JPH0339607A - 半導体識別用光学装置 - Google Patents
半導体識別用光学装置Info
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- JPH0339607A JPH0339607A JP17501089A JP17501089A JPH0339607A JP H0339607 A JPH0339607 A JP H0339607A JP 17501089 A JP17501089 A JP 17501089A JP 17501089 A JP17501089 A JP 17501089A JP H0339607 A JPH0339607 A JP H0339607A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
例えば、半導体装置の組立工程における自動ダイスボン
ダーなどに配設する識別用光学装置に関し、 被識別物体の内部識別のために十分な光のコントラスト
が得られ、正しく位置検出できるようにすることを目的
とし、 被識別物体に光を照射し、反射光を2値化して前記被識
別物体の内部構造を認識する半導体識別用光学装置にお
いて、 光を照射する光リングファイバと前記被識別物体との間
に偏光フィルタを挿入して、光リングファイバからの照
射光を偏光し、更に、反射光を再び前記偏光フィルタに
よって偏光して、該反射光の光強度を2値化して識別す
るようにしたことを特徴とする。
ダーなどに配設する識別用光学装置に関し、 被識別物体の内部識別のために十分な光のコントラスト
が得られ、正しく位置検出できるようにすることを目的
とし、 被識別物体に光を照射し、反射光を2値化して前記被識
別物体の内部構造を認識する半導体識別用光学装置にお
いて、 光を照射する光リングファイバと前記被識別物体との間
に偏光フィルタを挿入して、光リングファイバからの照
射光を偏光し、更に、反射光を再び前記偏光フィルタに
よって偏光して、該反射光の光強度を2値化して識別す
るようにしたことを特徴とする。
また、被識別物体に光を照射し、レンズを通して入射し
た反射光を2値化して前記被識別物体の内部構造を認識
する半導体識別用光学装置において、光を照射する光リ
ングファイバと前記被識別物体との間に第1の偏光フィ
ルタを挿入して、光リングファイバからの照射光を偏光
し、且つ、前記レンズの前面に第2の偏光フィルタを挿
入し、前記被識別物体からの反射光を偏光して、該反射
光の光強度を2値化して識別するようにしたことを特徴
とする。
た反射光を2値化して前記被識別物体の内部構造を認識
する半導体識別用光学装置において、光を照射する光リ
ングファイバと前記被識別物体との間に第1の偏光フィ
ルタを挿入して、光リングファイバからの照射光を偏光
し、且つ、前記レンズの前面に第2の偏光フィルタを挿
入し、前記被識別物体からの反射光を偏光して、該反射
光の光強度を2値化して識別するようにしたことを特徴
とする。
本発明は半導体識別用光学装置に係り、例えば、半導体
装置の組立工程における自動ダイスボンダーなどに配設
する識別用光学装置に関する。
装置の組立工程における自動ダイスボンダーなどに配設
する識別用光学装置に関する。
近年、IC,LSIなどの半導体装置の驚異的な発展の
裏には各種の半導体製造装置の開発が大きく寄与してお
り、その代表的なものに自動ダイスボンダーや自動ワイ
ヤボンダーなどが含まれる自動組立用機器がある。これ
らの装置、例えば、自動ダイスボンダーは ■半導体チップを供給するダイス供給部■パソケージや
リードフレームを供給し、且つダイス付けした後のそれ
らを排出させるローダ部とアンローダ部 ■ダイス付けするための加熱源や不活性ガスを制御する
ワークフィーダ部 ■ソルダー材をカットして供給するプリフォーム供給部 ■パンケージのダイス付は位置を検出するための検出部 から構成されているが、そのうちの検出部ではCCDカ
メラによりパッケージの画像を白黒に写し出し、これを
2値化処理して、その明暗の差から位置を検出する検出
方式が採られている。そのために識別用光学系(光学装
置)は必須のもので、パッケージ全面を光学装置によっ
て照射しているが、そのような光学装置は全面に均一な
照度をあたえるようにすることが極めて重要である。
裏には各種の半導体製造装置の開発が大きく寄与してお
