼ２１を加熱する方法として、
るつぼ２１が導電材料で形成されている場合は、
このるつぼ２１の上下部に特定の端子を設け、る
つぼ２１自体に低電圧大電流を印加することによ
つてるつぼ２１全体を加熱する抵抗加熱法、ある
いはるつぼ２１の周囲にヒータを配置してるつぼ
２１の加熱を行う輻射加熱法や、これらの組合せ
による加熱方法を必要に応じて適宜選択して使用
できる。

また２５は、熱遮へい板、２６はイオン化室で
あり、後述する金属Beの蒸気の通路を囲むよう
に円筒、角筒あるいは平行板状に形成された網状
のイオン化用の陽極２７と、この陽極の周囲に配
置された電子放出用のフイラメント２８及び遮へ
い板２９とにより構成されている。

３１は、その表面にBeO皮膜が被着される半導
体の基板１１を保持する基板ホルダ、３３は、不
要時に前記基板１１に対するBeあるいは酸素
（O₂）の射突を阻止するシヤツタである。

さらに３５は、１個ないし複数個のノズル３６
が設けられた酸素供給用パイプである。この場
合、前記ノズル３６は、るつぼ２１のノズル２２
の近傍に配設されているが、基板１１の近傍に前
記ノズル３６を設けるようにしてもよい。

また３７は、必要に応じて前記イオン化室２６
と基板１１間に設けられ、図示しない電源により
るつぼ２１に対して負の電位が印加されて後述す
るイオン化されたBe蒸気を加速する加速電極で
あり、４０は、必要に応じて前記基板１１に密
着、あるいは微小間隔を存して設けられ、基板１
１の所定領域にBeO皮膜を形成させるための蒸着
用のマスクである。

さらに図示はしていないが、必要に応じて前記
基板１１の近傍に、基板加熱用の加熱装置を設け
るようにしてもよい。

しかして、上述した各部が図示しない真空容器
内に適宜な支持部材により支持されて配設され、
この真空容器内がすくなくとも10^-5Torr以下の
高真空雰囲気に排気される。

この状態で、酸素供給用パイプ３５を介してノ
ズル３６から真空容器内に酸素３６ａを供給し、
真空容器内の圧力を10^-6Torr〜10^-3Torr程度に
保つ。

この場合、真空容器内に導入する酸素３６ａの
圧力が小さければ、良質のBeO皮膜の形成が期待
できるが、酸素導入前に真空容器内に高真空、あ
るいは超高真空状態に排気することが必要となつ
たり、BeO皮膜の形成速度が遅くなるなどのた
め、実用上は前記真空容器内の圧力を10^-6Torr
〜10^-3Torr程度になるように酸素の導入量を調
整するのが適当である。

しかして、前記加熱装置２４を作動させ、るつ
ぼ２１を加熱してるつぼ２１内に充填されている
金属Beを加熱溶融させて金属Beの蒸気２３ａを
発生させる。

この場合、金属Beの加熱温度はるつぼ２１の
周囲空間、すなわち真空容器内の圧力に応じて設
定されるものであり、るつぼ２１内の金属Beの
蒸気の圧力をＰ、真空容器内の圧力をPoとした
場合、Ｐ／Po≧10²好ましくはＰ／Po≧10⁴となる
ように設定する。

例えば、金属Beの溶融点が1280℃であるの
で、加熱温度1300℃で蒸気圧Ｐは約５×
10^-2Torr、1380℃で１×10^-1Torrとなる。

したがつて、真空容器内の圧力が10^-6Torr〜
10^-5Torr程度であれば、前記加熱温度は1300℃
〜1400℃程度に設定すればよい。

さらに、前記蒸気圧Ｐを大きくして皮膜形成速
度を上げるために、形成されるBeO皮膜の膜質を
損なわない範囲内で前記加熱温度を上げるように
してもよい。

しかして、るつぼ２１の内外の圧力差により金
属Beの蒸気２３ａはノズル２２よりるつぼ２１
外へ噴出し、この噴出速度に相当する運動エネル
ギーを得て、基板１１方向へ向う蒸気流２３ｂと
なる。

この場合、ノズル２２の形状と前記圧力Ｐ及び
Poを前述した条件に応じて適宜調整する、ある
いはるつぼ２１のノズル２２の形状を工夫するこ
とによつて、噴出時に断熱膨脹に基づく過冷却現
象を利用し、蒸気状のBe原子や分子がフアンデ
ルワールス力で緩く結合した強大な集合体である
クラスタを形成するようにすれば、次に述べるイ
オン化室２６でのイオン化効率の向上が図れた
り、あるいは基板１１上により良質の皮膜が形成
できるようになる。

