JPH0344954A - ハイブリッドモジュールのリード接続方法 - Google Patents
ハイブリッドモジュールのリード接続方法Info
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- JPH0344954A JPH0344954A JP1180847A JP18084789A JPH0344954A JP H0344954 A JPH0344954 A JP H0344954A JP 1180847 A JP1180847 A JP 1180847A JP 18084789 A JP18084789 A JP 18084789A JP H0344954 A JPH0344954 A JP H0344954A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 16
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、ハイブリッドモジュールのリード接続方法に
係り、特に外囲器に設けられた外部接続用端子に一端が
電気的に接続したリード線の他端を外囲器に内装された
ハイブリッド回路本体側に接続する方法の改良に関する
。
係り、特に外囲器に設けられた外部接続用端子に一端が
電気的に接続したリード線の他端を外囲器に内装された
ハイブリッド回路本体側に接続する方法の改良に関する
。
（従来の技術）
例えば、ベース板上に厚膜基板など具備して成る所要の
ハイブリッド回路本体を配設するとともに、前記ハイブ
リッド回路本体を囲むように樹脂製筒状体め一端を前記
ベース板に接着し、所要のリード接続を行った後、前記
筒状体の開口端を蓋体で封止した構造のハイブリッドモ
ジュールが知られている。即ち、第５図にその構成例を
斜視的に示すように、ＩＣ素子１などを実装したハイブ
リッド回路本体２をベース板３上に配設する一方、前記
ハイブリッド回路本体２を囲むように配設した外囲器４
の一部を成す筒状体４ａ壁に、予め貫挿配設されている
外部接続用端子５に一端が電気的に接続されたリード端
子（リード線）６の円板状に形成加工された他端を、前
記ハイブリッド回路本体２のリード取り出し用パッド２
ａに対接させ電気的に接続した後、外囲器４の一部を威
す所要の蓋体を（図示せず）配設し、封止して成るハイ
ブリッドモジュールが実用に供されている。
ハイブリッド回路本体を配設するとともに、前記ハイブ
リッド回路本体を囲むように樹脂製筒状体め一端を前記
ベース板に接着し、所要のリード接続を行った後、前記
筒状体の開口端を蓋体で封止した構造のハイブリッドモ
ジュールが知られている。即ち、第５図にその構成例を
斜視的に示すように、ＩＣ素子１などを実装したハイブ
リッド回路本体２をベース板３上に配設する一方、前記
ハイブリッド回路本体２を囲むように配設した外囲器４
の一部を成す筒状体４ａ壁に、予め貫挿配設されている
外部接続用端子５に一端が電気的に接続されたリード端
子（リード線）６の円板状に形成加工された他端を、前
記ハイブリッド回路本体２のリード取り出し用パッド２
ａに対接させ電気的に接続した後、外囲器４の一部を威
す所要の蓋体を（図示せず）配設し、封止して成るハイ
ブリッドモジュールが実用に供されている。
ところで、この種のハイブリッドモジュールにおけるリ
ード端子６とハイブリッド回路本体２のリード取り出し
用パッド２ａとの電気的な接続は次のように行われてい
る。すなわち第６図に斜視的に示すように、リード端子
（リード線）６の円板状に形成加工された他端を、前記
ハイブリッド回路本体２のリード取り出し用パッド２ａ
に対接させ、第７図に示すように一対の溶接用電極７ａ
、７ｂを配置して加圧１通電溶接して電気的に接続して
いる。
ード端子６とハイブリッド回路本体２のリード取り出し
用パッド２ａとの電気的な接続は次のように行われてい
る。すなわち第６図に斜視的に示すように、リード端子
（リード線）６の円板状に形成加工された他端を、前記
ハイブリッド回路本体２のリード取り出し用パッド２ａ
に対接させ、第７図に示すように一対の溶接用電極７ａ
、７ｂを配置して加圧１通電溶接して電気的に接続して
いる。
一方、外囲器４の一部を成す筒状体４ａ壁に予め貫挿配
設されている板状の外部接続用端子５面上に前記リード
端子（リード線）６の一端側を重合せ、第８図に斜視的
に示すように一対の溶接用電極７ａ、７ｂを配置して加
圧１通電溶接することにより電気的な接続をおこなって
