JPH0342809B2 - - Google Patents
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- JPH0342809B2 JPH0342809B2 JP60103663A JP10366385A JPH0342809B2 JP H0342809 B2 JPH0342809 B2 JP H0342809B2 JP 60103663 A JP60103663 A JP 60103663A JP 10366385 A JP10366385 A JP 10366385A JP H0342809 B2 JPH0342809 B2 JP H0342809B2
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- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 8
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はジヨセフソン集積回路において信号電
流の立ち下がりの検出に用いるジヨセフソン接合
を用いたダウンエツジ検出回路に関するものであ
る。
流の立ち下がりの検出に用いるジヨセフソン接合
を用いたダウンエツジ検出回路に関するものであ
る。
(従来技術とその問題点)
従来ジヨセフソン集積回路に用いるダウンエツ
ジ検出回路は、アイビーエムジヤーナルリサーチ
アンドデベロツプメント24巻2号(1980年)
P152フアリス他にあるように第1図に示す回路
構成であつた。この回路の動作を以下に示す。ゲ
ート電流路16を通してゲート電流Ig流した状態
で入力線路17から信号電流Isを流すと、信号電
流Isの立ち上がりでトランス12によつて電流注
入型の量子干渉計ゲート11に誘起電流IAが誘起
される。ゲート電流Ig、信号電流Isを第1図に示
す向きに流すと、信号電流の立ち上がりでは量子
干渉計ゲート11には、ゲート電流Igとトランス
を通して伝わつた誘起電流IAが互いに逆向きに流
れるので量子干渉計ゲート11はスイツチしな
い。トランスを通して伝わつた誘起電流IAはジヨ
セフソン接合13をスイツチさせジヨセフソン接
合13に抵抗が発生するので信号電流Isの立ち上
がりでトランス12によつて発生した誘起電流IA
はすぐに減衰する。一方信号電流Isの立ち下がり
では、トランス12によつて誘起される誘起電流
IA′は立ち上がり時と逆向きに流れるので量子干
渉ゲート11ではゲート電流Igとトランス12に
よつて誘起された誘起電流IAが同じ向きに流れ量
子干渉計ゲート11はスイツチする。このように
して第1図に示す回路を用いれば信号電流の立ち
下がりを検出するダウンエツジ検出回路が得られ
る。抵抗14は、スイツチ時のオーバーシユート
を最小にするためのダンピング抵抗である。抵抗
15はゲート11やジヨセフソン接合13をスイ
ツチさせ得ないような小さな循環電流が流れた場
合、それを減衰させるための非常に小さな値を持
つ抵抗である。
ジ検出回路は、アイビーエムジヤーナルリサーチ
アンドデベロツプメント24巻2号(1980年)
P152フアリス他にあるように第1図に示す回路
構成であつた。この回路の動作を以下に示す。ゲ
ート電流路16を通してゲート電流Ig流した状態
で入力線路17から信号電流Isを流すと、信号電
流Isの立ち上がりでトランス12によつて電流注
入型の量子干渉計ゲート11に誘起電流IAが誘起
される。ゲート電流Ig、信号電流Isを第1図に示
す向きに流すと、信号電流の立ち上がりでは量子
干渉計ゲート11には、ゲート電流Igとトランス
を通して伝わつた誘起電流IAが互いに逆向きに流
れるので量子干渉計ゲート11はスイツチしな
い。トランスを通して伝わつた誘起電流IAはジヨ
セフソン接合13をスイツチさせジヨセフソン接
合13に抵抗が発生するので信号電流Isの立ち上
がりでトランス12によつて発生した誘起電流IA
