JPH0340908A - 超伝導体の製造法 - Google Patents
超伝導体の製造法Info
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- JPH0340908A JPH0340908A JP1038631A JP3863189A JPH0340908A JP H0340908 A JPH0340908 A JP H0340908A JP 1038631 A JP1038631 A JP 1038631A JP 3863189 A JP3863189 A JP 3863189A JP H0340908 A JPH0340908 A JP H0340908A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、送電線な−どの電力供給用線材、半導体素子
結線材料、さらにはエネルギー貯蔵・保持用コイル線材
、ジョセフソン素子などの超伝導体の製造法に間する。
結線材料、さらにはエネルギー貯蔵・保持用コイル線材
、ジョセフソン素子などの超伝導体の製造法に間する。
従来の技術
従来、酸化物系または硫化物系超伝導体の製法で最もよ
く用いられている工程は、第2図に示す様に各元素の粉
末原料を混ぜ合わせて焼成を繰り返し、焼結体を得る焼
結法が主流である。
く用いられている工程は、第2図に示す様に各元素の粉
末原料を混ぜ合わせて焼成を繰り返し、焼結体を得る焼
結法が主流である。
また液相によるものの代表例は溶質を沈澱の形で溶媒か
ら分離する沈澱生成法である。これには共沈法、均一沈
澱法、アルコキシドの加水分解法や電解法がある。沈澱
物は濾過し、洗浄、乾燥、熱分解を経て粉末となる。
ら分離する沈澱生成法である。これには共沈法、均一沈
澱法、アルコキシドの加水分解法や電解法がある。沈澱
物は濾過し、洗浄、乾燥、熱分解を経て粉末となる。
また上記汎用法の不均一性を解決する方法としてゾル−
ゲル法などもある。
ゲル法などもある。
発明が解決しようとする課題
しかし、主流である焼結法は、混合・粉砕と焼成を何度
も繰り返すため、製造に:filO時間から3日間もか
かっていた。また沈澱生成法やゾル−ゲル法は、濃度調
整工程、反応工程、熱分解工程などが不可欠であり煩雑
である。また、同じ性能を持つ材料ができる再現性は低
い。
も繰り返すため、製造に:filO時間から3日間もか
かっていた。また沈澱生成法やゾル−ゲル法は、濃度調
整工程、反応工程、熱分解工程などが不可欠であり煩雑
である。また、同じ性能を持つ材料ができる再現性は低
い。
更に、酸化物や硫化物超伝導体は一般にこれまで融点が
高く、摂氏900度近い高温で焼き固めなければならな
い。このため線材化等の応用に際し、焼き固めるときに
金属被覆が膨張し、均質な高品質の線材加工が難しい。
高く、摂氏900度近い高温で焼き固めなければならな
い。このため線材化等の応用に際し、焼き固めるときに
金属被覆が膨張し、均質な高品質の線材加工が難しい。
本発明は上記課題に鑑み、均質で緻密、高品質な超伝導
体をより簡便な工程で、より短時間に得ることを目的と
する。
体をより簡便な工程で、より短時間に得ることを目的と
する。
課題を解決するための手段
本発明は、融点が高い無機物や金属を、不純物の混入な
く均質に合成するもので、特に、少なくともアーク溶解
などの溶解工程と蒸発付着生成物の回収工程を含むこと
、より好ましくは溶解工程後に熱処理または焼成工程を
含むことを特徴とする。
く均質に合成するもので、特に、少なくともアーク溶解
などの溶解工程と蒸発付着生成物の回収工程を含むこと
、より好ましくは溶解工程後に熱処理または焼成工程を
含むことを特徴とする。
作用
本発明は、高温での溶融状態(アークなど)を短時間に
発生し、この高温の溶液状態で原材料を銅坩堝等から溶
解室内壁へ蒸発させるため、極めてy&細な粉末を短時
間に得ることができ、粉砕・混合工程が不要で、その後
の熱処理(焼結)工程を短時間に、かつ温度を低く抑え
られ、また不純物が混ざりにくく、従って高純度の超伝
導体を短時間に、簡便に製造することができる。
発生し、この高温の溶液状態で原材料を銅坩堝等から溶
解室内壁へ蒸発させるため、極めてy&細な粉末を短時
間に得ることができ、粉砕・混合工程が不要で、その後
の熱処理(焼結)工程を短時間に、かつ温度を低く抑え
られ、また不純物が混ざりにくく、従って高純度の超伝
導体を短時間に、簡便に製造することができる。
実施例
以下に、本発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
工程の一例を、第1図に示す。
アーク溶解法は、大気圧以下の不活性ガス中に置いた原
材料の混合物にアーク放電し、2000〜3000℃の
高温で液状(非晶質状など)にまで溶かし、均質な生成
物を得る方法である。本方法はこの溶解工程を利用し、
この際に蒸発させた均質な蒸発生成物を回収し、プレス
後、酸素中、硫黄中あるいは空気中で数100℃前後に
短時間加熱して熱処理し超伝導体を作る。
