JPH0342862A - 集積回路素子用パッケージ - Google Patents
集積回路素子用パッケージInfo
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- JPH0342862A JPH0342862A JP17865789A JP17865789A JPH0342862A JP H0342862 A JPH0342862 A JP H0342862A JP 17865789 A JP17865789 A JP 17865789A JP 17865789 A JP17865789 A JP 17865789A JP H0342862 A JPH0342862 A JP H0342862A
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高熱伝導性かつ低熱膨張性の窒化アルミニ
ウムセラミックスを用いた集積回路素子用パッケージに
関するものである。
ウムセラミックスを用いた集積回路素子用パッケージに
関するものである。
集積回路素子のパッケージとして、従来セラミックスの
中空パッケージに納めるものと、樹脂でモールドするも
のがあった。第10図は例えば「高由度実装技術ハンド
ブック」 (サイエンスフォーラム社、昭和61年3月
15日発行)の第58ページに示された中空パッケージ
を示す断面図であり、図において、(1)は集積回路素
子、(2)はセラミックスからなるパッケージベース、
(3)は集積回路素子(1)をパッケージベース(2)
に接着するためのメタライズ部、(4)はリードフレー
ム、(5)は集積回路素子(1)とリードフレーム(4
)を電気的に接続するワイヤー、(6)はパッケージの
M、 (7)はパッケージベース(2)とパッケージの
蓋(6)とを接着して外気を遮断しシールする接着剤で
ある。
中空パッケージに納めるものと、樹脂でモールドするも
のがあった。第10図は例えば「高由度実装技術ハンド
ブック」 (サイエンスフォーラム社、昭和61年3月
15日発行)の第58ページに示された中空パッケージ
を示す断面図であり、図において、(1)は集積回路素
子、(2)はセラミックスからなるパッケージベース、
(3)は集積回路素子(1)をパッケージベース(2)
に接着するためのメタライズ部、(4)はリードフレー
ム、(5)は集積回路素子(1)とリードフレーム(4
)を電気的に接続するワイヤー、(6)はパッケージの
M、 (7)はパッケージベース(2)とパッケージの
蓋(6)とを接着して外気を遮断しシールする接着剤で
ある。
第11図は「半導体装技術ハンドブック」 (サイエン
スフォーラム社、昭和61年9月25日発行)の第21
0ページに示された樹脂モールドを示す断面図である。
スフォーラム社、昭和61年9月25日発行)の第21
0ページに示された樹脂モールドを示す断面図である。
図において、(8)は集積回路素子(1)を搭載するた
めのダイパッドである。
めのダイパッドである。
次に製造方法について説明する。まず第1O図の中空パ
ッケージの場合、 Auメツキ法、Auペースト法、A
gペースト法、Mo−Mn法等の方法によって、パッケ
ージベース(2)の中央部にメタライズ部(3)を形成
し、リードフレーム(4)をガラスからなる接着剤(7
)の融解によって接着しておく。そして、メタライズ部
(3)上に集積回路素子(1)を載せ、半田またはAu
−3i共晶合金によって接合する。次に集積回路素子(
1)とリードフレーム(4)の間をAuまたはAlのワ
イヤー(5)で接続する。その後、蓋(6)を載せ、4
00〜500℃に加熱して、接着剤(7)のガラスを融
解しシールする。
ッケージの場合、 Auメツキ法、Auペースト法、A
gペースト法、Mo−Mn法等の方法によって、パッケ
ージベース(2)の中央部にメタライズ部(3)を形成
し、リードフレーム(4)をガラスからなる接着剤(7
)の融解によって接着しておく。そして、メタライズ部
(3)上に集積回路素子(1)を載せ、半田またはAu
−3i共晶合金によって接合する。次に集積回路素子(
1)とリードフレーム(4)の間をAuまたはAlのワ
イヤー(5)で接続する。その後、蓋(6)を載せ、4