はすぐに減衰する。一方信号電流Isの立ち下がり
では、トランス12によつて誘起される誘起電流
IA′は立ち上がり時と逆向きに流れるので量子干
渉ゲート11ではゲート電流Igとトランス12に
よつて誘起された誘起電流IAが同じ向きに流れ量
子干渉計ゲート11はスイツチする。このように
して第1図に示す回路を用いれば信号電流の立ち
下がりを検出するダウンエツジ検出回路が得られ
る。抵抗14は、スイツチ時のオーバーシユート
を最小にするためのダンピング抵抗である。抵抗
15はゲート11やジヨセフソン接合13をスイ
ツチさせ得ないような小さな循環電流が流れた場
合、それを減衰させるための非常に小さな値を持
つ抵抗である。
しかし第1図に示す回路では、信号電流Isの立
ち上がりによつて誘起される誘起電流IAを短時間
で減衰させるためのジヨセフソン接合13が信号
電流Isの立ち下がりで量子干渉ゲート11がスイ
ツチする前にスイツチしてはならないので、ジヨ
セフソン接合13の臨界電流は量子干渉計ゲート
のスイツチに必要な電流より大きくする必要があ
り、ジヨセフソン接合13をスイツチさせるため
に量子干渉計ゲート11をスイツチさせるのに必
要な電流以上の電流を信号電流Isとして流さなけ
ればならず利得が低くならざるを得なかつた。ま
たトランス12を用いているため面積が大きくな
り集積化に不向きという欠点を有していた。
ち上がりによつて誘起される誘起電流IAを短時間
で減衰させるためのジヨセフソン接合13が信号
電流Isの立ち下がりで量子干渉ゲート11がスイ
ツチする前にスイツチしてはならないので、ジヨ
セフソン接合13の臨界電流は量子干渉計ゲート
のスイツチに必要な電流より大きくする必要があ
り、ジヨセフソン接合13をスイツチさせるため
に量子干渉計ゲート11をスイツチさせるのに必
要な電流以上の電流を信号電流Isとして流さなけ
ればならず利得が低くならざるを得なかつた。ま
たトランス12を用いているため面積が大きくな
り集積化に不向きという欠点を有していた。
(発明の目的)
本発明は、上記従来例より電流利得が大きく、
回路構成が簡単で占有する面積が小さい、信号電
流の立ち下がりを検出するダウンエツジ検出回路
を提供することを目的としている。
回路構成が簡単で占有する面積が小さい、信号電
流の立ち下がりを検出するダウンエツジ検出回路
を提供することを目的としている。
(発明の構成)
本発明によれば、ジヨセフソン接合を用いたゲ
ートと、該ゲートにゲート電流を供給するゲート
電流路と、該ゲートに該ゲートをスイツチさせる
に十分な一定の直流の直流電流を供給する第1の
入力線路と、該ゲートにおいて前記直流電流と反
対方向でかつ前記直流電流を打ち消すことによつ
て前記ゲート電流注入時に該ゲートを超伝導状態
に留め置くに十分な信号電流を供給する第2の入
力線路と、前記ゲート電流を遅らせて該ゲートに
注入させる遅延手段より構成され、前記遅延手段
の効果により前記信号電流が前記ゲート電流より
先に該ゲートに立ち上がることによつて前記ゲー
ト電流の立ち上がりによる該ゲートのスイツチを
阻止し、前記信号電流が前記ゲート電流より先に
立ち下がることによつて該ゲートをスイツチさ
せ、前記信号電流の立ち下がりを検出することを
特徴とするジヨセフソン接合を用いたダウンエツ
ジ検出回路が得られる。
ートと、該ゲートにゲート電流を供給するゲート
電流路と、該ゲートに該ゲートをスイツチさせる
に十分な一定の直流の直流電流を供給する第1の
入力線路と、該ゲートにおいて前記直流電流と反
対方向でかつ前記直流電流を打ち消すことによつ
て前記ゲート電流注入時に該ゲートを超伝導状態
に留め置くに十分な信号電流を供給する第2の入
力線路と、前記ゲート電流を遅らせて該ゲートに
注入させる遅延手段より構成され、前記遅延手段
の効果により前記信号電流が前記ゲート電流より
先に該ゲートに立ち上がることによつて前記ゲー
ト電流の立ち上がりによる該ゲートのスイツチを
