JPH01301522A - セラミック系導電材料 - Google Patents
セラミック系導電材料Info
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- JPH01301522A JPH01301522A JP63132024A JP13202488A JPH01301522A JP H01301522 A JPH01301522 A JP H01301522A JP 63132024 A JP63132024 A JP 63132024A JP 13202488 A JP13202488 A JP 13202488A JP H01301522 A JPH01301522 A JP H01301522A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はジョセフソン素子、超伝導モーター、超伝導マ
グネット等に用いるセラミック系導電材料に関する。
グネット等に用いるセラミック系導電材料に関する。
（従来の技術）
液体窒素温度以上の臨界温度を持つセラミック系導電材
料（超伝導材料）は大別してＨＯｕＳｔＯｎ大学のＣ，
Ｗ、Ｃｈｕらが発見したＹ−Ｂａ−Ｃａ−０系、科学技
術庁金属材料技術研究所の前用らが発見したＢ１−３ｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系とＡｒｋａｎｓａｓ大学のＡ、Ｍ、
Ｈｅｒｍａｎｎらが発見したＴｌ−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ−
０系の３種類ある。これらの物質特性の詳細はＰｈｙｓ
ｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒ、Ｖｏｌ。
料（超伝導材料）は大別してＨＯｕＳｔＯｎ大学のＣ，
Ｗ、Ｃｈｕらが発見したＹ−Ｂａ−Ｃａ−０系、科学技
術庁金属材料技術研究所の前用らが発見したＢ１−３ｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系とＡｒｋａｎｓａｓ大学のＡ、Ｍ、
Ｈｅｒｍａｎｎらが発見したＴｌ−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ−
０系の３種類ある。これらの物質特性の詳細はＰｈｙｓ
ｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒ、Ｖｏｌ。
５８、 Ｎ ｏ、 ９． ｐ ９０８−９１０．
１９８７、Ｎ１ｋｋｅｉ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
１９８８年４月１８日号（Ｎｏ、４４５）ｐ１７５やＮ
ａｔｕｒｅ （Ｌｏｎｄｏｎ）Ｎｏ、３３２．ｐ５５゜
１９８８等に述べられている。
１９８７、Ｎ１ｋｋｅｉ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
１９８８年４月１８日号（Ｎｏ、４４５）ｐ１７５やＮ
ａｔｕｒｅ （Ｌｏｎｄｏｎ）Ｎｏ、３３２．ｐ５５゜
１９８８等に述べられている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら従来の超伝導材料はＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系
は加水分解し易いため耐環境性が悪く尚且希土類元素の
産出地域が偏っている（日本は産出無し）、Ｂ１−３ｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系は単相の作成が困Ｈ（高臨界温度相
と低臨界温度相の混相で高臨界温度相は５０％未満であ
り臨界電流密度、臨界磁界の低下を招く）、ＴＩ−Ｃａ
−Ｂａ−〇系は毒性が強いなどの問題を有していた。特
に加水分解し易い点や毒性が強い点は応用分野を非常に
限定させていた。
は加水分解し易いため耐環境性が悪く尚且希土類元素の
産出地域が偏っている（日本は産出無し）、Ｂ１−３ｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系は単相の作成が困Ｈ（高臨界温度相
と低臨界温度相の混相で高臨界温度相は５０％未満であ
り臨界電流密度、臨界磁界の低下を招く）、ＴＩ−Ｃａ
−Ｂａ−〇系は毒性が強いなどの問題を有していた。特
に加水分解し易い点や毒性が強い点は応用分野を非常に
限定させていた。
本発明はこの様な問題を解決するものでありＢ１−３ｒ