材料の混合物にアーク放電し、2000〜3000℃の
高温で液状(非晶質状など)にまで溶かし、均質な生成
物を得る方法である。本方法はこの溶解工程を利用し、
この際に蒸発させた均質な蒸発生成物を回収し、プレス
後、酸素中、硫黄中あるいは空気中で数100℃前後に
短時間加熱して熱処理し超伝導体を作る。
(実施例1)
第1図の工程にしたがって、高温超伝導体の一例として
臨界温度が約90 KのYBa2Cu307−δを取り
上げその製法及び結果について述べる。
臨界温度が約90 KのYBa2Cu307−δを取り
上げその製法及び結果について述べる。
使用したアーク炉の縦断面概略を第3図に示す。
操作はまず、原料を溶解室l内の、水冷銅坩堝2中に、
所望の配合比で投入する。次に溶解室l内の大気ガスや
不純ガスを真空ポンプなどの排気系で矢印3の方向へ排
気し、溶解室lの内部が十分に排気されたら、排気系を
遮断し、不活性ガス導入バルブ4を徐々に開放して、炉
内圧が10T。
所望の配合比で投入する。次に溶解室l内の大気ガスや
不純ガスを真空ポンプなどの排気系で矢印3の方向へ排
気し、溶解室lの内部が十分に排気されたら、排気系を
遮断し、不活性ガス導入バルブ4を徐々に開放して、炉
内圧が10T。
rr〜500To r rになるまで達成圧力計5を観
察しつつ、アルゴンガスなどの不活性ガスを導入する。
察しつつ、アルゴンガスなどの不活性ガスを導入する。
次に高周波による点火装置で水冷移動電極6の先端に取
り付けた水冷タングステン電極チップ7と、水冷銅坩堝
2との間にアーク8を発生させ、坩堝2内に液状の溶湯
9を形成する。原材料がアークによって高温度で溶解し
、十分に均質な溶湯が得られ、この間同時に水金された
溶解室内壁17に溶湯成分が次々と蒸発し蒸発付着生成
物18を形成する。溶湯が少なくなったら通電を止める
。ここで、10は溶解室を明るくするための照明窓、1
1は溶湯の様子を観察するための覗き窓、12は坩堝2
を冷却するための水槽であり、13は冷却水用導管、1
4は溶解室1内の気密を保つための締め付は金具である
。また15は支持台、16は水冷タングステン電極チッ
プ7が自由に動くようにしたユニバーサルジヨイントで
ある。
り付けた水冷タングステン電極チップ7と、水冷銅坩堝
2との間にアーク8を発生させ、坩堝2内に液状の溶湯
9を形成する。原材料がアークによって高温度で溶解し
、十分に均質な溶湯が得られ、この間同時に水金された
溶解室内壁17に溶湯成分が次々と蒸発し蒸発付着生成
物18を形成する。溶湯が少なくなったら通電を止める
。ここで、10は溶解室を明るくするための照明窓、1
1は溶湯の様子を観察するための覗き窓、12は坩堝2
を冷却するための水槽であり、13は冷却水用導管、1
4は溶解室1内の気密を保つための締め付は金具である
。また15は支持台、16は水冷タングステン電極チッ
プ7が自由に動くようにしたユニバーサルジヨイントで
ある。
本実施例では出発原材料として炭酸バリウム(BaC0
3)、酸化イツトリウム(Y2(h)、酸化第2銅(C
ub)を 1 / 2 Y2O3+ 2 BaCO3+ 3 Cu
O−+VBa2(:u307−δ+C02の反応式に従
って、所定の量に混合し、これを水冷銅坩堝2に入れて
、約I Cl5Torrまで真空排気し、次いでアルゴ
ンガスを不活性ガス導入バルブ4から約200 Tor
rまで導入した。初期アーク電流値150A、アーク発
生後は220Aに上げて定常的に約1〜IOA/gの電
流値密度で5分間アーク溶解した。この間に原材料は溶
解室内壁に向かって蒸発し、水冷銅坩堝2中の残存量は
約l/4であった。
3)、酸化イツトリウム(Y2(h)、酸化第2銅(C
ub)を 1 / 2 Y2O3+ 2 BaCO3+ 3 Cu
O−+VBa2(:u307−δ+C02の反応式に従
って、所定の量に混合し、これを水冷銅坩堝2に入れて
、約I Cl5Torrまで真空排気し、次いでアルゴ
ンガスを不活性ガス導入バルブ4から約200 Tor
rまで導入した。初期アーク電流値150A、アーク発
生後は220Aに上げて定常的に約1〜IOA/gの電
流値密度で5分間アーク溶解した。この間に原材料は溶
解室内壁に向かって蒸発し、水冷銅坩堝2中の残存量は
約l/4であった。
ついで内壁に付着した約3/4の蒸発付着生成物18を
はけなどで回収した。蒸発付着物は非常にy&細な原材
料の粉末であった。これを、所望の形状にプレス成形加
工し、次いで酸素雰囲気中で約850℃で2時間熱処理
し、約90に級の超伝導体を容易に得た。成形時には3
ton/cm2程度の成形圧をかけた。得られた焼結体
はベレット状の形状を有し、4.5〜5.5g/cm3
程度の密度でかなり緻密なものであった。これは約75
〜90%近くの気孔率をもっていることになる。
はけなどで回収した。蒸発付着物は非常にy&細な原材
料の粉末であった。これを、所望の形状にプレス成形加
工し、次いで酸素雰囲気中で約850℃で2時間熱処理
し、約90に級の超伝導体を容易に得た。成形時には3
ton/cm2程度の成形圧をかけた。得られた焼結体