阻止し、前記信号電流が前記ゲート電流より先に
立ち下がることによつて該ゲートをスイツチさ
せ、前記信号電流の立ち下がりを検出することを
特徴とするジヨセフソン接合を用いたダウンエツ
ジ検出回路が得られる。
(構成の詳細な説明)
以下図面を用いた本発明の詳細につき説明を行
う。第2図は本発明の回路構成を示したもので、
ジヨセフソン接合を用いたゲート21は第3図に
示すしきい値特性を有する。第3図では縦軸はゲ
ート電流Ig、横軸は入力電流Icであり第2図の直
流電流IDC、入力電流Isがこの入力電流Icに相当す
る。第2図に示す回路において第1の入力線路2
3を通して直流電流IDCだけが流れている状態で
は、ゲート21の動作点は第3図のポイント31
にある。ゲート電流路22を通してゲート電流Ig
と第2の入力線路24を通して信号電流Isとが同
時に注入されると、遅延手段25の効果によつて
ゲート21には信号電流Isの方がゲート電流Igよ
り先に立ち上がる。信号電流Isが立ち上がると、
直流電流IDCと信号電流Isは、互いに逆向きである
ので、直流電流IDCと信号電流Isの大きさが等しい
とすると動作点は第3図のポイント32に移る。
続いて、ゲート電流路22を通してゲート電流Ig
が立ち上がると動作点は第3図のポイント33に
移る。この状態から信号電流Isが立ち下がると入
力電流Icとしては直流電流IDCだけが流れること
になるので動作点は第3図のポイント34に移り
ゲート21のしきい値特性の超伝導状態の外に出
るためゲート21は電圧状態にスイツチし信号電
流Isの立ち下がりが検出される。以上の説明で直
流電流IDCと信号電流Isは大きかが等しいとした
が、第3図のしきい値特性からわかるように信号
電流Isの大きさはポイント33の動作点がしきい
値特性の超伝導状態にあればよいので信号電流Is
として直流電流IDCと異なる大きさの電流も用い
ることができ、信号電流を小さくすることによつ
て電流利得を上げることもできる。また入力線路
23を通して流す直流電流IDCは一定の大きさで
時間に関係なく常に流しておく。
う。第2図は本発明の回路構成を示したもので、
ジヨセフソン接合を用いたゲート21は第3図に
示すしきい値特性を有する。第3図では縦軸はゲ
ート電流Ig、横軸は入力電流Icであり第2図の直
流電流IDC、入力電流Isがこの入力電流Icに相当す
る。第2図に示す回路において第1の入力線路2
3を通して直流電流IDCだけが流れている状態で
は、ゲート21の動作点は第3図のポイント31
にある。ゲート電流路22を通してゲート電流Ig
と第2の入力線路24を通して信号電流Isとが同
時に注入されると、遅延手段25の効果によつて
ゲート21には信号電流Isの方がゲート電流Igよ
り先に立ち上がる。信号電流Isが立ち上がると、
直流電流IDCと信号電流Isは、互いに逆向きである
ので、直流電流IDCと信号電流Isの大きさが等しい
とすると動作点は第3図のポイント32に移る。
続いて、ゲート電流路22を通してゲート電流Ig
が立ち上がると動作点は第3図のポイント33に
移る。この状態から信号電流Isが立ち下がると入
力電流Icとしては直流電流IDCだけが流れること
になるので動作点は第3図のポイント34に移り
ゲート21のしきい値特性の超伝導状態の外に出
るためゲート21は電圧状態にスイツチし信号電
流Isの立ち下がりが検出される。以上の説明で直
流電流IDCと信号電流Isは大きかが等しいとした
が、第3図のしきい値特性からわかるように信号
電流Isの大きさはポイント33の動作点がしきい
値特性の超伝導状態にあればよいので信号電流Is
として直流電流IDCと異なる大きさの電流も用い
ることができ、信号電流を小さくすることによつ
て電流利得を上げることもできる。また入力線路
23を通して流す直流電流IDCは一定の大きさで
時間に関係なく常に流しておく。
実施例 1
第4図に本発明の第1の実施例を示す。第4図
においてゲート41は第3図に示すしきい値特性
