JPH034988B2 - - Google Patents
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- JPH034988B2 JPH034988B2 JP19184082A JP19184082A JPH034988B2 JP H034988 B2 JPH034988 B2 JP H034988B2 JP 19184082 A JP19184082 A JP 19184082A JP 19184082 A JP19184082 A JP 19184082A JP H034988 B2 JPH034988 B2 JP H034988B2
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- JP
- Japan
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- head
- solenoid
- plunger
- permanent magnet
- attracted
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Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 6
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/54—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head into or out of its operative position or across tracks
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は磁気デイスク装置に係り、さらに詳し
くは磁気デイスクに対する磁気ヘツドのロード、
アンロードをソレノイドを用いて行なう構造の磁
気デイスク装置に関するものである。
くは磁気デイスクに対する磁気ヘツドのロード、
アンロードをソレノイドを用いて行なう構造の磁
気デイスク装置に関するものである。
従来技術
従来のこの種の磁気デイスク装置においてはヘ
ツドロード時にソレノイドに対する通電を行な
い、ヘツドロードアームを吸着、保持する構造を
採用しているため、電力の継続消費が必要となつ
ている。
ツドロード時にソレノイドに対する通電を行な
い、ヘツドロードアームを吸着、保持する構造を
採用しているため、電力の継続消費が必要となつ
ている。
従つて、このような構造を採用すると省エネル
ギー化、低発熱化を実現することが難かしく、励
磁電流は発熱という形で装置のベースに伝わり、
装置筐体内の温度上昇が生じるという欠点があつ
た。
ギー化、低発熱化を実現することが難かしく、励
磁電流は発熱という形で装置のベースに伝わり、
装置筐体内の温度上昇が生じるという欠点があつ
た。
目 的
本発明は以上のような従来の欠点を除去するた
めになされたもので、消費電力が少なく、装置筐
体内の温度上昇を防止することができるように構
成した磁気デイスク装置を提供することを目的と
している。
めになされたもので、消費電力が少なく、装置筐
体内の温度上昇を防止することができるように構
成した磁気デイスク装置を提供することを目的と
している。
本発明においては上記の目的を達成するため
に、ヘツドロード用のソレノイドとして永久磁石
を複合したソレノイドを用い、ヘツドロードアー
ムの吸着時には永久磁石のみによつて電力消費を
伴わずに吸着、保持することができる構造を採用
した。
に、ヘツドロード用のソレノイドとして永久磁石
を複合したソレノイドを用い、ヘツドロードアー
ムの吸着時には永久磁石のみによつて電力消費を
伴わずに吸着、保持することができる構造を採用
した。
実施例
以下、図面に示す実施例に基いて本発明の詳細
を説明する。
を説明する。
第１図以下は本発明の一実施例を説明するもの
で、図において符号１で示すものはキヤリツジ
で、図示していない駆動機構によつて移動され
る。このキヤリツジ１の先端部の上面には０面ヘ
ツド２が取付けられている。
で、図において符号１で示すものはキヤリツジ
で、図示していない駆動機構によつて移動され
る。このキヤリツジ１の先端部の上面には０面ヘ
ツド２が取付けられている。
また、キヤリツジ１の基端部には板ばね３を介
してヘツドロードアーム４が連結されており、ヘ
ツドロードアーム４の自由端側は前記０面ヘツド
２と対向する位置にまで延びており、その先端の
下面には０面ヘツド２と対応してヘツドパツド５
（または１面ヘツド）が取付けられている。
してヘツドロードアーム４が連結されており、ヘ
ツドロードアーム４の自由端側は前記０面ヘツド
２と対向する位置にまで延びており、その先端の
下面には０面ヘツド２と対応してヘツドパツド５
