JPH0346928B2 - - Google Patents
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- JPH0346928B2 JPH0346928B2 JP3791583A JP3791583A JPH0346928B2 JP H0346928 B2 JPH0346928 B2 JP H0346928B2 JP 3791583 A JP3791583 A JP 3791583A JP 3791583 A JP3791583 A JP 3791583A JP H0346928 B2 JPH0346928 B2 JP H0346928B2
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- oxide
- transparent conductive
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Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
本発明は透明導電膜に関し、特に液晶デイスプ
レイ、エレクトロルミネセンス、エレクトロクロ
ミツクデイスプレイ等の透明電極に用いるのに好
適な透明導電膜に関する。 従来、前記透明電極に用いられる透明導電膜は
酸化インジウムを主成分として微量成分として
SnO2、MoO3、Ｆ、Bi2O3、Sb2O3、PbO2、TiO2
等のうち１成分を添加した組成のものが研究され
てきた。特に酸化インジウムを主成分とした酸化
錫を含む透明導電膜は、低い電気抵抗率で高い光
透過率の膜が得られるので透明電極として実用に
供されている。しかしながら、透明電極が大型に
なればなるほど、透明導電膜の電気抵抗率の小さ
いものが要望される。 本発明は酸化インジウムを主成分とした酸化錫
を含む透明導電膜よりも、更に低電気抵抗率の透
明導電膜を得るためになされたものであつて、本
発明は酸化インジウムを主成分として酸化錫を含
む透明導電膜において、前記酸化インジウムと酸
化錫の和が100重量に対して酸化ルテニウム、酸
化鉛、及び酸化銅のうち少なくとも１以上の酸化
物を0.05乃至2.5重量含むことを特徴とする透明
導電膜である。 本発明において、酸化錫は通常酸化インジウム
100重量に対して１乃至20重量、好ましくは１乃
至10重量使用される。 また本発明において、添加される酸化ルテニウ
ム、酸化鉛、及び酸化銅の合計量は酸化インジウ
ムと酸化錫との合計量を100重量に対し0.05乃至
2.5重量にされる。添加される酸化ルテニウム、
酸化鉛及び酸化銅の合計量が0.05重量以下である
ときは酸化ルテニウム、酸化鉛、又は酸化銅を含
まない酸化インジウムと酸化錫との透明導電膜と
ほぼ同じ抵抗率の透明導電膜となり、一方添加さ
れる酸化ルテニウム、酸化鉛及び酸化銅の合計量
が2.5重量を越えると酸化ルテニウム、酸化鉛又
は酸化銅を含まない酸化インジウムと酸化錫との
透明導電膜とほぼ同じか、それ以上の電気抵抗率
の透明導電膜となる。 本発明は酸化インジウムと酸化錫の和が100重
量に対して酸化ルテニウム、酸化鉛、及び酸化銅
のうち少なくとも１以上の酸化物を0.05乃至2.5
重量含むことにより電気抵抗率の低い透明導電膜
を形成できる。 以下、本発明の実施例について詳述する。 透明導電膜を形成する蒸着用ソース材料は原料
として酸化物粉末体で粒度200メツシユ以下、純
度99.99％以上のものを用いた。まず原料を第１
表に示す混合物組成に秤量し、メノウ乳鉢で30分
間撹拌混合し、直径30mmの型枠で密度10ｇ／cm3に
なるように円板状に圧縮成形した。この成形体を
大気中で1400℃の炉に入れ、４時間焼結を行つた
後除冷し、蒸着ソースとしての焼結体を用意し
た。 次に、真空容器内に酸素ガスを供給して５×
10-4Torrに保持し、その雰囲気内で前記焼結体
の蒸着ソースに電子銃からの電子ビームを照射す
ることにより加熱して蒸発させて、厚さが1.0mm
のガラス板の表面に膜厚250Åの透明導電膜を形
成した。 焼結体の蒸着ソースの組成は第１表に示す16種
類のものについて行い、得られた透明導電膜の電
気抵抗率及び光透明率の測定結果を同表に示し
た。 また比較例として、本発明に用いた添加物を加
えなかつた試料及び酸化ルテニウム、酸化鉛又は
酸化銅の添加物を過剰に加えた試料を作り、夫々
の電気抵抗率及び光透過率を測定し第１表に示し
た。
レイ、エレクトロルミネセンス、エレクトロクロ
ミツクデイスプレイ等の透明電極に用いるのに好
適な透明導電膜に関する。 従来、前記透明電極に用いられる透明導電膜は
酸化インジウムを主成分として微量成分として
SnO2、MoO3、Ｆ、Bi2O3、Sb2O3、PbO2、TiO2
等のうち１成分を添加した組成のものが研究され
てきた。特に酸化インジウムを主成分とした酸化
錫を含む透明導電膜は、低い電気抵抗率で高い光
透過率の膜が得られるので透明電極として実用に
供されている。しかしながら、透明電極が大型に
なればなるほど、透明導電膜の電気抵抗率の小さ
いものが要望される。 本発明は酸化インジウムを主成分とした酸化錫
を含む透明導電膜よりも、更に低電気抵抗率の透
明導電膜を得るためになされたものであつて、本
発明は酸化インジウムを主成分として酸化錫を含
む透明導電膜において、前記酸化インジウムと酸
化錫の和が100重量に対して酸化ルテニウム、酸
化鉛、及び酸化銅のうち少なくとも１以上の酸化
物を0.05乃至2.5重量含むことを特徴とする透明
導電膜である。 本発明において、酸化錫は通常酸化インジウム
100重量に対して１乃至20重量、好ましくは１乃
至10重量使用される。 また本発明において、添加される酸化ルテニウ
ム、酸化鉛、及び酸化銅の合計量は酸化インジウ
