JPH01157499A - 酸化物超電導体単結晶の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体単結晶の製造方法Info
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- JPH01157499A JPH01157499A JP62314361A JP31436187A JPH01157499A JP H01157499 A JPH01157499 A JP H01157499A JP 62314361 A JP62314361 A JP 62314361A JP 31436187 A JP31436187 A JP 31436187A JP H01157499 A JPH01157499 A JP H01157499A
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Landscapes
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、高品質で比較的大型な酸化物超電導体単結晶
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
(従来の技術)
近年、Ba−La−Cu−0系の層状ペロブスカイト型
の酸化物が高い臨界温度を有する可能性のあることが発
表されて以来、各所で酸化物超電導体の研究が行われテ
ィる(Z、Phys、B Condensed Mat
ter64、189−193(1986))。その中で
もY−Ba−Cu−0系で代表される酸素欠陥を有する
欠陥へ07スカイト型((Lnea2Cu3o、−δ)
(δはwi素欠陥を表わし通常1以下、Lnは、Y 、
La、 5c1Nd1S+e、 Eu、 Gd1Dy
、 tlo、Er、 TI、ybおよび[Uから選ばれ
た少なくとも1種の元素、8aの一部はSr等で置換可
能。))の酸化物角ff11体は、臨界温度が90に以
上と液体窒素の沸点以上の高い温度を−示すため非常に
有望な材料として注目されている(Phys、 Rev
、 Lett。
の酸化物が高い臨界温度を有する可能性のあることが発
表されて以来、各所で酸化物超電導体の研究が行われテ
ィる(Z、Phys、B Condensed Mat
ter64、189−193(1986))。その中で
もY−Ba−Cu−0系で代表される酸素欠陥を有する
欠陥へ07スカイト型((Lnea2Cu3o、−δ)
(δはwi素欠陥を表わし通常1以下、Lnは、Y 、
La、 5c1Nd1S+e、 Eu、 Gd1Dy
、 tlo、Er、 TI、ybおよび[Uから選ばれ
た少なくとも1種の元素、8aの一部はSr等で置換可
能。))の酸化物角ff11体は、臨界温度が90に以
上と液体窒素の沸点以上の高い温度を−示すため非常に
有望な材料として注目されている(Phys、 Rev
、 Lett。
Vol、58 No、9,908−910)。
このような酸化物超電導体は、結晶性の酸化物であるた
め、これらを各種超電導装置として利用する場合には、
その焼結体を使用することが試みられている。しかし、
この酸化動用11体は、その結晶の0面に沿って超電導
電流が流れるという性質を有しているため、電流密度を
高めるためには結晶を一定方向に配列させることが必要
とされている。
め、これらを各種超電導装置として利用する場合には、
その焼結体を使用することが試みられている。しかし、
この酸化動用11体は、その結晶の0面に沿って超電導
電流が流れるという性質を有しているため、電流密度を
高めるためには結晶を一定方向に配列させることが必要
とされている。
ところで、酸化物超電導体の焼結体を得る際に、酸化物
超電導体粉末を単に焼結させただけでは多結晶体となり
、結晶の配列方向がランダムであるため、上述したよう
に臨界電流密度が不十分なものになってしまう。そこで
、結晶方位が一定な単結晶のある程度の大きさを有する
バルクを(9ることが可能となれば、臨界電流密度など
の超電導特性が向上された各種電子デバイスなどの超f
f1l装置を形成することが可能になる。また、酸化物
超電導体の物性の解明においても酸化物超電導体単結晶
は必要とされている。
超電導体粉末を単に焼結させただけでは多結晶体となり
、結晶の配列方向がランダムであるため、上述したよう
に臨界電流密度が不十分なものになってしまう。そこで
、結晶方位が一定な単結晶のある程度の大きさを有する
バルクを(9ることが可能となれば、臨界電流密度など
の超電導特性が向上された各種電子デバイスなどの超f
f1l装置を形成することが可能になる。また、酸化物
