JPH0818910B2 - 酸化物超電導単結晶の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導単結晶の製造方法Info
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- JPH0818910B2 JPH0818910B2 JP62182029A JP18202987A JPH0818910B2 JP H0818910 B2 JPH0818910 B2 JP H0818910B2 JP 62182029 A JP62182029 A JP 62182029A JP 18202987 A JP18202987 A JP 18202987A JP H0818910 B2 JPH0818910 B2 JP H0818910B2
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- oxide superconducting
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、複合酸化物の単結晶の製造方法に関するも
のであり、特に、電力エネルギー伝達路や回路素子等の
電子装置の素材として用いられる複合酸化物超電算単結
晶の製造方法に関するものである。本発明による複合酸
化物超電導単結晶は特にジョセフソン素子のような電子
回路素子を作るのに用いることができる。
のであり、特に、電力エネルギー伝達路や回路素子等の
電子装置の素材として用いられる複合酸化物超電算単結
晶の製造方法に関するものである。本発明による複合酸
化物超電導単結晶は特にジョセフソン素子のような電子
回路素子を作るのに用いることができる。
従来の技術 従来から知られている超電導材料は、例えば、Ti−Nb
系等の合金で、これらの超電導合金は超電導コイル、超
電導マグネット等の分野用に開発が進められている。し
かし、これらの超電導材料は液体チッソ温度では超電導
状態にはならないため、特殊な用途以外に実用化できな
い。
系等の合金で、これらの超電導合金は超電導コイル、超
電導マグネット等の分野用に開発が進められている。し
かし、これらの超電導材料は液体チッソ温度では超電導
状態にはならないため、特殊な用途以外に実用化できな
い。
昨年、液体チッソ温度で超電導現象を示す複合酸化物
が発見され、その実用機器への応用開発が進められてい
るが、この複合酸化物はいわゆる焼結セラミック材料で
あり、一般に単結晶ではない。すなわち、粉末を焼結す
ることにより作られる複合酸化物超電導材は多結晶体で
ある。
が発見され、その実用機器への応用開発が進められてい
るが、この複合酸化物はいわゆる焼結セラミック材料で
あり、一般に単結晶ではない。すなわち、粉末を焼結す
ることにより作られる複合酸化物超電導材は多結晶体で
ある。
一方、上記複合酸化物の単結晶を作る試みもいくつか
なされているが、これまでのサンプルは小口径単結晶体
であり、しかも単結晶体を一部に含むものしか得られて
いない。
なされているが、これまでのサンプルは小口径単結晶体
であり、しかも単結晶体を一部に含むものしか得られて
いない。
発明が解決しようとする問題点 単結晶の製造方法には溶液法、溶融法、気相法等があ
るが、大径の単結晶を工業的に製造する場合には溶融
法、特に、凝固法が用いられる。この凝固法としては、
一般に、温度勾配法いわゆるブリッジマン法と引き上げ
法いわゆるチョクラルスキー法が用いられている。
るが、大径の単結晶を工業的に製造する場合には溶融
法、特に、凝固法が用いられる。この凝固法としては、
一般に、温度勾配法いわゆるブリッジマン法と引き上げ
法いわゆるチョクラルスキー法が用いられている。
引き上げ法では単結晶を融液から引き上げながら成長
させる。従来、この引き上げ法で製造可能な単結晶は主
としてシリコン等の単一元素の結晶であった。最近で
は、ヒ化ガリウム等の化合物半導体の単結晶も作られて
いるが、構成元素の蒸気圧に違いがあるため実際に単結
晶を製造する際には種々のファクターをコントロールし
なければならない。さらに、酸化物、特に、複合酸化物
の単結晶を引き上げ法で作ることも可能である。実際
に、Ba1-xSrxTTiO3の単結晶はチッソガス雰囲気内でIr
の容器を用いて1.5〜2.5mm/時の引き上げ速度で製造さ
