JPH0342476Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0342476Y2 JPH0342476Y2 JP12402281U JP12402281U JPH0342476Y2 JP H0342476 Y2 JPH0342476 Y2 JP H0342476Y2 JP 12402281 U JP12402281 U JP 12402281U JP 12402281 U JP12402281 U JP 12402281U JP H0342476 Y2 JPH0342476 Y2 JP H0342476Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- voltage
- capacitor
- diode
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 21
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、入力信号のレベルを点灯表示する
表示回路において、動作感度を高めるとともに、
回路構成を簡素化するようにした表示回路に関す
る。
表示回路において、動作感度を高めるとともに、
回路構成を簡素化するようにした表示回路に関す
る。
従来、たとえばテープレコーダなどには入力信
号のピークレベルを点灯表示するために、第1図
に示すような表示回路が設けられ、たとえば、正
弦波状の入力信号、すなわち正、負ピークレベル
間の信号レベル幅がVsとなる入力信号が信号入
力端子INに入力されると、入力信号の正の半サ
イクル期間に、信号入力端子INに入力された入
力信号が、充電用の第1コンデンサC1、第1コ
ンデンサC1に直列にアノードが接続された整流
用の第1ダイオードD1を介してPNP型の第1
トランジスタQ1のベースに印加される。一方、
入力信号の負の半サイクル期間には、アノードが
接地されカソードが第1ダイオードD1のアノー
ドに接続された整流用の第2ダイオードD2によ
り第1コンデンサC1の充電路が形成され、第1
コンデンサC1が第2ダイオードD2を介した入
力信号電流により充電される。すなわち、第1コ
ンデンサC1および両ダイオードD1,D2によ
り入力信号の倍電圧整流回路Aが形成され、正の
半サイクル期間に第1トランジスタQ1のベース
に印加される電圧は、第1コンデンサC1の充電
電圧と、入力信号の正の半サイクル期間の電圧と
の直列合成電圧になる。
号のピークレベルを点灯表示するために、第1図
に示すような表示回路が設けられ、たとえば、正
弦波状の入力信号、すなわち正、負ピークレベル
間の信号レベル幅がVsとなる入力信号が信号入
力端子INに入力されると、入力信号の正の半サ
イクル期間に、信号入力端子INに入力された入
力信号が、充電用の第1コンデンサC1、第1コ
ンデンサC1に直列にアノードが接続された整流
用の第1ダイオードD1を介してPNP型の第1
トランジスタQ1のベースに印加される。一方、
入力信号の負の半サイクル期間には、アノードが
接地されカソードが第1ダイオードD1のアノー
ドに接続された整流用の第2ダイオードD2によ
り第1コンデンサC1の充電路が形成され、第1
コンデンサC1が第2ダイオードD2を介した入
力信号電流により充電される。すなわち、第1コ
ンデンサC1および両ダイオードD1,D2によ
り入力信号の倍電圧整流回路Aが形成され、正の
半サイクル期間に第1トランジスタQ1のベース
に印加される電圧は、第1コンデンサC1の充電
電圧と、入力信号の正の半サイクル期間の電圧と
の直列合成電圧になる。
そして、第1トランジスタQ1により、倍電圧
整流回路Aの出力電圧すなわち整流電圧がC級増
幅され、第1トランジスタQ1のエミツタ電流
が、第1トランジスタQ1のエミツタと接地点と
の間に設けられた第2コンデンサC2により平滑
され、第1トランジスタQ1のエミツタ電圧Ve
1が、第2コンデンサC2に並列に設けられた第
1、第2抵抗R1,R2の直列回路に印加され、
第1、第2抵抗R1,R2の接続点と接地点との
間の電圧、すなわち第2抵抗R2の両端間電圧に
よりNPN型の第2トランジスタQ2がスイツチ
ング制御され、第2トランジスタQ2のオンによ
り、電源端子(+Vcc)と第2トランジスタQ2
のコレクタとの間に直列に設けられた第3抵抗R
3、点灯素子である発光ダイオードLEDに電流
が流れ、発光ダイオード(LED)が発光する。
なお、第1トランジスタQ1のコレクタが電源端
子(+Vcc)に接続されている。
整流回路Aの出力電圧すなわち整流電圧がC級増
幅され、第1トランジスタQ1のエミツタ電流
が、第1トランジスタQ1のエミツタと接地点と
の間に設けられた第2コンデンサC2により平滑