超電導体の物性の解明においても酸化物超電導体単結晶
は必要とされている。
そこで、溶融法等により酸化物超電導体単結晶を作製す
ることが試みられているが、高品質ぐしかもある程度の
大きさを有する単結晶は得られておらず、その製造方法
の確立が急務とされている。
ることが試みられているが、高品質ぐしかもある程度の
大きさを有する単結晶は得られておらず、その製造方法
の確立が急務とされている。
(発明が解決しようとする問題点)
上述したように、現状では高品質でしかbある程度の大
きさを有する酸化物超電導体I41結晶の製造方法は見
出されていない。
きさを有する酸化物超電導体I41結晶の製造方法は見
出されていない。
本発明は、このような事情に対処すべくなされたもので
、高品質でしかもある程度の大きさを有する酸化物超電
導体単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
、高品質でしかもある程度の大きさを有する酸化物超電
導体単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明の酸化物超電導体単結晶の%l造方法は、酸化物
超電導体粉末または加熱により酸化物超電導体となる原
料粉末と融剤との混合物を融解し、次いで結晶析出温度
範囲内を所定の速度で徐冷して酸化物超電導体単結晶を
育成する方法であって、前記混合物の液相生成温度が1
050℃以下であることを特徴としている。
超電導体粉末または加熱により酸化物超電導体となる原
料粉末と融剤との混合物を融解し、次いで結晶析出温度
範囲内を所定の速度で徐冷して酸化物超電導体単結晶を
育成する方法であって、前記混合物の液相生成温度が1
050℃以下であることを特徴としている。
本発明の酸化動用N導体単結晶の製造方法は、希土類元
素含有のペロブスカイト型の酸化物超電導体に好適して
いる。ここで、希土類元素を含有しペロプスカイト型構
造を有する酸化物超電導体としては、超電導状態を実現
できるものであればよく、LnBa2Ct13O7−δ
(LnはY 、 Yb、 Tm、E「、Ov、 HOl
La、 5cSNdSSs1Eu、 Gd等の希土類元
素から選ばれた少なくとも1種、δは酸素欠陥を表し通
常1以下の数を表す;、Baの一部はSrなどで置換可
能。)などの酸素欠陥を有する欠陥べ[]ブスカイト型
、5r−La−CO−0系などの層状べJコブスカイト
型等の広義にペロブスカイト型を有する酸化物が例示さ
れる。また、希土類元素も広義の定義とし、5C1Yお
よびEu系を含むものとする。代表的な系としてはv−
ea−cu−o系のほかに、YをYb1■−1[「、e
V、 llo、Euなどの希土類元素で置換した系、5
c−Ba−Cu−0系、5r−ta−cu−o系、さら
にはS「をBaやCaなどで置換した系などが挙げられ
る。
素含有のペロブスカイト型の酸化物超電導体に好適して
いる。ここで、希土類元素を含有しペロプスカイト型構
造を有する酸化物超電導体としては、超電導状態を実現
できるものであればよく、LnBa2Ct13O7−δ
(LnはY 、 Yb、 Tm、E「、Ov、 HOl
La、 5cSNdSSs1Eu、 Gd等の希土類元
素から選ばれた少なくとも1種、δは酸素欠陥を表し通
常1以下の数を表す;、Baの一部はSrなどで置換可
能。)などの酸素欠陥を有する欠陥べ[]ブスカイト型
、5r−La−CO−0系などの層状べJコブスカイト
型等の広義にペロブスカイト型を有する酸化物が例示さ
れる。また、希土類元素も広義の定義とし、5C1Yお
よびEu系を含むものとする。代表的な系としてはv−
ea−cu−o系のほかに、YをYb1■−1[「、e
V、 llo、Euなどの希土類元素で置換した系、5
c−Ba−Cu−0系、5r−ta−cu−o系、さら
にはS「をBaやCaなどで置換した系などが挙げられ
る。
本発明に使用される酸化物超電導体粉末は、例えば以下
のようにして製造される。
のようにして製造される。
まず、Y、 Ba%Cu等の構成元素を十分混合する。
混合の際には、Y203、BaC0,、CuO等の酸化
物や炭酸塩を原料として用いることができるほか、他の
焼成後酸化物に転化する硝酸塩、水酸化物等の化合物を
用いてもよい。さらには、共沈法等で得たシュウ酸塩等
を用いてもよい。Y−Ba−Cu−0系酸化物超N導体
を構成する元素は、基本的に化学ω論比の組成となるよ
うに混合するが、多少kI造条件等との関係でずれてい
ても差支えない。例えば、Y 1molに対しBa 2
mof 、Cu 3a+olが標準組成であるが、実用
上はY 1101に対して、Ba 2±0.6a+ol
、Cu 3±0.41101程度のずれは問題ない。