いる。この他、リード端子６として、第９図に斜視的に
示すように板状のものを用いたり、また第１Ｏ図に斜視
的に示すようにハイブリッド回路本体２のリード取り出
し用パッド２ａの形状を断面り字型に構成したり、前記
断面り字型に代え断面逆Ｔ字型に構成したりし、溶接の
ときに一対の溶接電極７ａ、７ｂを第１１図に側面的に
示すように、一方を重ね合せ部に対接させ、他方を重ね
合せ部から離して対接させ溶接することも試みられてい
る。
設されている板状の外部接続用端子５面上に前記リード
端子（リード線）６の一端側を重合せ、第８図に斜視的
に示すように一対の溶接用電極７ａ、７ｂを配置して加
圧１通電溶接することにより電気的な接続をおこなって
いる。この他、リード端子６として、第９図に斜視的に
示すように板状のものを用いたり、また第１Ｏ図に斜視
的に示すようにハイブリッド回路本体２のリード取り出
し用パッド２ａの形状を断面り字型に構成したり、前記
断面り字型に代え断面逆Ｔ字型に構成したりし、溶接の
ときに一対の溶接電極７ａ、７ｂを第１１図に側面的に
示すように、一方を重ね合せ部に対接させ、他方を重ね
合せ部から離して対接させ溶接することも試みられてい
る。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、上記リード端子乃至リード線６の先端側をハイ
ブリッド回路本体２のリード取り出し用パッド２ａに対
接させて溶接を行いリード接続する場合は、次のような
不都合がしばしば認められる。先ず、予めハイブリッド
回路本体（回路基板）２にリード取り出し用パッド２ａ
を半田付けした後、このハイブリッド回路本体２をベー
ス板３に溶接し、所要のハイブリッド回路を組み立て、
さらに外囲器４の一部を威す筒状体４ａを組み立てリー
ド！ＩＩ６についてフォーミングしてから、前記溶接を
行うため作業性が著しく劣ると言う問題がある。
ブリッド回路本体２のリード取り出し用パッド２ａに対
接させて溶接を行いリード接続する場合は、次のような
不都合がしばしば認められる。先ず、予めハイブリッド
回路本体（回路基板）２にリード取り出し用パッド２ａ
を半田付けした後、このハイブリッド回路本体２をベー
ス板３に溶接し、所要のハイブリッド回路を組み立て、
さらに外囲器４の一部を威す筒状体４ａを組み立てリー
ド！ＩＩ６についてフォーミングしてから、前記溶接を
行うため作業性が著しく劣ると言う問題がある。
また、ハイブリッド回路本体２のリード取り出し用パッ
ド２ａの形状を断面り字型などに構成した場合は、溶接
するパラ１２ａ面が比較的小さく位置合せの精度に難点
があるうえ方向性もあるため、自動搭載、実装方式によ
る製造１組み立てに適しないと言う不都合がある。
ド２ａの形状を断面り字型などに構成した場合は、溶接
するパラ１２ａ面が比較的小さく位置合せの精度に難点
があるうえ方向性もあるため、自動搭載、実装方式によ
る製造１組み立てに適しないと言う不都合がある。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、外囲器壁を
貫挿配設された外部接続用端子に一端が接続するリード
線の他端を、前記外囲器に内装されたハイブリッド回路
本体のリード取り出しパッドに接続する方法において、 前記ハイブリッド回路本体のリード取り出しパッドはＦ
ｅ、Ｎｔ もしくはこれらの合金を基材とし表面にＮｉ
系めっき層を有する厚さ ０．３〜２）、外径１．５〜
５ｍａ＋の少なくとも上面がリング状に形成され、この
パッドの上面に前記リード線の他端側を′ａ置し、この
リード線の他端側と前記パッドとの重ね合せ接触部に一
方の電極を対接させ、対向する他方の電極をパッド面上
の他領域に対接させて加圧１通電して溶接することを特
徴とする。
貫挿配設された外部接続用端子に一端が接続するリード
線の他端を、前記外囲器に内装されたハイブリッド回路
本体のリード取り出しパッドに接続する方法において、 前記ハイブリッド回路本体のリード取り出しパッドはＦ
ｅ、Ｎｔ もしくはこれらの合金を基材とし表面にＮｉ
系めっき層を有する厚さ ０．３〜２）、外径１．５〜
５ｍａ＋の少なくとも上面がリング状に形成され、この
パッドの上面に前記リード線の他端側を′ａ置し、この
リード線の他端側と前記パッドとの重ね合せ接触部に一
方の電極を対接させ、対向する他方の電極をパッド面上
の他領域に対接させて加圧１通電して溶接することを特
徴とする。
（作 用）
上記のように、本発明方法によれば、ハイブリッド回路
