JPH0340244A - 読み出し専用光ディスク - Google Patents
読み出し専用光ディスクInfo
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- JPH0340244A JPH0340244A JP1176534A JP17653489A JPH0340244A JP H0340244 A JPH0340244 A JP H0340244A JP 1176534 A JP1176534 A JP 1176534A JP 17653489 A JP17653489 A JP 17653489A JP H0340244 A JPH0340244 A JP H0340244A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザーを用いて情報の読み出しを行う光ディ
スクに関し、特に信頼性、耐候性に優れた読み出し専用
の光ディスクに関するものである。
スクに関し、特に信頼性、耐候性に優れた読み出し専用
の光ディスクに関するものである。
（従来の技術）
読み出し専用の光ディスクとしてコンパクトディスク（
以下、ＣＤと呼ぶ。）が広く知られている。ＣＤはポリ
カーボネート基板（以下、ＰＣ基板と呼ぶ。）上にアル
ミニウムからなる反射膜及びＵＶ硬化樹脂からなる保護
膜を設けた構成になっており、予めＰＣ基板上に形成さ
れた微小な凹凸（以下、ピットと呼ぶ。）による光の変
調を利用して、音声の再生を可能にするものである。
以下、ＣＤと呼ぶ。）が広く知られている。ＣＤはポリ
カーボネート基板（以下、ＰＣ基板と呼ぶ。）上にアル
ミニウムからなる反射膜及びＵＶ硬化樹脂からなる保護
膜を設けた構成になっており、予めＰＣ基板上に形成さ
れた微小な凹凸（以下、ピットと呼ぶ。）による光の変
調を利用して、音声の再生を可能にするものである。
また、近年、上述した音声再生用のみならず、ＣＤ−Ｒ
ＯＭと呼ばれる各種データの読み出し専用光ディスクも
いろいろな分野に用いられつつある。
ＯＭと呼ばれる各種データの読み出し専用光ディスクも
いろいろな分野に用いられつつある。
例えば、パーソナルコンピュータ用のデー９ｆｊＸ体、
電子出版媒体などへ展開している。
電子出版媒体などへ展開している。
〈発明が解決しようとする課題）
ＣＤ−ＲＯＭは従来のＣＤ作製技術によりＰＣ基板を用
いて容易に作製できるが、読み出しの信頼性、データの
保存性（ＣＤ−ＲＯＭの耐候性）を強く要求される場合
はＰＣ基板では問題となる。即ち、ＰＣ基板が持つ吸水
性、透湿性のために反りあるいは反射膜の腐食、剥離な
どの劣化を生じ易い。更に、ＣＤにおいても、例えば車
両搭載などを考えると、その環境条件は苛酷なものであ
り、より高品質のものが求められる。
いて容易に作製できるが、読み出しの信頼性、データの
保存性（ＣＤ−ＲＯＭの耐候性）を強く要求される場合
はＰＣ基板では問題となる。即ち、ＰＣ基板が持つ吸水
性、透湿性のために反りあるいは反射膜の腐食、剥離な
どの劣化を生じ易い。更に、ＣＤにおいても、例えば車
両搭載などを考えると、その環境条件は苛酷なものであ
り、より高品質のものが求められる。
本発明の目的は高信頼性、高耐候性を有する読み出し専
用光ディスクを提供することにある。
用光ディスクを提供することにある。
（課題を解決するための手段）
以下、第１図を用いて本発明を説明する。第１図は、本
発明の概略断面図である。
発明の概略断面図である。
本発明によれば、吸湿性、透湿性のないガラス基板を用
い、まず、拡散防止層２ａ、 ２ｂを両面に形成する。
い、まず、拡散防止層２ａ、 ２ｂを両面に形成する。
次に、その拡散防止層の一方の面にいわゆるゾルゲル法
と呼ばれる手法を用いて、有機金属化合物を焼成するこ
とにより得られるガラス状のピットパターンをもった金
属アルコレートの焼成層３を形成し、次いで高耐食性の
反射膜４、保護膜５を順次積層することにより、高信頼
性の読み出し専用光ディスクが得られる。
と呼ばれる手法を用いて、有機金属化合物を焼成するこ
とにより得られるガラス状のピットパターンをもった金
属アルコレートの焼成層３を形成し、次いで高耐食性の
反射膜４、保護膜５を順次積層することにより、高信頼
性の読み出し専用光ディスクが得られる。
ガラス基板１としては通常のソーダライムガラス、アル
ミノケイ酸ガラスなどが用いられるが、光ディスクとし
ての信頼性の賎点からみると、化学強化を施されたもの
が好ましい。
ミノケイ酸ガラスなどが用いられるが、光ディスクとし
ての信頼性の賎点からみると、化学強化を施されたもの
が好ましい。
しかしながら、通常の化学強化を行うためにはガラスが
Ｌｉ、Ｎａなとのアルカリ金属を含むことが必要になる
。このアルカリ金属は、ガラスを高温高湿下に置いた場
合、ガラス表面に拡散し、例えばＮａ２ＣＯ３のような
塩に変化することが良く知られている。このような変化
はレーザ光を照射して読み出しを行う際の障害となり、
光ディスクとしての特性上好ましくない。そこで、この
様な塩の析出を防ぐ拡散防止層２ａ、 ２ｂが必要にな
る。この拡散防止層２ａ、 ２ｂとしては各種無機酸化
物を用いることが出来るが、光ディスクとしての特性を
勘案すると、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、 Ｚｒ、 Ａｌ、 Ｓ
ｎ、 Ｃｒの酸化物を単独もしくは組み合わせて使用す
ることが好ましい。また、Ｓｉ３Ｎ４も良好な結果を示
す。これらの酸化物あるいは窒化物はスパッタ法などに
より容易に形成することが出来る。
Ｌｉ、Ｎａなとのアルカリ金属を含むことが必要になる
。このアルカリ金属は、ガラスを高温高湿下に置いた場
合、ガラス表面に拡散し、例えばＮａ２ＣＯ３のような
塩に変化することが良く知られている。このような変化
はレーザ光を照射して読み出しを行う際の障害となり、
光ディスクとしての特性上好ましくない。そこで、この
様な塩の析出を防ぐ拡散防止層２ａ、 ２ｂが必要にな
る。この拡散防止層２ａ、 ２ｂとしては各種無機酸化
物を用いることが出来るが、光ディスクとしての特性を
勘案すると、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、 Ｚｒ、 Ａｌ、 Ｓ
ｎ、 Ｃｒの酸化物を単独もしくは組み合わせて使用す
ることが好ましい。また、Ｓｉ３Ｎ４も良好な結果を示
す。これらの酸化物あるいは窒化物はスパッタ法などに
より容易に形成することが出来る。
所望のピットパターンを拡散防止層の上に形成するには
、以下に示すようにゾルゲル法を用いて容易に行うこと
が出来る。
、以下に示すようにゾルゲル法を用いて容易に行うこと
が出来る。
まず、金属アルコレート、水、塩酸、アルコールなどか
ら成る塗布溶液を調製し、ガラス基板上に所定の厚さに
なるようにスピンコードする。次いで、所望のピットパ
ターンになるように設計された樹脂製の型を押し当て、
６０〜１２０°Ｃ程度の温度で一次焼成を行う。その後
、ガラス基板を離型し、２５０〜４００°Ｃで二次焼成
を行い、溶剤、添加剤などの有機成分を除去することに
より所望のピットパターンを有する非晶質の金属酸化物
層３を形成できる。
ら成る塗布溶液を調製し、ガラス基板上に所定の厚さに
なるようにスピンコードする。次いで、所望のピットパ
ターンになるように設計された樹脂製の型を押し当て、
６０〜１２０°Ｃ程度の温度で一次焼成を行う。その後
、ガラス基板を離型し、２５０〜４００°Ｃで二次焼成
を行い、溶剤、添加剤などの有機成分を除去することに
より所望のピットパターンを有する非晶質の金属酸化物
層３を形成できる。
ここで用いられる金属アルコレートとしては各種の金属
アルコレー、例えばＳｉ、 Ｔｉ、 Ｚｒ、 Ａｌ、
Ｂなどのアルコレート、が使用できるが、光ディスクと
しての特性、製造上の取り扱いやすさなどから、Ｓｉ系
アルコレートあるいはＳｉ系アルコレートとＴｉ系アル
コレートの混合系が好ましい。
アルコレー、例えばＳｉ、 Ｔｉ、 Ｚｒ、 Ａｌ、
Ｂなどのアルコレート、が使用できるが、光ディスクと
しての特性、製造上の取り扱いやすさなどから、Ｓｉ系
アルコレートあるいはＳｉ系アルコレートとＴｉ系アル
コレートの混合系が好ましい。
このようにして所望のピットパターンを有する透明なガ
ラス基板を得ることができる。
ラス基板を得ることができる。
次に、得られたピットパターンを有する焼成層の上に、
反射膜４をスパッタ法などにより付け、更に、保護膜５
をその上に被覆することにより読み出し専用光ディスク
が得られる。
反射膜４をスパッタ法などにより付け、更に、保護膜５
をその上に被覆することにより読み出し専用光ディスク
が得られる。
反射膜４の材料としては、各種の金属、金属窒化物など
を用いることが出来るが、高耐食性を示すものが好まし
く、Ａｕ、 Ａｕ系合金、ＴｉＮが本発明の目的を満た
す。
を用いることが出来るが、高耐食性を示すものが好まし
く、Ａｕ、 Ａｕ系合金、ＴｉＮが本発明の目的を満た
す。
保護膜５としては、５ｉ０２などの無機酸化物、Ｓｉ３
Ｎ４などの無機窒化物のような無機系のものあるいはＵ
Ｖ硬化樹脂などのような有機系のものが単独もしくは組
み合わせて使用できる。
Ｎ４などの無機窒化物のような無機系のものあるいはＵ
Ｖ硬化樹脂などのような有機系のものが単独もしくは組
み合わせて使用できる。
（作用）
本発明による読み出し専用光ディスクは、耐湿性に優れ
る拡散防止層付きのガラス基板及び耐食性に優れる反射
膜を有しているために、高い信頼性を実現できる。
る拡散防止層付きのガラス基板及び耐食性に優れる反射
膜を有しているために、高い信頼性を実現できる。
（実施例）
以下、実施例に基づき詳細に説明する。
実施例１
化学強化されたガラス基板上に、スパッタ法によりガラ
ス基板の両面に５ｉ０２膜を１０００Ａ形威し、拡散防
止層とした。次いで、一方の５ｉ０２膜の上に、テトラ
エトキシシラン、塩酸、水、ポリエチレングリコールを
含むエチルアルコール溶液をスピンコードし、有機金属
化合物を２０００〜３０００Ａ形成した。次いで、表面
に所定のビットパターンを有する樹脂製の型を有機金属
化合物層に押し当て、ビットパターンを転写すると共に
１２０’Ｃで一次焼成を行った。その後、ガラス基板を
離型し、３５０°Ｃで二次焼成を行った。
ス基板の両面に５ｉ０２膜を１０００Ａ形威し、拡散防
止層とした。次いで、一方の５ｉ０２膜の上に、テトラ
エトキシシラン、塩酸、水、ポリエチレングリコールを
含むエチルアルコール溶液をスピンコードし、有機金属
化合物を２０００〜３０００Ａ形成した。次いで、表面
に所定のビットパターンを有する樹脂製の型を有機金属
化合物層に押し当て、ビットパターンを転写すると共に
１２０’Ｃで一次焼成を行った。その後、ガラス基板を
離型し、３５０°Ｃで二次焼成を行った。
このようにして作製したビットパターンを有する焼成層
の上に、反射膜としてスパッタ法でＡｕ−Ｔａ合金膜を
約１０００人、保護膜として５ｉ０２膜を１ｏｏｏＡ順
次成膜した。
の上に、反射膜としてスパッタ法でＡｕ−Ｔａ合金膜を
約１０００人、保護膜として５ｉ０２膜を１ｏｏｏＡ順
次成膜した。
得られた光ディスクを８０°Ｃ１９０％ＲＨ下で耐候性
を評価したところ、初期値が１．８Ｘ１０＝であったブ
ロックエラーレートが、５００時間後には２．ｌＸ１０
−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変化は
再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
を評価したところ、初期値が１．８Ｘ１０＝であったブ
ロックエラーレートが、５００時間後には２．ｌＸ１０
−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変化は
再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０°Ｃ１９０％ＲＨの条件下に１時間はど放置
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
実施例２
化学強化されたガラス基板両面に、スパッタ法により５
ｉ０２−Ｔａ２０５膜を１ｏｏｏＡ形威した。次いで、
一方の５ｉ０２−Ｔａ２０５膜の上に、テトラエトキシ
シラン、塩酸、水、ポリエチレングリコールを含むエチ
ルアルコール溶液をスピンコードし、有機金属化合物層
を２０００〜３０００Ａ形威した。次いで、表面に所定
のビットパターンを有する樹脂製の型を有機金属化合物
層に押し当て、ピントパターンを転写すると共に１２０
°Ｃで一次焼成を行った。その後、ガラス基板を離型し
、３５０°Ｃで二次焼成を行った。
ｉ０２−Ｔａ２０５膜を１ｏｏｏＡ形威した。次いで、
一方の５ｉ０２−Ｔａ２０５膜の上に、テトラエトキシ
シラン、塩酸、水、ポリエチレングリコールを含むエチ
ルアルコール溶液をスピンコードし、有機金属化合物層
を２０００〜３０００Ａ形威した。次いで、表面に所定
のビットパターンを有する樹脂製の型を有機金属化合物
層に押し当て、ピントパターンを転写すると共に１２０
°Ｃで一次焼成を行った。その後、ガラス基板を離型し
、３５０°Ｃで二次焼成を行った。
このようにして作製したビットパターンを有する焼成層
の上に、スパッタ法でＡｕ−Ｔａ合金膜を約１０００人
、５ｉ０２膜を１０００Ａ順次戒膜した。
の上に、スパッタ法でＡｕ−Ｔａ合金膜を約１０００人
、５ｉ０２膜を１０００Ａ順次戒膜した。
得られた光ディスクを８０°Ｃ１９０％ＲＨ下で耐候性
を評価したところ、初期値が２．２Ｘ１０−３であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には２．４Ｘ１
０＝にやや増加した。しかしながら、この程度の変化は
再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
を評価したところ、初期値が２．２Ｘ１０−３であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には２．４Ｘ１
０＝にやや増加した。しかしながら、この程度の変化は
再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０°Ｃ１９０％ＲＨの条件下に１時間はど放置
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
実施例３
化学強化されたガラス基板の両面に、スパッタ法により
５ｉ０２−Ｔｉ０２膜を１ｏｏｏＡ形戊した。次に、実
施例２と同様に、順次焼成層、反射膜、保護膜を形成し
た。
５ｉ０２−Ｔｉ０２膜を１ｏｏｏＡ形戊した。次に、実
施例２と同様に、順次焼成層、反射膜、保護膜を形成し
た。
得られた光ディスクを８０’Ｃ，９０％ＲＨ下で耐候性
を評価したところ、初期値が１．３Ｘ１０３であったブ
ロックエラーレートが、５００時間後には１．９Ｘ１０
−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変化は
再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
を評価したところ、初期値が１．３Ｘ１０３であったブ
ロックエラーレートが、５００時間後には１．９Ｘ１０
−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変化は
再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０°Ｃ１９０％ＲＨの条件下に１時間はど放置
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
実施例４
化学強化されたガラス基板の両面に、スパッタ法により
５ｉ０２−Ｚｒ０２膜を８００Ａ形威した。次に、実施
例２と同様に、順次焼成層、反射膜層、保護膜層を形成
した。
５ｉ０２−Ｚｒ０２膜を８００Ａ形威した。次に、実施
例２と同様に、順次焼成層、反射膜層、保護膜層を形成
した。
得られた光ディスクを８０°０１９０％ＲＨ下で耐候性
を評価したところ、初期値が３．ｌＸ１０ ”であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には３．９Ｘ１
０−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変化
は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
を評価したところ、初期値が３．ｌＸ１０ ”であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には３．９Ｘ１
０−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変化
は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０°Ｃ１９０％ＲＨの条件下に１時間はど放置
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
実施例５
化学強化されたガラス基板の両面に、スパッタ法により
５ｉ０２−Ｃｒ０２膜を８０ＯＡ形成した。次に、実絶
倒２と同様に、順次焼成層、反射膜層、保護膜層を形成
した。
５ｉ０２−Ｃｒ０２膜を８０ＯＡ形成した。次に、実絶
倒２と同様に、順次焼成層、反射膜層、保護膜層を形成
した。
得られた光ディスクを８０００．９０％ＲＨ下で耐候性
を評価したところ、初期値が２．３Ｘ１０＝であったブ
ロックエラーレートが、５００時間後には２．９Ｘ１０
＝にやや増加した。しかしながら、この程度の変化は再
生特性上、何ら問題となるレベルではない。
を評価したところ、初期値が２．３Ｘ１０＝であったブ
ロックエラーレートが、５００時間後には２．９Ｘ１０
＝にやや増加した。しかしながら、この程度の変化は再
生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０°Ｃ１９０％ＲＨの条件下に１時間はど放置
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
実施例６
化学強化されたガラス基板の両面に、スパッタ法により
５ｉ０２−Ａｌ２Ｏ２膜を８００Ａ形威した。次に、実
施例２と同様に、順次焼成層、反射膜、保護膜を形成し
た。
５ｉ０２−Ａｌ２Ｏ２膜を８００Ａ形威した。次に、実
施例２と同様に、順次焼成層、反射膜、保護膜を形成し
た。
得られた光ディスクを８０°Ｃ１９０％ＲＨ下で耐候性
を評価したところ、初期値が２．６Ｘ１０−３であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には３．ｌＸ１
０−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変化
は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
を評価したところ、初期値が２．６Ｘ１０−３であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には３．ｌＸ１
０−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変化
は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０°Ｃ１９０％ＲＨの条件下に１時間はど放置
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
実施例７
化学強化されたガラス基板の両面に、スパッタ法により
５ｉ０２−８ｎ０２膜を１００００００Ａ形威次に、実
施例２と同様に、順次焼成層、反射膜、保護膜を形成し
た。
５ｉ０２−８ｎ０２膜を１００００００Ａ形威次に、実
施例２と同様に、順次焼成層、反射膜、保護膜を形成し
た。
得られた光ディスクを８０°Ｃ１９０％ＲＨ下で耐候性
を評価したところ、初期値が２．２Ｘ１０−３であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には２．６Ｘ１
０−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変化
は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
を評価したところ、初期値が２．２Ｘ１０−３であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には２．６Ｘ１
０−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変化
は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０°Ｃ１９０％ＲＨの条件下に１時間はど放置
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
実施例８
化学強化されたガラス基板の両面に、スパッタ法により
５ｉ０２−Ｔａ２０５膜を１００００００Ａ形威次いで
、一方の５ｉ０２−Ｔａ２０５膜上にテトラエトキシシ
ラン、テトラブトキシチタン、塩酸、水、ポリエチレン
グリコールを含むエチルアルコール溶液をスピンコード
し、有機金属化合物層を２０００〜ａｏｏｏＡ形成した
。次いで、表面に所定のピットパターンを有する樹脂製
の型を有機金属化合物層に押し当て、ピノドパターンを
転写すると共に１００°Ｃで一次焼成を行った。その後
、ガラス基板を離型し、３５０°Ｃで二次焼成を行った
。
５ｉ０２−Ｔａ２０５膜を１００００００Ａ形威次いで
、一方の５ｉ０２−Ｔａ２０５膜上にテトラエトキシシ
ラン、テトラブトキシチタン、塩酸、水、ポリエチレン
グリコールを含むエチルアルコール溶液をスピンコード
し、有機金属化合物層を２０００〜ａｏｏｏＡ形成した
。次いで、表面に所定のピットパターンを有する樹脂製
の型を有機金属化合物層に押し当て、ピノドパターンを
転写すると共に１００°Ｃで一次焼成を行った。その後
、ガラス基板を離型し、３５０°Ｃで二次焼成を行った
。
このようにして作製したピットパターンを有する焼成層
の上に、反射膜としてスパッタ法でＡｕ−Ｇｅ合金膜を
約１ｏｏｏＡ、５ｉｏ２膜を１０００人順次底膜した。
の上に、反射膜としてスパッタ法でＡｕ−Ｇｅ合金膜を
約１ｏｏｏＡ、５ｉｏ２膜を１０００人順次底膜した。
更にその上をＵＶ硬化樹脂層で被覆した。
得られた光ディスクを８０°Ｃ１９０％ＲＨ下で耐候性
を評価したところ、初期値が１．５Ｘ１０−３であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には２．０Ｘ１
０＝にやや増加した。しかしながら、この程度の変化は
再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
を評価したところ、初期値が１．５Ｘ１０−３であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には２．０Ｘ１
０＝にやや増加した。しかしながら、この程度の変化は
再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０°Ｃ１９０％ＲＨの条件下に１時間はど放置
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
実施例９
化学強化されたガラス基板の両面上のりようめに、スパ
ッタ法によりＳｉ３Ｎ４膜を８００Ａ形威した。次いで
、一方のＳｉ３Ｎ４膜の上にテトラエトキシシラン、テ
トラブトキシチタン、塩酸、水、ポリエチレングリコー
ルを含むエチルアルコール溶液をスピンコードし、有機
金属化合物層を２０００〜ａｏｏｏＡ形成した。次いで
、表面に所定のピットパターンを有する樹脂製の型を有
機金属化合物層に押し当て、ピットパターンを転写する
と共に１００°Ｃで一次焼成を行った。その後、ガラス
基板を離型し、３５０°Ｃで二次焼成を行った。
ッタ法によりＳｉ３Ｎ４膜を８００Ａ形威した。次いで
、一方のＳｉ３Ｎ４膜の上にテトラエトキシシラン、テ
トラブトキシチタン、塩酸、水、ポリエチレングリコー
ルを含むエチルアルコール溶液をスピンコードし、有機
金属化合物層を２０００〜ａｏｏｏＡ形成した。次いで
、表面に所定のピットパターンを有する樹脂製の型を有
機金属化合物層に押し当て、ピットパターンを転写する
と共に１００°Ｃで一次焼成を行った。その後、ガラス
基板を離型し、３５０°Ｃで二次焼成を行った。
このようにして作製したピットパターンを有する焼成層
の上に、スパッタ法でＡｕ−Ｇｅ合金膜を約１００ＯＡ
、５ｉ０２膜を１０００人順次底膜した。更にその上を
ＵＶ硬化樹脂層で被覆した。
の上に、スパッタ法でＡｕ−Ｇｅ合金膜を約１００ＯＡ
、５ｉ０２膜を１０００人順次底膜した。更にその上を
ＵＶ硬化樹脂層で被覆した。
得られた光ディスクを８０°Ｃ１９０％ＲＨ下で耐候性
を評価したところ、初期値が１．４Ｘ１０−３であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には１．６Ｘ１
０＝にやや増加した。しかしながら、この程度の変化は
再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
を評価したところ、初期値が１．４Ｘ１０−３であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には１．６Ｘ１
０＝にやや増加した。しかしながら、この程度の変化は
再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０℃、９０％ＲＨの条件下に１時間はど放置し
た後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく再
生できた。
た後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく再
生できた。
実施例１０
実施例２と同様にして作製したピットパターンを有する
焼成層の上に、クラスターイオンビーム法でＴｉＮ膜を
約１ｏｏｏＡ、スパッタ法でＳｉ３Ｎ４膜を８００〜１
０００人順次成膜した底膜にその上をＵＶ硬化樹脂層で
被覆した。
焼成層の上に、クラスターイオンビーム法でＴｉＮ膜を
約１ｏｏｏＡ、スパッタ法でＳｉ３Ｎ４膜を８００〜１
０００人順次成膜した底膜にその上をＵＶ硬化樹脂層で
被覆した。
得られた光ディスクを８０００．９０％ＲＨ下で耐候性
を評価したところ、初期値が２．０Ｘ１０’＝であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には２．５Ｘ１
０−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変化
は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
を評価したところ、初期値が２．０Ｘ１０’＝であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には２．５Ｘ１
０−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変化
は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０°Ｃ１９０％ＲＨの条件下に１時間はど放置
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
実施例１１
実施例２と同様にして作製したピットパターン層の上に
、スパッタ法を用いてＡｕ膜を約１ｏｏｏＡ、Ｓｉ３Ｎ
４膜を８００〜１０００Ａ順次戒膜した。更にその上を
ＵＶ硬化樹脂層で被覆した。
、スパッタ法を用いてＡｕ膜を約１ｏｏｏＡ、Ｓｉ３Ｎ
４膜を８００〜１０００Ａ順次戒膜した。更にその上を
ＵＶ硬化樹脂層で被覆した。
得られた光ディスクを８０°Ｃ１９０％ＲＨ下で耐候性
を評価したところ、初期値が２．４Ｘ１０−３であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には３．３Ｘ１
０−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変化
は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
を評価したところ、初期値が２．４Ｘ１０−３であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には３．３Ｘ１
０−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変化
は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０°Ｃ１９０％ＲＨの条件下に１時間はど放置
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
比較例
市販されている音楽用のＣＤディスクについて同様に耐
候性の評価を行ったところ、ブロックエラーレートは５
Ｘ１０”−４（初期値）から著しく変化し、５００時間
後には測定不能になっていた。また、８０Ｃ，９０％Ｒ
Ｈ条件下に１時間はど放置した後、取り出して再生を行
ったところ、反りが大きいため再生不能であった。
候性の評価を行ったところ、ブロックエラーレートは５
Ｘ１０”−４（初期値）から著しく変化し、５００時間
後には測定不能になっていた。また、８０Ｃ，９０％Ｒ
Ｈ条件下に１時間はど放置した後、取り出して再生を行
ったところ、反りが大きいため再生不能であった。
（発明の効果）
以上述べてきたように、本発明による読み出し専用光デ
ィスクは信頼性、耐候性に優れており、従来使用できな
かった応用分野への展開を可能にするものである。
ィスクは信頼性、耐候性に優れており、従来使用できな
かった応用分野への展開を可能にするものである。
第１図は本発明による読み出し専用光ディスクの概略断
面図である。 １・・・ガラス基板、２ａ、 ２ｂ・・・拡散防止層、
３・・・金属アルコレートの焼成層、４・・・反射膜層
、５・・・保護膜層
面図である。 １・・・ガラス基板、２ａ、 ２ｂ・・・拡散防止層、
３・・・金属アルコレートの焼成層、４・・・反射膜層
、５・・・保護膜層
Claims (3)
- （１）透明なガラス基板の両面に拡散防止層を形成し、
この拡散防止層のどちらか一方の拡散防止層の上に、微
小な凹凸を有する金属アルコレートの焼成層、Ａｕ、Ａ
ｕ合金もしくはＴｉＮからなる反射膜及び保護膜を順次
積層したことを特徴とする読み出し専用光ディスク。 - （２）拡散防止層がＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｓ
ｎ、Ｃｒの中から選ばれた少なくとも一種類以上の元素
からなる酸化物であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の読み出し専用光ディスク。 - （３）拡散防止層がＳｉ＿３Ｎ＿４であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の読み出し専用光ディス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1176534A JPH0762916B2 (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 読み出し専用光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1176534A JPH0762916B2 (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 読み出し専用光ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0340244A true JPH0340244A (ja) | 1991-02-21 |