ところで、るつぼ２１外への噴出によつて運動
エネルギーを得た蒸気流２３ｂは、イオン化室２
６に入りここで少なくともその一部がイオン化さ
れる。

すなわち、加熱されたフイラメント２８から放
出された電子が、このフイラメント２８と網状の
陽極２７との間に印加された100〜1000V程度の
電圧により加速され、網状の陽極２７を通り抜け
て前記蒸気流２３ｂに射突し、少なくともその一
部をイオン化する。

また、ノズル２２から噴出した金属Beの蒸気
流２３ｂがクラスタを形成している場合は、前記
イオン化室２６でクラスタを構成する原子集団の
うちの１個の原子が前記電子衝撃によりイオン化
され、いわゆるクラスタイオンが形成される。さ
らに、ノズル３６から噴出した酸素もその一部は
イオン化室２６に入り電子衝撃を受けてイオン化
される。

このようにして、イオン化されたBe原子、中
性のBe原子あるいはBeのクラスタやクラスタイ
オンが、その通路にある酸素を含んだ酸素混合体
として、さらに基板１１方向に進み、シヤツタ３
３が開放されていると、マスク４０の開口を通し
て基板１１の表面に射突し、ここに被着してBeO
皮膜４１が形成される。

この場合、基板１１に射突する金属Beの蒸気
流２３ｂは、前述したようにイオン化室２６を通
過することによつて少なくともその一部がイオン
化されているので、このイオンのもつ電界が被膜
形成時の初期段階において有効に作用する。

すなわち、このイオンのもつ電界によつて結晶
成長のための核形成が促進され、さらにこの形成
された核を中心にして原子が集まり島状領域を形
成する、いわゆるコアレツセンスに有効に作用す
る。

また、このイオン化の効果は、Beと酸素との
反応をも促進し化学量論的組成にあつた結晶性の
よい皮膜が形成できるようになる。

さらにまた、金属Beの蒸気流２３ｂは、噴出
時に得た運動エネルギーをもつて基板１１に射突
するようになるので、この入射エネルギーにより
基板１１に対して、付着力の強いBeO皮膜４１が
形成できるとともに、BeO皮膜４１のパツキング
密度の増加や、結晶性の改善に大きく寄与し、良
質の皮膜が形成できる。

この場合、前記陽極２７に印加する加速電圧を
調整し、フイラメント２８から引出すイオン化電
流を変えることによつて金属Beの蒸気流２３ｂ
のイオン化率を制御でき、これによつて基板１１
に被着されるBeO皮膜の結晶性や諸特性を制御で
きる。

ところで、上述した実施例ではるつぼ２１内外
の圧力差を利用して蒸気２３ａをるつぼ２１外に
噴出させ、運動エネルギーを得るようにしている
が、イオン化室２６を通過して少なくともその一
部がイオン化された前記蒸気流２３ｂを電界によ
つて加速し、さらに運動エネルギーを増大させて
結晶性の制御や改善を行うようにしてもよい。

すなわち、加速電極３７に、るつぼ２１に対し
て負の電圧、例えば０〜10KV程度の適当な加速
電圧を印加すれば、イオン化室２６を通過してイ
オン化された前記蒸気流２３ｂ中の粒子が加速さ
れて運動エネルギーを得、このエネルギーが皮膜
形成時に結晶性の改善やその制御に有効に作用
し、良質のBeO皮膜４１が形成できるようにな
る。

また、形成されるBeO皮膜４１の結晶性をとく
によくしたい場合は、基板１１をある程度加熱す
ることが必要となるが、この場合の基板加熱温度
は、300℃程度、高々500℃以下の加熱温度で十分
である。

しかして、上述した工程を経て基板１１上に被
着されたBeO皮膜４１の所要部分を除去するため
に、前記BeO皮膜４１の表面にフオトレジストを
塗布し、マスクをかけて所要部分を露光して現
像、除去する。

次に、エツチングにより所要部分のBeO皮膜を
除去し、ゲート絶縁皮膜の形成とｐ形ドーパント
を導入するための窓開け作業を行うことになる
が、このBeO皮膜４１のエツチング方法として
は、例えばプラズマエツチングやイオンエツチン
グなど公知の方法で行うことができる。