れる。また、Y3Ga5O12の単結晶は空気中で約8mm/時の引
き上げ速度で製造されるものに限られている。
させる。従来、この引き上げ法で製造可能な単結晶は主
としてシリコン等の単一元素の結晶であった。最近で
は、ヒ化ガリウム等の化合物半導体の単結晶も作られて
いるが、構成元素の蒸気圧に違いがあるため実際に単結
晶を製造する際には種々のファクターをコントロールし
なければならない。さらに、酸化物、特に、複合酸化物
の単結晶を引き上げ法で作ることも可能である。実際
に、Ba1-xSrxTTiO3の単結晶はチッソガス雰囲気内でIr
の容器を用いて1.5〜2.5mm/時の引き上げ速度で製造さ
れる。また、Y3Ga5O12の単結晶は空気中で約8mm/時の引
き上げ速度で製造されるものに限られている。
しかし、上記の最近発見された超電導特性を示す複合
酸化物を引き上げ法で製造するための条件についてこれ
まで報告された例はない。
酸化物を引き上げ法で製造するための条件についてこれ
まで報告された例はない。
上記の複合酸化物超電導材料は酸素欠損がその超電導
特性に大きく影響する。これは、結晶構造と共に超電導
特性を決定する大きな要因となっている。従って、上記
複合酸化物は酸素欠損ペロブスカイト型または酸素欠損
疑似ペロブスカイト型酸化物あるいはエキシトンの発生
する確率の高いオルソロンビック構造等のいわば疑似ペ
ロブスカイト型の結晶構造有するものと考えられる。こ
うした特定の結晶構造、酸素欠損状況等が要求される単
結晶を製造するたには従来法をそのまま適用することは
できない。
特性に大きく影響する。これは、結晶構造と共に超電導
特性を決定する大きな要因となっている。従って、上記
複合酸化物は酸素欠損ペロブスカイト型または酸素欠損
疑似ペロブスカイト型酸化物あるいはエキシトンの発生
する確率の高いオルソロンビック構造等のいわば疑似ペ
ロブスカイト型の結晶構造有するものと考えられる。こ
うした特定の結晶構造、酸素欠損状況等が要求される単
結晶を製造するたには従来法をそのまま適用することは
できない。
従って、本発明の目的は超電導特性を示す複合酸化物
材料の単結晶を引き上げ法によって製造することを可能
にするための条件を提供することにある。
材料の単結晶を引き上げ法によって製造することを可能
にするための条件を提供することにある。
本発明の他の目的は大口径の超電導材料の単結晶を提
供することにある。
供することにある。
問題点を解決するための手段 本発明の提供する複合酸化物超電導単結晶の製造方法
は、複合酸化物超電導材料の融液から引き上げ法によっ
て複合酸化物超電導材料単結晶を製造する方法におい
て、上記引き上げ操作を酸素気流中で行い、引き上げ速
度を4mm/時以下とし、融液界面上の温度分布を３〜６℃
mmの範囲に制御し且つ引き上げ後の冷却速度を40℃／時
以下で行うことを特徴としている。
は、複合酸化物超電導材料の融液から引き上げ法によっ
て複合酸化物超電導材料単結晶を製造する方法におい
て、上記引き上げ操作を酸素気流中で行い、引き上げ速
度を4mm/時以下とし、融液界面上の温度分布を３〜６℃
mmの範囲に制御し且つ引き上げ後の冷却速度を40℃／時
以下で行うことを特徴としている。
上記複合酸化物超電導単結晶は下記一般式： （α1-xβｘ）γyOz （但し、αは周期律表II a族に含まれる元素であり、
βは周期率表III a族に含まれる元素であり、γは周期
律表I b、II b、III b、IV aまたはVIII a族に含まれる
元素であり、ｘ、ｙおよびｚはそれぞれｘ＝0.1〜0.9、
ｙ＝1.0〜4.0、１≦ｚ≦５を満たす数である） で示される複合酸化物であるのが好ましい。
βは周期率表III a族に含まれる元素であり、γは周期
律表I b、II b、III b、IV aまたはVIII a族に含まれる
元素であり、ｘ、ｙおよびｚはそれぞれｘ＝0.1〜0.9、
ｙ＝1.0〜4.0、１≦ｚ≦５を満たす数である） で示される複合酸化物であるのが好ましい。
これらの複合酸化物はペロブスカイト型または疑似ペ
ロブスカイト型酸化物を主体としたものと考えられる。
ロブスカイト型酸化物を主体としたものと考えられる。
上記周期律表II a族元素αとしては、Ba、Sr、Ca、M
g、Be等が好ましく、例えば、Ba、Srを挙げることがで