ムと酸化錫との合計量を100重量に対し0.05乃至
2.5重量にされる。添加される酸化ルテニウム、
酸化鉛及び酸化銅の合計量が0.05重量以下である
ときは酸化ルテニウム、酸化鉛、又は酸化銅を含
まない酸化インジウムと酸化錫との透明導電膜と
ほぼ同じ抵抗率の透明導電膜となり、一方添加さ
れる酸化ルテニウム、酸化鉛及び酸化銅の合計量
が2.5重量を越えると酸化ルテニウム、酸化鉛又
は酸化銅を含まない酸化インジウムと酸化錫との
透明導電膜とほぼ同じか、それ以上の電気抵抗率
の透明導電膜となる。 本発明は酸化インジウムと酸化錫の和が100重
量に対して酸化ルテニウム、酸化鉛、及び酸化銅
のうち少なくとも１以上の酸化物を0.05乃至2.5
重量含むことにより電気抵抗率の低い透明導電膜
を形成できる。 以下、本発明の実施例について詳述する。 透明導電膜を形成する蒸着用ソース材料は原料
として酸化物粉末体で粒度200メツシユ以下、純
度99.99％以上のものを用いた。まず原料を第１
表に示す混合物組成に秤量し、メノウ乳鉢で30分
間撹拌混合し、直径30mmの型枠で密度10ｇ／cm3に
なるように円板状に圧縮成形した。この成形体を
大気中で1400℃の炉に入れ、４時間焼結を行つた
後除冷し、蒸着ソースとしての焼結体を用意し
た。 次に、真空容器内に酸素ガスを供給して５×
10-4Torrに保持し、その雰囲気内で前記焼結体
の蒸着ソースに電子銃からの電子ビームを照射す
ることにより加熱して蒸発させて、厚さが1.0mm
のガラス板の表面に膜厚250Åの透明導電膜を形
成した。 焼結体の蒸着ソースの組成は第１表に示す16種
類のものについて行い、得られた透明導電膜の電
気抵抗率及び光透明率の測定結果を同表に示し
た。 また比較例として、本発明に用いた添加物を加
えなかつた試料及び酸化ルテニウム、酸化鉛又は
酸化銅の添加物を過剰に加えた試料を作り、夫々
の電気抵抗率及び光透過率を測定し第１表に示し
た。
【表】
第１表から明らかなように、実施例のものは比
較例のものに比較して電気抵抗率の低い優れた透
明導電膜であることがわかる。
較例のものに比較して電気抵抗率の低い優れた透
明導電膜であることがわかる。
Claims (1)
- １ 酸化インジウムを主成分として酸化錫を含む
透明導電膜において、前記酸化インジウムと酸化
錫の和が100重量に対して酸化ルテニウム、酸化
鉛、及び酸化銅のうち少なくとも１以上の酸化物
を0.05乃至2.5重量含むことを特徴とする透明導
電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3791583A JPS59163707A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | 透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3791583A JPS59163707A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | 透明導電膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59163707A JPS59163707A (ja) | 1984-09-14 |
| JPH0346928B2 true JPH0346928B2 (ja) | 1991-07-17 |
Family
ID=12510836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3791583A Granted JPS59163707A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | 透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59163707A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02309511A (ja) * | 1989-05-24 | 1990-12-25 | Showa Denko Kk | 透明導電膜 |
| JP3219450B2 (ja) * | 1992-01-24 | 2001-10-15 | 旭硝子株式会社 | 導電膜の製造方法、低反射導電膜とその製造方法 |
| EP2610231A2 (en) * | 1998-08-31 | 2013-07-03 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Target for transparent electroconductive film, transparent electroconductive material, transparent electroconductive glass, and transparent electroconductive film |
| JP2013100565A (ja) * | 2010-03-03 | 2013-05-23 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよび酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット |
-
1983
- 1983-03-08 JP JP3791583A patent/JPS59163707A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59163707A (ja) | 1984-09-14 |
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