このエツチング工程により、基板１１上には第
３図に示すようにBeO皮膜４１ａ，４１ｂ及び４
１ｃが形成され、BeO皮膜４１ａがゲート絶縁皮
膜となり、またBeO皮膜４１ｂ及び４１ｃは、そ
れぞれソース電極及びドレイン電極と基板１１と
を電気的に絶縁するための絶縁膜として作用する
ようになる。

しかる後、前記エツチング工程により窓開けさ
れた部分を通して、基板１１に対し熱拡散法、あ
るいはイオン注入法などによりｐ形ドーパントと
なる例えばＢやAlなどの族元素を高濃度に導
入し、第４図に示すようにソース１２及びドレイ
ン１３を形成する。

さらに、前記BeO皮膜４１ａ上に例えばAlある
いはAuなどの金属を蒸着してなるゲート電極４
２を被着し、またソース１２及びドレイン１３に
対しては、前記BeO皮膜４１ｂ及び４１ｃにより
基板１１とは絶縁された状態でソース電極４３及
びドレイン電極４４を被着する。

４５は、基板１１の裏面に被着され、一般には
ソース４３と同電位に接続される基板電極であ
り、これら各電極にリード線４６を接続すること
により、本発明によるMOS形半導体装置が完成
する。

すなわち、本発明によるMOS形半導体装置
は、ゲート酸化膜としてBeO皮膜４１ａを用いた
構造になるものである。

しかもこのBeO皮膜４１ａは、上述した製造工
程を経ることによつてきわめて結晶性のよい皮膜
として得られるものである。

ここで、上述した実施例では、Siの基板表面に
直接結晶性のBeO皮膜を形成し、このBeO皮膜を
ゲート絶縁皮膜、電極絶縁皮膜及びドーパント導
入窓部を有する拡散マスクとして利用する場合に
ついて述べているが、第５図ａに示すように、ド
ーパント拡散用マスク及び電極絶縁皮膜は、公知
の手段を用いてSiO₂皮膜６１により形成し、し
かる後ゲート領域のSiO₂皮膜６１を除去して、
ここに前述の方法で第５図ｂに心すようにゲート
絶縁皮膜となるBeO皮膜６２を形成することによ
り、MOS形半導体装置を作成することもでき
る。

また、大形の半導体装置などの場合は、前述の
BeO皮膜形成の際、第２図に示す蒸着用のマスク
４０の開口を、ゲート及び電極に対応する位置に
設けた選択蒸着用マスクとなし、あらかじめ公知
の方法で所定領域にソース及びドレイン領域を形
成した−導電形のSiの基板を用いてBeO皮膜の形
成を行うようにすれば、半導体装置の作成工程が
簡略化されて有利である。

ところで、このBeO皮膜の結晶性のよさは、第
６図及び第７図に示す測定結果により明らかであ
る。

第６図は、BeO皮膜の結晶性を評価するため
に、第２図に示す装置によりガラス基板上にBeO
皮膜を被着し、得られたBeO皮膜の走査形電子顕
微鏡写真像を示し、第７図は、Si単結晶基板上
に、第２図に示す装置により被着したBeO皮膜の
Ｘ線回析パターンを示している。

この第６図及び第７図から明らかなように、上
述した工程を経て得られるBeO皮膜は、六方晶系
結晶に特有の柱状組織がみられ、Ｃ軸方向に優先
配向していることが明らかである。

しかして、MOS形半導体装置において、ゲー
ト酸化膜を結晶性のよい絶縁膜で形成した場合、
次のような利点が生ずる。

まず、BeO皮膜４１ａの結晶性が完全に近い状
態であれば、空孔、クラツク、構造欠陥などに基
づく電荷の密度がきわめて少なくなり、また電荷
の移動もなく、基板１１の表面の表面準位が小さ
くなつて、基板１１の表面に反転層が形成される
ことがない。

したがつて、すぐれた特性を有する素子が形成
できることになる。

さらに、このBeO皮膜の形成は、例えば熱酸化
法によつてSiO₂皮膜を形成する場合と比べて
高々500℃程度の低温工程で実施できるので、基
板１１の表面付近に構造欠陥を生ずるおそれがな
く素子の微細化構造が可能になるとともに、また
基板１１内に形成されているｐ―ｎ接合を破壊さ
せることもない。