物や炭酸塩を原料として用いることができるほか、他の
焼成後酸化物に転化する硝酸塩、水酸化物等の化合物を
用いてもよい。さらには、共沈法等で得たシュウ酸塩等
を用いてもよい。Y−Ba−Cu−0系酸化物超N導体
を構成する元素は、基本的に化学ω論比の組成となるよ
うに混合するが、多少kI造条件等との関係でずれてい
ても差支えない。例えば、Y 1molに対しBa 2
mof 、Cu 3a+olが標準組成であるが、実用
上はY 1101に対して、Ba 2±0.6a+ol
、Cu 3±0.41101程度のずれは問題ない。
そして、前述の原料を充分に混合した後、800℃〜9
80℃程度の温皮条ftで仮焼して結晶化させる。この
後、必要に応じて酸素含有雰囲気中、好ましくは酸素雰
囲気中で熱処理するが、または同様な雰囲気中で3O0
℃程度まで徐冷りることにより、酸素欠陥δに酸素を導
入し超電導特性を向上させることができる。この熱処理
は、通常3O0’C〜700℃程度で行う。
80℃程度の温皮条ftで仮焼して結晶化させる。この
後、必要に応じて酸素含有雰囲気中、好ましくは酸素雰
囲気中で熱処理するが、または同様な雰囲気中で3O0
℃程度まで徐冷りることにより、酸素欠陥δに酸素を導
入し超電導特性を向上させることができる。この熱処理
は、通常3O0’C〜700℃程度で行う。
この後、この仮焼物をボールミル、サンドグラインダ、
その他公知の手段により粉砕することにより酸化物超電
導体粉末が得られる。
その他公知の手段により粉砕することにより酸化物超電
導体粉末が得られる。
このようにして得た酸化物超電導体粉末は、酸素欠陥δ
を有する酸素欠陥型ペロプスカイト溝Tiを(LnBa
2Cu3O、−δ(δは通常1以下の数))となる。な
お、BaをS「ヤCaなどで置換することも可能であり
、ざらにCuの一部をTi%V 、 Cr、 Hn。
を有する酸素欠陥型ペロプスカイト溝Tiを(LnBa
2Cu3O、−δ(δは通常1以下の数))となる。な
お、BaをS「ヤCaなどで置換することも可能であり
、ざらにCuの一部をTi%V 、 Cr、 Hn。
Fe、 Ni、Znなどで置換することもできる。この
置換量は、超711f導特性を低下させない程度で適宜
設定可能であるが、あまり多量の置換は超電導特性低下
させてしまうので80io 1%以下とする。
置換量は、超711f導特性を低下させない程度で適宜
設定可能であるが、あまり多量の置換は超電導特性低下
させてしまうので80io 1%以下とする。
本発明の酸化物超電導体単結晶の製造方法についてさら
に詳述すると、まず上述したような方法により作製した
酸化物超電導体粉末、あるいは前述した酸化物超電導体
の原料粉末と融剤との混合物を融解する。そして、この
混合物の液相生成温度が1050℃以下となるように、
融剤の杖類ヤ添加b1を適宜設定する。液相生成温度が
1050℃を超えると超電導相が分解したり、相転移を
起こずため、安定して酸化物超電導体単結晶を得ること
がぐぎなくなるためである。
に詳述すると、まず上述したような方法により作製した
酸化物超電導体粉末、あるいは前述した酸化物超電導体
の原料粉末と融剤との混合物を融解する。そして、この
混合物の液相生成温度が1050℃以下となるように、
融剤の杖類ヤ添加b1を適宜設定する。液相生成温度が
1050℃を超えると超電導相が分解したり、相転移を
起こずため、安定して酸化物超電導体単結晶を得ること
がぐぎなくなるためである。
また、本発明に使用する融剤として【よ、イの比重が酸
化物超ffi導体の比重より大きいものの使用が好まし
く、これにより単結晶の育成時に酸化物超電導体結晶が
上方に分離し、より高品質な酸化物超電導体単結晶が得
られる。融剤としては、たとえばBaCuO2、PbO
1v2osなどが挙げられる。なお、BaCuO2は酸
化物超電導体の原料粉末のうちのBa成分とCu成分を
過剰に添加することによって融剤として作用する。
化物超ffi導体の比重より大きいものの使用が好まし
く、これにより単結晶の育成時に酸化物超電導体結晶が
上方に分離し、より高品質な酸化物超電導体単結晶が得
られる。融剤としては、たとえばBaCuO2、PbO
1v2osなどが挙げられる。なお、BaCuO2は酸
化物超電導体の原料粉末のうちのBa成分とCu成分を
過剰に添加することによって融剤として作用する。
また、酸化物超電導体と融剤との混合比は、使用する融
剤に対する酸化物超電導体の溶解度によ ′って異なる
ため、予め実験的にこれを求め、適切な混合比を設定し
ておくものとする。
剤に対する酸化物超電導体の溶解度によ ′って異なる
ため、予め実験的にこれを求め、適切な混合比を設定し