を有する磁気結合型量子干渉計ゲートである。第
4図に示す回路の動作は第2図に示す回路の動作
と同じく第1の入力線路43を通つて直流電流
IDCだけが流れているときは動作点は第3図のポ
イント31に有る。ゲート電流路42を通してゲ
ート電流Igと第2の入力線路44を通して信号電
流Isとを同時に注入すると、信号電流Isはゲート
45の入力線路となつているので、信号電流Isが
一定値まで立ち上がるまではゲート45はスイツ
チせずしたがつてゲート電流Igはゲート41に注
入されない。このためゲート41では信号電流Is
の方がゲート電流Igより先に立ち上がる。動作点
が第3図のポイント31の状態から信号電流Isが
立ち上がると動作点は第3図のポイント33に移
る。ゲート45のスイツチによつてゲート電流路
42を通つてゲート電流Igが流れると動作点は第
3図のポイント33に移る。この状態から信号電
流Isが立ち下がると動作点は第3図のポイント3
4に移りゲート41は電圧状態にスイツチし信号
電流Isの立ち下がりが検出できる。また第5図に
示す非対称なしきい値特性を持つ磁気結合型量子
干渉計ゲートを第4図のゲート41と置きかえて
も上記の動作が実現できる。また第4図の抵抗4
6はゲート45の負荷抵抗である。
においてゲート41は第3図に示すしきい値特性
を有する磁気結合型量子干渉計ゲートである。第
4図に示す回路の動作は第2図に示す回路の動作
と同じく第1の入力線路43を通つて直流電流
IDCだけが流れているときは動作点は第3図のポ
イント31に有る。ゲート電流路42を通してゲ
ート電流Igと第2の入力線路44を通して信号電
流Isとを同時に注入すると、信号電流Isはゲート
45の入力線路となつているので、信号電流Isが
一定値まで立ち上がるまではゲート45はスイツ
チせずしたがつてゲート電流Igはゲート41に注
入されない。このためゲート41では信号電流Is
の方がゲート電流Igより先に立ち上がる。動作点
が第3図のポイント31の状態から信号電流Isが
立ち上がると動作点は第3図のポイント33に移
る。ゲート45のスイツチによつてゲート電流路
42を通つてゲート電流Igが流れると動作点は第
3図のポイント33に移る。この状態から信号電
流Isが立ち下がると動作点は第3図のポイント3
4に移りゲート41は電圧状態にスイツチし信号
電流Isの立ち下がりが検出できる。また第5図に
示す非対称なしきい値特性を持つ磁気結合型量子
干渉計ゲートを第4図のゲート41と置きかえて
も上記の動作が実現できる。また第4図の抵抗4
6はゲート45の負荷抵抗である。
実施例 2
第6図に本発明の第2の実施例を示す。第6図
においてゲート61は電流注入型量子干渉計ゲー
トで第7図に示すしきい値特性を持つ。第6図に
示す回路において第1の入力線路63を通して直
流電流IDCだけが流れている状態では動作点は第
7図のポイント71にある。次にゲート電流路6
2と第2の入力線路64に同時にそれぞれゲート
電流Ig、信号電流Isを流すと、ゲート電流Igは遅
延線65を通つて流れるのでゲート61には先に
信号電流Isだけが流れることになり動作点は第7
図の72に移る。続いてゲート電流Igが遅れて立
ち上がり動作点は第7図の73に移る。この状態
から信号電流Isが立ち下がると動作点は第7図の
74に移りゲート61は電圧状態にスイツチし信
号電流の立ち下がりが検出される。第6図におい
て抵抗66は信号電流Isが第1の入力線路に流れ
こむのを防ぐための抵抗であり、抵抗67は直流
電流IDCが第2の入力線路に流れこむのを防ぐた
めの抵抗である。
においてゲート61は電流注入型量子干渉計ゲー
トで第7図に示すしきい値特性を持つ。第6図に
示す回路において第1の入力線路63を通して直
流電流IDCだけが流れている状態では動作点は第
7図のポイント71にある。次にゲート電流路6
2と第2の入力線路64に同時にそれぞれゲート
電流Ig、信号電流Isを流すと、ゲート電流Igは遅
