JPH0342489B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0342489B2 JPH0342489B2 JP57127332A JP12733282A JPH0342489B2 JP H0342489 B2 JPH0342489 B2 JP H0342489B2 JP 57127332 A JP57127332 A JP 57127332A JP 12733282 A JP12733282 A JP 12733282A JP H0342489 B2 JPH0342489 B2 JP H0342489B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver
- plating
- electrode
- external electrode
- hydrofluoric acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、積層チツプコンデンサの製造方法に
関する。
関する。
積層チツプコンデンサは、小型で大きな容量が
とれるため各種電気機器に利用され、最近需要が
急増している。
とれるため各種電気機器に利用され、最近需要が
急増している。
従来例の構成とその問題点
ところで積層チツプコンデンサは、第１図に示
す様に、誘電体セラミツク１と内部電極２と外部
電極３とから成り、外部電極３としては、高温焼
付けの銀ペーストを焼付けて形成される銀電極が
多く用いられている。この積層チツプコンデンサ
をプリント基板等に実装する場合には、前記外部
電極３をハンダ付けするが、銀電極の上に直接ハ
ンダ付けすると、ハンダ付け性が悪く、銀くわれ
も発生する。そこで、ハンダ付けの際の銀くわれ
をなくすため、従来から銀電極の上にNiメツキ
をし、さらにハンダ付け性を良くするため、Ni
メツキの上にハンダ（鉛−スズ合金）メツキをす
る方法がとられている。しかし、銀電極３の上に
直接Niメツキをすると、第２図の如く、下地の
銀電極３とNiメツキ４との密着性が悪く、Niメ
ツキのとぎれ６が発生し、ハンダメツキの際に銀
電極が浸蝕され、ハンダ付け不良の原因となつて
いた。
す様に、誘電体セラミツク１と内部電極２と外部
電極３とから成り、外部電極３としては、高温焼
付けの銀ペーストを焼付けて形成される銀電極が
多く用いられている。この積層チツプコンデンサ
をプリント基板等に実装する場合には、前記外部
電極３をハンダ付けするが、銀電極の上に直接ハ
ンダ付けすると、ハンダ付け性が悪く、銀くわれ
も発生する。そこで、ハンダ付けの際の銀くわれ
をなくすため、従来から銀電極の上にNiメツキ
をし、さらにハンダ付け性を良くするため、Ni
メツキの上にハンダ（鉛−スズ合金）メツキをす
る方法がとられている。しかし、銀電極３の上に
直接Niメツキをすると、第２図の如く、下地の
銀電極３とNiメツキ４との密着性が悪く、Niメ
ツキのとぎれ６が発生し、ハンダメツキの際に銀
電極が浸蝕され、ハンダ付け不良の原因となつて
いた。
発明の目的
本発明は、かかる問題点に鑑み、外部電極とハ
ンダメツキによるこの外部電極の浸蝕を防止する
メツキとの間の密着性を改善し、ハンダ付け性の
良い積層チツプコンデンサの製造方法を提供する
ことを目的とする。
ンダメツキによるこの外部電極の浸蝕を防止する
メツキとの間の密着性を改善し、ハンダ付け性の
良い積層チツプコンデンサの製造方法を提供する
ことを目的とする。
発明の構成
本発明はこのため、ガラスフリツトとしてホウ
ケイ酸ガラスを含む銀または銀パラジウムペース
トを塗布し焼付けた外部電極表面をフツ酸で処理
した後、ハンダメツキによる前記外部電極の浸蝕
を防止するNiメツキを施すことにより、このメ
ツキと外部電極表面との密着性を良くする方法を
提案する。この様にする理由は次の通りである。
上記銀電極とNiメツキとの密着性が悪い原因を
分析すると、高温焼付けの銀ペーストは、銀微粉
末とガラス質フリツトと樹脂と溶剤とからなり、
この銀ペーストを被塗布体に塗布し、溶剤を蒸発
させてから焼成炉で所要温度まで加熱する。これ
により樹脂などの有機物を燃焼させ、ガラス質フ
リツトの溶融と銀粒子の成長により被塗布体に密
