JPH0345880B2 - - Google Patents

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JPH0345880B2
JPH0345880B2 JP7988785A JP7988785A JPH0345880B2 JP H0345880 B2 JPH0345880 B2 JP H0345880B2 JP 7988785 A JP7988785 A JP 7988785A JP 7988785 A JP7988785 A JP 7988785A JP H0345880 B2 JPH0345880 B2 JP H0345880B2
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JP
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transistor
circuit
voltage
output
drive
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JP7988785A
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Inventor
Yutaka Takashige
Seishi Kanbara
Masahiro Takemoto
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Publication of JPS61239595A publication Critical patent/JPS61239595A/ja
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  • Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 <技術分野> 本発明は、超可聴周波数の交流電圧を発生させ
て、変圧器で昇圧しマグネトロンを発振させる高
周波加熱装置に関するものである。
<従来技術> 従来、高周波加熱装置のマグネトロン駆動電源
においては大電力の周波数変換のために半導体ス
イツチング素子を用い、そのオン・オフ動作にて
変圧器に直列もしくは並列接続された共振コンデ
ンサで共振回路を励振して変圧器で昇圧しマグネ
トロンを発振させていた。
しかしマグネトロン発振に必要なマグネトロン
駆動電力を得るためには駆動変圧器の電流値も大
きく、必然的にそれをスイツチングする半導体に
も大電流のスイツチング能力が要求される。その
ため、半導体スイツチング素子の駆動回路には大
きな電源容量が必要とされ、大型電源トランスや
大容量平滑コンデンサが必要であるため製品の小
型、軽量化や低価格化の大きな阻害要因であつ
た。
<目的> 本発明は、かかる問題を解決するため別巻線を
駆動変圧器に設けて、その高周波駆動電力の一部
を検出すると共にその巻線出力をインバータ装置
の半導体駆動信号及び駆動電源とし、駆動回路の
電源容量を大巾に軽減してマグネトロンを効率よ
く発振させることにより小型、軽量化と低価格化
を図り得る高周波装置を提供しようとするもので
ある。
<構成> 本発明は、上記目的を達成するために、直流電
源にマグネトロン駆動変圧器と半導体スイツチン
グ素子とが直列に接続されたインバータ装置が設
けられ、前記スイツチング素子を駆動する駆動回
路と、前記スイツチング素子をオン・オフ制御す
る制御回路とが設けられ、前記駆動変圧器にその
端子電圧を検出する別巻線が取り付けられ、該別
巻線の出力が前記駆動回路の駆動電源として利用
されたものである。
<実施例> 以下、本発明の実施例を図面に基いて説明す
る。
まず第1図及び第2図に示す本発明の第一実施
例について詳述すると、本例の高周波加熱装置
は、商用電源1に電源スイツチ2を介して全波整
流器3が接続され、該全波整流器3の直流出力端
子にインバータ装置4及び該インバータ装置4を
制御する制御回路Sが接続されている。