延線65を通つて流れるのでゲート61には先に
信号電流Isだけが流れることになり動作点は第7
図の72に移る。続いてゲート電流Igが遅れて立
ち上がり動作点は第7図の73に移る。この状態
から信号電流Isが立ち下がると動作点は第7図の
74に移りゲート61は電圧状態にスイツチし信
号電流の立ち下がりが検出される。第6図におい
て抵抗66は信号電流Isが第1の入力線路に流れ
こむのを防ぐための抵抗であり、抵抗67は直流
電流IDCが第2の入力線路に流れこむのを防ぐた
めの抵抗である。
実施例 3
第8図に本発明の第3の実施例を示す。第8図
においてゲート81の電流注入式抵抗結合型ゲー
トで第9図に示すしきい値特性を持つ。第8図に
示す回路において第1の入力線路83を通して直
流電流IDCだけが流れている状態では動作点は第
9図のポイント91にある。次にゲート電流路8
2と第2の入力線路84とに同時にそれぞれゲー
ト電流Ig、信号電流Isを流すと、ゲート電流Igは
一個または複数個のゲート85の演算が終わつて
からゲート81に流れるのでゲート85の演算時
間だけ信号電流Isよりゲート81に流れるのが遅
くなる。そのためゲート81ではまず信号電流Is
だけが流れ動作点は第9図のポイント92に移
る。ゲート85の演算時間だけ遅れてゲート電流
Igが入力されるとゲート81の動作点は第9図の
ポイント93になる。この状態から信号電流が立
ち下がると動作点は第9図のポイント94に移り
ゲート81はスイツチし信号電流の立ち下がりが
検出される。第8図において抵抗86は信号電流
Isが第1の入力線路に流れこむのを防ぐための抵
抗であり、抵抗84は直流電流IDCが第2の入力
線路に流れこむのを防ぐための抵抗である。また
抵抗88はゲート85の負荷抵抗である。
においてゲート81の電流注入式抵抗結合型ゲー
トで第9図に示すしきい値特性を持つ。第8図に
示す回路において第1の入力線路83を通して直
流電流IDCだけが流れている状態では動作点は第
9図のポイント91にある。次にゲート電流路8
2と第2の入力線路84とに同時にそれぞれゲー
ト電流Ig、信号電流Isを流すと、ゲート電流Igは
一個または複数個のゲート85の演算が終わつて
からゲート81に流れるのでゲート85の演算時
間だけ信号電流Isよりゲート81に流れるのが遅
くなる。そのためゲート81ではまず信号電流Is
だけが流れ動作点は第9図のポイント92に移
る。ゲート85の演算時間だけ遅れてゲート電流
Igが入力されるとゲート81の動作点は第9図の
ポイント93になる。この状態から信号電流が立
ち下がると動作点は第9図のポイント94に移り
ゲート81はスイツチし信号電流の立ち下がりが
検出される。第8図において抵抗86は信号電流
Isが第1の入力線路に流れこむのを防ぐための抵
抗であり、抵抗84は直流電流IDCが第2の入力
線路に流れこむのを防ぐための抵抗である。また
抵抗88はゲート85の負荷抵抗である。
実施例 4
第10図に本発明の第4の実施例を示す。第1
0図においてゲート101は単一のジヨセフソン
接合からなるゲートで第11図に示すしきい値特
性を有する。第10図に示す回路において第1の
入力線路103を通して直流電流IDCだけが流れ
ている状態では動作点は第11図のポイント11
1にある。ゲート電流路102と入力線路104
に同時にそれぞれゲート電流Ig、信号電流Isを流
すと、第1の実施例と同じく信号電流Isはゲート
105の入力電流となつているので信号電流が一
定値まで立ち上がるまではゲート105はスイツ
チせずしたがつてゲート電流Igはゲート101の
方に流れない。このためゲート101では信号電
流が先に立ち上がり動作点は第11図のポイント
112に移る。ゲート105のスイツチ時間だけ
遅れてゲート電流Igがゲート101に流れるとゲ
ート101の動作点は第11図のポイント113
に移る。この状態から信号電流Isが立ち下がると
動作点は第11図のポイント114に移りゲート