| JPH0762916B2 JPH0762916B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=16015289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1176534A Expired - Lifetime JPH0762916B2 (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 読み出し専用光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0762916B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997034298A1 (en) * | 1996-03-11 | 1997-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical data recording medium, method of producing the same and method of reproducing/erasing record |
| US6268034B1 (en) | 1998-08-05 | 2001-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for producing the same, method for recording and reproducing information thereon and recording/reproducing apparatus |
| US6343062B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals |
| US6388984B2 (en) | 1997-08-28 | 2002-05-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and its recording and reproducing method |
| US6821707B2 (en) | 1996-03-11 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| WO2009022442A1 (ja) | 2007-08-16 | 2009-02-19 | Fujifilm Corporation | ピットパターンで情報が記録された媒体を製造する方法 |
-
1989
- 1989-07-06 JP JP1176534A patent/JPH0762916B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997034298A1 (en) * | 1996-03-11 | 1997-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical data recording medium, method of producing the same and method of reproducing/erasing record |
| US6153063A (en) * | 1996-03-11 | 2000-11-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US6821707B2 (en) | 1996-03-11 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US7037413B1 (en) | 1996-03-11 | 2006-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US6388984B2 (en) | 1997-08-28 | 2002-05-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and its recording and reproducing method |
| US6343062B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals |
| US6268034B1 (en) | 1998-08-05 | 2001-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for producing the same, method for recording and reproducing information thereon and recording/reproducing apparatus |
| WO2009022442A1 (ja) | 2007-08-16 | 2009-02-19 | Fujifilm Corporation | ピットパターンで情報が記録された媒体を製造する方法 |
| US8323762B2 (en) | 2007-08-16 | 2012-12-04 | Fujifilm Corporation | Method for manufacturing medium on which information is recorded in pit pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0762916B2 (ja) | 1995-07-05 |
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