00〜500℃に加熱して、接着剤(7)のガラスを融
解しシールする。
第11図の樹脂モールドの場合、リードフレーム(4)
と一体になったダイパッド(8)の上に、集積回路素子
(1)を載せ、半田またはAu−8i共晶合金によって
接合する。次に前記と同様に、集積回路素子(1)とリ
ードフレーム(4)の間をAuまたはAtのワイヤー(
5)で接続する。その後、集積回路素子(1)とリー・
ドフレーム(4)をエポキシ樹脂(9)によってモール
ドする。最後にフレーム部分を切り離し、リードフレー
ム(4)およびダイパッド(8)を独立させる。
と一体になったダイパッド(8)の上に、集積回路素子
(1)を載せ、半田またはAu−8i共晶合金によって
接合する。次に前記と同様に、集積回路素子(1)とリ
ードフレーム(4)の間をAuまたはAtのワイヤー(
5)で接続する。その後、集積回路素子(1)とリー・
ドフレーム(4)をエポキシ樹脂(9)によってモール
ドする。最後にフレーム部分を切り離し、リードフレー
ム(4)およびダイパッド(8)を独立させる。
窒化アルミニウムセラミックスはアルミナセラミックス
と比較すると、熱膨張係数が小さいうえに、熱伝導度が
10倍程度あり、金属、たとえば鉄と比較すると熱膨張
係数が約半分であり、高発熱性あるいは大型の集積回路
素子を搭載するのに適している。このため1983年の
電気通信学会総合全国大会(講演番号134)でも報告
されたように、サーデイツプのようなガラスで封着を行
う中空パッケージが提案されている。
と比較すると、熱膨張係数が小さいうえに、熱伝導度が
10倍程度あり、金属、たとえば鉄と比較すると熱膨張
係数が約半分であり、高発熱性あるいは大型の集積回路
素子を搭載するのに適している。このため1983年の
電気通信学会総合全国大会(講演番号134)でも報告
されたように、サーデイツプのようなガラスで封着を行
う中空パッケージが提案されている。
上記従来の2つのパッケージ形態を比較すると。
中空のセラミックパッケージは、■熱伝導度が高いため
1発熱量の大きい集積回路素子を搭載できる、■水分の
透過がない、■素子の表面に圧力が加わらないため信頼
性が高い、等の利点がある反面、シールをガラスで行う
ため、すべての部品および接着、接合部分がシール温度
に耐えなければならず、このため作業時に故障が起こり
やすい、価格が高い、等の問題点があった。
1発熱量の大きい集積回路素子を搭載できる、■水分の
透過がない、■素子の表面に圧力が加わらないため信頼
性が高い、等の利点がある反面、シールをガラスで行う
ため、すべての部品および接着、接合部分がシール温度
に耐えなければならず、このため作業時に故障が起こり
やすい、価格が高い、等の問題点があった。
一方、樹脂モールドの場合、作業時の加熱温度が低いた
め、熱的原因で故障することはない上、湿度の高い苛酷
な雰囲気で使用しても、中空部分がないため水分が凝縮
することがなく、気化によって破壊することがなく、ま
た、安価である。しかし樹脂は、■熱伝導度が小さいた
め、発熱量の大きな集積回路素子をモールドすることは
できない、■熱膨張係数が大きいため大型の集積回路素
子をモールドすることができない、という問題点があっ
た。
め、熱的原因で故障することはない上、湿度の高い苛酷
な雰囲気で使用しても、中空部分がないため水分が凝縮
することがなく、気化によって破壊することがなく、ま
た、安価である。しかし樹脂は、■熱伝導度が小さいた
め、発熱量の大きな集積回路素子をモールドすることは
できない、■熱膨張係数が大きいため大型の集積回路素
子をモールドすることができない、という問題点があっ
た。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、発熱量の大きい、あるいは大型の集積回路素
子を搭載して、パッケージング作業時の熱的原因による
故障を回避でき、かつ安価な集積回路素子用パッケージ
を得ることを目的としている。
たもので、発熱量の大きい、あるいは大型の集積回路素
子を搭載して、パッケージング作業時の熱的原因による
故障を回避でき、かつ安価な集積回路素子用パッケージ
を得ることを目的としている。