き、この元素αの10乃至80％をMg、Ca、Srから選択され
た１種または２種の元素で置換することもできる。また
上記周期律表III a族元素βはとしては、Ｙ、La、Sc、C
e、Gd、Ho、Br、Tm、Yb、Lu等が好ましく、例えばＹ、L
aとすることができ、この元素βのうち、10乃至80％をS
cまたはLa以外のランタノイド元素から選択された１種
または２種の元素で置換することもでのる。前記元素γ
は一般にCuであるが、その一部を周期律表I b、II b、I
II b、IV aおよびIII a族から選択される他の元素、例
えば、Ti、Ｖ等で置換することもできる。さらに、酸素
の一部をフッ素、その他の元素で置換することもでき
る。
g、Be等が好ましく、例えば、Ba、Srを挙げることがで
き、この元素αの10乃至80％をMg、Ca、Srから選択され
た１種または２種の元素で置換することもできる。また
上記周期律表III a族元素βはとしては、Ｙ、La、Sc、C
e、Gd、Ho、Br、Tm、Yb、Lu等が好ましく、例えばＹ、L
aとすることができ、この元素βのうち、10乃至80％をS
cまたはLa以外のランタノイド元素から選択された１種
または２種の元素で置換することもでのる。前記元素γ
は一般にCuであるが、その一部を周期律表I b、II b、I
II b、IV aおよびIII a族から選択される他の元素、例
えば、Ti、Ｖ等で置換することもできる。さらに、酸素
の一部をフッ素、その他の元素で置換することもでき
る。
一般に酸化物超電導体結晶は酸素欠損がその超電導特
性に大きく影響する。これは、結晶構造と共に超電導特
性を決定する大きな要因となっている。従って、本発明
の好ましい態様によれば、上記複合酸化物は酸素欠損ペ
ロブスカイト型または酸素欠損疑似ペロブスカイト型酸
化物であり、これら複合酸化物焼結体は、エキシトンの
発生する確率の高いオルソロンビック構造等のいわば疑
似ペロブスカイト型の結晶構造有するものと考えられ
る。即ち、各組成比が上記範囲を越えると、結晶構造、
酸素欠損等が適正でなくなり、Tc値が悪化する。
性に大きく影響する。これは、結晶構造と共に超電導特
性を決定する大きな要因となっている。従って、本発明
の好ましい態様によれば、上記複合酸化物は酸素欠損ペ
ロブスカイト型または酸素欠損疑似ペロブスカイト型酸
化物であり、これら複合酸化物焼結体は、エキシトンの
発生する確率の高いオルソロンビック構造等のいわば疑
似ペロブスカイト型の結晶構造有するものと考えられ
る。即ち、各組成比が上記範囲を越えると、結晶構造、
酸素欠損等が適正でなくなり、Tc値が悪化する。
具体的な複合酸化物単結晶としては、Ba−Ｙ−Cu系、
Ba−La−Cu系、Sr−La−Cu系すなわち前記元素αがBaで
あり、前記元素βがＹであり、前記元素γがCuである
系、前記元素αがBaであり、前記元素βがLaであり、前
記元素γがCuである系、例えば、Ba2YCu3O6.7、Sr0.15L
a1.85CuO3.5等について優れた特性が確認されている
が、本発明の方法は他の材料についても適用可能である
ことはいうまでもない。
Ba−La−Cu系、Sr−La−Cu系すなわち前記元素αがBaで
あり、前記元素βがＹであり、前記元素γがCuである
系、前記元素αがBaであり、前記元素βがLaであり、前
記元素γがCuである系、例えば、Ba2YCu3O6.7、Sr0.15L
a1.85CuO3.5等について優れた特性が確認されている
が、本発明の方法は他の材料についても適用可能である
ことはいうまでもない。
本発明でもちいる融液は元素構成が上記の組成範囲で
ある材料を溶融して用いるのが好ましい。この材料すな
わち複合酸化物単結晶材料は焼結等の他の方法で作るこ
とができる。
ある材料を溶融して用いるのが好ましい。この材料すな
わち複合酸化物単結晶材料は焼結等の他の方法で作るこ
とができる。
融液材料は一般に上記組成の構成元素α、β、γの各
々の酸化物、炭酸塩、硝酸塩または硫酸塩等の粉末また
は該粉末の混合物から得られる焼成体あるいは焼結体を
溶融して用いるのが好ましい。しかし、場合によって
は、前記元素α、β、γの各々のの酸化物、炭酸塩、硝
酸塩または硫酸塩の粉末の混合物そのものを溶融して用
いることもできる。
々の酸化物、炭酸塩、硝酸塩または硫酸塩等の粉末また