り、その代表的なものに自動ダイスボンダーや自動ワイ
ヤボンダーなどが含まれる自動組立用機器がある。これ
らの装置、例えば、自動ダイスボンダーは ■半導体チップを供給するダイス供給部■パソケージや
リードフレームを供給し、且つダイス付けした後のそれ
らを排出させるローダ部とアンローダ部 ■ダイス付けするための加熱源や不活性ガスを制御する
ワークフィーダ部 ■ソルダー材をカットして供給するプリフォーム供給部 ■パンケージのダイス付は位置を検出するための検出部 から構成されているが、そのうちの検出部ではCCDカ
メラによりパッケージの画像を白黒に写し出し、これを
2値化処理して、その明暗の差から位置を検出する検出
方式が採られている。そのために識別用光学系(光学装
置)は必須のもので、パッケージ全面を光学装置によっ
て照射しているが、そのような光学装置は全面に均一な
照度をあたえるようにすることが極めて重要である。
第3図は自動ダイスボンダーに取り付けられた従来の識
別用光学装置の要部断面図を示しており、記号lはCC
Dカメラ、2はレンズ位置調整部。
別用光学装置の要部断面図を示しており、記号lはCC
Dカメラ、2はレンズ位置調整部。
2Tは調整ツマミ、3はレンズ、4はハーフミラ−5は
光ファイバ、6はす声クライン位置調整部。
光ファイバ、6はす声クライン位置調整部。
7はサークラインである。また、10はパッケージを示
し、図示していないが、識別用光学装置のサークライン
7とパッケージ10との間にプリフォームや半導体チッ
プを把持したコレットを導入して、自動的にパッケージ
10に半導体チップを接着させるものである。
し、図示していないが、識別用光学装置のサークライン
7とパッケージ10との間にプリフォームや半導体チッ
プを把持したコレットを導入して、自動的にパッケージ
10に半導体チップを接着させるものである。
第4図(a)、 (b)はパッケージの一例を示し、同
図(a)は平面図、同図(b)は同図(a)のAA断面
図である。
図(a)は平面図、同図(b)は同図(a)のAA断面
図である。
本例のパッケージ型式はスタンドを設けたフラットパッ
ケージ型(FPT)で、図中の記号11は白色セラミッ
ク基材、 12は底板(Cu/Mo/Cu材またはCu
/W材)、13はMoステージ、14はスタッド(Mo
材)、15は外部リード、16は金(Au)パターンで
、本例は白色セラ旦ツタパソケージに属するパンケージ
である。
ケージ型(FPT)で、図中の記号11は白色セラミッ
ク基材、 12は底板(Cu/Mo/Cu材またはCu
/W材)、13はMoステージ、14はスタッド(Mo
材)、15は外部リード、16は金(Au)パターンで
、本例は白色セラ旦ツタパソケージに属するパンケージ
である。
ところで、上記のような従来の識別用光学装置はサーク
ライン7で照射する光と光フアイバ5からハーフミラ−
4を通して照射する光との2つの光を合成してパッケー
ジ10を照射し、パッケージ全面に均一な照度を与えて
パンケージ10内の半導体チップ取付は位置を検出して
おり、半導体チップの取付は位置はMoステージ13上
である。しかし、旧ステージ13は底板12に接合して
その位置精度が余り良くないために、加ステージ13を
半導体チップ取付は位置の基準として検出しても無意味
になり、従って、パフケージ面の金パターン16を識別
して半導体チップの取付は位置を検出している。
ライン7で照射する光と光フアイバ5からハーフミラ−
4を通して照射する光との2つの光を合成してパッケー
ジ10を照射し、パッケージ全面に均一な照度を与えて
パンケージ10内の半導体チップ取付は位置を検出して
おり、半導体チップの取付は位置はMoステージ13上
である。しかし、旧ステージ13は底板12に接合して
その位置精度が余り良くないために、加ステージ13を
半導体チップ取付は位置の基準として検出しても無意味
になり、従って、パフケージ面の金パターン16を識別
して半導体チップの取付は位置を検出している。
即ち、パフケージ表面の金パターンとパッケージ10と
の反射光のコントラスト(対比)からその光強度をスラ
イスレベルを設けて、2値化してダイス付は位置を検出
しており、例えば、ニッケル鍍金リードフレーム(パッ
ケージ基材)と金パターン、あるいは、凹凸あるパッケ
ージ基材や黒色パッケージ基材と金パターンとのコント
ラストから反射光を2値化している。