インバータ装置4は二個のコンデンサ6a,6
bとチヨークコイル6cのパイ型フイルター回路
が前記整流器3の直流出力端子に接続され、出力
側のコンデンサ6bの端子には、マグネトロン駆
動変圧器7と共振用コンデンサ8の並列共振回路
が接続され、マグネトロン駆動変圧器7とスイツ
チング素子としてのトランジスタ9の直列回路が
接続されている。またフライホールダイオード1
0が前記トランジスタ9のコレクターエミツタ間
に逆接続されている。
マグネトロン11Aを発振させるマグネトロン
駆動回路11Bは、駆動変圧器7の二次側のマグ
ネトロンヒータ電源巻線11aと、マグネトロン
入力電源巻線11bに接続された半波整流高圧ダ
イオード11c及び高圧コンデンサ11dとから
構成される。
ここで商用電源1の代わりに自動車のバツテリ
ー等の直流電源を用いれば、上記整流器3なども
不用となる。またインバータのパイ型フイルタ回
路も、電源への影響上、問題なければ廃止するこ
とも可能である。
次にインバータ装置4の制御回路S及び駆動回
路Tについて説明する。制御回路Sは、マグネト
ロン発振検出回路5Aと、電源回路12と、トリ
ガー回路17と、タイマー回路18と、起動回路
19とから構成される。
マグネトロン発振検出回路5Aは、全波整流器
3の出力電圧を抵抗5a,5bで分圧した電圧を
検出器5cの+入力端子へ、また電流制限抵抗5
dを介してツエナダイオード5eでマグネトロン
発振電圧に調整した電圧を検出器5cの−入力端
子へ夫々入力するよう接続されて非反転増幅回路
が構成されたもので、マグネトロン発振時に検出
器5Aは“1”の出力を発生する。
前記電源回路12は、整流器3の交流入力端子
間に接続された電源トランス1Aの二次出力端子
に接続されている。第1図では、この電源回路1
2は、ダイオード12aと平滑コンデンサ13の
半波整流回路と、抵抗14とツエナダイオード1
5の定電圧回路とから成る。しかし全波整流方式
を用いるか、あるいは電源トランス1Aを廃止し
て整流器3の直流出力端子から分圧するか、用途
に応じて適宜、選択することができる。
電源回路12の出力端子16にはトリガー回路
17と、その出力で作動するタイマー回路18
と、起動回路19とが接続されている。起動回路
19は、起動スイツチ20と、保護回路21と、
NORゲート19Aとから成り、起動スイツチ2
0及び保護回路21の両信号が共にマグネトロン
駆動条件時にNORゲート19Aから“1”出力
を発生するよう構成されている。ここで保護回路
21としては内部部品の異常温度検出回路など機
器の保護や使用者の保護を行なう全ての保護回路
を含み、いずれかの保護回路が1つでも異常を検
出すると出力が“0”に変化する様構成されてい
れば良い。第2図gにその出力波形を示す。
トリガー回路17は、トランジスタ9の端子電
圧(第2図a実線)と基準電圧(第2図a破線)
を比較する電圧比較器22と、該比較器22の出
力を微分するコンデンサ23と、該コンデンサ2
3の充電電流で導通する出力トランジスタ24と
から構成され、トランジスタ9の電圧が基準電圧
以下になつた時に出力トランジスタ24は一時的
に導通するよう構成される。(第2図c)。
タイマー回路18はプログラマブルUJT(以下
PUTと略す。)25及びトランジスタ26を用い
たもので、該PUT25のゲート電圧(第2図d
の破線)は起動回路19の出力電圧(第2図g)
を分圧して得られており、また該タイマー回路1
8の出力トランジスタ26は、そのベース電圧が
生じている時に導通するトランジスタである。
従つて、保護回路21が異常を検知したり、起
動スイツチ20が働いていない時は起動回路19
の出力は零であるので出力トランジスタ26は非
導通である。トランジスタ26の出力波形を第2
図hに示す。またPUT25が一定時間後に点弧
した後も、そのゲート・カソード間がPUT25
により短絡されるのでトランジスタ26のベース
電圧は実質的に零となり、出力トランジスタ26
は非導通となる。
ここでPUT25のアノードには抵抗27とタ
イマー用コンデンサ28が時定数回路として接続