この発明は次の集積回路素子用パッケージである。
(1)中央部に集積回路素子を搭載するためのメタライ
ズ部およびその周囲にリードフレームを有する窒化アル
ミニウムセラミックスからなるパッケージベースに、集
積回路素子を搭載し、樹脂でモールドした集積回路素子
用パッケージ、 ・・・パッケージ(1) (2)中央部に集積回路素子を搭載するためのメタライ
ズ部およびその周囲にリードフレームおよびスリットま
たは穴を有する窒化アルミニウムセラミックスからなる
パッケージベースに、集積回路素子を搭載し、プラスチ
ックでモールドした集積回路素子用パッケージ、 ・・
・パッケージ(If)(3)中央部に集積回路素子を搭
載するためのメタライズ部およびその周囲にリードフレ
ームを有する窒化アルミニウムからなるパッケージベー
スに、集積回路素子を搭載し、プラスチックによりパッ
ケージベースの裏面の中央部を残してモールドした集積
回路素子用パッケージ。 ・・・パッケージ(m) 〔作 用〕 この発明におけるパッケージ(1)は、パッケージベー
スとして高熱伝導性かつ低熱膨張性の窒化アルミニウム
セラミックスを用いることにより、発熱性の高い、ある
いは面積の大きい集積回路素子を搭載することができ、
また樹脂でモールドすることにより、作業時の熱的原因
による故障を少なくすることができる。
ズ部およびその周囲にリードフレームを有する窒化アル
ミニウムセラミックスからなるパッケージベースに、集
積回路素子を搭載し、樹脂でモールドした集積回路素子
用パッケージ、 ・・・パッケージ(1) (2)中央部に集積回路素子を搭載するためのメタライ
ズ部およびその周囲にリードフレームおよびスリットま
たは穴を有する窒化アルミニウムセラミックスからなる
パッケージベースに、集積回路素子を搭載し、プラスチ
ックでモールドした集積回路素子用パッケージ、 ・・
・パッケージ(If)(3)中央部に集積回路素子を搭
載するためのメタライズ部およびその周囲にリードフレ
ームを有する窒化アルミニウムからなるパッケージベー
スに、集積回路素子を搭載し、プラスチックによりパッ
ケージベースの裏面の中央部を残してモールドした集積
回路素子用パッケージ。 ・・・パッケージ(m) 〔作 用〕 この発明におけるパッケージ(1)は、パッケージベー
スとして高熱伝導性かつ低熱膨張性の窒化アルミニウム
セラミックスを用いることにより、発熱性の高い、ある
いは面積の大きい集積回路素子を搭載することができ、
また樹脂でモールドすることにより、作業時の熱的原因
による故障を少なくすることができる。
この発明におけるパッケージ(If)は、さらに窒化ア
ルミニウムセラミックスからなるパッケージベースにス
リットまたは穴を形成することにより、パッケージベー
スとプラスチック間の接着力を増加させ、信頼性の良い
パッケージをつくることができる。
ルミニウムセラミックスからなるパッケージベースにス
リットまたは穴を形成することにより、パッケージベー
スとプラスチック間の接着力を増加させ、信頼性の良い
パッケージをつくることができる。
この発明におけるパッケージ(m)はパッケージベース
として高い熱伝導性を持つ窒化アルミニウムを用いるた
め放熱性が良くなり、またプラスチックがパッケージベ
ースの裏面の中央部を残して周囲を取り囲むようにモー
ルドされるため、プラスチックとパッケージベースの接
合力が向上し、水分等の浸入を防ぐことができる。
として高い熱伝導性を持つ窒化アルミニウムを用いるた
め放熱性が良くなり、またプラスチックがパッケージベ
ースの裏面の中央部を残して周囲を取り囲むようにモー
ルドされるため、プラスチックとパッケージベースの接
合力が向上し、水分等の浸入を防ぐことができる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第1図ないし第3図はパッケージ(1)の別の実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
第1図において、(1)は集積回路素子、(2)は窒化
アルミニウムセラミックスからなるパッケージベース、
(3)は集積回路素子(1)を搭載して接合するために