はベレット状の形状を有し、4.5〜5.5g/cm3
程度の密度でかなり緻密なものであった。これは約75
〜90%近くの気孔率をもっていることになる。
第4図(A)にこの特性を示す。本実施例では図のよう
にオンセットで92に1 オフセット79にの臨界温度
を示した。また10mAの電流を流したとき約100に
で300μVの出力電圧を示した。
にオンセットで92に1 オフセット79にの臨界温度
を示した。また10mAの電流を流したとき約100に
で300μVの出力電圧を示した。
(実施例2)
実施例1と同様に材料組成YBa2Cu30v−δ系超
伝導体の合成を目的に、IOMH2の高周波加熱で約1
0分間溶解した。溶解室内壁には同様に多量のYBa2
Cu30v−δが付着した。これを所望の形状に成形加
工し、次いで酸素雰囲気中で約900℃で4時間熱処理
した。他の条件は前の例と同様である。
伝導体の合成を目的に、IOMH2の高周波加熱で約1
0分間溶解した。溶解室内壁には同様に多量のYBa2
Cu30v−δが付着した。これを所望の形状に成形加
工し、次いで酸素雰囲気中で約900℃で4時間熱処理
した。他の条件は前の例と同様である。
第4図(B)にこの特性を示す。図のようにオンセット
で88K、オフセラ)77にの臨界温度を示した。また
1mAの電流を流したとき約100にで730μVの出
力電圧を示した。試料(A)、(B)の臨界電流密度を
測定した結果、各々650A/cm2.520A/cm
” で、かなり優れた値を得た。
で88K、オフセラ)77にの臨界温度を示した。また
1mAの電流を流したとき約100にで730μVの出
力電圧を示した。試料(A)、(B)の臨界電流密度を
測定した結果、各々650A/cm2.520A/cm
” で、かなり優れた値を得た。
これらの実施例の如く、本発明によれば優れた特性を有
する酸化物系および硫化物系超伝導体が極めて容易に、
比較的短時間に合成できることが明らかになった。
する酸化物系および硫化物系超伝導体が極めて容易に、
比較的短時間に合成できることが明らかになった。
なお本発明をB1〜5+”Ca−Cu−0系超伝導体お
よびTl−Ca−8a−Cu−0系超伝導体に適用した
結果、前記実施例と同様に優れた超伝導特性を得ること
ができた。
よびTl−Ca−8a−Cu−0系超伝導体に適用した
結果、前記実施例と同様に優れた超伝導特性を得ること
ができた。
発明の効果
本発明によれは、不活性ガス中で、原料を一度液状に溶
かした状態から一度に極めて微細な粉末を得ているため
、単一・均質生成相が容易に得られ、良質、高緻密の超
伝導体の作製が可能である。その結果超伝導の密度を6
0〜90%にまで高められる(焼結法では30〜50%
)ためマイスナー効果が2〜3倍向上する。臨界電流密
度も大幅に向上できる。また同じ性能の超伝導体を安定
的に再現性よく、何回も作れる。超伝導の密度がこのよ
うに大幅に向上するため十分のIミI7単位の加工が簡
単にでき、微細加工による電子素子にも応用可能である
。また、線材やテープとして加工・成型するのに適して
いる。
かした状態から一度に極めて微細な粉末を得ているため
、単一・均質生成相が容易に得られ、良質、高緻密の超
伝導体の作製が可能である。その結果超伝導の密度を6
0〜90%にまで高められる(焼結法では30〜50%
)ためマイスナー効果が2〜3倍向上する。臨界電流密
度も大幅に向上できる。また同じ性能の超伝導体を安定
的に再現性よく、何回も作れる。超伝導の密度がこのよ
うに大幅に向上するため十分のIミI7単位の加工が簡
単にでき、微細加工による電子素子にも応用可能である
。また、線材やテープとして加工・成型するのに適して
いる。
更に、簡便な¥A造工程であるから製作時間が従来の5
0分の1以下に短縮できる。
0分の1以下に短縮できる。
第1図は本発明の一実施例の工程流れ図、第2図は従来
例の工程流れ図、第3図は本発明を実施するに適したア
ーク溶解炉の概略断面図、第4図は本発明実施例の超伝
導転移温度特性図である。 1・・・・溶解室、2・・・・水冷銅坩堝、3・・・・
排気系方向、4・・・・不活性ガス導入バルブ、5・・
・・連成圧力計ゲステン電極チップ、6・・・・水冷移
動電極、7・・・・水冷タングステン電極チップ、7・
・・・溶解室、8・・・・高温アーク、9・・・・高温
超伝導体原材料からなる溶湯、10・・・・照明窓、1
1・・・・覗き窓、12・・・・水槽、13・・・・冷
却水用導管、14・・・・締め付は金具、15・・・・
支持台、16・・・・ユニバーサルジヨイント、17・
・・・溶解室内壁、18・・・・蒸発付着物。
例の工程流れ図、第3図は本発明を実施するに適したア
ーク溶解炉の概略断面図、第4図は本発明実施例の超伝
導転移温度特性図である。 1・・・・溶解室、2・・・・水冷銅坩堝、3・・・・
排気系方向、4・・・・不活性ガス導入バルブ、5・・
・・連成圧力計ゲステン電極チップ、6・・・・水冷移
動電極、7・・・・水冷タングステン電極チップ、7・
・・・溶解室、8・・・・高温アーク、9・・・・高温