−Ｃａ−０系の高臨界温度の単相化を図り毒性がなく、
耐環境性に優れ、質が良く（単相化）応用分野の限定の
少ないセラミック系導電材料（超電導材料）を得んとす
るものである。
−Ｃａ−０系の高臨界温度の単相化を図り毒性がなく、
耐環境性に優れ、質が良く（単相化）応用分野の限定の
少ないセラミック系導電材料（超電導材料）を得んとす
るものである。
（課題を解決するための手段）
上記の問題を解決するため本発明のセラミック系導電材
料は１）Ｂｉ−Ｍ−Ｃｕ−０系導電物質（ここでＭはＣ
ａ、Ｓｒ、Ｂａより選ばれる複数種元素の組合せ）にＳ
ｎをＳ ｎ ／ Ｂ ｉ比（原子比）で表したとき０．
００７〜０．０７の範囲で添加して成ること２）仮焼を
８００℃以下で行うことを特徴とする。
料は１）Ｂｉ−Ｍ−Ｃｕ−０系導電物質（ここでＭはＣ
ａ、Ｓｒ、Ｂａより選ばれる複数種元素の組合せ）にＳ
ｎをＳ ｎ ／ Ｂ ｉ比（原子比）で表したとき０．
００７〜０．０７の範囲で添加して成ること２）仮焼を
８００℃以下で行うことを特徴とする。
（実施例）
以下実施例に従い本発明の詳細な説明する。先ずオキシ
酢酸ビスマス、酢酸ストロンチウム、酢酸カルシウム、
酢酸銅の微粉末を混合した後純水を加え１００℃に加熱
しながら攪はん分散させる。
酢酸ビスマス、酢酸ストロンチウム、酢酸カルシウム、
酢酸銅の微粉末を混合した後純水を加え１００℃に加熱
しながら攪はん分散させる。
第１表
Ｂｉ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｃｕの基本比率はモル比で２：
２： ２： ３であるが後に加えるＳｎの添加量に
よりＢｉとＣｕの量を調整する。
２： ２： ３であるが後に加えるＳｎの添加量に
よりＢｉとＣｕの量を調整する。
次にこの溶液に酢酸すずを熱処理後の最終組成比（Ｓ
ｎ ／ Ｂ ｉ ）が第１表と成る様に添加し再度撹は
ん分散させる。
ｎ ／ Ｂ ｉ ）が第１表と成る様に添加し再度撹は
ん分散させる。
Ｓｎは仮焼、焼結、アニール処理に於て蒸発し易いため
予め蒸発分を補正して添加する必要がある０本実施例に
おける仕込み値は０．０３〜０゜５である。
予め蒸発分を補正して添加する必要がある０本実施例に
おける仕込み値は０．０３〜０゜５である。
溶解がほぼ完了したら次に３７０℃に加熱し水分を除去
すると共に有機物を燃焼させる。水分を除去していくと
徐々に粘土状になり、更に加熱すると有機物が燃焼して
粉末状になる。
すると共に有機物を燃焼させる。水分を除去していくと
徐々に粘土状になり、更に加熱すると有機物が燃焼して
粉末状になる。
次にこの得られた粉末を６００〜８００℃酸素雰囲気中
に於て３時間仮焼を行い反応物を得る。
に於て３時間仮焼を行い反応物を得る。
この時の仮焼温度は８００℃以上では低融点化合物が溶
融分離（特に拳法は固相反応法に比べ微粉末と成るため
傾向が強い）したり強固な低臨界温度相ができ焼結温度
やアニール温度を調整しても高臨界温度相ができすらく
なるため注意が必要である０次にこの反応物を圧縮成形
した後、８７０°Ｃ酸素雰囲気中に於て１時間焼結、更
に８４５〜８５５℃において１００時間アニール処理（
炉冷）を行いセラミック系導電材料を得た。試料形状は
φ１５１１．Ｏｔ（ｍｍ）である。
融分離（特に拳法は固相反応法に比べ微粉末と成るため
傾向が強い）したり強固な低臨界温度相ができ焼結温度
やアニール温度を調整しても高臨界温度相ができすらく
なるため注意が必要である０次にこの反応物を圧縮成形
した後、８７０°Ｃ酸素雰囲気中に於て１時間焼結、更
に８４５〜８５５℃において１００時間アニール処理（
炉冷）を行いセラミック系導電材料を得た。試料形状は
φ１５１１．Ｏｔ（ｍｍ）である。
次にこの試料をＩＯＫまで冷却しながら磁化測定を行い
高臨界温度相と低臨界温度相の体積比率を割り出した。
高臨界温度相と低臨界温度相の体積比率を割り出した。
その結果を第２表に比較例と共に示す。
１００に級の臨界温度相を高臨界温度相、６０〜８０に
級の臨界温度相を低臨界温度相とし全体積に対する割合
で示されている。但し超電導相以外の相の比率（全体を
１００とした時の残部）は参考値。
級の臨界温度相を低臨界温度相とし全体積に対する割合
で示されている。但し超電導相以外の相の比率（全体を
１００とした時の残部）は参考値。
表より判るようにＳｎを添加することにより顕著に高臨
界温度相が増加している。尚添加範囲はＳｎ／Ｂｉ比（
原子比）で表したとき０．００７〜０．０７内が好まし
い、少ないと添加効果がなく、多すぎると比較例１１と