パッケージベース(2)の中央部に形成されたメタライ
ズ部、(4)はパッケージベース(2)の周囲に設けら
れたリードフレーム、(5)は集積回路素子(1)とリ
ードフレーム(4)を電気的に接続するためのワイヤー
、(7)はパッケージベース(2)とリードフレーム(
4)を接着する接着剤、(9)は集積回路素子(1)の
周囲をモールドする樹脂である。
アルミニウムセラミックスからなるパッケージベース、
(3)は集積回路素子(1)を搭載して接合するために
パッケージベース(2)の中央部に形成されたメタライ
ズ部、(4)はパッケージベース(2)の周囲に設けら
れたリードフレーム、(5)は集積回路素子(1)とリ
ードフレーム(4)を電気的に接続するためのワイヤー
、(7)はパッケージベース(2)とリードフレーム(
4)を接着する接着剤、(9)は集積回路素子(1)の
周囲をモールドする樹脂である。
次に、製造方法について説明する。まず最初に、高熱伝
導性窒化アルミニウムセラミックスからなるパッケージ
ベース(2)の中央部の集積回路素子(1)を搭載する
部分に、AuまたはAgペーストを塗布し、約800℃
に加熱してメタライズ部(3)を形成する0次に、その
周囲に接着剤(7)としてガラスペーストを印刷し、リ
ードフレーム(4)を載せた後、400〜500℃に加
熱して接着剤(7)としてのガラスを融解させ、リード
フレーム(4)とパッケージベース(2〉 を接着する
。こうして準備のできたパッケージのメタライズ部(3
)にAu−3i共晶合金、または半田を塗布して集積回
路素子(1〉を搭載し、250〜350℃程度の温度に
加熱してパッケージベース(2)と集積回路素子(1)
を接着する。冷却後、Auのワイヤー(5)で集積回路
素子(1)とリードフレーム(4)を熱圧着により接合
する。その後、エポキシ樹脂等の樹脂(9)でモールド
する。モールド用の樹脂(9)はエポキシ樹脂が好適で
あるが、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル
樹脂、フッ素樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポリフェニレンサルフ
ァイド樹脂、フェノール樹脂等を用いても良い、樹脂モ
ールドでは、気孔が入らないようにする必要がある。気
孔が入ると、樹脂は透湿性があるので気孔に湿気が入っ
て結露し、実装のハンダ付は時の加熱で気化することに
より、パッケージが破壊することがある。モールドにお
いて、窒化アルミニウムベースおよびシリコン集積回路
素子と樹脂の熱膨張係数が合わないため、温度の加熱、
冷却の繰り返しによりパッケージにクラックが入る場合
があるが、モールド用の樹脂の熱膨張係数を下げるため
に、シリコン変成を行う方法。
導性窒化アルミニウムセラミックスからなるパッケージ
ベース(2)の中央部の集積回路素子(1)を搭載する
部分に、AuまたはAgペーストを塗布し、約800℃
に加熱してメタライズ部(3)を形成する0次に、その
周囲に接着剤(7)としてガラスペーストを印刷し、リ
ードフレーム(4)を載せた後、400〜500℃に加
熱して接着剤(7)としてのガラスを融解させ、リード
フレーム(4)とパッケージベース(2〉 を接着する
。こうして準備のできたパッケージのメタライズ部(3
)にAu−3i共晶合金、または半田を塗布して集積回
路素子(1〉を搭載し、250〜350℃程度の温度に
加熱してパッケージベース(2)と集積回路素子(1)
を接着する。冷却後、Auのワイヤー(5)で集積回路
素子(1)とリードフレーム(4)を熱圧着により接合
する。その後、エポキシ樹脂等の樹脂(9)でモールド
する。モールド用の樹脂(9)はエポキシ樹脂が好適で
あるが、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル
樹脂、フッ素樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポリフェニレンサルフ
ァイド樹脂、フェノール樹脂等を用いても良い、樹脂モ
ールドでは、気孔が入らないようにする必要がある。気
孔が入ると、樹脂は透湿性があるので気孔に湿気が入っ