（または１面ヘツド）が取付けられている。
キヤリツジ１の基端からはほぼＬ字状に屈曲さ
れた支持腕６が延びており、この支持腕６の先端
とヘツドロードアーム４との間には圧縮ばね７が
弾装されており、この圧縮ばね７によつてヘツド
ロードアーム４の先端側は０面ヘツド２方向への
押圧力を与えられている。
れた支持腕６が延びており、この支持腕６の先端
とヘツドロードアーム４との間には圧縮ばね７が
弾装されており、この圧縮ばね７によつてヘツド
ロードアーム４の先端側は０面ヘツド２方向への
押圧力を与えられている。
キヤリツジ１の先端部近傍の外方には永久磁石
とソレノイドとの複合した複合型ソレノイド８が
配置されている。
とソレノイドとの複合した複合型ソレノイド８が
配置されている。
この複合型ソレノイド８は４図ａ〜ｃに図示す
る永久磁石８ａと、軟磁性体８ｂと、軟磁性体８
ｂに捲回した吸着用コイル９および復旧用コイル
１０とを備えている。
る永久磁石８ａと、軟磁性体８ｂと、軟磁性体８
ｂに捲回した吸着用コイル９および復旧用コイル
１０とを備えている。
複合型ソレノイド８のプランジヤ１１の上端に
は突片１２が突設されており、この突設１２の先
端はヘツドロードアーム４の先端から突設された
突片１３の下側に位置している。
は突片１２が突設されており、この突設１２の先
端はヘツドロードアーム４の先端から突設された
突片１３の下側に位置している。
プランジヤ１１の上方には支持板１４が配置さ
れており、この支持板１４とプランジヤ１１との
間には引張ばね１５が取付けられており、プラン
ジヤ１１に対して常時上方への引張力を与え、突
片１２と突片１３とを係合させ、ヘツドロードア
ーム４の自由端側が０面ヘツド２から離れる方向
への復帰力を与えている。
れており、この支持板１４とプランジヤ１１との
間には引張ばね１５が取付けられており、プラン
ジヤ１１に対して常時上方への引張力を与え、突
片１２と突片１３とを係合させ、ヘツドロードア
ーム４の自由端側が０面ヘツド２から離れる方向
への復帰力を与えている。
ところで、複合型ソレノイド８は第２図に示す
ようにそのコイル、すなわち吸着用コイル９と、
復旧用コイル１０がそれぞれトランジスタT1、
T2を介してワンシヨツトマルチバイブレータ１
６，１７に接続されている。符号１８で示すもの
は増幅器である。
ようにそのコイル、すなわち吸着用コイル９と、
復旧用コイル１０がそれぞれトランジスタT1、
T2を介してワンシヨツトマルチバイブレータ１
６，１７に接続されている。符号１８で示すもの
は増幅器である。
また、符号１９で示すものは電圧印化用の共通
端子である。
端子である。
次に以上のように構成された本実施例の動作に
ついて説明する。
ついて説明する。
今、装置が復旧状態にあつたと仮定すると、複
合型ソレノイド８への通電は切られており、プラ
ンジヤ１１は復帰用の引張ばね１５の力により、
上方へ移動し、突片１２をヘツドロードアーム４
の突片１３に係合させ、ヘツドロードアーム４を
圧縮ばね７の力に抗して上方へ押し上げ、０面ヘ
ツド２とパツド５との間は離れた状態にある。
合型ソレノイド８への通電は切られており、プラ
ンジヤ１１は復帰用の引張ばね１５の力により、
上方へ移動し、突片１２をヘツドロードアーム４
の突片１３に係合させ、ヘツドロードアーム４を
圧縮ばね７の力に抗して上方へ押し上げ、０面ヘ
ツド２とパツド５との間は離れた状態にある。
なお、この時には複合型ソレノイド８側に設け
られている永久磁石の吸引力は引張ばね１５の引
張力よりも小さく、プランジヤ１１は上方へ移動
した状態を保たれている。
られている永久磁石の吸引力は引張ばね１５の引
張力よりも小さく、プランジヤ１１は上方へ移動
した状態を保たれている。
この状態で図示していない磁気デイスクが装着
され、ヘツドロード信号が第２図および第３図に
おいて符号Ａで示すように入力されると、マルチ
バイブレータ１６がこのロード信号Ａの立下がり
を受けて、第３図に符号Ｂで示すようなt1時間だ
けの吸着信号が発生する。
され、ヘツドロード信号が第２図および第３図に
おいて符号Ａで示すように入力されると、マルチ
バイブレータ１６がこのロード信号Ａの立下がり
を受けて、第３図に符号Ｂで示すようなt1時間だ
けの吸着信号が発生する。
この結果、吸着用コイル９にt1時間だけ電流が
流れ、プランジヤ１１が吸着される。
流れ、プランジヤ１１が吸着される。
プランジヤ１１が吸着され、複合型ソレノイド
８内に収容されている永久磁石の吸引力の勢力範
囲に至ると、吸着コイル９に対する通電が切られ
ても、プランジヤ１１は永久磁石の吸着力により
吸着され、この時の吸着力は引張ばね１５の引張
力よりも大きいため、プランジヤ１１は吸着状態
を保たれる。
８内に収容されている永久磁石の吸引力の勢力範
囲に至ると、吸着コイル９に対する通電が切られ