され、第1トランジスタQ1のエミツタ電圧Ve
1が、第2コンデンサC2に並列に設けられた第
1、第2抵抗R1,R2の直列回路に印加され、
第1、第2抵抗R1,R2の接続点と接地点との
間の電圧、すなわち第2抵抗R2の両端間電圧に
よりNPN型の第2トランジスタQ2がスイツチ
ング制御され、第2トランジスタQ2のオンによ
り、電源端子(+Vcc)と第2トランジスタQ2
のコレクタとの間に直列に設けられた第3抵抗R
3、点灯素子である発光ダイオードLEDに電流
が流れ、発光ダイオード(LED)が発光する。
なお、第1トランジスタQ1のコレクタが電源端
子(+Vcc)に接続されている。
ここで、発光ダイオードLEDが点灯するとき
の入力信号の条件、すなわちしきい値条件は次の
(1)式のようになる。
の入力信号の条件、すなわちしきい値条件は次の
(1)式のようになる。
Vs≧Vf1+Vf2+Vbe1+
(1+Ra/Rb)・Vbe2 ……(1)式
なお、(1)式において、Vf1,Vf2は両ダイオー
ドD1,D2それぞれの順方向電圧を示し、
Vbe1,Vbe2は両トランジスタQ1,Q2それぞ
れのベースエミツタ間電圧を示し、Ra,Rbは第
1、第2抵抗R1,R2それぞれの抵抗値を示
し、(1+Ra/Rb)≒1である。また、第2コ
ンデンサC2の充電電圧はVs/2−Vf2となる。
ドD1,D2それぞれの順方向電圧を示し、
Vbe1,Vbe2は両トランジスタQ1,Q2それぞ
れのベースエミツタ間電圧を示し、Ra,Rbは第
1、第2抵抗R1,R2それぞれの抵抗値を示
し、(1+Ra/Rb)≒1である。また、第2コ
ンデンサC2の充電電圧はVs/2−Vf2となる。
したがつて、両ダイオードD1,D2および両
トランジスタQ1,Q2にシリコン素子を使用し
た場合、順方向電圧Vf1,Vf2およびベースエミ
ツタ間電圧Vbe1,Vbe2それぞれがほぼ0.6ボル
トであるため、(1)式におけるVs≧2.4ボルトとな
り、入力信号の信号レベル幅Vsが2.4ボルト以下
のときには適用できない欠点がある。
トランジスタQ1,Q2にシリコン素子を使用し
た場合、順方向電圧Vf1,Vf2およびベースエミ
ツタ間電圧Vbe1,Vbe2それぞれがほぼ0.6ボル
トであるため、(1)式におけるVs≧2.4ボルトとな
り、入力信号の信号レベル幅Vsが2.4ボルト以下
のときには適用できない欠点がある。
また、第1トランジスタQ1のエミツタ電圧
Ve1がほぼ(1+Ra/Rb)・Vbe2となるしきい
値状態の間には、(1)式からつぎの(2)式が成立す
る。
Ve1がほぼ(1+Ra/Rb)・Vbe2となるしきい
値状態の間には、(1)式からつぎの(2)式が成立す
る。
Ve1≦Vs−(Vf1+Vf2)−Vbe1 ……(2)式
一方、(2)式と第1抵抗R1の抵抗値Raおよび
第2トランジスタQ2のベースエミツタ間電圧
Vbe2とから第1トランジスタQ1のエミツタ電
流Ie1はつぎの(3)式のようになる。
第2トランジスタQ2のベースエミツタ間電圧
Vbe2とから第1トランジスタQ1のエミツタ電
流Ie1はつぎの(3)式のようになる。
Ie1≦〔{Vs−(Vf1+Vf2)−Vbe1}
−Vbe2〕/Ra ……(3)式
また、第1抵抗R1の抵抗値Raは第2抵抗R
2との関係から数百オームとなる。
2との関係から数百オームとなる。
したがつて、第1トランジスタQ1のエミツタ
電流Ie1では発光ダイオードLEDを点灯させるこ
とが不可能であり、第1図のように、第1トラン
ジスタQ1とともに発光ダイオードLEDを点灯
させるための第2トランジスタQ2を設ける必要
があり、回路構成が複雑になる欠点がある。
電流Ie1では発光ダイオードLEDを点灯させるこ
とが不可能であり、第1図のように、第1トラン
ジスタQ1とともに発光ダイオードLEDを点灯
させるための第2トランジスタQ2を設ける必要
があり、回路構成が複雑になる欠点がある。
この考案は、前記の点に留意してなされたもの
であり、つぎにこの考案をその1実施例を示した
第2図とともに詳細に説明する。
であり、つぎにこの考案をその1実施例を示した
第2図とともに詳細に説明する。
第2図において第1図と同一記号は同一のもの
を示し、第1図と異なる点は、第2ダイオードD
2のアノードを第1図の第1トランジスタQ1と
同一のトランジスタTRのエミツタに接続し、第
2コンデンサC2をトランジスタTRのベースと
接地点との間に設け、第2抵抗R2に並列に発光
ダイオードLEDを設けた点であり、第1図の第
2トランジスタQ2および第3抵抗R3は設けら
れていない。
を示し、第1図と異なる点は、第2ダイオードD
2のアノードを第1図の第1トランジスタQ1と
同一のトランジスタTRのエミツタに接続し、第
2コンデンサC2をトランジスタTRのベースと