の反射光のコントラスト(対比)からその光強度をスラ
イスレベルを設けて、2値化してダイス付は位置を検出
しており、例えば、ニッケル鍍金リードフレーム(パッ
ケージ基材)と金パターン、あるいは、凹凸あるパッケ
ージ基材や黒色パッケージ基材と金パターンとのコント
ラストから反射光を2値化している。
しかし、すべてのパッケージがコントラストが得やすく
て、正しく2値化し易いわけではなく、第4図に示すよ
うな白色セラミックパッケージの白色セラミック基材と
金パターンとはコントラストが十分に得られず、誤りな
く2値化処理することが困難である。従って、現在、白
色セラミソクパソケージは正しく半導体チップの取付は
位置を検出部で検出することができないために、自動ダ
イスボンダーを使用することができず、未だ手作業で処
理している状況にある。これは半導体装置が高集積化さ
れて半導体チップから外部端子への引出し数が多く、金
パターンも微細に高密度に形成されることに問題があり
、また、そのために更に高精度な半導体チップの取付は
位置を必要とされるからである。
て、正しく2値化し易いわけではなく、第4図に示すよ
うな白色セラミックパッケージの白色セラミック基材と
金パターンとはコントラストが十分に得られず、誤りな
く2値化処理することが困難である。従って、現在、白
色セラミソクパソケージは正しく半導体チップの取付は
位置を検出部で検出することができないために、自動ダ
イスボンダーを使用することができず、未だ手作業で処
理している状況にある。これは半導体装置が高集積化さ
れて半導体チップから外部端子への引出し数が多く、金
パターンも微細に高密度に形成されることに問題があり
、また、そのために更に高精度な半導体チップの取付は
位置を必要とされるからである。
第5図はその従来の問題点を図示しており、第4図に示
す白色セラミックパッケージの白色セラミック基材と金
パターンとを第3図に示す従来の識別用光学装置によっ
て2値化した画像を示している。第5図において、Aは
金パターンからの反射光、Rは白色セラミック基材から
の反射光で、このように、白色セラミック基材は周囲が
らの室内光の影響を受けて、しかも、白色セラミック基
材からの反射光が強いために、金パターンからの反射光
と区別がつけ難く、金パターンのみを白色セラ柔ツタ基
材から選別して識別することは困難である。従って、自
動ダイスボンダーを使用することができない。
す白色セラミックパッケージの白色セラミック基材と金
パターンとを第3図に示す従来の識別用光学装置によっ
て2値化した画像を示している。第5図において、Aは
金パターンからの反射光、Rは白色セラミック基材から
の反射光で、このように、白色セラミック基材は周囲が
らの室内光の影響を受けて、しかも、白色セラミック基
材からの反射光が強いために、金パターンからの反射光
と区別がつけ難く、金パターンのみを白色セラ柔ツタ基
材から選別して識別することは困難である。従って、自
動ダイスボンダーを使用することができない。
本発明はこのような問題点を解決して、例えば、白色セ
ラミックパッケージと金パターンとの識別に十分な光の
コントラストが得られる等、被識別物体の内部識別のた
めに十分な光のコントラストが得られ、正しく位置検出
できるようにすることを目的とした識別用光学装置を提
案するものである。
ラミックパッケージと金パターンとの識別に十分な光の
コントラストが得られる等、被識別物体の内部識別のた
めに十分な光のコントラストが得られ、正しく位置検出
できるようにすることを目的とした識別用光学装置を提
案するものである。
その課題は、被識別物体に光を照射し、反射光を2値化
して前記被識別物体の内部構造を認識する半導体識別用
光学装置において、光を照射する光リングファイバと前
記被識別物体との間に偏光フィルタを挿入して、光リン
グファイバからの照射光を偏光し、更に、反射光を再び
前記偏光フィルタによって偏光して、該反射光の光強度
を2値化して識別するようにした半導体識別用光学装置
、または、被識別物体に光を照射し、レンズを通して入
射した反射光を2値化して前記被識別物体の内部構造を
認識する半導体識別用光学装置において、光を照射する
光リングファイバと前記被識別物体との間に第1の偏光
フィルタを挿入して、光リングファイバからの照射光を
偏光し、且つ、前記レンズの前面に第2の偏光フィルタ
