JPH0344894B2 - - Google Patents
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- JPH0344894B2 JPH0344894B2 JP57154341A JP15434182A JPH0344894B2 JP H0344894 B2 JPH0344894 B2 JP H0344894B2 JP 57154341 A JP57154341 A JP 57154341A JP 15434182 A JP15434182 A JP 15434182A JP H0344894 B2 JPH0344894 B2 JP H0344894B2
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- B29C61/06—Making preforms having internal stresses, e.g. plastic memory
- B29C61/0608—Making preforms having internal stresses, e.g. plastic memory characterised by the configuration or structure of the preforms
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- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ゴム・プラスチツク電力ケーブル
用中間接続部に用いる熱収縮チユーブの製造方法
に関するものである。
用中間接続部に用いる熱収縮チユーブの製造方法
に関するものである。
発明の背景
ゴム・プラスチツクケーブル(主に特別高圧以
下)の中間接続部に、一体になつた多層の熱収縮
チユーブを使用することが提案されている。
下)の中間接続部に、一体になつた多層の熱収縮
チユーブを使用することが提案されている。
すなわち「第1図」の10aがその3層収縮チ
ユーブで、たとえば外側の半導電層12aと中間
の絶縁層14aと内側の高誘電率層16aとが一
体になつたものである。これを「第2図」のよう
に、ケーブル20の導体接続部24上にかぶせて
収縮させると、外部半導電層12bと補強絶縁体
14bと高誘電率層16b(電界緩和用で、チタ
ン酸バリウムなどの強誘電体を含む)とが一体に
なつた補強絶縁体10bができる。なお22はケ
ーブル絶縁体、谷埋め絶縁層26はテープ巻きで
作つている。
ユーブで、たとえば外側の半導電層12aと中間
の絶縁層14aと内側の高誘電率層16aとが一
体になつたものである。これを「第2図」のよう
に、ケーブル20の導体接続部24上にかぶせて
収縮させると、外部半導電層12bと補強絶縁体
14bと高誘電率層16b(電界緩和用で、チタ
ン酸バリウムなどの強誘電体を含む)とが一体に
なつた補強絶縁体10bができる。なお22はケ
ーブル絶縁体、谷埋め絶縁層26はテープ巻きで
作つている。
上記の3層収縮チユーブ10aは、「第3図」
のような、長尺の3層収縮チユーブ10(半導電
層12と絶縁層14と高誘電率層16とからな
る)を所定の長さに切断し、かつ端部18(第1
図)を所定の形状に削つて、作ることができる。
のような、長尺の3層収縮チユーブ10(半導電
層12と絶縁層14と高誘電率層16とからな
る)を所定の長さに切断し、かつ端部18(第1
図)を所定の形状に削つて、作ることができる。
この発明は、上記の3層収縮チユーブ10のよ
うな熱収縮チユーブの製造方法に関するものであ
る。
うな熱収縮チユーブの製造方法に関するものであ
る。
ところで、従来の熱収縮チユーブの製造方法と
しては、パイプ状にプラスチツクを押出すと同時
に内部に空気などを入れてふくらませ、プラスチ
ツクの軟化温度以下で冷却固定するという方法が
一般的である。
しては、パイプ状にプラスチツクを押出すと同時
に内部に空気などを入れてふくらませ、プラスチ