101はスイツチし信号電流Isの立ち下がりが検
出される。第10図において抵抗106はゲート
105の負荷抵抗である。
0図においてゲート101は単一のジヨセフソン
接合からなるゲートで第11図に示すしきい値特
性を有する。第10図に示す回路において第1の
入力線路103を通して直流電流IDCだけが流れ
ている状態では動作点は第11図のポイント11
1にある。ゲート電流路102と入力線路104
に同時にそれぞれゲート電流Ig、信号電流Isを流
すと、第1の実施例と同じく信号電流Isはゲート
105の入力電流となつているので信号電流が一
定値まで立ち上がるまではゲート105はスイツ
チせずしたがつてゲート電流Igはゲート101の
方に流れない。このためゲート101では信号電
流が先に立ち上がり動作点は第11図のポイント
112に移る。ゲート105のスイツチ時間だけ
遅れてゲート電流Igがゲート101に流れるとゲ
ート101の動作点は第11図のポイント113
に移る。この状態から信号電流Isが立ち下がると
動作点は第11図のポイント114に移りゲート
101はスイツチし信号電流Isの立ち下がりが検
出される。第10図において抵抗106はゲート
105の負荷抵抗である。
(発明の効果)
以上説明した如く本発明によるジヨセフソン接
合を用いたダウンエツジ検出回路は、従来例に比
べ信号電流はゲート電流が立ち上がつた状態でゲ
ートのスイツチを防ぐだけの大きさがあればよい
ので高い電流利得を得ることができる。ジヨセフ
ソン接合を用いたゲートならどのような種類のゲ
ートでも用いることができるので、場合に応じて
最適なゲートが選択できる。ゲート一個で回路を
構成できるため小型化が可能で集積化にむいてい
る。回路構成が簡単なので確実な動作が得やすい
等の利点を有する。
合を用いたダウンエツジ検出回路は、従来例に比
べ信号電流はゲート電流が立ち上がつた状態でゲ
ートのスイツチを防ぐだけの大きさがあればよい
ので高い電流利得を得ることができる。ジヨセフ
ソン接合を用いたゲートならどのような種類のゲ
ートでも用いることができるので、場合に応じて
最適なゲートが選択できる。ゲート一個で回路を
構成できるため小型化が可能で集積化にむいてい
る。回路構成が簡単なので確実な動作が得やすい
等の利点を有する。
第1図は従来例を説明するための図である。第
2図は本発明の回路構成を示した図である。第3
図は第2図のゲート21、第4図のゲート41の
しきい値特性を示した図で縦軸はゲート電流Ig、
横軸は入力電流Icである。第4図は本発明の第1
の実施例を示す図である。第5図は第4図のゲー
ト41と置き変えて用いられる非対称な磁界結合
型量子干渉計ゲートのしきい値特性図で縦軸はゲ
ート電流Ig、横軸は入力電流Icである。第6図は
本発明の第2の実施例を示す図である。第7図は
第6図のゲート61のしきい値特性を示した図
で、縦軸はゲート電流Ig、横軸は入力電流Icであ
る。第8図は、本発明の第3の実施例を示す図で
ある。第9図は第8図のゲート81の制御特性を
示した図で、縦軸はゲート電流Ig、横軸は入力電
流Icである。第10図は本発明の第4の実施例を
示す図である。第11図は第10図のゲート10
1のしきい値特性を示した図で、縦軸はゲート電
流Ig、横軸は入力電流Icである。 図において、11……電流注入型量子干渉計ゲ
ート、12……トランス、13……ジヨセフソン
接合、14……ダンピング抵抗、15……抵抗、
16……ゲート電流路、17……入力線路、21
……ジヨセフソン接合を用いたゲート、22……
ゲート電流路、23……第1の入力線路、24…
…第2の入力線路、25……遅延手段、31……
直流電流だけが流れているときの動作点、32…
…信号電流立ち上がり時の動作点、33……ゲー
ト電流立ち上がり時の動作点、34……信号電流
立ち下がり時の動作点、41……磁気結合型量子
干渉計ゲート、42……ゲート電流路、43……
第1の入力線路、44……第2の入力線路、45
