JPH0344947A - 半導体装置の測定装置 - Google Patents
半導体装置の測定装置Info
- Publication number
- JPH0344947A JPH0344947A JP1181078A JP18107889A JPH0344947A JP H0344947 A JPH0344947 A JP H0344947A JP 1181078 A JP1181078 A JP 1181078A JP 18107889 A JP18107889 A JP 18107889A JP H0344947 A JPH0344947 A JP H0344947A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- wiring
- electron beam
- semiconductor
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 8
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Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の測定装置に関するものである。
従来の技術
従来の半導体装置の測定装置は、半導体装置をセラミッ
クパッケージや、プラスチックパッケージなどに実装し
た後に、半導体装置を適正に駆動させるボードの上に装
着して測定する装置や、第2図の側面図に示したように
、半導体装置5をウェハーやチップ状で半導体装置の固
定台6上に固定し、金属プローバー4を半導体装置の配
線上にあて、半導体素子の特性を測定する。
クパッケージや、プラスチックパッケージなどに実装し
た後に、半導体装置を適正に駆動させるボードの上に装
着して測定する装置や、第2図の側面図に示したように
、半導体装置5をウェハーやチップ状で半導体装置の固
定台6上に固定し、金属プローバー4を半導体装置の配
線上にあて、半導体素子の特性を測定する。
発明が解決しようとする課題
現在、素子の高集積化が進み、配線幅が1.0μm前後
と細くなっている。従来の金属プローバーをあてる方式
では、針の先の強度を一定以上保つために、50μm程
度の太さが必要である。金属プローバーを接触させる場
所は、50μmX50μm程度またはそれ以上の大きさ
が必要となる。このため、半導体装置の不良場所を解明
するために、測定装置に、コンピューターを接続し、プ
ログラムを用いて半導体装置をブロックごとに動作させ
ることにより行っている。しかし、配線幅が細くなって
いる現在、ひとつひとつの素子を測定することは、不可
能である。さらに、金属プローバーを配線上に接触させ
て測定するために、配線をつぶすなどして、素子がこわ
れる可能性が高い。
と細くなっている。従来の金属プローバーをあてる方式
では、針の先の強度を一定以上保つために、50μm程
度の太さが必要である。金属プローバーを接触させる場
所は、50μmX50μm程度またはそれ以上の大きさ
が必要となる。このため、半導体装置の不良場所を解明
するために、測定装置に、コンピューターを接続し、プ
ログラムを用いて半導体装置をブロックごとに動作させ
ることにより行っている。しかし、配線幅が細くなって
いる現在、ひとつひとつの素子を測定することは、不可
能である。さらに、金属プローバーを配線上に接触させ
て測定するために、配線をつぶすなどして、素子がこわ
れる可能性が高い。
課題を解決するための手段
従来法の問題点を解決するために、金属プローバーに変
えて、電子を収束させて、配線に電子ビ−ムをあて半導
体素子を駆動して素子特性を測定する。さらに、半導体
装置の固定台に2軸又は3軸系の駆動軸を接続する。
えて、電子を収束させて、配線に電子ビ−ムをあて半導
体素子を駆動して素子特性を測定する。さらに、半導体
装置の固定台に2軸又は3軸系の駆動軸を接続する。
作用
このように、電子を収束させて、配線に電子ビームを照
射して半導体素子を駆動することにより、1.0μm程
度の細い配線のトランジスタまで、個々の特性を測定す
ることが可能となる。このことにより、測定後、配線を
破壊することがないため素子がこわれることがない。そ
の上、半導体装置の固定台に、2軸又は3軸系の駆動軸
を接続することにより、半導体装置上のすべての素子特
性を測定することができる。
射して半導体素子を駆動することにより、1.0μm程
度の細い配線のトランジスタまで、個々の特性を測定す
ることが可能となる。このことにより、測定後、配線を
破壊することがないため素子がこわれることがない。そ
の上、半導体装置の固定台に、2軸又は3軸系の駆動軸
を接続することにより、半導体装置上のすべての素子特
性を測定することができる。
実施例
本発明の実施例を第1図により説明する。第1図は本発
明の半導体装置の測定装置を示す断面図である。半導体
装置5を、半導体装置の固定台6の上に固定する。半導
体装置5の全体を駆動できる状態にするために、金属プ
ローバー4を特定のパッドにあてる。その後、個々の素
子のテストを行うために、回路駆動用電子源2から発生
した電子を、収束レンズ3でしぼり、半導体装置5の配
線上に回路駆動用電子ビーム1を照射させ回路を動作さ
せ素子特性を測定する。
明の半導体装置の測定装置を示す断面図である。半導体
装置5を、半導体装置の固定台6の上に固定する。半導
体装置5の全体を駆動できる状態にするために、金属プ
ローバー4を特定のパッドにあてる。その後、個々の素
子のテストを行うために、回路駆動用電子源2から発生
した電子を、収束レンズ3でしぼり、半導体装置5の配
線上に回路駆動用電子ビーム1を照射させ回路を動作さ
せ素子特性を測定する。
回路駆動用電子ビーム1は複数個用いてもよい。
発明の効果
本発明によれば、電子ビームを配線上に照射し、回路を
動作させ特性を測定することにより、個々の素子を測定
することができ、不良となったトランジスタを解明する
ことができる。さらに、半導体装置の固定台を2次元ま
たは3次元的に動かすことにより、半導体装置全体の素
子特性を測定することができる。その上、非接触の測定
方法であるために、素子を破壊することなく測定できる
。また、真空中で測定するために、ダストによる影響が
ないという効果もある。
動作させ特性を測定することにより、個々の素子を測定
することができ、不良となったトランジスタを解明する
ことができる。さらに、半導体装置の固定台を2次元ま
たは3次元的に動かすことにより、半導体装置全体の素
子特性を測定することができる。その上、非接触の測定
方法であるために、素子を破壊することなく測定できる
。また、真空中で測定するために、ダストによる影響が
ないという効果もある。
第1図は本発明による半導体装置の測定装置の側面図、
第2図は従来の測定装置の側面図である。 l・・・・・・回路駆動用電子ビーム、2・・・・・・
回路駆動用電子源、3・・・・・・収束レンズ、4・・
・・・・金属プローバー 5・・・・・・半導体装置、
6・・・・・・半導体装置の固定台。
第2図は従来の測定装置の側面図である。 l・・・・・・回路駆動用電子ビーム、2・・・・・・
回路駆動用電子源、3・・・・・・収束レンズ、4・・
・・・・金属プローバー 5・・・・・・半導体装置、
6・・・・・・半導体装置の固定台。
Claims (1)
- 電子源で発生させた電子を加速し、レンズにより収束さ
せた電子ビームを、半導体装置の配線上に照射し、半導
体素子を駆動させ発生した各種の信号を外部に取り出す
機能を付加したことを特徴とする半導体装置の測定装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1181078A JPH0344947A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 半導体装置の測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1181078A JPH0344947A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 半導体装置の測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0344947A true JPH0344947A (ja) | 1991-02-26 |
Family
ID=16094427
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1181078A Pending JPH0344947A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 半導体装置の測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0344947A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5135285A (ja) * | 1974-09-20 | 1976-03-25 | Hitachi Ltd |
-
1989
- 1989-07-12 JP JP1181078A patent/JPH0344947A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5135285A (ja) * | 1974-09-20 | 1976-03-25 | Hitachi Ltd |
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