ツクの軟化温度以下で冷却固定するという方法が
一般的である。
しかし、この方法は大気圧下で製造しているの
で、原料中のガスや分解ガスや水分などによつて
収縮チユーブ内にボイドができる。したがつて電
気的性能や機械的強度が悪くなる。
で、原料中のガスや分解ガスや水分などによつて
収縮チユーブ内にボイドができる。したがつて電
気的性能や機械的強度が悪くなる。
この発明は、ボイドのない、3層一体化した熱
収縮チユーブの製造方法の提供を目的とするもの
である。
収縮チユーブの製造方法の提供を目的とするもの
である。
発明の構成
この発明は、基本的には、高い信頼性を持つ
CVケーブル製造技術を利用して、電気的性能の
優れた熱収縮チユーブを製造しようとするもので
ある。
CVケーブル製造技術を利用して、電気的性能の
優れた熱収縮チユーブを製造しようとするもので
ある。
(1) 第1発明は、「第4図」のように、
(1) 未架橋のプラスチツクまたは未加硫のゴム
からなり、かつ外側の半導電層と、中間の絶
縁層と、内側の高誘電率(または半導電層)
とが一体になつた3層チユーブ10cを押出
し成形すること、 (2) その直後に前記3層チユーブ10cを加圧
状態のもとで、加熱架橋しかつ冷却するこ
と、 (3) その後、前記架橋プラスチツクまたは加硫
ゴムの3層チユーブ10cを加熱軟化させて
ふくらませ、そのまま冷却すること、 を特徴とする。
からなり、かつ外側の半導電層と、中間の絶
縁層と、内側の高誘電率(または半導電層)
とが一体になつた3層チユーブ10cを押出
し成形すること、 (2) その直後に前記3層チユーブ10cを加圧
状態のもとで、加熱架橋しかつ冷却するこ
と、 (3) その後、前記架橋プラスチツクまたは加硫
ゴムの3層チユーブ10cを加熱軟化させて
ふくらませ、そのまま冷却すること、 を特徴とする。
(2) 第2発明は、「第5図」のように、3層押出
し機30に架橋筒40を直結し、かつ架橋筒4
0内に心金58を突出させた装置を使用し、心
金58上にたて添えテープ62を連続的に送り
出す点で第1発明と異なり、その他は第1発明
と同じように、前記テープ62上に3層チユー
ブ10cを押出し成形し、それを加圧下で加熱
架橋と冷却とを行ない、その後ふくらませてそ
のまま冷却すること、 を特徴とする。
し機30に架橋筒40を直結し、かつ架橋筒4
0内に心金58を突出させた装置を使用し、心
金58上にたて添えテープ62を連続的に送り
出す点で第1発明と異なり、その他は第1発明
と同じように、前記テープ62上に3層チユー
ブ10cを押出し成形し、それを加圧下で加熱
架橋と冷却とを行ない、その後ふくらませてそ
のまま冷却すること、 を特徴とする。
(3) 第3発明は、「第6図」のように、微小孔6
6を持ちかつその上にテープ68を巻くかまた
はたて添えした孔あきパイプ64を、3層押出
し機30に連続して送り込み、その上に第1発
明の場合同様に3層チユーブ10cを押出し成
形し、その直後に、加圧下において加熱架橋と
冷却とを行ない、その後、前記孔あきパイプ6
4内に高圧ガスを送り込んで3層チユーブ10
cをふくらませること、 を特徴とする。
6を持ちかつその上にテープ68を巻くかまた
はたて添えした孔あきパイプ64を、3層押出
し機30に連続して送り込み、その上に第1発
明の場合同様に3層チユーブ10cを押出し成
形し、その直後に、加圧下において加熱架橋と
冷却とを行ない、その後、前記孔あきパイプ6
4内に高圧ガスを送り込んで3層チユーブ10
cをふくらませること、 を特徴とする。
(4) 第4発明は「第7図」のように、3層押出し
機30に架橋筒40を直結し、かつ架橋筒40
内に心金パイプ58aを突出させた装置を使用
し、心金パイプ58a上にたて添えテープ62
を連続的に送り出し、そのテープ上に3層チユ
ーブ10cを押出し成形し、それを加圧下で加
熱架橋を行ない(ここまでは、心金にパイプ状
のものを用いる点を除き、第2発明と同じ)、
前記心金パイプ58a内に圧縮ガスを導入し、
かつその圧縮ガスを加熱部終端近ぼうにて心金