ておくものとする。
次いで、この酸化物超電導体と融剤とのf14合物を、
この混合物の液相生成温度、あるいは液相生成温度以上
で1050℃以下の温度で溶融液内が均一となるように
一定時間保持した後、結晶析出温度範囲内を所定の速度
で徐冷する。
この混合物の液相生成温度、あるいは液相生成温度以上
で1050℃以下の温度で溶融液内が均一となるように
一定時間保持した後、結晶析出温度範囲内を所定の速度
で徐冷する。
この徐冷を行う温度範囲は、融剤の種類によって異なる
が、はぼ融解温度より3O0’C以下の[曲内である。
が、はぼ融解温度より3O0’C以下の[曲内である。
また、この徐冷速度は、当然ながら余り大きければ充分
に単結晶を育成することが不可能となり、また小さいほ
ど核発生が少なく大きい単結晶を得ることができるが、
あまり小さくして温度調節精度が低下すると逆に単結晶
の品質に悪影響を及ぼすので、20℃/時聞〜0.2℃
/時間の範囲が好ましい。
に単結晶を育成することが不可能となり、また小さいほ
ど核発生が少なく大きい単結晶を得ることができるが、
あまり小さくして温度調節精度が低下すると逆に単結晶
の品質に悪影響を及ぼすので、20℃/時聞〜0.2℃
/時間の範囲が好ましい。
また、この徐冷の際に、温度勾配をもうけて徐冷したり
、種結晶を使用することも可能である。
、種結晶を使用することも可能である。
そして、この徐冷を行った後、室温まで冷却するが、こ
の際に酸素ガスを供給するなど、その雰囲気を大気中の
lft素分圧より高い酸素分圧にすることが好ましい。
の際に酸素ガスを供給するなど、その雰囲気を大気中の
lft素分圧より高い酸素分圧にすることが好ましい。
このようにM索分圧を高めることにより、酸素欠陥δへ
の酸素導入が充分に行え、超電導特性が向上する。
の酸素導入が充分に行え、超電導特性が向上する。
(作 用)
本発明の酸化物超電導体単結晶の製造方法において、融
剤の種類や添加mを適切に設定し、酸化物超電導体と融
剤との混合物の液相生成温度を1oso’c以下として
いるので、酸化物超電導体を安定して融解させることが
可能となり、この溶Iamより適切な速度で徐冷するこ
とにより、高品質でしかも比較的大型な単結晶を得るこ
とが可能となる。
剤の種類や添加mを適切に設定し、酸化物超電導体と融
剤との混合物の液相生成温度を1oso’c以下として
いるので、酸化物超電導体を安定して融解させることが
可能となり、この溶Iamより適切な速度で徐冷するこ
とにより、高品質でしかも比較的大型な単結晶を得るこ
とが可能となる。
(実施例)
次に、本発明の実施例について説明する。
実施例1
粒径2〜5μ園の、Y2O3粉末、Baco 3粉末お
よびCuO粉末を用イテ、YOl、55molL ea
o 34■0目、Cu061101%となるように所定
量計量し、充分混合した後、白金るつぼに収容して酸素
雰囲気中にて加熱し、上記混合物を融解させた。この際
の液相生成温度は、950℃であった。
よびCuO粉末を用イテ、YOl、55molL ea
o 34■0目、Cu061101%となるように所定
量計量し、充分混合した後、白金るつぼに収容して酸素
雰囲気中にて加熱し、上記混合物を融解させた。この際
の液相生成温度は、950℃であった。
そして、上記混合物と同組成のものを970℃で24時
間保持し充分均一に融解した後、100℃まで20時間
かけて徐冷し、この後酸素ガスを供給しながら炉冷し、
10111X 101111X 21m+1の大きさの
酸化物超電導体単結晶を得た。
間保持し充分均一に融解した後、100℃まで20時間
かけて徐冷し、この後酸素ガスを供給しながら炉冷し、
10111X 101111X 21m+1の大きさの
酸化物超電導体単結晶を得た。
このようにして得た酸化物超電導体単結晶について、X
線回折を行い甲結晶体であることを確認した。
線回折を行い甲結晶体であることを確認した。
また、この酸化物超電導体単結晶のの臨界温度、電気抵
抗の急激な降下開始温度と電気抵抗が零となる値との差
・ΔTCおよび臨界電流密度を測定したところ、臨界温
度91に、ΔTCIKとそれぞれ優れた値が得られた。
抗の急激な降下開始温度と電気抵抗が零となる値との差
・ΔTCおよび臨界電流密度を測定したところ、臨界温
度91に、ΔTCIKとそれぞれ優れた値が得られた。
実施例2
粒径2〜5μ腸の、Y2O3粉末0.5mol 。
BaC03粉末2101 、 COO粉末3O101を
、充分混合して大気中900℃で48時間焼成して反応
させた後、この焼成物をさらに酸素中で800℃で24
時間焼成して反応させ、酸素空位に酸素を導入した後、
ボールミルを用いて粉砕し、Y−Ba−Cu−0系酸化