……第2の入力線路を入力線とするゲート、46
……ゲート45の負荷抵抗、51……直流電流だ
けが流れているときの動作点、52……信号電流
立ち上がり時の動作点、53……ゲート電流立ち
上がり時の動作点、51……信号電流立ち下がり
時の動作点、61……電流注入型量子干渉計ゲー
ト、62……ゲート電流路、63……第1の入力
線路、64……第2の入力線路、65……遅延
線、66……入力抵抗、67……入力抵抗、71
……直流電流だけが流れているときの動作点、7
2……信号電流立ち上がり時の動作点、73……
ゲート電流立ち上がり時の動作点、74……信号
電流立ち下がり時の動作点、81……電流注入式
抵抗結合型ゲート、82……ゲート電流路、83
……第1の入力線路、84……第2の入力線路、
85……一個または複数個のゲート、86……入
力抵抗、87……入力抵抗、88……ゲート85
の負荷抵抗、91……直流電流だけが流れている
ときの動作点、92……信号電流立ち上がり時の
動作点、93……ゲート電流立ち上がり時の動作
点、94……信号電流立ち下がり時の動作点、1
01……単一のジヨセフソン接合からなるゲー
ト、102……ゲート電流路、103……第1の
入力線路、104……第2の入力線路、105…
…第2の入力線路を入力線とするゲート、106
……ゲート105の負荷抵抗、111……直流電
流だけが流れているときの動作点、112……信
号電流立ち上がり時の動作点、113……ゲート
電流立ち上がり時の動作点、114……信号電流
立ち下がり時の動作点。
2図は本発明の回路構成を示した図である。第3
図は第2図のゲート21、第4図のゲート41の
しきい値特性を示した図で縦軸はゲート電流Ig、
横軸は入力電流Icである。第4図は本発明の第1
の実施例を示す図である。第5図は第4図のゲー
ト41と置き変えて用いられる非対称な磁界結合
型量子干渉計ゲートのしきい値特性図で縦軸はゲ
ート電流Ig、横軸は入力電流Icである。第6図は
本発明の第2の実施例を示す図である。第7図は
第6図のゲート61のしきい値特性を示した図
で、縦軸はゲート電流Ig、横軸は入力電流Icであ
る。第8図は、本発明の第3の実施例を示す図で
ある。第9図は第8図のゲート81の制御特性を
示した図で、縦軸はゲート電流Ig、横軸は入力電
流Icである。第10図は本発明の第4の実施例を
示す図である。第11図は第10図のゲート10
1のしきい値特性を示した図で、縦軸はゲート電
流Ig、横軸は入力電流Icである。 図において、11……電流注入型量子干渉計ゲ
ート、12……トランス、13……ジヨセフソン
接合、14……ダンピング抵抗、15……抵抗、
16……ゲート電流路、17……入力線路、21
……ジヨセフソン接合を用いたゲート、22……
ゲート電流路、23……第1の入力線路、24…
…第2の入力線路、25……遅延手段、31……
直流電流だけが流れているときの動作点、32…
…信号電流立ち上がり時の動作点、33……ゲー
ト電流立ち上がり時の動作点、34……信号電流
立ち下がり時の動作点、41……磁気結合型量子
干渉計ゲート、42……ゲート電流路、43……
第1の入力線路、44……第2の入力線路、45
……第2の入力線路を入力線とするゲート、46
……ゲート45の負荷抵抗、51……直流電流だ
けが流れているときの動作点、52……信号電流
立ち上がり時の動作点、53……ゲート電流立ち
上がり時の動作点、51……信号電流立ち下がり
時の動作点、61……電流注入型量子干渉計ゲー
ト、62……ゲート電流路、63……第1の入力
線路、64……第2の入力線路、65……遅延
線、66……入力抵抗、67……入力抵抗、71
……直流電流だけが流れているときの動作点、7
2……信号電流立ち上がり時の動作点、73……
ゲート電流立ち上がり時の動作点、74……信号
電流立ち下がり時の動作点、81……電流注入式
抵抗結合型ゲート、82……ゲート電流路、83
……第1の入力線路、84……第2の入力線路、
85……一個または複数個のゲート、86……入