着した銀電極が形成される。銀ペーストのガラス
質フリツトには、通常ホウケイ酸ガラスが含まれ
ている。そのため、焼付けた銀電極の表面をＸ線
マイクロアナライザーで分析すると、銀電極の厚
い部分の表面に酸化ケイ素が析出しているのがわ
かる。酸化ケイ素が析出していると、第２図に示
す様に銀電極３とNiメツキ４との密着性が悪く
なり、それらの間に空洞５ができ易く、Niメツ
キ４にとぎれ６までが発生するのである。そこ
で、本発明では上記の通り、外部電極表面をフツ
酸で処理することにより、銀ペーストのガラス質
フリツトから発生した酸化ケイ素を取り除いて
Niメツキの銀電極との密着性を良くしているの
である。
ケイ酸ガラスを含む銀または銀パラジウムペース
トを塗布し焼付けた外部電極表面をフツ酸で処理
した後、ハンダメツキによる前記外部電極の浸蝕
を防止するNiメツキを施すことにより、このメ
ツキと外部電極表面との密着性を良くする方法を
提案する。この様にする理由は次の通りである。
上記銀電極とNiメツキとの密着性が悪い原因を
分析すると、高温焼付けの銀ペーストは、銀微粉
末とガラス質フリツトと樹脂と溶剤とからなり、
この銀ペーストを被塗布体に塗布し、溶剤を蒸発
させてから焼成炉で所要温度まで加熱する。これ
により樹脂などの有機物を燃焼させ、ガラス質フ
リツトの溶融と銀粒子の成長により被塗布体に密
着した銀電極が形成される。銀ペーストのガラス
質フリツトには、通常ホウケイ酸ガラスが含まれ
ている。そのため、焼付けた銀電極の表面をＸ線
マイクロアナライザーで分析すると、銀電極の厚
い部分の表面に酸化ケイ素が析出しているのがわ
かる。酸化ケイ素が析出していると、第２図に示
す様に銀電極３とNiメツキ４との密着性が悪く
なり、それらの間に空洞５ができ易く、Niメツ
キ４にとぎれ６までが発生するのである。そこ
で、本発明では上記の通り、外部電極表面をフツ
酸で処理することにより、銀ペーストのガラス質
フリツトから発生した酸化ケイ素を取り除いて
Niメツキの銀電極との密着性を良くしているの
である。
なお、外部電極には、銀ペースト以外にもパラ
ジウム（Pd）を含んだ銀−パラジウムペースト
も使用されるが、その場合もガラス質フリツトに
ホウケイ酸ガラスが使われるのは同じであり、同
様の効果がある。
ジウム（Pd）を含んだ銀−パラジウムペースト
も使用されるが、その場合もガラス質フリツトに
ホウケイ酸ガラスが使われるのは同じであり、同
様の効果がある。
実施例の説明
次に具体的な実施例を説明する。内部電極２に
パラジウム（Pd）を用い、BaTiO3、Nb2O5、
CO2O3、CuOの組成からなる誘電体シートを積層
して誘電体セラミツク１とし、これを1340℃で焼
成した後、面とりし、外部電極３（銀ペースト）
を塗布し、熔剤を蒸発させ、トンネル炉で800℃
で焼付けた。その後、積層チツプコンデンサ全体
をフツ酸を46％HFと水を体積比で１：10に希釈
した溶液に10秒間浸漬し、純水で洗浄した後乾燥
させた。この様にフツ酸処理した後銀電極の上に
Niメツキして密着を調べたところ、空洞５やと
ぎれ６が殆んどなかつた。また、フツ酸処理して
いない銀電極表面とフツ酸処理した銀電極表面を
Ｘ線マイクロアナライザーで元素分析した結果を
第３図と第４図に示す。横軸はエネルギー値、縦
軸は検出強度であり、第３図の方ではAg（銀）と
微量のSi（ケイ素）が検出されているが、第４図
の方ではSi（ケイ素）が検出されず、フツ酸処理
により酸化ケイ素が取除かれていることがわか
る。この結果外部電極の銀電極とNiメツキとの
密着性が大きく改善されて、空洞５やNiメツキ
のとぎれ６が激減したものと認められる。また、
フツ酸処理によりセラミツク素体や銀電極がおか
されることは全くなかつた。
パラジウム（Pd）を用い、BaTiO3、Nb2O5、
CO2O3、CuOの組成からなる誘電体シートを積層
して誘電体セラミツク１とし、これを1340℃で焼
成した後、面とりし、外部電極３（銀ペースト）
を塗布し、熔剤を蒸発させ、トンネル炉で800℃
で焼付けた。その後、積層チツプコンデンサ全体
をフツ酸を46％HFと水を体積比で１：10に希釈
した溶液に10秒間浸漬し、純水で洗浄した後乾燥