物超電導体粉末を得た。
、充分混合して大気中900℃で48時間焼成して反応
させた後、この焼成物をさらに酸素中で800℃で24
時間焼成して反応させ、酸素空位に酸素を導入した後、
ボールミルを用いて粉砕し、Y−Ba−Cu−0系酸化
物超電導体粉末を得た。
次に、この酸化物超電導体粉末と、融剤としてPbO粉
末およびY2O5粉末とを用いて、酸化物fBIFi導
体25++ol、 Pb037.5so1%、V205
37.5molχとなるように所定楚評1し、充分混合
した後、白金るつぼに収容して酸素雰囲気中にて加熱し
、上記混合物を融解させた。この際の液相生成温度は、
700℃であった。
末およびY2O5粉末とを用いて、酸化物fBIFi導
体25++ol、 Pb037.5so1%、V205
37.5molχとなるように所定楚評1し、充分混合
した後、白金るつぼに収容して酸素雰囲気中にて加熱し
、上記混合物を融解させた。この際の液相生成温度は、
700℃であった。
そして、上記混合物と同組成のものをaoo’c−c2
4時間保持し充分均一に融解した後、500℃まで3O
時間かけて徐冷し、この後酸素ガスを供給しながら炉冷
して、l0IIX 10■IX 1G11の大ぎさの酸
化物超電導体単結晶を得た。
4時間保持し充分均一に融解した後、500℃まで3O
時間かけて徐冷し、この後酸素ガスを供給しながら炉冷
して、l0IIX 10■IX 1G11の大ぎさの酸
化物超電導体単結晶を得た。
このようにして得た酸化物超電導体単結晶について、X
ll@析を行い単結晶体であることを確認した。
ll@析を行い単結晶体であることを確認した。
また、この酸化物超電導体中結晶のの臨界温度、電気抵
抗の急激な降下開始温度と電気抵抗が零となる鎗との差
・ΔTCおよび臨界電流密度を測定したところ、臨界温
度90に、ΔTCIKとそれぞれ優れた値が得られた。
抗の急激な降下開始温度と電気抵抗が零となる鎗との差
・ΔTCおよび臨界電流密度を測定したところ、臨界温
度90に、ΔTCIKとそれぞれ優れた値が得られた。
[発明の効果、]
以上の実施例からも明らかなように、本発明の酸化物超
電導体単結晶の製造方法によれば、酸化動用Ti導体と
融剤との混合物の融解時における液相湯度を1050℃
以下としているので、酸化物超電導体が安定して融解し
、よってこのWI融液から単結晶を析出させることによ
り、高品質でしかも比較的大型な酸化動用ff239体
単結晶を冑ることが可能となる。
電導体単結晶の製造方法によれば、酸化動用Ti導体と
融剤との混合物の融解時における液相湯度を1050℃
以下としているので、酸化物超電導体が安定して融解し
、よってこのWI融液から単結晶を析出させることによ
り、高品質でしかも比較的大型な酸化動用ff239体
単結晶を冑ることが可能となる。
出願人 株式会社 東芝
代理人 弁理士 須 山 佐 −
Claims (6)
- (1)酸化物超電導体粉末または加熱により酸化物超電
導体となる原料粉末と融剤との混合物を融解し、次いで
結晶析出温度範囲内を所定の速度で徐冷して酸化物超電
導体単結晶を育成する方法であつて、前記混合物の液相
生成温度が1050℃以下であることを特徴とする酸化
物超電導体単結晶の製造方法。 - (2)前記徐冷を行つた後に、大気中の酸素分圧より高
い酸素分圧を有する雰囲気中で冷却することを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の酸化物超電導体単結晶の
製造方法。 - (3)前記徐冷速度が、20℃/時間〜0.2℃/時間
の範囲であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の酸化物超電導体単結晶の製造方法。 - (4)前記酸化物超電導体は、希土類元素を含有するペ
ロブスカイト型の酸化物超電導体であることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の酸化物超電導体単結晶の
製造方法。 - (5)前記酸化物超電導体は、希土類元素、Baおよび
Cuを原子比で実質的に1:2:3の割合で含有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の酸化物超電
導体単結晶の製造方法。 - (6)前記酸化物超電導体は、LnBa_2Cu_3O
_7_−_δ(Lnは希土類元素から選ばれた少なくと
も1種の元素を、δは酸素欠陥を表す。)で示される酸
素欠陥型ペロブスカイト構造の酸化物超電導体であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の酸化物超電