力抵抗、87……入力抵抗、88……ゲート85
の負荷抵抗、91……直流電流だけが流れている
ときの動作点、92……信号電流立ち上がり時の
動作点、93……ゲート電流立ち上がり時の動作
点、94……信号電流立ち下がり時の動作点、1
01……単一のジヨセフソン接合からなるゲー
ト、102……ゲート電流路、103……第1の
入力線路、104……第2の入力線路、105…
…第2の入力線路を入力線とするゲート、106
……ゲート105の負荷抵抗、111……直流電
流だけが流れているときの動作点、112……信
号電流立ち上がり時の動作点、113……ゲート
電流立ち上がり時の動作点、114……信号電流
立ち下がり時の動作点。
Claims (1)
- 1 ジヨセフソン接合を用いたゲートと、該ゲー
トにゲート電流を供給するゲート電流路と、該ゲ
ートに該ゲートをスイツチさせるに十分な一定の
直流電流を供給する第1の入力線路と、該ゲート
において前記直流電流と反対方向でかつ前記直流
電流を打ち消すことによつて前記ゲート電流注入
時に該ゲートを超伝導状態に留め置くに十分な信
号電流を供給する第2の入力線路と、前記ゲート
電流を遅らせて該ゲートに注入させる遅延手段よ
り構成され、前記遅延手段の効果により前記信号
電流が前記ゲート電流より先に該ゲートに立ち上
がることによつて前記ゲート電流立ち上がりによ
る該ゲートのスイツチを阻止し、前記信号電流が
前記ゲート電流より先に立ち下がることによつて
該ゲートをスイツチさせ、前記信号電流の立ち下
がりを検出することを特徴とするジヨセフソン接
合を用いたダウンエツジ検出回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60103663A JPS61263310A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | ジョセフソン接合を用いたダウンエッジ検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60103663A JPS61263310A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | ジョセフソン接合を用いたダウンエッジ検出回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61263310A JPS61263310A (ja) | 1986-11-21 |
JPH0342809B2 true JPH0342809B2 (ja) | 1991-06-28 |
Family
ID=14360022
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60103663A Granted JPS61263310A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | ジョセフソン接合を用いたダウンエッジ検出回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61263310A (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2646091B2 (ja) * | 1987-08-12 | 1997-08-25 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品用基体 |
-
1985
- 1985-05-17 JP JP60103663A patent/JPS61263310A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61263310A (ja) | 1986-11-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |