JPH01141821A - 超伝導体 - Google Patents
超伝導体Info
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- JPH01141821A JPH01141821A JP62298395A JP29839587A JPH01141821A JP H01141821 A JPH01141821 A JP H01141821A JP 62298395 A JP62298395 A JP 62298395A JP 29839587 A JP29839587 A JP 29839587A JP H01141821 A JPH01141821 A JP H01141821A
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- superconductor
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Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、比較的高温で零抵抗となる超伝導物質に係わ
り、電力輸送等の分野に利用しうる。
り、電力輸送等の分野に利用しうる。
従来の技術
従来よりＹ −Ｂａ−Ｃｕ−０系またはＬａ−８ｒ−Ｃ
ｕ−０系のセラミック超伝導材料が高温で超伝導現象を
示すことはよく知られている。一般にこの材料は湿式混
合法によって作られる。すなわちＹＯＢａＣＯ５，Ｃｕ
Ｏの粉末に揮発性の溶剤、２３會 例えばエタノール等を加え乳鉢で混練する。この練物を
一度仮焼したのちプレス等で押型にいれ成型し、９５０
℃前後で焼結する。このようにして作られた超伝導体は
、零抵抗となるしきい温度はＴｏ＝７７に以上が得られ
る。
ｕ−０系のセラミック超伝導材料が高温で超伝導現象を
示すことはよく知られている。一般にこの材料は湿式混
合法によって作られる。すなわちＹＯＢａＣＯ５，Ｃｕ
Ｏの粉末に揮発性の溶剤、２３會 例えばエタノール等を加え乳鉢で混練する。この練物を
一度仮焼したのちプレス等で押型にいれ成型し、９５０
℃前後で焼結する。このようにして作られた超伝導体は
、零抵抗となるしきい温度はＴｏ＝７７に以上が得られ
る。
発明が解決しようとする問題点
しかしながらＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系またはＬａ−８ｒ−
Ｃｕ−０系超伝導体は、超伝導を保つ臨界電流密度（以
下電流密度と略す）が極めて小さく、また加工性も極め
て悪いという問題があった。この系の材料に一般的に流
すことのできる電流密度は〜１０ Ａ／ｃｄ程度である
。また、もろく、崩れやすい等電力輸送における電線へ
の加工は不可能であった。
Ｃｕ−０系超伝導体は、超伝導を保つ臨界電流密度（以
下電流密度と略す）が極めて小さく、また加工性も極め
て悪いという問題があった。この系の材料に一般的に流
すことのできる電流密度は〜１０ Ａ／ｃｄ程度である
。また、もろく、崩れやすい等電力輸送における電線へ
の加工は不可能であった。
問題点を解決するだめの手段
本発明は希土類元素にＢａ、Ｃｕを含む酸化物にＩｎ、
あるいはＧａ元素を添加したことを特徴としている
。
あるいはＧａ元素を添加したことを特徴としている
。
作 用
このような母材を出発材料としてＢ ａ Ｃｏ ３゜Ｃ
ｕＯを加え焼結させると高Ｔｃを維持しつつ高電流密度
、かつ粘性のある、言い換えれば線材化可能な超伝導材
料が得られる。
ｕＯを加え焼結させると高Ｔｃを維持しつつ高電流密度
、かつ粘性のある、言い換えれば線材化可能な超伝導材
料が得られる。
実施例
以下実施例をもって説明する。
Ｉｎ及びＹをそれぞれ０．５ ： １で配合した原料を
カーボンボートにいれＨ２気流中にて１０００℃で溶融
させたのち冷却固化させＩｎＹ化合物を作成した。つぎ
にこの化合物とＢ ａ ＣＯｓ及びＣｕＯを混練し９５
０ｔ；に昇温し２時間保持したのち０．６℃／ｉの降温
速度で除冷した。得られた成型品の組成はＩｎ：Ｂａ：
Ｙ：Ｃｕ：Ｏ＝０．５：２：１：３：６である。この成
型品を４端子法によって抵抗の温度依存性を調べると７
７にで零抵抗を示し超伝導体であることが確かめられた
。次に超伝導状態を保持させつつこれに徐々に電流をな
がしてゆくと〜１ｏＡ／ｄ程度の電流密度まで超伝導体
が維持されることがわかった。これは、Ｉｎを添加しな
い場合に比べ約３桁高い値である。
カーボンボートにいれＨ２気流中にて１０００℃で溶融
させたのち冷却固化させＩｎＹ化合物を作成した。つぎ
にこの化合物とＢ ａ ＣＯｓ及びＣｕＯを混練し９５