されており、抵抗27の抵抗値は、PUT25が
点弧した後、導通状態を保持し得る十分なアノー
ド電流をPUT25へ流すよう選択されている必
要がある。
一方、PUT25のアノード端子にはトリガー
回路17の出力トランジスタ24のエミツタが接
続されていて、トランジスタ9の端子電圧が基準
電圧(第2図aの破線)以下に低下すると、一時
的にトランジスタ24が導通するため、PUT2
5のアノード電流はトランジスタ24へバイパス
されて零となり、PUT25は非導通状態となる。
第2図cにトランジスタ24のベース電圧を示
す。PUT25の非導通状態はコンデンサ28が
充電されてゲート電圧(第2図dの破線)に達す
るまで継続し、達した後はPUT25は再び点弧
し、トランジスタ24が再び導通するまで導通状
態を保持する。この様にして得られたタイマー回
路18の出力(トランジスタ26の出力(第2図
h)を駆動回路Tを通してトランジスタ9のベー
ス電流として与えれば、タイマー回路18で設定
された時間のみトランジスタ9が導通し、駆動変
圧器7の両端には直流電源の電圧が印加される。
そしてその後はトランジスタ9が非導通となつ
て駆動変圧器7の電圧が減少する。その時の駆動
変圧器7の端子電圧は第2図のfで示した波形と
なる。よつて駆動変圧器7によりマグネトロンヒ
ータ電源及びマグネトロン駆動電源をそれぞれ電
圧変換して供給する。トランジスタ9とダイオー
ド10に流れる電流は第2図bとなる。
インバータ装置4で大出力を出すにはトランジ
スタ9も大容量のものが必要であるためベース電
流と云えども、タイマー回路18の出力信号を増
巾する必要がある。
しかし電源回路12から大電流をスイツチング
するためには、電源回路12の容量を増加させ、
且つ大電流定格のスイツチング素子を使用せざる
を得ない。特に電源容量に関すれば、近来、
CMOSなどのICの汎用化によつて論理回路が低
消費電力に移行しており、トランジスタ9の駆動
のためにのみ容量を大巾に増加させる必要があ
り、電源トランスの大型化、電源部の発熱量、高
価格化など高周波加熱装置にとつて大きな問題と
なる。
そこで、本実施例では、駆動変圧器7の端子電
圧が第2図fに示す波形であることに着目し、駆
動変圧器7に別巻線30を設け、該別巻線30の
端子から駆動変圧器7と相似波形を取り出すと共
に、それをトランジスタ9のベース駆動電源とし
ている。即ち第3図の電源周波数での波形(第2
図aを縮小)を見てみると、駆動変圧器7にかか
る電圧(第3図a)が低下した時、マグネトロン
入力電圧も低下し、第3図bに示すように発振は
停止する。なぜならマグネトロン11Aの特性は
第5図に示されるように、ツエナダイオードと同
じく電圧をある程度与えなければ電流は流れない
特性をもつている。そのマグネトロン入力電圧の
変化(発振状態)により駆動変圧器7のインピー
ダンスは左右される。マグネトロン発振時には、
駆動変圧器7のインピーダンスは低く、トランジ
スタ9は第4図B(第3図aのB部分を拡大)に
示されるように、マグネトロンを駆動させる電力
を充分供給している。しかしマグネトロン発振停
止時には、マグネトロン発振検出回路5Aの出力
は“0”になり、トランジスタ9のスイツチング
は停止する(第4図A)。マグネトロン発振検出
器5Aでは、整流器3の出力端子電圧を分圧した
電圧(第3図d)と、電源回路12の電圧をツエ
ナダイオード5eによりマグネトロン発振電圧に
調整した電圧とを比較し、出力電圧によりトラン
ジスタ9のスイツチングを制御する。そこで起動
電源の出力波形(第3図c)に示されるように、
負荷であるマグネトロン11Aが発振停止した時
トランジスタ9のスイツチングも停止して起動電
源の電圧は上昇する。それを利用し、コンデンサ
48に充分電荷を蓄積することができ、コンデン
サ48を有効に使用することができ、またマグネ
トロン11Aを駆動する時、充分に電力を供給で
きるため安定したマグネトロンの発振をさせるこ
とができる。
次に別巻線30の出力を得て、駆動回路Tを動
作させる回路例の説明をする。駆動回路Tは、ト