パイプ58aから解放して、3層チユーブ10
aを所定径までふくらまし、引続いて冷却する
こと、 を特徴とする。
機30に架橋筒40を直結し、かつ架橋筒40
内に心金パイプ58aを突出させた装置を使用
し、心金パイプ58a上にたて添えテープ62
を連続的に送り出し、そのテープ上に3層チユ
ーブ10cを押出し成形し、それを加圧下で加
熱架橋を行ない(ここまでは、心金にパイプ状
のものを用いる点を除き、第2発明と同じ)、
前記心金パイプ58a内に圧縮ガスを導入し、
かつその圧縮ガスを加熱部終端近ぼうにて心金
パイプ58aから解放して、3層チユーブ10
aを所定径までふくらまし、引続いて冷却する
こと、 を特徴とする。
構成の詳しい説明
上記の3層押出し機30と架橋筒40とが直結
した装置としては、公知のCVケーブルのCV機や
ゴム絶縁ケーブルの連続加硫機を、使用すること
ができる。
した装置としては、公知のCVケーブルのCV機や
ゴム絶縁ケーブルの連続加硫機を、使用すること
ができる。
CV機を使つた一例の概略を「第4図」に示す。
30は3層押出し機、32は3層クロスヘツド
である。なお請求範囲中の3層押出し機という用
語の中には、各層の押出し機をタンデムに並べた
ものも含む。
である。なお請求範囲中の3層押出し機という用
語の中には、各層の押出し機をタンデムに並べた
ものも含む。
40は架橋筒で、3層押出し機30に直結して
いる。42は加熱部で、たとえば内部に高温高圧
の蒸気や窒素ガス、シリコーンオイルなどの熱媒
体44が入つている。46は前記の加圧加熱媒体
の供給源である。
いる。42は加熱部で、たとえば内部に高温高圧
の蒸気や窒素ガス、シリコーンオイルなどの熱媒
体44が入つている。46は前記の加圧加熱媒体
の供給源である。
48は冷却部で、50は境界を示す。冷却部4
8内にはたとえば高圧の冷却水や冷却用の窒素ガ
ス、シリコーンオイルなどの冷却媒体51が入つ
ている。52は冷却媒体の循環加圧用ポンプ、5
4は冷却器、56はシールである(以上述べたと
ころは従来のCV機と同じである)。
8内にはたとえば高圧の冷却水や冷却用の窒素ガ
ス、シリコーンオイルなどの冷却媒体51が入つ
ている。52は冷却媒体の循環加圧用ポンプ、5
4は冷却器、56はシールである(以上述べたと
ころは従来のCV機と同じである)。
58は心金で、丸棒またはパイプからなり、3
層クロスヘツド32から加熱部42内に突出させ
たものである。これは加熱架橋するとき中空の3
層チユーブ10cがつぶれるのを防ぐために設け
る。
層クロスヘツド32から加熱部42内に突出させ
たものである。これは加熱架橋するとき中空の3
層チユーブ10cがつぶれるのを防ぐために設け
る。
以上の装置を使用し、たとえば架橋プラスチツ
クを主体とする3層チユーブ10c(外層が半導
電層、中間が絶縁層、内層が高誘電率層)を押出
し成形する。すなわちケーブル導体を送り込まな
い点で違いはあるが、そのほかは3層同時押出し
のCVケーブル製造と同じことをする訳である。
クを主体とする3層チユーブ10c(外層が半導
電層、中間が絶縁層、内層が高誘電率層)を押出
し成形する。すなわちケーブル導体を送り込まな
い点で違いはあるが、そのほかは3層同時押出し
のCVケーブル製造と同じことをする訳である。
押出した3層チユーブ10cを架橋筒40の加
熱部42内で、たとえば高温高圧の蒸気や窒素ガ
ス、シリコーンオイルなどの熱媒体44により架
橋し、冷却部48において高圧の冷却水や冷却用
窒素ガス、シリコーンオイルなどの冷却媒体51
によつて冷却し、それらからいつたん巻きとる。
熱部42内で、たとえば高温高圧の蒸気や窒素ガ
ス、シリコーンオイルなどの熱媒体44により架
橋し、冷却部48において高圧の冷却水や冷却用
窒素ガス、シリコーンオイルなどの冷却媒体51
によつて冷却し、それらからいつたん巻きとる。
その後、上記の架橋ポリエチレンからなる3層
チユーブ10cを加熱軟化させるとともに内部に
高圧ガスを入れてふくらませ、そのまま冷却し
て、「第3図」のような3層収縮チユーブ10と
する。
チユーブ10cを加熱軟化させるとともに内部に
高圧ガスを入れてふくらませ、そのまま冷却し
て、「第3図」のような3層収縮チユーブ10と
する。
なおその場合外径規制用のパイプ内に格納して
ふくらませれば、均一外径になる。
ふくらませれば、均一外径になる。
第2発明の場合は、たとえば「第5図」のよう
に、心金58(丸棒またはパイプ)を3層クロス
ヘツド32のニツプル34を貫通させ、先端は上
記同様に架橋筒40の加熱部42内に、それから
後端は3層クロスヘツド32の後方(図で左側)
まで少し突出させ、かつ適当な手段(図示省略)
によつて動かないように固定しておく。
に、心金58(丸棒またはパイプ)を3層クロス
ヘツド32のニツプル34を貫通させ、先端は上
記同様に架橋筒40の加熱部42内に、それから
後端は3層クロスヘツド32の後方(図で左側)
まで少し突出させ、かつ適当な手段(図示省略)
によつて動かないように固定しておく。
そして送出しロール60からテープ62を連続
して繰り出し、心金58上にたて添えしてゆき、
そのテープ62上に、上記同様に3層チユーブ1
0cを順次押出し成形してゆく。その後は上記同
様に架橋筒40内で、加圧下において加熱架橋と冷
却とを行ない、いつたん3層チユーブ10cとテ
ープ62とをいつしよに巻きとる。
して繰り出し、心金58上にたて添えしてゆき、
そのテープ62上に、上記同様に3層チユーブ1
0cを順次押出し成形してゆく。その後は上記同
様に架橋筒40内で、加圧下において加熱架橋と冷
却とを行ない、いつたん3層チユーブ10cとテ
ープ62とをいつしよに巻きとる。
テープ62の材質にはテフロン、ポリエステル
などを使う。このテープ62の使用により、押し
出したプラスチツクの心金58への粘着が防かれ
る。
などを使う。このテープ62の使用により、押し
出したプラスチツクの心金58への粘着が防かれ
る。
その他は上記の場合と同じである。
「第6図」に示す第3発明の場合は、微小孔6
6を持つ孔あきパイプ64を、その上に薄いテー
プ68(材質はテフロン、ポリエステルなど)を
巻くかまたはたて添えして微小孔66をふさいで
おいて、3層押出し機30に連結したクロスヘツ
ド32内に連続して送り込む。そしてその上に3
層チユーブ10cを押出し成形する。すなわち
CVケーブル製造におけるケーブル導体の代りに、
孔あきパイプ64を送り込むのと同じことをする
訳である。それから、上記同様に架橋し(ただし
中に孔あきパイプ64が入つたまま)、いつたん
巻きとる。
6を持つ孔あきパイプ64を、その上に薄いテー
プ68(材質はテフロン、ポリエステルなど)を
巻くかまたはたて添えして微小孔66をふさいで
おいて、3層押出し機30に連結したクロスヘツ
ド32内に連続して送り込む。そしてその上に3
層チユーブ10cを押出し成形する。すなわち
CVケーブル製造におけるケーブル導体の代りに、
孔あきパイプ64を送り込むのと同じことをする
訳である。それから、上記同様に架橋し(ただし
中に孔あきパイプ64が入つたまま)、いつたん
巻きとる。
なお、孔あきパイプ64には架橋時の熱と圧力
に耐える金属パイプなどを使用する。
に耐える金属パイプなどを使用する。
その後3層チユーブ10cを加熱軟化させ、孔
あきパイプ64内に高圧空気などを吹き込み微小
孔66を通して流出させて3層チユーブ10cを
ふくらませ、後は上記同様に冷却して3層収縮チ
ユーブ10にする。
あきパイプ64内に高圧空気などを吹き込み微小
孔66を通して流出させて3層チユーブ10cを
ふくらませ、後は上記同様に冷却して3層収縮チ
ユーブ10にする。
「第7図」は第4発明の場合である。
上記第1〜3発明の場合は、何れも3層チユー
ブ10cを製造してからいつたん巻きとり、その
後加熱軟化させてふくらませるようにしていた。
しかしこの第4発明においては、3層チユーブ1
0cの架橋工程に引続いて、ふくらませを行な
う。
ブ10cを製造してからいつたん巻きとり、その
後加熱軟化させてふくらませるようにしていた。
しかしこの第4発明においては、3層チユーブ1
0cの架橋工程に引続いて、ふくらませを行な
う。
使用する装置は、「第5図」の第2発明の場合
とほぼ同じである。ただし中空の心金パイプ58
aを用い、かつその中に供給源70から圧縮ガス
72を送り込めるようにしている点で、若干の違
いがある。
とほぼ同じである。ただし中空の心金パイプ58
aを用い、かつその中に供給源70から圧縮ガス
72を送り込めるようにしている点で、若干の違
いがある。
心金パイプ58a上にたて添えテープ62を連
続して送り込み、その上に3層チユーブ10cを
押出し被覆し、その3層チユーブ10cを架橋筒
40内において加圧状態のもとで加熱架橋したら
(ここまでは第2発明の場合と同じ)、心金パイプ
58aの先端(加熱部42の終端近ぼうにある)
から圧縮カス72(空気や窒素ガスなど)を3層
チユーブ10c内に送り込む。そのとき3層チユ
ーブ10cはまだ軟らかいのでふくらむ。ふくら
むのは架橋筒40の冷却部48に入つた所であ
り、その中には高圧の冷却水51などが入つてい
るので、内外圧のバランスするところまでふくら
む。なお、内外圧の片方または両方を調節するこ
とによつて、ふくらんだときの外径を所定値にす
ることができる。また上記のように外径規制用の
パイプなどを使用することもできる。
続して送り込み、その上に3層チユーブ10cを
押出し被覆し、その3層チユーブ10cを架橋筒
40内において加圧状態のもとで加熱架橋したら
(ここまでは第2発明の場合と同じ)、心金パイプ
58aの先端(加熱部42の終端近ぼうにある)
から圧縮カス72(空気や窒素ガスなど)を3層
チユーブ10c内に送り込む。そのとき3層チユ
ーブ10cはまだ軟らかいのでふくらむ。ふくら
むのは架橋筒40の冷却部48に入つた所であ
り、その中には高圧の冷却水51などが入つてい
るので、内外圧のバランスするところまでふくら
む。なお、内外圧の片方または両方を調節するこ
とによつて、ふくらんだときの外径を所定値にす
ることができる。また上記のように外径規制用の
パイプなどを使用することもできる。
ふくらんだ3層チユーブ10cは直ちに冷却さ
れて、3層収縮チユーブ10になる。
れて、3層収縮チユーブ10になる。
なお以上の説明は、半導電層12と絶縁層14
の高誘電率層16とからなる3層収縮チユーブ1
0の場合について行なつたが、内層が高誘電率層
16の代りに半導電層の場合も同様に実施でき
る。
の高誘電率層16とからなる3層収縮チユーブ1
0の場合について行なつたが、内層が高誘電率層
16の代りに半導電層の場合も同様に実施でき
る。
また材質がポリエチレンでなくゴムの場合も全
く同様に実施できる。
く同様に実施できる。
また「第3図」の半導電層12、絶縁層14、
高誘電率層16からなる3層収縮チユーブ10の
内側にさらに半導電層を持つ4層の収縮チユーブ
も、本発明を利用して製造できる。その場合は3
層押出し機30の前段に最内層用の押出し機を設
けるか、あるいは4層の押出し機を使用する。
高誘電率層16からなる3層収縮チユーブ10の
内側にさらに半導電層を持つ4層の収縮チユーブ
も、本発明を利用して製造できる。その場合は3
層押出し機30の前段に最内層用の押出し機を設
けるか、あるいは4層の押出し機を使用する。
発明の効果
(1) 第1発明においては、高圧下で加熱架橋なら
びに冷却を行なうので、ボイドのほとんどない
3層チユーブ10cを作ることができ、最終的
に電気的性能の優れた3層の熱収縮チユーブを
作ることができる。
びに冷却を行なうので、ボイドのほとんどない
3層チユーブ10cを作ることができ、最終的
に電気的性能の優れた3層の熱収縮チユーブを
作ることができる。
したがつて、これを用いて高電圧ケーブルの
中間接続部を形成した場合、信頼性の高いもの
が得られる。
中間接続部を形成した場合、信頼性の高いもの
が得られる。
また従来から使つているCV機などを使用で
きる。
きる。
(2) 第2発明においては、心金58上にたて添え
テープ62を連続して送り込み、その上に3層
プラスチツクチユーブ10cを順次押出し成形
してゆくので、プラスチツクと心金58との粘
着が防止される。
テープ62を連続して送り込み、その上に3層
プラスチツクチユーブ10cを順次押出し成形
してゆくので、プラスチツクと心金58との粘
着が防止される。
(3) 第3発明においては、微小孔66を持つ孔あ
きパイプ64を使用するので、心金58を付加
する必要はなく、従来のCVケーブル製造の場
合とほぼ同様に実施できる。
きパイプ64を使用するので、心金58を付加
する必要はなく、従来のCVケーブル製造の場
合とほぼ同様に実施できる。
また孔あきパイプ64内に高圧ガスを送つて
3層チユーブをふくらませることができる。
3層チユーブをふくらませることができる。
(4) また第4発明においては、加熱架橋の終つた
直後の3層チユーブ10c内に圧縮ガスを送り
込んでふくらませ、引続いて冷却を行なうの
で、3層収縮チユーブ10の製造を、押出し工
程に引続いて連続的に行なうことができる。
直後の3層チユーブ10c内に圧縮ガスを送り
込んでふくらませ、引続いて冷却を行なうの
で、3層収縮チユーブ10の製造を、押出し工
程に引続いて連続的に行なうことができる。
また、それらの架橋、ふくらませおよび冷却
の各工程の全部を架橋筒40内において行なう
ので、ふくらませ用の加熱冷却装置を別に設け
る必要がない。
の各工程の全部を架橋筒40内において行なう
ので、ふくらませ用の加熱冷却装置を別に設け
る必要がない。
第1図は3層収縮チユーブ10aの説明図、第
2図は3層収縮チユーブ10aを使つて形成した
補強絶縁体10bの説明図、第3図は3層収縮チ
ユーブ10aのもとになる3層収縮チユーブ10
の説明図、第4図は第1発明の説明図、第5図は
第2発明の説明図、第6図は第3発明の説明図、
第7図は第4発明の説明図。 10:3層収縮チユーブ、12:半導電層、1
4:絶縁層、16:高誘電率層、30:3層押出
し機、34:ニツプル、40:架橋筒、42:加
熱部、48:冷却部、58:心金、58a:心金
パイプ、62:テープ、64:孔あきパイプ、6
8:テープ、70:圧縮ガス。
2図は3層収縮チユーブ10aを使つて形成した
補強絶縁体10bの説明図、第3図は3層収縮チ
ユーブ10aのもとになる3層収縮チユーブ10
の説明図、第4図は第1発明の説明図、第5図は
第2発明の説明図、第6図は第3発明の説明図、
第7図は第4発明の説明図。 10:3層収縮チユーブ、12:半導電層、1
4:絶縁層、16:高誘電率層、30:3層押出
し機、34:ニツプル、40:架橋筒、42:加
熱部、48:冷却部、58:心金、58a:心金
パイプ、62:テープ、64:孔あきパイプ、6
8:テープ、70:圧縮ガス。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 未架橋のプラスチツクまたは未加硫ゴムから
なり、かつ外側の半導電層と中間の絶縁層と内側
の高誘電率層(または半導電層)とが一体になた
3層チユーブを押出し成形し、その後直ちに、加
圧状態のもとで加熱架橋ならびに冷却を行い、そ
の後前記架橋プラスチツクまたは加硫ゴムの3層
チユーブを加熱軟化させてふくらませ、そのまま
冷却することを特徴とする、熱収縮チユーブの製
造方法。 2 3層押出し機に架橋筒を直結しかつ架橋筒内
に心金の突出する装置を使用し、前記心金上にた
て添えテープを連続して送り込むと同時に、前記
テープの上に未架橋のプラスチツクまたは未加硫
ゴムからなり、かつ外側の半導電層と中間の絶縁
層と内側の高誘電率層(または半導電層)とが一
体になつた3層チユーブを押出し成形し、その直
後に、前記架橋筒内において加圧状態のもとで加
熱架橋ならびに冷却を行い、その後前記架橋プラ
スチツクまたは加硫ゴムの3層チユーブを加熱軟
化させてふくらませ、そのまま冷却することを特
徴とする、熱収縮チユーブの製造方法。 3 3層押出し機に架橋筒を直結した装置を使用
し、前記3層押出し機に、微小孔を持ちかつその
上にテープを巻くかまたは縦添えした孔あきパイ
プを連続的に送り込み、その孔あきパイプ上に未
架橋のプラスチツクまたは未加硫ゴムからなり、
かつ外側の半導電層と中間の絶縁層と内側の高誘
電率層(または半導電層)とが一体になつた3層
チユーブを押出し成形し、その直後に、前記架橋
筒内において、加圧状態のもとで加熱架橋と冷却
とを行つて、内部に孔あきバイプを有する架橋プ
ラスチツクまたは加硫ゴムの3層チユーブを作
り、その後前記3層チユーブを加熱軟化させると
ともに、前記孔あきパイプ内に高圧ガスを送り込
んでふくらませ、そのまま冷却することを特徴と
する、熱収縮チユーブの製造方法。 4 3層押出し機に架橋筒を直結しかつ架橋筒内
に心金パイプの突出する装置を使用し、前記心金
上に縦添えテープを連続して送り込むと同時に、
前記テープの上に未架橋のプラスチツクまたは未
加硫ゴムからなり、かつ外側の半導電層と中間の
絶縁層の内側の高誘電率層(または半導電層)と
が一体になつた3層チユーブを押出し成形し、前
記架橋筒内において加圧状態のもとで加熱架橋を
行い、前記心金パイプ内に圧縮ガスを導入し、加
熱部終端近傍にて心金パイプから前記圧縮ガスを
開放して前記3層チユーブを所定径までふくらま
せ、引き続いて冷却することを特徴とする、熱収
縮チユーブの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57154341A JPS5942918A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 熱収縮チユ−ブの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57154341A JPS5942918A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 熱収縮チユ−ブの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5942918A JPS5942918A (ja) | 1984-03-09 |
JPH0344894B2 true JPH0344894B2 (ja) | 1991-07-09 |
Family
ID=15582028
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57154341A Granted JPS5942918A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 熱収縮チユ−ブの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5942918A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102760542A (zh) * | 2012-07-12 | 2012-10-31 | 长园集团股份有限公司 | 一种三层热缩复合管 |
CN107959206B (zh) * | 2017-11-17 | 2019-09-24 | 永州海硕电子有限公司 | 一种导电插线的尾插套装装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS503790A (ja) * | 1973-05-15 | 1975-01-16 |
-
1982
- 1982-09-03 JP JP57154341A patent/JPS5942918A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS503790A (ja) * | 1973-05-15 | 1975-01-16 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5942918A (ja) | 1984-03-09 |
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