を挿入し、前記被識別物体からの反射光を偏光して、該
反射光の光強度を2値化して識別するようにした半導体
識別用光学装置によって解決される。
して前記被識別物体の内部構造を認識する半導体識別用
光学装置において、光を照射する光リングファイバと前
記被識別物体との間に偏光フィルタを挿入して、光リン
グファイバからの照射光を偏光し、更に、反射光を再び
前記偏光フィルタによって偏光して、該反射光の光強度
を2値化して識別するようにした半導体識別用光学装置
、または、被識別物体に光を照射し、レンズを通して入
射した反射光を2値化して前記被識別物体の内部構造を
認識する半導体識別用光学装置において、光を照射する
光リングファイバと前記被識別物体との間に第1の偏光
フィルタを挿入して、光リングファイバからの照射光を
偏光し、且つ、前記レンズの前面に第2の偏光フィルタ
を挿入し、前記被識別物体からの反射光を偏光して、該
反射光の光強度を2値化して識別するようにした半導体
識別用光学装置によって解決される。
即ち、本発明は光リングファイバから光を照射し、それ
を偏光フィルタによって偏光して、被識別物体(例えば
、パッケージ)を照射し、その反射光を再び偏光し、そ
の反射光を24M化して内部構造を識別する。
を偏光フィルタによって偏光して、被識別物体(例えば
、パッケージ)を照射し、その反射光を再び偏光し、そ
の反射光を24M化して内部構造を識別する。
そうすれば、白色セラミックパッケージなどのようなコ
ントラストが得難い被識別物体でも、十分なコントラス
トが得られて正しく2値化して、被識別物体の内部構造
を正確に認識することができる。
ントラストが得難い被識別物体でも、十分なコントラス
トが得られて正しく2値化して、被識別物体の内部構造
を正確に認識することができる。
以下に図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第1図は本発明にかかる識別用光学装置の実施例(I)
を示しており、同図(a)は要部断面図、同図(blは
被識別物体(パッケージ)から見た識別用光学装置の平
面図である。図中の記号1はCODカメラ、2はレンズ
位置調整部、 2Tは調整ツマミ。
を示しており、同図(a)は要部断面図、同図(blは
被識別物体(パッケージ)から見た識別用光学装置の平
面図である。図中の記号1はCODカメラ、2はレンズ
位置調整部、 2Tは調整ツマミ。
3はレンズ、26は光フアイバ位置調整部、20は光リ
ングファイバ、21は偏光フィルタ、10はパッケージ
を示している。
ングファイバ、21は偏光フィルタ、10はパッケージ
を示している。
第3図に示す従来の識別用光学装置と比較すれば判るよ
うに、中央からの光ファイバと周囲からのサークライン
の2つの光の代わりに光リングファイバ20のみを用い
ている。且つ、偏光フィルタ21によって特定方向から
の光のみ透過させて、乱反射をカットする。そうすると
、例えば、白色セラミンクパッケージを検出した場合、
金パターンと白色セラミックとでは反射光が異なり、一
方のみを正確に認識することができ、その際、偏光フィ
ルタ21を調整すればいずれか一方が白く、他方を黒く
することができる。若し、光強度が不足すれば、光リン
グファイバ20に入射させるハロゲンランプ(図示せず
)の光強度を強くすることができ、このようにすれば、
2値化のためのスライスレベル範囲が広くなり、十分な
コントラストが得られて、白色セラミックパフケージと
金パターンとを精度良く識別することができる。
うに、中央からの光ファイバと周囲からのサークライン
の2つの光の代わりに光リングファイバ20のみを用い
ている。且つ、偏光フィルタ21によって特定方向から
の光のみ透過させて、乱反射をカットする。そうすると
、例えば、白色セラミンクパッケージを検出した場合、
金パターンと白色セラミックとでは反射光が異なり、一
方のみを正確に認識することができ、その際、偏光フィ
ルタ21を調整すればいずれか一方が白く、他方を黒く
することができる。若し、光強度が不足すれば、光リン
グファイバ20に入射させるハロゲンランプ(図示せず
)の光強度を強くすることができ、このようにすれば、
2値化のためのスライスレベル範囲が広くなり、十分な
コントラストが得られて、白色セラミックパフケージと
金パターンとを精度良く識別することができる。
また、第2図は本発明にかかる識別用光学装置の実施例