超伝導体原材料からなる溶湯、10・・・・照明窓、1
1・・・・覗き窓、12・・・・水槽、13・・・・冷
却水用導管、14・・・・締め付は金具、15・・・・
支持台、16・・・・ユニバーサルジヨイント、17・
・・・溶解室内壁、18・・・・蒸発付着物。
Claims (5)
- (1)原料の溶融工程と、原料の蒸発付着工程と、該蒸
発付着物の回収工程を含むことを特徴とする超伝導体の
製造法。 - (2)蒸発付着物の回収工程後、熱処理または焼成工程
を含むことを特徴とする請求項1記載の超伝導体の製造
法。 - (3)溶融工程がアークを熱源とする溶融であることを
特徴とする請求項1または2記載の超伝導体の製造法。 - (4)熱処理または焼成工程前または後に,加圧成形工
程を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項
記載の超伝導体の製造法。 - (5)超伝導体が酸化物系あるいは硫化物系であること
を特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の超伝導
体の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1038631A JPH0340908A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 超伝導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1038631A JPH0340908A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 超伝導体の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0340908A true JPH0340908A (ja) | 1991-02-21 |
Family
ID=12530587
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1038631A Pending JPH0340908A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 超伝導体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0340908A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008308226A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Fuji Mach Co Ltd | 上包み包装機の物品保持移送装置 |
US11511461B2 (en) | 2017-03-13 | 2022-11-29 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass film manufacturing method |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01167225A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-06-30 | Ibiden Co Ltd | 超伝導酸化物粉末の製造方法 |
JPH0222103A (ja) * | 1988-07-11 | 1990-01-25 | Fujikura Ltd | 酸化物超電導体の製造方法 |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP1038631A patent/JPH0340908A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01167225A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-06-30 | Ibiden Co Ltd | 超伝導酸化物粉末の製造方法 |
JPH0222103A (ja) * | 1988-07-11 | 1990-01-25 | Fujikura Ltd | 酸化物超電導体の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008308226A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Fuji Mach Co Ltd | 上包み包装機の物品保持移送装置 |
US11511461B2 (en) | 2017-03-13 | 2022-11-29 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass film manufacturing method |
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