は該粉末の混合物から得られる焼成体あるいは焼結体を
溶融して用いるのが好ましい。しかし、場合によって
は、前記元素α、β、γの各々のの酸化物、炭酸塩、硝
酸塩または硫酸塩の粉末の混合物そのものを溶融して用
いることもできる。
上記の焼結体は一般に以下のようにして作ることがで
きる。すなわち、上記組成の構成元素α、β、γの各々
の酸化物、炭酸塩、硝酸塩または硫酸塩等の粉末原料の
混合物を、一般に600℃〜1200℃で、焼結する。この複
合酸化物粉末原料の焼結温度は材料に依存する。
きる。すなわち、上記組成の構成元素α、β、γの各々
の酸化物、炭酸塩、硝酸塩または硫酸塩等の粉末原料の
混合物を、一般に600℃〜1200℃で、焼結する。この複
合酸化物粉末原料の焼結温度は材料に依存する。
上記焼結体の組成を上記の範囲内にするためには上記
粉末原料の混合物を予め予備焼成して焼成体とし、この
焼成体を粉砕した後に成形し、再度本焼結するのが好ま
しい。この場合、上記予備焼成を上記焼成体の溶融温度
未満で且つこの溶融温度との差が100℃以内の温度で行
うのが望まし。この焼成は得られる複合酸化物の酸素の
比率を上記の組成範囲内とする上で特に好ましい。上記
粉砕工程は、複数回繰り返すのが好ましく、この操作に
よって複合酸化物の組織の微細化並びに均質化が達成さ
れる。その結果、特に超電導現象の開始温度Tcと材料の
電気抵抗が完全に零となる温度Ｔcfとの差ΔＴが小さく
なる。
粉末原料の混合物を予め予備焼成して焼成体とし、この
焼成体を粉砕した後に成形し、再度本焼結するのが好ま
しい。この場合、上記予備焼成を上記焼成体の溶融温度
未満で且つこの溶融温度との差が100℃以内の温度で行
うのが望まし。この焼成は得られる複合酸化物の酸素の
比率を上記の組成範囲内とする上で特に好ましい。上記
粉砕工程は、複数回繰り返すのが好ましく、この操作に
よって複合酸化物の組織の微細化並びに均質化が達成さ
れる。その結果、特に超電導現象の開始温度Tcと材料の
電気抵抗が完全に零となる温度Ｔcfとの差ΔＴが小さく
なる。
上記のようにして作られた複合酸化物焼結体は公知の
方法で溶融される。容器材料としては白金、アルミナ、
モリブデン、イリジウム等を用いることができる。
方法で溶融される。容器材料としては白金、アルミナ、
モリブデン、イリジウム等を用いることができる。
引き上げ装置自体は公知の単結晶育成装置を用いるこ
とができる。
とができる。
引き上げ操作は酸素雰囲気で行うことが重要である。
すなわち、引き上げ雰囲気内の酸素分圧を調節すること
によって成長する単結晶の酸素比率を上記組成範囲内に
することができる。
すなわち、引き上げ雰囲気内の酸素分圧を調節すること
によって成長する単結晶の酸素比率を上記組成範囲内に
することができる。
また、引き上げ速度は4mm/時以下とし、融液界面上の
温度分布は３〜６℃/mmの範囲に制御し、且つ引き上げ
後の冷却速度を40℃／時以下で行うことが必要である。
温度分布は３〜６℃/mmの範囲に制御し、且つ引き上げ
後の冷却速度を40℃／時以下で行うことが必要である。
作用 本発明は、複合酸化物超電導材料の融液から引き上げ
法によって複合酸化物超電導材料単結晶を製造する方法
において、引き上げ速度を上記速度以下にし、融液界面
上の温度分布を上記の範囲に制御し、引き上げ後の冷却
速度を上記一定速度以下で行い、且つ結晶成長を酸素気
流中で行うことによって、上述の従来技術の問題点を解
決し、大口径単結晶を得ることができるようにしたもの
である。
法によって複合酸化物超電導材料単結晶を製造する方法
において、引き上げ速度を上記速度以下にし、融液界面
上の温度分布を上記の範囲に制御し、引き上げ後の冷却
速度を上記一定速度以下で行い、且つ結晶成長を酸素気
流中で行うことによって、上述の従来技術の問題点を解
決し、大口径単結晶を得ることができるようにしたもの
である。
すなわち、引き上げ速度が4mm/時を超えると完全に満
足のゆく単結晶にならず、引き上げ後の冷却速度が40℃
／時を超えると得られた単結晶にクラックが入る。従っ
て、生成した単結晶の破損を防ぎ且つ高品質の単結晶を
得るためには引き上げ速度と冷却速度を上記の範囲内に
する必要がある。しかし、引き上げ速度および冷却速度
を、極端に遅くすると製造に要する時間がかかりすぎる
ため好ましくない。