本体のリード取り出しパッドは特定の金属で比較的小形
に形成されかつ、少なくとも上面がリング状に形成され
ているため、このパッドの上面に前記リード線の他端側
を載置した場合、均一な接触を容易に保持する。しかし
て、リード線の他端側とパッドとの重ね合せ接触部に一
方の電極を対接させ、対向する他方の電極をパッド面上
の他領域に対接させて加圧２通電して溶接したとき、容
易にしかも確実に所要の溶接を達成し得る。
本体のリード取り出しパッドは特定の金属で比較的小形
に形成されかつ、少なくとも上面がリング状に形成され
ているため、このパッドの上面に前記リード線の他端側
を載置した場合、均一な接触を容易に保持する。しかし
て、リード線の他端側とパッドとの重ね合せ接触部に一
方の電極を対接させ、対向する他方の電極をパッド面上
の他領域に対接させて加圧２通電して溶接したとき、容
易にしかも確実に所要の溶接を達成し得る。
（実施例）
以下第１図および第２図を参照して本発明の詳細な説明
する。
する。
第１図はハイブリッドモジュールの一部を成す樹脂製外
囲器４壁に貫挿配′設された外部接続川端子５に一端が
溶接されたリード線６の他端を、前記外囲器４内に配設
されたハイブリッド回路本体２の入出力端子用パッド２
ａに対接させた状態を、斜視的に示したものである。す
なわち、本発明方法においては、外囲器４内に配設され
たハイブリッド回路本体２の人出力端子用バッド２ａを
特に所定の材料で所定の形状に構成しである。つまり、
ハイブリッド回路本体２のリード取り出しパッド２ａは
Ｆｅ、Ｎｉ もしくはこれらの合金を基材とし表面にＮ
ｉ系めっき層を有する厚さ ０．３〜２ｍｌ１．直径１
〜５１Ｉｌの円板状に形成された構造を威している。
囲器４壁に貫挿配′設された外部接続川端子５に一端が
溶接されたリード線６の他端を、前記外囲器４内に配設
されたハイブリッド回路本体２の入出力端子用パッド２
ａに対接させた状態を、斜視的に示したものである。す
なわち、本発明方法においては、外囲器４内に配設され
たハイブリッド回路本体２の人出力端子用バッド２ａを
特に所定の材料で所定の形状に構成しである。つまり、
ハイブリッド回路本体２のリード取り出しパッド２ａは
Ｆｅ、Ｎｉ もしくはこれらの合金を基材とし表面にＮ
ｉ系めっき層を有する厚さ ０．３〜２ｍｌ１．直径１
〜５１Ｉｌの円板状に形成された構造を威している。
一方、リード線（リード端子）６としては、たとえばＦ
ｅ、Ｎｉ、Ｃｕもしくはそれらの合金から成り要すれば
表面に半田層やＮｉめっき層を設けた直径０．２〜２同
の細線を使用する。しかして、前記リード取り出しパッ
ド２ａに対するリード線（リード端子）６他端の溶接、
接続は次のようにして行われる。
ｅ、Ｎｉ、Ｃｕもしくはそれらの合金から成り要すれば
表面に半田層やＮｉめっき層を設けた直径０．２〜２同
の細線を使用する。しかして、前記リード取り出しパッ
ド２ａに対するリード線（リード端子）６他端の溶接、
接続は次のようにして行われる。
すなわち、リード線（リード端子）６他端を前記円板状
のパッド２ａ面に対してほぼ水平に折り曲げ、この折り
曲げ部が円板状のバッド２ａ面を横切るように対接、配
置する。しかる後、一対の溶接電極７ａ、 ７ｂのうち
一方の平板溶接電極７ａ端面を、リード線６が円板状の
パッド２ａ面を横切るように重ね合せ領域面にて前記リ
ード線６を横切るようほぼ直角に対接させ、他方の溶接
電極７ｂを円板状のバッド２ａ面の他の領域に離して対
接させ、ともに加圧１通電（約１００ＯＡ ）処理して
所要の溶接を行う。
のパッド２ａ面に対してほぼ水平に折り曲げ、この折り
曲げ部が円板状のバッド２ａ面を横切るように対接、配
置する。しかる後、一対の溶接電極７ａ、 ７ｂのうち
一方の平板溶接電極７ａ端面を、リード線６が円板状の
パッド２ａ面を横切るように重ね合せ領域面にて前記リ
ード線６を横切るようほぼ直角に対接させ、他方の溶接
電極７ｂを円板状のバッド２ａ面の他の領域に離して対
接させ、ともに加圧１通電（約１００ＯＡ ）処理して
所要の溶接を行う。
第２図において８はハイブリッド回路本体２に人出力端
子用パッド２ａを固着する半田層を示す。ここで、４２
アロイを基材とし表面にＮｉめっき層を形成して成る直
径約３問、厚さ約１ｍａ＋に構成された円板状パッド２
ａ面に、電気用軟銅線表面に半田めっき層を設けて成る
直径０．５ｔｓ１１１のリード線６を溶接するに当り、
重ね合せ領域面に端面形状が約ｉ×２厘−〜 ｌＸ４ｍ
ｍの方形の溶接電極７ａ・・・リード電極・・・を対接