させた。この様にフツ酸処理した後銀電極の上に
Niメツキして密着を調べたところ、空洞５やと
ぎれ６が殆んどなかつた。また、フツ酸処理して
いない銀電極表面とフツ酸処理した銀電極表面を
Ｘ線マイクロアナライザーで元素分析した結果を
第３図と第４図に示す。横軸はエネルギー値、縦
軸は検出強度であり、第３図の方ではAg（銀）と
微量のSi（ケイ素）が検出されているが、第４図
の方ではSi（ケイ素）が検出されず、フツ酸処理
により酸化ケイ素が取除かれていることがわか
る。この結果外部電極の銀電極とNiメツキとの
密着性が大きく改善されて、空洞５やNiメツキ
のとぎれ６が激減したものと認められる。また、
フツ酸処理によりセラミツク素体や銀電極がおか
されることは全くなかつた。
発明の効果
本発明の積層チツプコンデンサの製造方法によ
れば、以上の説明から明らかな様に外部電極表面
をフツ酸処理して酸化ケイ素を除去した後メツキ
を施すので、このメツキ層を密着性良くつけるこ
とができ、ハンダ付け性の良い積層チツプコンデ
ンサを得ることができる。
れば、以上の説明から明らかな様に外部電極表面
をフツ酸処理して酸化ケイ素を除去した後メツキ
を施すので、このメツキ層を密着性良くつけるこ
とができ、ハンダ付け性の良い積層チツプコンデ
ンサを得ることができる。
第１図は積層チツプコンデンサの断面図、第２
図は従来の銀電極とNiメツキの付着状態を示す
断面図、第３図と第４図は、従来法と本発明法に
よる銀電極の表面のＸ線マイクロアナライザによ
る分析結果を示す図である。 １は誘電体セラミツク、２は内部電極、３は外
部電極、４はNiメツキ、５は空洞、６はとぎれ。
図は従来の銀電極とNiメツキの付着状態を示す
断面図、第３図と第４図は、従来法と本発明法に
よる銀電極の表面のＸ線マイクロアナライザによ
る分析結果を示す図である。 １は誘電体セラミツク、２は内部電極、３は外
部電極、４はNiメツキ、５は空洞、６はとぎれ。
Claims (1)
- １ ガラスフリツトとしてホウケイ酸ガラスを含
む銀または銀パラジウムペーストを塗布し焼付け
た外部電極表面をフツ酸で処理した後、ハンダメ
ツキによる前記外部電極の浸蝕を防止するNiメ
ツキを施す積層チツプコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57127332A JPS5917230A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 積層チツプコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57127332A JPS5917230A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 積層チツプコンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917230A JPS5917230A (ja) | 1984-01-28 |
| JPH0342489B2 true JPH0342489B2 (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=14957298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57127332A Granted JPS5917230A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 積層チツプコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917230A (ja) |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP57127332A patent/JPS5917230A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5917230A (ja) | 1984-01-28 |
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