て結露し、実装のハンダ付は時の加熱で気化することに
より、パッケージが破壊することがある。モールドにお
いて、窒化アルミニウムベースおよびシリコン集積回路
素子と樹脂の熱膨張係数が合わないため、温度の加熱、
冷却の繰り返しによりパッケージにクラックが入る場合
があるが、モールド用の樹脂の熱膨張係数を下げるため
に、シリコン変成を行う方法。
溶融シリカ粉末を添加する方法等がある。
第2図において、 (9a)は可塑性を有するシリコン
樹脂であり、樹脂(9)をモールドする前に集積回路素
子(1)を覆うものである。
樹脂であり、樹脂(9)をモールドする前に集積回路素
子(1)を覆うものである。
製造方法は、前記実施例と同様の方法でダイパッド部分
のメタライズ部(3)と、リードフレーム(4)を取付
けた窒化アルミニウムセラミックスからなるパッケージ
ベース(2)に集積回路素子(1)を搭載し、ワイヤー
ボンディングを行う。その後、集積回路素子(1)の部
分からリードフレーム(4)とワイヤー(5)の接合部
分付近まで、ゲル状のシリコン樹脂(9a)をボッディ
ングする。そして、エポキシ樹脂(9)をこのシリコン
樹脂(9a)を包むようにしてモールドする。
のメタライズ部(3)と、リードフレーム(4)を取付
けた窒化アルミニウムセラミックスからなるパッケージ
ベース(2)に集積回路素子(1)を搭載し、ワイヤー
ボンディングを行う。その後、集積回路素子(1)の部
分からリードフレーム(4)とワイヤー(5)の接合部
分付近まで、ゲル状のシリコン樹脂(9a)をボッディ
ングする。そして、エポキシ樹脂(9)をこのシリコン
樹脂(9a)を包むようにしてモールドする。
第3図において、 (5a)はテープキャリアーに接着
された導体、 (11)は導体(5a)と集積回路素子
(1)を電気的に接続するための金バンプ、(12)は
導体(5a)とリードフレーム(4)を接合するための
ハンダバンプである。
された導体、 (11)は導体(5a)と集積回路素子
(1)を電気的に接続するための金バンプ、(12)は
導体(5a)とリードフレーム(4)を接合するための
ハンダバンプである。
製造方法は、まず窒化アルミニウムセラミックでつくら
れたパッケージベース(2)の凹部にガラスフリットを
含む銅ペーストを焼き付けることにより、メタライズ部
(3)を施す0次にパッケージベース(2)の周囲に、
エポキシ樹脂からなる接着剤(7)でリードフレーム(
4)を接着する。こうして準備したパッケージベース(
2)の凹部に、フィルムキャリアーの導体(5a)に金
バンプ(11)で接続した集積回路素子(1)を搭載し
、メタライズ部(3)に施したハンダを溶解してベース
(2)に接着すると同時に、導体(5a)の他端に接合
されたハンダバンプ(12)を溶解して、導体(5a)
とリードフレーム(4)を電気的に接続する。その後、
前記実施例と同様の方法により樹脂(9)をモールドす
る。なお、上記実施例では、パッケージのベースとして
凹部を有するものを用いたが、凹部がなくても、その効
果に変りはない。
れたパッケージベース(2)の凹部にガラスフリットを
含む銅ペーストを焼き付けることにより、メタライズ部
(3)を施す0次にパッケージベース(2)の周囲に、
エポキシ樹脂からなる接着剤(7)でリードフレーム(
4)を接着する。こうして準備したパッケージベース(
2)の凹部に、フィルムキャリアーの導体(5a)に金
バンプ(11)で接続した集積回路素子(1)を搭載し
、メタライズ部(3)に施したハンダを溶解してベース
(2)に接着すると同時に、導体(5a)の他端に接合
されたハンダバンプ(12)を溶解して、導体(5a)
とリードフレーム(4)を電気的に接続する。その後、
前記実施例と同様の方法により樹脂(9)をモールドす
る。なお、上記実施例では、パッケージのベースとして
凹部を有するものを用いたが、凹部がなくても、その効
果に変りはない。
第4図および第6図はパッケージ(n)の別の実施例を
示す断面図、第5図および第7図の(a)はそれぞれの
パッケージベースの平面図、(b)はそれぞれの正面図
である。
示す断面図、第5図および第7図の(a)はそれぞれの
パッケージベースの平面図、(b)はそれぞれの正面図