(If)を示しており、第1図と同一部位に同一記号が
付けであるが、その他の21′は第1の偏光フィルタ、
21”は第2の偏光フィルタである。本例のように、
リング状の第1の偏光フィルタ21′によって照射光を
偏光し、中実状の第2の偏光フィルタ21”によって反
射光を偏光すると、照射光の偏光フィルタによる反射が
なくなる利点がある。この実施例(n)の第1の偏光フ
ィルタ21°と第2の偏光フィルタ21”とを合成すれ
ば、実施例(I)の偏光フィルタ21が得られるもので
ある。
(If)を示しており、第1図と同一部位に同一記号が
付けであるが、その他の21′は第1の偏光フィルタ、
21”は第2の偏光フィルタである。本例のように、
リング状の第1の偏光フィルタ21′によって照射光を
偏光し、中実状の第2の偏光フィルタ21”によって反
射光を偏光すると、照射光の偏光フィルタによる反射が
なくなる利点がある。この実施例(n)の第1の偏光フ
ィルタ21°と第2の偏光フィルタ21”とを合成すれ
ば、実施例(I)の偏光フィルタ21が得られるもので
ある。
上記のように、識別用光学装置に偏光フィルタを配置す
ると、従来はダイス付は位置の検出が難しかった白色セ
ラミ・ンクパッケージにおいても、このような識別用光
学装置を付設すれば位置検出ができ、自動ダイスボンダ
ーによって自動的にダイス付けすることが可能になる。
ると、従来はダイス付は位置の検出が難しかった白色セ
ラミ・ンクパッケージにおいても、このような識別用光
学装置を付設すれば位置検出ができ、自動ダイスボンダ
ーによって自動的にダイス付けすることが可能になる。
なお、上記は自動ダイスボンダーについて説明したが、
自動ワイヤーボンダーその他の自動組立など自動化機器
にもこのような識別用光学装置を付設して同様の効果が
得られるものである。
自動ワイヤーボンダーその他の自動組立など自動化機器
にもこのような識別用光学装置を付設して同様の効果が
得られるものである。
以上の説明から明らかなように、本発明にかかる識別用
光学装置によれば自動化機器の汎用化に寄与して、IC
などの半導体装置のコストダウンに大きく役立つもので
ある。
光学装置によれば自動化機器の汎用化に寄与して、IC
などの半導体装置のコストダウンに大きく役立つもので
ある。
第1図は本発明にかかる識別用光学装置の実施例(1)
を示す図、 第2図は本発明にかかる識別用光学装置の実施例(n)
を示す図、 第3図は従来の識別用光学装置の要部断面図、第4図は
パッケージの一例を示す図、 第5図は従来の問題点を示す図である。 図において、 1はCODカメラ、 2はレンズ位置調整部、 2Tは調整ツマミ、 3はレンズ、 4はハーフくラー 5は光ファイバ、 6はサークライン位置調整部、 7はサークライン、 10はパッケージ、 21は偏光フィルタ、 21′は第1の偏光フィルタ、 21”は第2の偏光フィルタ を示している。 不発明1;D・か3瑣゛別吊パ啜1のに滌σ・J(r島
ネ7図第1図 $i afi + □v刑*’5’;’J Fl tt
7 ’L’l tr+ f#ffU (πB;jill
l第2図 ’(IJ−/1m”lf’J 団Z’3’hiaq 辷
云’ip #m [Sil]第3im 第 図
を示す図、 第2図は本発明にかかる識別用光学装置の実施例(n)
を示す図、 第3図は従来の識別用光学装置の要部断面図、第4図は
パッケージの一例を示す図、 第5図は従来の問題点を示す図である。 図において、 1はCODカメラ、 2はレンズ位置調整部、 2Tは調整ツマミ、 3はレンズ、 4はハーフくラー 5は光ファイバ、 6はサークライン位置調整部、 7はサークライン、 10はパッケージ、 21は偏光フィルタ、 21′は第1の偏光フィルタ、 21”は第2の偏光フィルタ を示している。 不発明1;D・か3瑣゛別吊パ啜1のに滌σ・J(r島
ネ7図第1図 $i afi + □v刑*’5’;’J Fl tt
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l第2図 ’(IJ−/1m”lf’J 団Z’3’hiaq 辷
云’ip #m [Sil]第3im 第 図
Claims (2)
- (1)被識別物体に光を照射し、反射光を2値化して前
記被識別物体の内部構造を認識する半導体識別用光学装
置において、 光を照射する光リングファイバと前記被識別物体との間