導体単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62314361A JPH01157499A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 酸化物超電導体単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62314361A JPH01157499A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 酸化物超電導体単結晶の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01157499A true JPH01157499A (ja) | 1989-06-20 |
Family
ID=18052407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62314361A Pending JPH01157499A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 酸化物超電導体単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01157499A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02188500A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-24 | Nec Corp | 酸化物単結晶育成方法 |
FR2689524A1 (fr) * | 1992-04-06 | 1993-10-08 | Alsthom Cge Alcatel | Procédé de fabrication d'un lingot en oxyde supraconducteur à haute température critique. |
US5308800A (en) * | 1992-03-23 | 1994-05-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Apparatus and method for forming textured bulk high temperature superconducting materials |
CN108666428A (zh) * | 2018-04-04 | 2018-10-16 | 石家庄铁道大学 | 一种钙钛矿单晶薄膜太阳能电池制备方法及器件 |
-
1987
- 1987-12-11 JP JP62314361A patent/JPH01157499A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02188500A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-24 | Nec Corp | 酸化物単結晶育成方法 |
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EP0565415A2 (fr) * | 1992-04-06 | 1993-10-13 | Alcatel | Procédé de fabrication d'un lingot en oxyde supraconducteur à haute température critique |
US5376622A (en) * | 1992-04-06 | 1994-12-27 | Alcatel Alsthom Compagnie Generale D'electricite | Method of manufacturing an ingot of a high critical temperature superconductive oxide |
EP0565415A3 (ja) * | 1992-04-06 | 1995-03-29 | Alsthom Cge Alcatel | |
CN108666428A (zh) * | 2018-04-04 | 2018-10-16 | 石家庄铁道大学 | 一种钙钛矿单晶薄膜太阳能电池制备方法及器件 |
CN108666428B (zh) * | 2018-04-04 | 2022-02-25 | 石家庄铁道大学 | 一种钙钛矿单晶薄膜太阳能电池制备方法及器件 |
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