である。
第4図および第5図において、 (13)は窒化アルミ
ニウムセラミックス製のパッケージベース(2)の周囲
に形成されたスリットである。
ニウムセラミックス製のパッケージベース(2)の周囲
に形成されたスリットである。
まず最初にスリン)−(13)を有するパッケージベー
ス(2)の中央部の集積回路素子(1)を搭載する部分
にAuまたはAgペーストを塗布し、約800℃に加熱
してメタライズ部(3)を施す6次に、その周囲に接着
剤(7)としてガラスを融解させ、リードフレーム(4
)とパッケージベース(2)を接着する。続いてメタラ
イズ部(3)にAu−5i共晶合金または半田を塗布し
て、集積回路素子(1)を搭載し、250〜350℃程
度に加熱してパッケージベース(2)に集積回路素子(
1)を接着する。冷却後、Auのワイヤー(5)で集積
回路素子(1)とリードフレーム(4)を熱圧着により
接合する。その後、エポキシ樹脂等の樹脂(9)でモー
ルドする。このような製造方法によればパッケージベー
ス(2)にスリット(13)を有するため、樹脂(9)
のモールド工程において樹脂(9)はスリット(13)
の中にも充填され、投錨効果が生じ、その結果パッケー
ジベース(2)との接合力が増加する。なおスリット(
13)はパッケージベース(2)を焼成する以前に形成
し、その後焼成することにより作製するか、あるいは焼
成後にダイヤモンドホイール等を用い研削して形成して
も良い。
ス(2)の中央部の集積回路素子(1)を搭載する部分
にAuまたはAgペーストを塗布し、約800℃に加熱
してメタライズ部(3)を施す6次に、その周囲に接着
剤(7)としてガラスを融解させ、リードフレーム(4
)とパッケージベース(2)を接着する。続いてメタラ
イズ部(3)にAu−5i共晶合金または半田を塗布し
て、集積回路素子(1)を搭載し、250〜350℃程
度に加熱してパッケージベース(2)に集積回路素子(
1)を接着する。冷却後、Auのワイヤー(5)で集積
回路素子(1)とリードフレーム(4)を熱圧着により
接合する。その後、エポキシ樹脂等の樹脂(9)でモー
ルドする。このような製造方法によればパッケージベー
ス(2)にスリット(13)を有するため、樹脂(9)
のモールド工程において樹脂(9)はスリット(13)
の中にも充填され、投錨効果が生じ、その結果パッケー
ジベース(2)との接合力が増加する。なおスリット(
13)はパッケージベース(2)を焼成する以前に形成
し、その後焼成することにより作製するか、あるいは焼
成後にダイヤモンドホイール等を用い研削して形成して
も良い。
第6図および第7図においては、第4図および第5図の
スリット(13)の代りに窒化アルミニウム製のパッケ
ージベース(2)に穴(14)を形成したものである。
スリット(13)の代りに窒化アルミニウム製のパッケ
ージベース(2)に穴(14)を形成したものである。
この場合、樹脂(9)のモールド工程において、樹脂(
9)は穴(14)の中に充填できる。その結果、ベース
(2)と樹脂(9)の接合力が従来と比較して増大し、
信頼性に優れたパッケージが得られる。なお第6図およ
び第7図では穴(14)が貫通孔になっているが、途中
で止っていても良い。なお、樹脂(9)を接合する窒化
アルミ・ニウム面を荒すことにより接着強度はより向上
できる。
9)は穴(14)の中に充填できる。その結果、ベース
(2)と樹脂(9)の接合力が従来と比較して増大し、
信頼性に優れたパッケージが得られる。なお第6図およ
び第7図では穴(14)が貫通孔になっているが、途中
で止っていても良い。なお、樹脂(9)を接合する窒化
アルミ・ニウム面を荒すことにより接着強度はより向上
できる。
第8図はパッケージ(m)の実施例の断面図、第9図(
a)はパッケージベースの平面図、(b)はその正面図
であり、図において、(15)は窒化アルミニウムセラ
ミックス製のパッケージベース(2)の裏面の中央部に
形成された突出部である。
a)はパッケージベースの平面図、(b)はその正面図
であり、図において、(15)は窒化アルミニウムセラ
ミックス製のパッケージベース(2)の裏面の中央部に
形成された突出部である。