に偏光フィルタを挿入して、光リングファイバからの照
射光を偏光し、更に、反射光を再び前記偏光フィルタに
よつて偏光して、該反射光の光強度を2値化して識別す
るようにしたことを特徴とする半導体識別用光学装置。 - (2)被識別物体に光を照射し、レンズを通して入射し
た反射光を2値化して前記被識別物体の内部構造を認識
する半導体識別用光学装置において、光を照射する光リ
ングファイバと前記被識別物体との間に第1の偏光フィ
ルタを挿入して、光リングファイバからの照射光を偏光
し、且つ、前記レンズの前面に第2の偏光フィルタを挿
入し、前記被識別物体からの反射光を偏光して、該反射
光の光強度を2値化して識別するようにしたことを特徴
とする半導体識別用光学装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17501089A JPH0339607A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 半導体識別用光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17501089A JPH0339607A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 半導体識別用光学装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0339607A true JPH0339607A (ja) | 1991-02-20 |
Family
ID=15988639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17501089A Pending JPH0339607A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 半導体識別用光学装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0339607A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5594145A (en) * | 1979-01-12 | 1980-07-17 | Hitachi Ltd | Method of and device for inspecting surface of article |
JPS635243A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-11 | Hitachi Ltd | Icリード曲り検出方法 |
JPS6325309B2 (ja) * | 1982-02-03 | 1988-05-25 | Shinko Chin | |
JPS63124943A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-28 | Omron Tateisi Electronics Co | 実装基板検査装置 |
-
1989
- 1989-07-05 JP JP17501089A patent/JPH0339607A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5594145A (en) * | 1979-01-12 | 1980-07-17 | Hitachi Ltd | Method of and device for inspecting surface of article |
JPS6325309B2 (ja) * | 1982-02-03 | 1988-05-25 | Shinko Chin | |
JPS635243A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-11 | Hitachi Ltd | Icリード曲り検出方法 |
JPS63124943A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-28 | Omron Tateisi Electronics Co | 実装基板検査装置 |
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