０ｔ；に昇温し２時間保持したのち０．６℃／ｉの降温
速度で除冷した。得られた成型品の組成はＩｎ：Ｂａ：
Ｙ：Ｃｕ：Ｏ＝０．５：２：１：３：６である。この成
型品を４端子法によって抵抗の温度依存性を調べると７
７にで零抵抗を示し超伝導体であることが確かめられた
。次に超伝導状態を保持させつつこれに徐々に電流をな
がしてゆくと〜１ｏＡ／ｄ程度の電流密度まで超伝導体
が維持されることがわかった。これは、Ｉｎを添加しな
い場合に比べ約３桁高い値である。
実施例２
実施例１に述べた方法と同一条件においてＩｎのかわり
にＧａを使い成型品を作成した。その結果Ｔ。はＩｎと
同様７７に付近で超伝導体になるとともに電流密度も〜
１０八／ｉが得られＧａにおいても同様の効果が得られ
ることがわかった。
にＧａを使い成型品を作成した。その結果Ｔ。はＩｎと
同様７７に付近で超伝導体になるとともに電流密度も〜
１０八／ｉが得られＧａにおいても同様の効果が得られ
ることがわかった。
実施例３
Ｉｎ 、Ｌａ Ｓｒ で配合した原料をカーボ
０．５ ２’ ２ ンボートにいれＨ２気流中にて１０００℃で溶融させた
のち冷却固化させＩｎＬａＳｒ化合物を作成した。つぎ
にこの化合物とＣｕＯを混練し９５０℃に昇温し２時間
保持したのち０．６℃／薦ｉの降温速度で除冷した。得
られた成型品の組成はＩｎ：Ｌａ：Ｓｒ：Ｃｕ：Ｏ＝０
．５：２：２：１ ：４ である。この場合Ｔｏは〜
８０にと高くまた〜１０”Ａ／ｄの電流密度が得られた
。
０．５ ２’ ２ ンボートにいれＨ２気流中にて１０００℃で溶融させた
のち冷却固化させＩｎＬａＳｒ化合物を作成した。つぎ
にこの化合物とＣｕＯを混練し９５０℃に昇温し２時間
保持したのち０．６℃／薦ｉの降温速度で除冷した。得
られた成型品の組成はＩｎ：Ｌａ：Ｓｒ：Ｃｕ：Ｏ＝０
．５：２：２：１ ：４ である。この場合Ｔｏは〜
８０にと高くまた〜１０”Ａ／ｄの電流密度が得られた
。
実施例４
実施例１に述べた方法と同一条件においてＩｎのかわり
にＧａを使い組成がＧａ：Ｌａ：Ｓｒ：Ｃｕ：０＝０．
５：２：２：１ ：４の成型品を作成した。その結果Ｔ
。はＩｎと同様７７に付近で超伝導体になるとともに電
流密度も〜１０５Ａ／（−３９が得られＧａにおいても
同様の効果が得られることがわかった。
にＧａを使い組成がＧａ：Ｌａ：Ｓｒ：Ｃｕ：０＝０．
５：２：２：１ ：４の成型品を作成した。その結果Ｔ
。はＩｎと同様７７に付近で超伝導体になるとともに電
流密度も〜１０５Ａ／（−３９が得られＧａにおいても
同様の効果が得られることがわかった。
実施例５
実施例１と同様の製造条件においてＩｎ：Ｂａ：Ｙ：○
＝！：２：１：３：６（７）組成にオイてｘｆ、ｏ、１
から３まで変化させたところＸが０．１から２．６まで
の範囲においては７７にのＴＣであシまた〜１ｏ５Ａ／
ｄの電流密度が得られることがわかった。
＝！：２：１：３：６（７）組成にオイてｘｆ、ｏ、１
から３まで変化させたところＸが０．１から２．６まで
の範囲においては７７にのＴＣであシまた〜１ｏ５Ａ／
ｄの電流密度が得られることがわかった。
したがってＩｎ濃度が上記の範囲内であれば実用域にあ
ると言える。またＧａにおいてもＸが０．１から２．６
の範囲で同様の効果が得られた。
ると言える。またＧａにおいてもＸが０．１から２．６
の範囲で同様の効果が得られた。
実施例６
実施例１と同様の製造条件においてＩｎ：Ｌａ：Ｓｒ：
Ｃｕ：Ｏ＝ｘ：２：２：１ ：４の組成においてＸを０
．１から３−１：で変化させたところＸが０．１から２
．５までの範囲においては７７に以上のＴｏであり、ま
た〜１０５Ａ／ｉの電流密度が得られることがわかった
。したがってＩｎ濃度が範囲内であれば実用域にあると
言える。またＩｎをＧａにおきかえてもＸが０．１から
２．６の範囲で同様の効果が得られた。
Ｃｕ：Ｏ＝ｘ：２：２：１ ：４の組成においてＸを０
．１から３−１：で変化させたところＸが０．１から２
．５までの範囲においては７７に以上のＴｏであり、ま
た〜１０５Ａ／ｉの電流密度が得られることがわかった
。したがってＩｎ濃度が範囲内であれば実用域にあると
言える。またＩｎをＧａにおきかえてもＸが０．１から
２．６の範囲で同様の効果が得られた。
実施例７
実施例１〜６の組成範囲内において０の組成ｙを７＝４
〜９の範囲で変化させたところ上記のＴｏ＝７７に、電
流密度〜１０”Ａ／（ｉの値は７＝５〜８の範囲でえら
れた。
〜９の範囲で変化させたところ上記のＴｏ＝７７に、電
流密度〜１０”Ａ／（ｉの値は７＝５〜８の範囲でえら
れた。
なお、希土類元素Ｙ、Ｌａ等は極めて酸化されやすく、
一般には酸化物の形で取り扱う。一方ＩｎあるいはＧａ
金属は還元雰囲気中において前記希土類元素と溶融し、
ＩｎあるいはＧａ金属中に希土類元素を含んだ母材を容
易につくることができる。
一般には酸化物の形で取り扱う。一方ＩｎあるいはＧａ
金属は還元雰囲気中において前記希土類元素と溶融し、
ＩｎあるいはＧａ金属中に希土類元素を含んだ母材を容
易につくることができる。
以上の材料においてはすべて金属的な粘性が得られ加工
性に富み線材化可能であることがわかった。
性に富み線材化可能であることがわかった。
発明の効果
以上述べたように本発明によればＩｎあるいはＧａ と
希土類元素及びＢａ、Ｃｕからなる酸化物によって高Ｔ
。、高電流密度かつ加工性に富む超伝導体が得られる。
希土類元素及びＢａ、Ｃｕからなる酸化物によって高Ｔ
。、高電流密度かつ加工性に富む超伝導体が得られる。
Claims (6)
- （１）少なくとも希土類元素と、ＩｎあるいはＧａを含
むことを特徴とする超伝導体。 - （２）Ｙ，Ｂａ，Ｃｕ，Ｏを加えたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の超伝導体。 - （３）Ｌａ，Ｓｒ，Ｃｕ，Ｏを加えたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の超伝導体。 - （４）Ｉｎ：Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ：Ｏ＝ｘ：１：２：３：ｙ
あるいはＧａ：Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ：Ｏ＝ｘ：１：２：３：
ｙなる組成においてｘ＝０．１〜２．５の範囲であるこ
とを特徴とす特許請求の範囲第２項記載の超伝導体。 - （５）Ｉｎ：Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ：Ｏ＝ｘ：１：２：３：ｙ
あるいはＧａ：Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ：Ｏ＝ｘ：１：２：３：
ｙなる組成においてｙ＝５〜８の範囲であることを特徴
とする特許請求の範囲第２項記載の超伝導体。 - （６）Ｉｎ：Ｌａ：Ｓｒ：Ｃｕ：Ｏ＝ｘ：２：２：１：
ｙあるいはＧａ：Ｌａ：Ｓｔ：Ｃｕ：Ｏ＝ｘ：２：２：
１：ｙなる組成においてｙ＝５〜８の範囲であることを
特徴とする第３項記載の超伝導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62298395A JPH01141821A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 超伝導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62298395A JPH01141821A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 超伝導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01141821A true JPH01141821A (ja) | 1989-06-02 |
Family
ID=17859146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62298395A Pending JPH01141821A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 超伝導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01141821A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0393624A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-18 | Hitachi Ltd | Ｉｎ―Ｂａ―Ｙ及び／又はＣａ―Ｃｕ―Ｏ系超電導物質 |
-
1987
- 1987-11-26 JP JP62298395A patent/JPH01141821A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0393624A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-18 | Hitachi Ltd | Ｉｎ―Ｂａ―Ｙ及び／又はＣａ―Ｃｕ―Ｏ系超電導物質 |
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