また、上述したように低温工程でBeO皮膜が形
成されるために、Na⁺イオンなどの侵入が少な
く、不純物の拡散も少なくなるなどの利点が生ず
る。

BeO皮膜４１ａの上述した結晶性のよさは、得
られるMOS形半導体装置の電気的特性の改善に
大きく寄与するものである。

例えば、第８図ａに示すようにｐ形の半導体の
基板５１の表面に結晶性のBeO皮膜５２を被着
し、このBeO皮膜５２と基板５１の裏面にAuか
らなる一対の金属電極５３を被着して、この電極
５３間に1KHzの交流電圧を印加した場合のＣ―
Ｖ特性を第８図ｂに示す。

この第８図ｂから明らかなように、BeO皮膜５
２は、1KHzの周波数ではＣ―Ｖ特性にヒステリ
シスが生ぜず、基板５１の界面に近い部分に高密
度のトラツプが少ないことが明らかになる。

したがつて、電気的な効率や高周波特性のよい
半導体装置が得られるようになるものである。

また、上述したようにBeO皮膜４１ａ自体の電
気抵抗は10¹⁰Ω・cm以上ときわめて高く、熱伝導
特性もきわめてすぐれているので、高耐圧の半導
体装置、あるいは電力用の半導体装置としてもす
ぐれた特性のものが得られる。

ところで、上述した実施例では、プレーナ構造
のMOS半導体装置により本発明を説明したが、
電力用半導体装置として採用されているＶ溝構
造、あるいはオフセツトゲート構造のMOS半導
体装置にも、本発明は適用できることはもちろん
である。

また、基板１１として、上述した実施例ではｎ
形のシリコンを用いた例を説明しているが、基板
１１としてｐ形のシリコン、あるいはGaAsなど
の化合物半導体等を任意に選択できるものであ
り、とくに、BeO皮膜４１ａの形成を低温工程で
行うことができるので、高温工程では格子欠陥が
生じやすい化合物半導体でMOS半導体装置を構
成する場合に有利である。

そのほか、本発明は上記し、かつ図面に示した
実施例に限定されることなく、その要旨を変更し
ない範囲で種々変形して実施できるものである。

以上述べたように、本発明によるMOS半導体
装置は、ゲート絶縁皮膜として、結晶性のBeO皮
膜を用いた構造になるものである。

しかして、本発明によるMOS形半導体装置
は、ゲート絶縁皮膜の格子欠陥などがきわめて少
ないので、絶縁皮膜中における電荷密度が少な
く、例えば半導体基板表面に反転層を形成するな
どの不具合が解消できるので、すぐれた特性を有
する高品質の半導体装置が得られるという特長を
有し、その効果はきわめて大である。

また、BeO皮膜の被着による半導体基板側の構
造欠陥を大幅に抑制できることから、素子の微細
構造化が可能となり、例えば高集積度、大容量の
装置の製造が実現できるなど、MOS半導体装置
の適用分野を拡げる上からも、得られる効果は極
めて大である。

さらに、BeO皮膜自体が高絶縁性の皮膜である
とともに、高熱伝導特性を有していることから、
例えばMOS構造の高耐圧用トランジスタや、電
力用トランジスタに本発明を適用すれば、電気的
及び熱的特性にすぐれた半導体装置が得られるな
どについても、多大の効果が期待できるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、MOS形半導体装置の一般的な構造
を説明するための図、第２図は、本発明による
MOS形半導体装置を製造するための装置の概略
構成を示す図、第３図は、本発明によるMOS形
半導体装置の製造途中工程を示す図、第４図は、
本発明によるMOS形半導体装置の一実施例を示
す要部断面図、第５図ａ，ｂは、本発明による
MOS形半導体装置の他の実施例の製造途中工程
を示す図、第６図は、同実施例に用いた酸化ベリ
リウム皮膜の走査電子顕微鏡写真を示す図、第７
図は、同実施例に用いた酸化ベリリウム皮膜のＸ
線回析パターンを示す図、第８図ａ，ｂは、同実
施例に用いた酸化ベリリウム皮膜のＣ―Ｖ特性を
示す図である。 １１…基板、４１ａ〜４１ｃ…酸化ベリリウム
皮膜、４２…電極。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 一導電形の半導体基板上に絶縁皮膜を被着
   し、この絶縁皮膜上に電極を形成した構造になる
   MOS形半導体装置において、前記絶縁皮膜とし
   て酸化ベリリウム皮膜を用いたことを特徴とする
   MOS形半導体装置。 ２ 前記絶縁皮膜はゲート絶縁膜であることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載のMOS形半
   導体装置。