接地点との間に設け、第2抵抗R2に並列に発光
ダイオードLEDを設けた点であり、第1図の第
2トランジスタQ2および第3抵抗R3は設けら
れていない。
そして、倍電圧整流部Aにおいて、入力信号の
半サイクル期間に、第2抵抗R2、第2ダイオー
ドD2の充電路の電流により第1コンデンサC1
が充電され、このとき、トランジスタTRのエミ
ツタ電圧Vetと第2ダイオードD2の順方向電圧
Vf2とにより、第1コンデンサC1の充電電圧
がVs/2−Vf2+Vetとなり、第1コンデンサC
1と第2ダイオードD2のアノードとの接続点の
電圧がVet−Vf2によりバイアスされることにな
る。すなわち、第2ダイオードD2のアノードの
電圧である動作基準電圧がエミツタ電圧Vetによ
り制御され、トランジスタTRにいわゆる直流的
な正帰還がかかる。
半サイクル期間に、第2抵抗R2、第2ダイオー
ドD2の充電路の電流により第1コンデンサC1
が充電され、このとき、トランジスタTRのエミ
ツタ電圧Vetと第2ダイオードD2の順方向電圧
Vf2とにより、第1コンデンサC1の充電電圧
がVs/2−Vf2+Vetとなり、第1コンデンサC
1と第2ダイオードD2のアノードとの接続点の
電圧がVet−Vf2によりバイアスされることにな
る。すなわち、第2ダイオードD2のアノードの
電圧である動作基準電圧がエミツタ電圧Vetによ
り制御され、トランジスタTRにいわゆる直流的
な正帰還がかかる。
また、発光ダイオードLEDが点灯するときの
入力信号の条件、すなわちしきい値条件はつぎの
(4)式のようになる。
入力信号の条件、すなわちしきい値条件はつぎの
(4)式のようになる。
Vs/2+(Vs/2−Vf2+Vet)−Vf1≧Vbet
+(1+Ra/Rb)・Vf3 ……(4)式
なお、(4)式において、VbetはトランジスタTR
のベースエミツタ間電圧を示し、Vf3は発光ダイ
オードLEDの順方向電圧を示す。
のベースエミツタ間電圧を示し、Vf3は発光ダイ
オードLEDの順方向電圧を示す。
そして、しきい値状態の間には、(1+Ra/
Rb)・Vf3=Vetが成立するため、(4)式からつぎ
の(5)式が求まる。
Rb)・Vf3=Vetが成立するため、(4)式からつぎ
の(5)式が求まる。
Vs≧Vf1+Vf2+Vbet ……(5)式
したがつて、両ダイオードD1,D2およびト
ランジスタTRにシリコン素子を使用した場合、
Vs≧1.8ボルトとなる。すなわち、第1図の場合
の2.4ボルトに対して25%低い入力信号に対して
使用することができ、電圧感度を第1図の場合よ
り約2.5dB上昇させることができる。
ランジスタTRにシリコン素子を使用した場合、
Vs≧1.8ボルトとなる。すなわち、第1図の場合
の2.4ボルトに対して25%低い入力信号に対して
使用することができ、電圧感度を第1図の場合よ
り約2.5dB上昇させることができる。
また、トランジスタTRのベース電圧をVbtと
した場合、つぎの(6)式が成立する。
した場合、つぎの(6)式が成立する。
Vbt≦Vs+Vet−(Vf1+Vf2) ……(6)式
さらに、トランジスタQ1のエミツタ拡散抵抗
をreとした場合、ベース電圧Vbtとエミツタ電圧
Vetとの間にはつぎの(7)式が成立する。
をreとした場合、ベース電圧Vbtとエミツタ電圧
Vetとの間にはつぎの(7)式が成立する。
Vbt=Vet+re・Iet+Vbet ……(7)式
そして、(5)式と(7)式とからつぎの(8)式が成立す
る。
る。
Iet≦{Vs−(Vf1+Vf2)−Vbet}/re ……(8)式
一方、エミツタ拡散抵抗reとエミツタ電流Iet
との間には、一般につぎの(9)式が成立する。なお
reの単位をオームとし、Ietの単位をアンペアー
とする。
との間には、一般につぎの(9)式が成立する。なお
reの単位をオームとし、Ietの単位をアンペアー
とする。
re≒26×10-3/Iet ……(9)式
したがつて、(8)式のエミツタ電流Ietは発光ダ
イオードLEDを点灯させるに十分な電流、たと
えば5ミリアンペアとなり、第1図の第2トラン
ジスタQ2および第3抵抗R3を省くことができ
る。なお、(9)式は近似式である。
イオードLEDを点灯させるに十分な電流、たと
えば5ミリアンペアとなり、第1図の第2トラン
ジスタQ2および第3抵抗R3を省くことができ
る。なお、(9)式は近似式である。
なお、第2コンデンサC2をトランジスタTR
のベースと接地点との間に設けたことにより、発
光ダイオードLEDの点灯時間を最適なものにす
ることができる。
のベースと接地点との間に設けたことにより、発
光ダイオードLEDの点灯時間を最適なものにす
ることができる。
したがつて、前記実施例によると、倍電圧整流
回路Aの第2ダイオードD2の一端すなわちカソ