１２に示すように超電導相そのものが減少する。また過
剰添加は耐環境性も低下させる。
界温度相が増加している。尚添加範囲はＳｎ／Ｂｉ比（
原子比）で表したとき０．００７〜０．０７内が好まし
い、少ないと添加効果がなく、多すぎると比較例１１と
１２に示すように超電導相そのものが減少する。また過
剰添加は耐環境性も低下させる。
第２表
尚現時点ではＳｎがどのサイトに入っているか不明のた
め添加と表現した。
め添加と表現した。
（発明の効果）
以上述べたように本発明によれば低臨界温度相の析出を
抑制できるため安定した超電導体相となり高臨界電流密
度化、高臨界磁界化が図れる。またＢｉ系であるから毒
性がなく、耐環境性に優れ応用分野の限定の少ないセラ
ミック系導電材料と成る。尚この材料はジョセフソン素
子、電磁波センサー、磁気センサー、磁束メモ１尺 磁
気シールド材、送電ケーブル、通信ケーブル、超電導モ
ータ、超電導マグネット等に応用できる。
抑制できるため安定した超電導体相となり高臨界電流密
度化、高臨界磁界化が図れる。またＢｉ系であるから毒
性がなく、耐環境性に優れ応用分野の限定の少ないセラ
ミック系導電材料と成る。尚この材料はジョセフソン素
子、電磁波センサー、磁気センサー、磁束メモ１尺 磁
気シールド材、送電ケーブル、通信ケーブル、超電導モ
ータ、超電導マグネット等に応用できる。
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
代理人弁理士 上柳雅誉 他１名
Claims (2)
- （１）Ｂｉ−Ｍ−Ｃｕ−Ｏ系導電物質（ここでＭはＣａ
、Ｓｒ、Ｂａより選ばれる複数種元素の組合せ）にＳｎ
をＳｎ／Ｂｉ比（原子比）で表したとき０．００７〜０
．０７の範囲で添加して成ることを特徴とするセラミッ
ク系導電材料。 - （２）仮焼を８００℃以下で行うことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のセラミック系導電材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63132024A JPH01301522A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | セラミック系導電材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63132024A JPH01301522A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | セラミック系導電材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01301522A true JPH01301522A (ja) | 1989-12-05 |
Family
ID=15071724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63132024A Pending JPH01301522A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | セラミック系導電材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01301522A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02307828A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-21 | Kokusai Chiyoudendou Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | ビスマス系酸化物高温超電導体 |
-
1988
- 1988-05-30 JP JP63132024A patent/JPH01301522A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02307828A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-21 | Kokusai Chiyoudendou Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | ビスマス系酸化物高温超電導体 |
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