ても、プランジヤ１１は永久磁石の吸着力により
吸着され、この時の吸着力は引張ばね１５の引張
力よりも大きいため、プランジヤ１１は吸着状態
を保たれる。
すなわち、プランジヤ１１は無電力で吸着され
た状態となり、ヘツドロードアーム４は下降し、
０面ヘツド２とパツド５との間に図示していない
磁気ヘツドを挾持する。
た状態となり、ヘツドロードアーム４は下降し、
０面ヘツド２とパツド５との間に図示していない
磁気ヘツドを挾持する。
やがて、ロード信号が切られると、ロード信号
Ａの立上りを受けてパルスＣがt2時間だけ発生
し、復旧コイル１０はt2時間だけ通電される。
Ａの立上りを受けてパルスＣがt2時間だけ発生
し、復旧コイル１０はt2時間だけ通電される。
この結果プランジヤ１１には複合型ソレノイド
８から離れる方向への反発力が働き、引張ばね１
５の力も加わつてプランジヤ１１は第１図中上方
へ移動し、突片１２がヘツドロードアーム４側の
突片１３に係合し、ヘツドロードアーム４は押上
げられる。この時の通電時間t2も極めて短かくて
良く、後は引張ばね１５の力によりプランジヤ１
１は引上げられ、無電力でアンロード状態を保持
することができる。
８から離れる方向への反発力が働き、引張ばね１
５の力も加わつてプランジヤ１１は第１図中上方
へ移動し、突片１２がヘツドロードアーム４側の
突片１３に係合し、ヘツドロードアーム４は押上
げられる。この時の通電時間t2も極めて短かくて
良く、後は引張ばね１５の力によりプランジヤ１
１は引上げられ、無電力でアンロード状態を保持
することができる。
第４図ａ〜ｃは複合型ソレノイド８の内部構造
を示しており、第４図ａは初期状態、図ｂは吸引
及び吸着状態、第４図ｃは復旧状態をそれぞれ示
している。
を示しており、第４図ａは初期状態、図ｂは吸引
及び吸着状態、第４図ｃは復旧状態をそれぞれ示
している。
第４図ａにおいて永久磁石８ａと軟磁性体８ｂ
は図示したように隣接して設けられ、永久磁石８
ａの中心部を通る透孔には軟磁性体のプランジヤ
棒１１ａを貫通して設ける。このため永久磁石８
ａと軟磁性体８ｂとプランジヤ棒１１ａで形成さ
れた磁気回路中には磁束Φが生じている。
は図示したように隣接して設けられ、永久磁石８
ａの中心部を通る透孔には軟磁性体のプランジヤ
棒１１ａを貫通して設ける。このため永久磁石８
ａと軟磁性体８ｂとプランジヤ棒１１ａで形成さ
れた磁気回路中には磁束Φが生じている。
次に、軟磁性体８ｂの外周に捲回された吸着用
コイル９に第４図ｂの如く電流を流すと、磁束Φ
を増加する方向に軟磁性体８ｂが磁化される。こ
のために、プランジヤ棒１１ａは軟磁性体８ｂに
吸引されて吸着する。その後吸着用コイル９に対
して電流の供給を停止しても、軟磁性体８ｂは永
久磁石８ａによつて磁化されており、かつプラン
ジヤ棒１１ａに極めて近接しているので、プラン
ジヤ棒１１ａは吸着された状態を継持している。
このように、吸着した状態でコイルに対する電流
の供給を停止しても吸着状態はそのまま保持され
るので、無電力でアンロード状態を保持すること
が出来る。
コイル９に第４図ｂの如く電流を流すと、磁束Φ
を増加する方向に軟磁性体８ｂが磁化される。こ
のために、プランジヤ棒１１ａは軟磁性体８ｂに
吸引されて吸着する。その後吸着用コイル９に対
して電流の供給を停止しても、軟磁性体８ｂは永
久磁石８ａによつて磁化されており、かつプラン
ジヤ棒１１ａに極めて近接しているので、プラン
ジヤ棒１１ａは吸着された状態を継持している。
このように、吸着した状態でコイルに対する電流
の供給を停止しても吸着状態はそのまま保持され
るので、無電力でアンロード状態を保持すること
が出来る。
次に、軟磁性体８ｂの外周に捲回された復旧用
コイル１０に第４図ｃの如く電流を流すと、磁束
Φを減少させる方向に軟磁性体８ｂが磁化され
る。このため、プランジヤ棒１１ａに作用してい
た軟磁性体８ｂの吸着力が弱まり、プランジヤ棒
１１ａは第１図に示した引張ばね１５によつて引
張られる。従つて、プランジヤ棒１１ａは第４図
ａの状態に復旧し、この状態が維持される。
コイル１０に第４図ｃの如く電流を流すと、磁束
Φを減少させる方向に軟磁性体８ｂが磁化され
る。このため、プランジヤ棒１１ａに作用してい
た軟磁性体８ｂの吸着力が弱まり、プランジヤ棒
１１ａは第１図に示した引張ばね１５によつて引
張られる。従つて、プランジヤ棒１１ａは第４図
ａの状態に復旧し、この状態が維持される。
本実施例は以上のように構成されているため、
ロード時およびアンロード時の初期に極めてわず
かな時間だけ電流を流すことにより、ヘツドロー
ドおよびアンロードを行なうことができる。
ロード時およびアンロード時の初期に極めてわず
かな時間だけ電流を流すことにより、ヘツドロー
ドおよびアンロードを行なうことができる。
この結果、ソレノイドに対する通電時間は極め
て短かくなり、発熱も少なくなる。