させ、円板状のバッド２ａ面の他の領域に離して端面形
状が直径的１．２ｍｍの円形の溶接電極７ｂ・・・アー
ス電極・・・を対接させて加圧（画電極とも２Ｋｇ位）
２通電処理したところ所要の溶接を精度よくなし得た。
子用パッド２ａを固着する半田層を示す。ここで、４２
アロイを基材とし表面にＮｉめっき層を形成して成る直
径約３問、厚さ約１ｍａ＋に構成された円板状パッド２
ａ面に、電気用軟銅線表面に半田めっき層を設けて成る
直径０．５ｔｓ１１１のリード線６を溶接するに当り、
重ね合せ領域面に端面形状が約ｉ×２厘−〜 ｌＸ４ｍ
ｍの方形の溶接電極７ａ・・・リード電極・・・を対接
させ、円板状のバッド２ａ面の他の領域に離して端面形
状が直径的１．２ｍｍの円形の溶接電極７ｂ・・・アー
ス電極・・・を対接させて加圧（画電極とも２Ｋｇ位）
２通電処理したところ所要の溶接を精度よくなし得た。
なお、本発明において、ハイブリッド回路本体２のリー
ド取り出しパッド２ａを、Ｆｅ、Ｎｉ もしくはこれ
らの合金を基材とし表面にＮｉ系めっき層を有する厚さ
０．３〜２■、直径■〜５１１１１の円板状に形成し
た構造に設定し、また溶接の際の電極形状（構造）およ
び溶接電極の配設１位置関係を上記の如く規定したのは
、ハイブリッドモジュールの小形化および高信頼性の機
能乃至性能の保持からである。
ド取り出しパッド２ａを、Ｆｅ、Ｎｉ もしくはこれ
らの合金を基材とし表面にＮｉ系めっき層を有する厚さ
０．３〜２■、直径■〜５１１１１の円板状に形成し
た構造に設定し、また溶接の際の電極形状（構造）およ
び溶接電極の配設１位置関係を上記の如く規定したのは
、ハイブリッドモジュールの小形化および高信頼性の機
能乃至性能の保持からである。
［発明の効果ｊ
上記説明からも分るように、本発明方法によれば、ハイ
ブリッドモジュールのリード接続において、互いに接続
する外部接続用端子とハイブリッド回路本体とをリード
線によって確実かつ安定した状態で所要の電気的な接続
がなしつる。つまり、上記ハイブリッド回路本体のリー
ド取り出しパッドとリード線との溶接接続においては、
前記ハイブリッド回路本体のリード取り出しパッドが円
板状に形成されており、リード線はこのパッド面に当接
した状態に置かれる。このためリード線とパッド面との
位置合せにおいても方向性を無視し得ることになり、よ
って作業も簡略化され自動的な装着、溶接接続も可能と
なる。つまり、パッド面に当接して載置されたリード線
は１か所でかっ、端面が十分に対接した状態で加圧１通
電して溶接されるため、相対的に接合部面積のバラツキ
なども小さく抑制し得る。このように位置ズレなどの問
題をほとんど無視しても一定の接合部面積を容易に保持
し得るので、上記加圧１通電して溶接する際も常に安定
した電流が流れ、結果的に発熱量を安定化させ良好なリ
ード接続が達成される。かくして、本発明は安定性乃至
信頼性の高さ、さらに量産における歩留の改善、向上な
どに大きく寄与し得るリード接続方法と言える。
ブリッドモジュールのリード接続において、互いに接続
する外部接続用端子とハイブリッド回路本体とをリード
線によって確実かつ安定した状態で所要の電気的な接続
がなしつる。つまり、上記ハイブリッド回路本体のリー
ド取り出しパッドとリード線との溶接接続においては、
前記ハイブリッド回路本体のリード取り出しパッドが円
板状に形成されており、リード線はこのパッド面に当接
した状態に置かれる。このためリード線とパッド面との
位置合せにおいても方向性を無視し得ることになり、よ
って作業も簡略化され自動的な装着、溶接接続も可能と
なる。つまり、パッド面に当接して載置されたリード線
は１か所でかっ、端面が十分に対接した状態で加圧１通
電して溶接されるため、相対的に接合部面積のバラツキ
なども小さく抑制し得る。このように位置ズレなどの問
題をほとんど無視しても一定の接合部面積を容易に保持
し得るので、上記加圧１通電して溶接する際も常に安定
した電流が流れ、結果的に発熱量を安定化させ良好なリ
ード接続が達成される。かくして、本発明は安定性乃至
信頼性の高さ、さらに量産における歩留の改善、向上な
どに大きく寄与し得るリード接続方法と言える。
第１図および第２図は本発明方法において、外部接続用
端子に一端が接続するリード線の他端をハイブリッド回
路本体のリード取り出しパッドに接続する状態を説明す
るための模式図で第１図は斜視図、第２図は側面図、第
３図は従来のハイブリッドモジュールの内部構成例を示
す斜視図、第４図、第７図および第８図は従来のＩ＼イ