ランジスタ26の出力をスピードアツプコンデン
サ27Aと抵抗28Aを介してベースにオン・オ
フの信号を入力するトランジスタ29が設けら
れ、そのコレクタ側にトランジスタ35のベース
が抵抗36を介して接続される。そのトランジス
タ35の出力波形を第2図eに示す。図の如くト
ランジスタ29が導通状態時には、そのコレクタ
電圧は零になり、トランジスタ35を導通させて
トランジスタ9のベース電流を供給する。また別
巻線30は、コンデンサ48、ダイオード49を
介してトランジスタ35のエミツタに接続され
る。
この場合、制御回路Sの出力電圧を起動時と、
別巻線30の出力が極端に低下した時のみ供給す
る起動回路51が設けられ、該起動回路51は、
ダイオード50、抵抗52,53、コンデンサ5
4とから成り、整流器3からの直流電源を抵抗5
2,53で分圧し、その電圧をコンデンサ54に
蓄えておいて、必要時にダイオード50を介して
トランジスタ35のエミツタに電源を供給し、ト
ランジスタ9のベースに電流を供給するよう接続
されている。起動回路51の電源は電源トランス
を整流した直流電源あるいは、抵抗52,53の
それぞれに並列にコンデンサ54を接続し、分圧
した出力を用いてもよい。その他の場合は別巻線
30の出力がトランジスタ35のエミツタに接続
されているためトランジスタ35の電源を別巻線
30の出力から得ている。
そして、トランジスタ29が非導通時には、コ
レクタ電圧が“1”になり抵抗36を介してダー
リントン接続されたトランジスタ33,34を導
通状態にして、トランジスタ9のターンオフ時間
を高速化するためにベースに蓄積された過剰キヤ
リアを、トランジスタ33,34で放出させると
共に、別巻線30の不要な信号(第2図fで斜線
部以外の正信号)を禁止することで効率化を図つ
ている。トランジスタ9のベース電流を第2図i
に示す。
またトランジスタ34のエミツタ端子を負極性
電源へ接続し、トランジスタ34の導通時にトラ
ンジスタ9のベースへ逆バイアス電圧を印加すれ
ば、トランジスタ9の高速化をさらに促進するこ
とも可能である。負極性電源としては、第1図の
電源トランス1Aに別の二次巻線を設ければ簡単
に得ることが可能であるが、別巻線30の出力電
圧を整流しても得られる。
第6図は別巻線30から負極性電源も得た第二
実施例である。
別巻線30は、トランジスタ9を駆動する第一
巻線30aと、負極性電源用の第二巻線30bと
で構成されており、第一巻線30aについては第
1図の巻線30と同一作用である。第二巻線30
bはトランジスタ9が導通した時の出力電圧で整
流ダイオード46により半波整流して充電するコ
ンデンサ45が接続され、該コンデンサ45の正
極端子がトランジスタ34のエミツタに接続され
る。こうして得られた負極性線47(コンデンサ
45の負極性)にトランジスタ34はエミツタ接
地され、トランジスタ9のベース端子に負極性バ
イアスを印加してスイツチング速度を短縮する。
またオンタイムの時間を長くした場合、一般的に
トランジスタ9に蓄積される過剰キヤリアも増加
する。この過剰キヤリアを放出するためには、負
極性電源の容量も増加させなければならない。し
かし第二巻線30bをトランジスタ9のコレクタ
電流と同位相に接続すれば、オンタイムが増加し
ても平滑コンデンサ45に蓄えられる電気量が多
くなり、オフ時に効率よく過剰キヤリアを放出さ
せることができ、トランジスタ9のスイツチング
をスムーズに動作させることができる。
次に第7図ないし第9図に示す本発明の第三実
施例について説明すると、本実施例の高周波加熱
装置は、上記第一実施例に示すインバータ装置4
において、トランジスタ9と共振回路を構成する
共振用コンデンサ8を省略したもので、他の構成
は第一実施例と同様である。
上記構成においては、第8,9図に示す如く、
各構成要素の出力波形は第2,4図に示す波形と
相違するが、トランジスタ9に駆動する駆動回路
Tに供給する駆動電源については実質的に差はな
い。なお、第8図は第2図に対応する各構成要素