ードを第1コンデンサC1と第1ダイオードD1
のアノードとの接続点に接続し、第2ダイオード
D2の他端すなわちアノードをトランジスタTR
のエミツタに接続し、トランジスタTRのエミツ
タと接続点との間に、第1抵抗R1と第2抵抗R
2の直列回路を設けるとともに、第2抵抗R2に
発光ダイオードLEDを並列接続したことにより、
動作感度を従来に比して2.5dB上昇させることが
でき、微弱な入力信号にも適用することができる
とともに、回路構成を非常に簡素化することがで
きる。
回路Aの第2ダイオードD2の一端すなわちカソ
ードを第1コンデンサC1と第1ダイオードD1
のアノードとの接続点に接続し、第2ダイオード
D2の他端すなわちアノードをトランジスタTR
のエミツタに接続し、トランジスタTRのエミツ
タと接続点との間に、第1抵抗R1と第2抵抗R
2の直列回路を設けるとともに、第2抵抗R2に
発光ダイオードLEDを並列接続したことにより、
動作感度を従来に比して2.5dB上昇させることが
でき、微弱な入力信号にも適用することができる
とともに、回路構成を非常に簡素化することがで
きる。
以上のように、この考案の表示回路によると、
倍電圧整流回路に設けられた第2ダイオードを、
平滑された倍電圧整流回路の整流出力が入力され
るトランジスタのエミツタに接続したことによ
り、動作感度を高めるとともに、回路構成を簡素
化することができるものである。
倍電圧整流回路に設けられた第2ダイオードを、
平滑された倍電圧整流回路の整流出力が入力され
るトランジスタのエミツタに接続したことによ
り、動作感度を高めるとともに、回路構成を簡素
化することができるものである。
第1図は従来の表示回路の結線図、第2図はこ
の考案の表示回路の1実施例の結線図である。 A……倍電圧整流回路、C1……第1コンデン
サ、D1,D2……第1、第2ダイオード、
LED……発光ダイオード、TR……トランジス
タ。
の考案の表示回路の1実施例の結線図である。 A……倍電圧整流回路、C1……第1コンデン
サ、D1,D2……第1、第2ダイオード、
LED……発光ダイオード、TR……トランジス
タ。
Claims (1)
- 信号入力端子に接続された充電用の第1コンデ
ンサと、該コンデンサに直列に接続された整流用
の第1ダイオードと、一端が前記第1コンデンサ
と前記第1ダイオードの接続点に接続され前記第
1コンデンサの充電路を形成する整流用の第2ダ
イオードとにより、入力信号の倍電圧整流回路を
構成し、前記倍電圧整流回路の整流出力を平滑す
る平滑用の第2コンデンサと、平滑された前記整
流出力がベースに入力されるトランジスタと、該
トランジスタにより点灯制御される表示素子とを
備えるとともに、前記第2ダイオードの他端を前
記トランジスタのエミツタに接続し、前記第2ダ
イオードの動作基準電圧を前記トランジスタのエ
ミツタ電圧により制御した表示回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12402281U JPS5828893U (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 表示回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12402281U JPS5828893U (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 表示回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5828893U JPS5828893U (ja) | 1983-02-24 |
| JPH0342476Y2 true JPH0342476Y2 (ja) | 1991-09-05 |
Family
ID=29917910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12402281U Granted JPS5828893U (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 表示回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5828893U (ja) |
-
1981
- 1981-08-20 JP JP12402281U patent/JPS5828893U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5828893U (ja) | 1983-02-24 |
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