製造方法は、まず最初にパッケージベース(2)の中央
の集積回路素子(1)を搭載する部分にAuまたはAg
ペーストを塗布し、約800℃に加熱してメタライズ部
(3)を施す。次に、その周囲に接着剤(7)としてガ
ラスを融解させ、リードフレーム(4)と窒化アルミニ
ウムベース(2)を接着する。続いてパッケージベース
(2)のメタライズ部(3)にAu−5i共晶合金また
は半田を塗布して集積回路素子(1)を搭載し、250
〜350℃程度に加熱して窒化アルミニウムベース(2
)に集積回路素子(1)を接着する。
の集積回路素子(1)を搭載する部分にAuまたはAg
ペーストを塗布し、約800℃に加熱してメタライズ部
(3)を施す。次に、その周囲に接着剤(7)としてガ
ラスを融解させ、リードフレーム(4)と窒化アルミニ
ウムベース(2)を接着する。続いてパッケージベース
(2)のメタライズ部(3)にAu−5i共晶合金また
は半田を塗布して集積回路素子(1)を搭載し、250
〜350℃程度に加熱して窒化アルミニウムベース(2
)に集積回路素子(1)を接着する。
冷却後、 Auのワイヤー(5)で集積回路素子(1)
とリードフレーム(4)を熱圧着により接合する。その
後、エポキシ樹脂等の樹脂(9)を用い、窒化アルミニ
ウムベース(2)の裏面の中央部の突出部(15)を残
し、その他の部分(16)を囲むようにモールドする。
とリードフレーム(4)を熱圧着により接合する。その
後、エポキシ樹脂等の樹脂(9)を用い、窒化アルミニ
ウムベース(2)の裏面の中央部の突出部(15)を残
し、その他の部分(16)を囲むようにモールドする。
これにより樹脂(9)はパッケージベース(2)の周囲
を取り囲むようにモールドすることができる。
を取り囲むようにモールドすることができる。
このようなパッケージは樹脂(9)とパッケージベース
(2)が上面だけでなく周囲および裏面でも接合されて
いるため、両者間の接合は強固となり、水分等の浸入が
なくなる。なお集積回路素子(1)から発生する熱をよ
り効率よく放熱するには、樹脂(9)で覆われていない
突出部(15)の面積は広い方が望ましい。一方、樹脂
(9)とベース(2)との接合力は周り込み部(17)
が広い方が望ましい。実験結果によれば5周り込み部(
17)の面積は裏面の面積の8%以上あれば実用的な接
合力が得られる。
(2)が上面だけでなく周囲および裏面でも接合されて
いるため、両者間の接合は強固となり、水分等の浸入が
なくなる。なお集積回路素子(1)から発生する熱をよ
り効率よく放熱するには、樹脂(9)で覆われていない
突出部(15)の面積は広い方が望ましい。一方、樹脂
(9)とベース(2)との接合力は周り込み部(17)
が広い方が望ましい。実験結果によれば5周り込み部(
17)の面積は裏面の面積の8%以上あれば実用的な接
合力が得られる。
以上のように、この発明のパッケージ(1)によれば、
窒化アルミニウムセラミックスをパッケージベースとし
て用いたので、高発熱性の集積回路素子を素子の裏側か
ら放熱し、また熱膨張係数が素子に近いため素子が破壊
せず、そのうえ樹脂により集積回路素子をモールドした
ので、パッケージが安価にできる効果がある。
窒化アルミニウムセラミックスをパッケージベースとし
て用いたので、高発熱性の集積回路素子を素子の裏側か
ら放熱し、また熱膨張係数が素子に近いため素子が破壊
せず、そのうえ樹脂により集積回路素子をモールドした
ので、パッケージが安価にできる効果がある。
またパッケージ(II)によれば、スリットあるいは穴
を有する窒化アルミニウムセラミックスをパッケージの
ベースとして用い、プラスチックにより集積回路素子を
モールドしたので、放熱性が優れ、安価で信頼性の高い
集積回路素子用パッケージが得られる効果がある。
を有する窒化アルミニウムセラミックスをパッケージの
ベースとして用い、プラスチックにより集積回路素子を
モールドしたので、放熱性が優れ、安価で信頼性の高い
集積回路素子用パッケージが得られる効果がある。
さらにパッケージ(m)によれば、窒化アルミニウムセ
ラミックスをパッケージベースとして用い、集積回路素
子、リードフレームを搭載して、樹脂によりパッケージ