の出力波形を示し、第9図は第4図に示すトラン
ジスタ9のコレクタ電流及びコレクタ電圧を示す
ものである。
次に第10図に示す本発明の第四実施例につい
て説明すると、本実施例の高周波加熱装置は、第
二実施例に示すインバータ装置4において、トラ
ンジスタ9と共振回路を構成する共振用コンデン
サ8を省略したもので、他の構成及び作用は第二
実施例と同様である。
<効果> 以上の説明から明らかな通り、本発明は直流電
源にマグネトロン駆動変圧器と半導体スイツチン
グ素子とが直列に接続されたインバータ装置が設
けられ、前記スイツチング素子を駆動する駆動回
路と、前記スイツチング素子をオン・オフ制御す
る制御回路とが設けられ、前記駆動変圧器にその
端子電圧を検出する別巻線が取り付けられ、該別
巻線の出力が前記駆動回路の駆動電源として利用
されたことを特徴とする高周波加熱装置に関する
ものである。従つて本発明によると、インバータ
のトランジスタの大電流駆動に対し、駆動変圧器
に取り付けられた別巻線から必要電力を供給する
ので次のような効果が期待できる。
(イ) 制御回路用の電源容量を小さくできるため機
器の小型化及び低価格化が図れる。
(ロ) 大電流のスイツチング素子が高速化用の一個
で済み、且つ電流が流れている時間巾も短いの
でスイツチング素子の損失を少なくできる。
(ハ) 瞬時停電などでインバータ装置の入力電圧が
急激に減少し、駆動変圧器の出力電圧が低下し
た場合でも制御回路の電源を利用して自動的に
バツクアツプするので極めて安定である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第一実施例を示す高周波加熱
装置の回路図、第2図は高周波加熱装置の各構成
要素の出力波形図、第3図は同じくインバータ装
置及びマグネトロンにおける出力波形図、第4図
はスイツチング素子のコレクタ電流及びコレクタ
電圧の出力波形図、第5図はマグネトロンの電圧
−電流特性図、第6図は本発明の第二実施例を示
す高周波加熱装置の波形図、第7図は本発明の第
三実施例を示す高周波加熱装置の回路図、第8図
は同じくその各構成要素の出力波形図面、第9図
は同じくスイツチング素子のコレクタ電流及びコ
レクタ電圧の示波形図、第10図は本発明の第四
実施例を示す高周波加熱装置の回路図である。 S:制御回路、T:駆動回路、1:商用電源、
2:電源スイツチ、3:整流器、4:インバータ
装置、7:駆動変圧器、8:共振用コンデンサ、
9:トランジスタ、10:ダイオード、11A:
マグネトロン、11B:マグネトロン駆動回路、
30,30a,30b:別巻線。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 直流電源にマグネトロン駆動変圧器と半導体
    スイツチング素子とが直列に接続されたインバー
    タ装置が設けられ、前記スイツチング素子を駆動
    する駆動回路と、前記スイツチング素子をオン・
    オフ制御する制御回路とが設けられ、前記駆動変
    圧器にその端子電圧を検出する別巻線が取り付け
    られ、該別巻線の出力が前記駆動回路の駆動電源
    として利用されたことを特徴とする高周波加熱装
    置。
JP7988785A 1985-04-15 1985-04-15 高周波加熱装置 Granted JPS61239595A (ja)

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JP7988785A JPS61239595A (ja) 1985-04-15 1985-04-15 高周波加熱装置

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JPS61239595A JPS61239595A (ja) 1986-10-24
JPH0345880B2 true JPH0345880B2 (ja) 1991-07-12

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