足のゆく単結晶にならず、引き上げ後の冷却速度が40℃
／時を超えると得られた単結晶にクラックが入る。従っ
て、生成した単結晶の破損を防ぎ且つ高品質の単結晶を
得るためには引き上げ速度と冷却速度を上記の範囲内に
する必要がある。しかし、引き上げ速度および冷却速度
を、極端に遅くすると製造に要する時間がかかりすぎる
ため好ましくない。
また、融液界面上の温度分布は３〜６℃/mmの範囲に
制御する必要がある。ここで、融液界面上の温度分布と
は、融液の自由表面から上方に向かって測定したとき
に、温度勾配が３〜６℃/mmの割合で低下するような結
晶成長領域の温度分布をいう。
制御する必要がある。ここで、融液界面上の温度分布と
は、融液の自由表面から上方に向かって測定したとき
に、温度勾配が３〜６℃/mmの割合で低下するような結
晶成長領域の温度分布をいう。
この融液界面上の温度分布すなわち温度勾配が３℃/m
m未満では得られた単結晶に雑晶が入ったり、場合によ
っては結晶の析出が不可能になる。また、６℃/mmを超
えると得られた単結晶にクラックが入る。
m未満では得られた単結晶に雑晶が入ったり、場合によ
っては結晶の析出が不可能になる。また、６℃/mmを超
えると得られた単結晶にクラックが入る。
発明の効果 この発明の方法を用いることにより、大口径の複合酸
化物超電導単結晶を高品質且つクラック無しに製造する
ことが可能となる。従って、エレクトロニクスなどの分
野でジョセフソン素子の作製や、ジョセフソン素子の大
集積化・高性能化に利用すると効果的である。
化物超電導単結晶を高品質且つクラック無しに製造する
ことが可能となる。従って、エレクトロニクスなどの分
野でジョセフソン素子の作製や、ジョセフソン素子の大
集積化・高性能化に利用すると効果的である。
以下、本発明の複合酸化物超電導単結晶の製造方法を
実施例を用いて説明するが、本発明はこの実施例に何ら
制限されるものではないことは勿論である。
実施例を用いて説明するが、本発明はこの実施例に何ら
制限されるものではないことは勿論である。
実施例１ （ポリ結晶の製造） 先ず、下記比率の酸化物粉末混合物から多結晶超電導
体を作製する（比率は重量比）： 酸化第二銅:10 酸化イットリウム:6 酸化バリウム:15 すなわち、これらの酸化物粉末をよく混合し850℃の
酸素気流中で８時間加熱して、他結晶焼結超電導体を得
る。
体を作製する（比率は重量比）： 酸化第二銅:10 酸化イットリウム:6 酸化バリウム:15 すなわち、これらの酸化物粉末をよく混合し850℃の
酸素気流中で８時間加熱して、他結晶焼結超電導体を得
る。
（種結晶の育成） 上記で得られた多結晶超電導体を白金るつぼに入れ、
高周波加熱により約1000℃に加熱して融解する。直径2m
mの白金線を種結晶の代わりに用い結晶を引き上げる。
この中から適当な一片を選び、それを白金線に結びつけ
て種結晶として育成するとある程度の大きさをもつ単結
晶が得られる。これをＸ線ラウエ法にて方位を決めて切
断する。
高周波加熱により約1000℃に加熱して融解する。直径2m
mの白金線を種結晶の代わりに用い結晶を引き上げる。
この中から適当な一片を選び、それを白金線に結びつけ
て種結晶として育成するとある程度の大きさをもつ単結
晶が得られる。これをＸ線ラウエ法にて方位を決めて切
断する。
（単結晶の引き上げ） 次に、500ml/分の流量で酸素ガスが供給されている酸
素気流中で単結晶の引き上げを行う。
素気流中で単結晶の引き上げを行う。
すなわち、上記の多結晶焼結超電導体を白金るつぼに
入れ溶解する。次に、上記で作った種結晶（1.5×1.5×
15mm）をシード棒に取り付け、シード棒およびるつぼを
それぞれ20rpmおよび1rpmの回転速度で回転しながら、4
mm/時の引き上げ速度で引き上げる。このとき、融液界
面上の温度勾配を５℃/mmに制御する。
入れ溶解する。次に、上記で作った種結晶（1.5×1.5×
15mm）をシード棒に取り付け、シード棒およびるつぼを
それぞれ20rpmおよび1rpmの回転速度で回転しながら、4
mm/時の引き上げ速度で引き上げる。このとき、融液界
面上の温度勾配を５℃/mmに制御する。
以上の方法によりクラックの無い直径25mm,長さ50mm
の複合酸化物超電導体単結晶を得る。
の複合酸化物超電導体単結晶を得る。
実施例２ 純度99.9％のBa（NO3）２と、純度99.9％のＹ（NO3）