て短かくなり、発熱も少なくなる。
この結果、磁気デイスク装置の小型に伴う放熱
条件の悪化に対して有力な解決手段となり、特に
トラツク密度を上げて高容量化を達成しようとす
る磁気デイスク装置に適している。
条件の悪化に対して有力な解決手段となり、特に
トラツク密度を上げて高容量化を達成しようとす
る磁気デイスク装置に適している。
効 果
以上の説明から明らかなように本発明によれ
ば、ヘツドロード用のソレノイドとして永久磁石
を複合したソレノイドを用い、ヘツドロードアー
ムの吸着時には永久磁石のみによつて電力消費を
伴わずにロード状態を保持することができる構造
を採用しているため、電力消費が少なく、発熱の
少ない小型の磁気デイスク装置を実現することが
できる。
ば、ヘツドロード用のソレノイドとして永久磁石
を複合したソレノイドを用い、ヘツドロードアー
ムの吸着時には永久磁石のみによつて電力消費を
伴わずにロード状態を保持することができる構造
を採用しているため、電力消費が少なく、発熱の
少ない小型の磁気デイスク装置を実現することが
できる。
図は本発明の一実施例を説明するもので、第１
図は斜視図、第２図は制御回路のブロツク図、第
３図はタイミングチヤート図、第４図ａ〜ｃは複
合型ソレノイドの内部構造を示し、吸着及び復旧
の動作状態を説明するための説明図である。 １……キヤリツジ、２……Ｏ面ヘツド、３……
板ばね、４……ヘツドロードアーム、５……パツ
ド、６……支持腕、７……圧縮ばね、８……複合
型ソレノイド、９……吸着コイル、１０……復旧
コイル、１１……プランジヤ、１２，１３……突
片、１４……支持板、１５……引張ばね、１６，
１７……ワンシヨツトマルチバイブレータ。
図は斜視図、第２図は制御回路のブロツク図、第
３図はタイミングチヤート図、第４図ａ〜ｃは複
合型ソレノイドの内部構造を示し、吸着及び復旧
の動作状態を説明するための説明図である。 １……キヤリツジ、２……Ｏ面ヘツド、３……
板ばね、４……ヘツドロードアーム、５……パツ
ド、６……支持腕、７……圧縮ばね、８……複合
型ソレノイド、９……吸着コイル、１０……復旧
コイル、１１……プランジヤ、１２，１３……突
片、１４……支持板、１５……引張ばね、１６，
１７……ワンシヨツトマルチバイブレータ。
Claims (1)
- １ 磁気デイスクに対する磁気ヘツドのロード、
アンロードをソレノイドを用いて行なう磁気デイ
スク装置において、ヘツドロード用のソレノイド
として、永久磁石を複合したソレノイドを用い、
ヘツドロードアームの吸着時には永久磁石のみに
よつて電力消費を伴わずに吸着、保持することが
できるように構成したことを特徴とする磁気デイ
スク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19184082A JPS5982670A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 磁気デイスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19184082A JPS5982670A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 磁気デイスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5982670A JPS5982670A (ja) | 1984-05-12 |
| JPH034988B2 true JPH034988B2 (ja) | 1991-01-24 |
Family
ID=16281385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19184082A Granted JPS5982670A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 磁気デイスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5982670A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62175975A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-01 | Toshiba Corp | 磁気デイスク装置 |
-
1982
- 1982-11-02 JP JP19184082A patent/JPS5982670A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5982670A (ja) | 1984-05-12 |
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