の裏面の一部を残しモールドすることにより、放熱特性
と信頼性に優れたパッケージが得られる効果がある。
ラミックスをパッケージベースとして用い、集積回路素
子、リードフレームを搭載して、樹脂によりパッケージ
の裏面の一部を残しモールドすることにより、放熱特性
と信頼性に優れたパッケージが得られる効果がある。
第1図ないし第4図、第6図、第8図は別の実施例の断
面図、第5図、第7図、第9図の(a)はパッケージベ
ースの平面図、(b)はそれぞれの正面図、第10図お
よ“び第11図は従来品の断面図である。 各図中、同一符号は同一または相当部分を示し、(1)
は集積回路素子、(2)はパッケージベース、(3)は
メタライズ部、(4)はリードフレーム、(5)はワイ
ヤー、(5a)は導体、(7)は接着剤、(9)、(9
a)は樹脂、 (11)は金バンプ、(12)はハンダ
バンプ、(13)はスリット、(14)は穴、 (tS
)は突出部である。
面図、第5図、第7図、第9図の(a)はパッケージベ
ースの平面図、(b)はそれぞれの正面図、第10図お
よ“び第11図は従来品の断面図である。 各図中、同一符号は同一または相当部分を示し、(1)
は集積回路素子、(2)はパッケージベース、(3)は
メタライズ部、(4)はリードフレーム、(5)はワイ
ヤー、(5a)は導体、(7)は接着剤、(9)、(9
a)は樹脂、 (11)は金バンプ、(12)はハンダ
バンプ、(13)はスリット、(14)は穴、 (tS
)は突出部である。
Claims (3)
- (1)中央部に集積回路素子を搭載するためのメタライ
ズ部およびその周囲にリードフレームを有する窒化アル
ミニウムセラミックスからなるパッケージベースに、集
積回路素子を搭載し、樹脂でモールドしたことを特徴と
する集積回路素子用パッケージ。 - (2)中央部に集積回路素子を搭載するためのメタライ
ズ部およびその周囲にリードフレームおよびスリットま
たは穴を有する窒化アルミニウムセラミックスからなる
パッケージベースに、集積回路素子を搭載し、プラスチ
ックでモールドしたことを特徴とする集積回路素子用パ
ッケージ。 - (3)中央部に集積回路素子を搭載するためのメタライ
ズ部およびその周囲にリードフレームを有する窒化アル
ミニウムからなるパッケージベースに、集積回路素子を
搭載し、プラスチックによりパッケージベースの裏面の
中央部を残してモールドしたことを特徴とする集積回路
素子用パッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17865789A JPH0342862A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 集積回路素子用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17865789A JPH0342862A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 集積回路素子用パッケージ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0342862A true JPH0342862A (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=16052293
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17865789A Pending JPH0342862A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 集積回路素子用パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0342862A (ja) |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP17865789A patent/JPH0342862A/ja active Pending
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