３と、純度99.99％のCuOとをエタノール中で混合し、こ
の混合物を700℃で３時間予備焼成し、焼成体をボール
ミルで粉砕して粒径10μｍ以下の焼成体粉末を得る。
３と、純度99.99％のCuOとをエタノール中で混合し、こ
の混合物を700℃で３時間予備焼成し、焼成体をボール
ミルで粉砕して粒径10μｍ以下の焼成体粉末を得る。
次いで、上記粉末を円板にプレス成形したものをを81
0℃で７時間焼結する。
0℃で７時間焼結する。
こうして得られた結晶体を再度粉砕したものを原料と
して用いて実施例１と同じ操作を繰り返してクラックの
無い複合酸化物超電導体単結晶を得る。
して用いて実施例１と同じ操作を繰り返してクラックの
無い複合酸化物超電導体単結晶を得る。
Claims (2)
- 【請求項１】一般式：（Ba1-xβｘ）CuyOz （但し、βは周期律表III a族の元素であり、ｘ、ｙお
よびｚはそれぞれ0.1≦ｘ≦0.9、1.0≦ｙ≦4.0、１≦ｚ
≦５を満たす数である） で示される複合酸化物超電導材料の単結晶を引き上げ法
により製造する方法において、 引き上げ操作が、酸素気流中で、4mm/時以下の引き上げ
速度で行われ、このとき、融液界面上の温度分布が３〜
６℃/mmの範囲にされ、且つ、引き上げ後の冷却速度が4
0℃／時以下であることを特徴とする複合酸化物超電導
単結晶の製造方法。 - 【請求項２】前記元素βが、Ｙ、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、
Ho、Er、Tm、YbおよびLuから選択された元素であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載された複合酸
化物超電導単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62182029A JPH0818910B2 (ja) | 1987-07-21 | 1987-07-21 | 酸化物超電導単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62182029A JPH0818910B2 (ja) | 1987-07-21 | 1987-07-21 | 酸化物超電導単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6428299A JPS6428299A (en) | 1989-01-30 |
| JPH0818910B2 true JPH0818910B2 (ja) | 1996-02-28 |
Family
ID=16111091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62182029A Expired - Lifetime JPH0818910B2 (ja) | 1987-07-21 | 1987-07-21 | 酸化物超電導単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0818910B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6479100A (en) * | 1987-09-21 | 1989-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | Production of oxide superconductor single crystal |
| EP0624664B1 (en) * | 1993-05-10 | 1999-01-07 | International Superconductivity Technology Center | Method of preparing metal oxide crystal |
-
1987
- 1987-07-21 JP JP62182029A patent/JPH0818910B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6428299A (en) | 1989-01-30 |
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