ブリッドモジュールのリード接続法を説明するための模
式的な斜視図、第５図、第６図および第９図は従来のハ
イブリッドモジュールのリード接続法を説明するための
模式的な側面図である。 ２・・・・・・・・・ハイブリッド回路本体２ａ・・・
・・・・・・円板状パッド ４・・・・・・・・・外囲器 ５・・・・・・・・・外部接続用端子 ６・・・・・・・・・リード線（リード端子）７ａ、
７ｂ・・・溶接電極
端子に一端が接続するリード線の他端をハイブリッド回
路本体のリード取り出しパッドに接続する状態を説明す
るための模式図で第１図は斜視図、第２図は側面図、第
３図は従来のハイブリッドモジュールの内部構成例を示
す斜視図、第４図、第７図および第８図は従来のＩ＼イ
ブリッドモジュールのリード接続法を説明するための模
式的な斜視図、第５図、第６図および第９図は従来のハ
イブリッドモジュールのリード接続法を説明するための
模式的な側面図である。 ２・・・・・・・・・ハイブリッド回路本体２ａ・・・
・・・・・・円板状パッド ４・・・・・・・・・外囲器 ５・・・・・・・・・外部接続用端子 ６・・・・・・・・・リード線（リード端子）７ａ、
７ｂ・・・溶接電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 外囲器壁を貫挿配設された外部接続用端子に一端が接続
するリード線の他端を、前記外囲器に内装されたハイブ
リッド回路本体のリード取り出しパッドに接続する方法
において、 前記ハイブリッド回路本体のリード取り出しパッドはＦ
ｅ、Ｎｉもしくはこれらの合金を基材とし表面にＮｉ系
めっき層を有する厚さ０．３〜２ｍｍ、外径１．５〜５
ｍｍの少なくとも上面がリング状に形成され、このパッ
ドの上面に前記リード線の他端側を載置し、このリード
線の他端側と前記パッドとの重ね合せ接触部に一方の電
極を対接させ、対向する他方の電極をパッド面上の他領
域に対接させて加圧、通電して溶接することを特徴とす
るハイブリッドモジュールのリード接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1180847A JPH0344954A (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | ハイブリッドモジュールのリード接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1180847A JPH0344954A (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | ハイブリッドモジュールのリード接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0344954A true JPH0344954A (ja) | 1991-02-26 |
Family
ID=16090399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1180847A Pending JPH0344954A (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | ハイブリッドモジュールのリード接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0344954A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10103084A1 (de) * | 2001-01-24 | 2002-08-01 | Eupec Gmbh & Co Kg | Halbleitermodul und Verfahren zu seiner Herstellung |
-
1989
- 1989-07-13 JP JP1180847A patent/JPH0344954A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10103084A1 (de) * | 2001-01-24 | 2002-08-01 | Eupec Gmbh & Co Kg | Halbleitermodul und Verfahren zu seiner Herstellung |
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