JPH0339075B2 - - Google Patents
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- JPH0339075B2 JPH0339075B2 JP57025157A JP2515782A JPH0339075B2 JP H0339075 B2 JPH0339075 B2 JP H0339075B2 JP 57025157 A JP57025157 A JP 57025157A JP 2515782 A JP2515782 A JP 2515782A JP H0339075 B2 JPH0339075 B2 JP H0339075B2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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- Saccharide Compounds (AREA)
Description
本発明は新規化合物であるヌクレオシド誘導体
およびその製造法に関するものである。 最近に遺伝子工学の発展に伴い、遺伝子工学に
おける重要な素材であるオリゴヌクレオチドの化
学合成技術も著しく進歩し、オリゴヌクレオチド
の化学合成のさい用いられるインターヌクレオチ
ド結合反応の縮合剤が強力となつているために、
従来は保護を必要としなかつたウリジンやグアノ
シンの塩基部のイミド基への副反応がみられるよ
うになつた。本発明者らはこれら塩基部のイミド
基をあらかじめ保護する目的で種々検討を加えた
結果、イミド基の新しい保護基を見い出し本発明
を完成したものである。 本発明の目的化合物は、一般式〔〕 （式中、Ｒは水素原子またはメチル基を示し、
R1は非置換あるいはハロゲン原子またはニトロ
基置換のアルキル基およびフエニル基を示し、
R2およびR3はそれぞれ水酸基または保護基を有
する水酸基を示し、R2とR3が共に保護基を有す
る水酸基である場合は両者が単一の保護基を共有
する場合も含む。R4は水素原子または水酸基ま
たは保護基を有する水酸基を示す。） または一般式〔〕 （式中、R1，R2，R3およびR4は前記と同一の
意味を示し、R5はアミノ基または保護基を有す
るアミノ基を示す。） で表わされるヌクレオシド誘導体、すなわち塩基
部のイミド基をアルコキシカルボニル基で保護さ
れたウリジン、2′−デオキシウリジン、チミジ
ン、グアノシン、2′−デオキシグアノシンおよび
それらの糖部保護体である。本発明のヌクレオシ
ド類塩基部のイミド基の保護基であるアルコキシ
カルボニル基
およびその製造法に関するものである。 最近に遺伝子工学の発展に伴い、遺伝子工学に
おける重要な素材であるオリゴヌクレオチドの化
学合成技術も著しく進歩し、オリゴヌクレオチド
の化学合成のさい用いられるインターヌクレオチ
ド結合反応の縮合剤が強力となつているために、
従来は保護を必要としなかつたウリジンやグアノ
シンの塩基部のイミド基への副反応がみられるよ
うになつた。本発明者らはこれら塩基部のイミド
基をあらかじめ保護する目的で種々検討を加えた
結果、イミド基の新しい保護基を見い出し本発明
を完成したものである。 本発明の目的化合物は、一般式〔〕 （式中、Ｒは水素原子またはメチル基を示し、
R1は非置換あるいはハロゲン原子またはニトロ
基置換のアルキル基およびフエニル基を示し、
R2およびR3はそれぞれ水酸基または保護基を有
する水酸基を示し、R2とR3が共に保護基を有す
る水酸基である場合は両者が単一の保護基を共有
する場合も含む。R4は水素原子または水酸基ま
たは保護基を有する水酸基を示す。） または一般式〔〕 （式中、R1，R2，R3およびR4は前記と同一の
意味を示し、R5はアミノ基または保護基を有す
るアミノ基を示す。） で表わされるヌクレオシド誘導体、すなわち塩基
部のイミド基をアルコキシカルボニル基で保護さ
れたウリジン、2′−デオキシウリジン、チミジ
ン、グアノシン、2′−デオキシグアノシンおよび
それらの糖部保護体である。本発明のヌクレオシ
ド類塩基部のイミド基の保護基であるアルコキシ
カルボニル基
【式】のR1は非置換ある
いはハロゲン原子またはニトロ基置換のアルキル
基およびフエニル基であり、アルコキシカルボニ
ル基の代表例としてエトキシカルボニル基、イソ
ブトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロ
エトキシカルボニル基、１，１−ジメチル−２，
２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、フエ
ノキシカルボニル基等があげられるが、これらに
限定されるものではない。また、一般式〔〕お
よび一般式〔〕の糖部水酸基の保護基として
は、ジメトキシトリチル基、テトラヒドロピラニ
ン基、ベンゾイル基、トリメチルシリル基などが
通常用いられるが、これらに限定されるものでは
ない。 本発明の一般式〔〕および一般式〔〕で表
わされるヌクレオシド誘導体の製造法としては、
一般式〔〕 （式中、Ｒ，R2，R3およびR4は前記と同一の
意味を示す。） または一般式〔〕 （式中、R2，R3，R4およびR5は前記と同一の
意味を示す。） で表わされるヌクレオシド類を原料とし、これに
一般式〔〕 （式中、R1は前記と同一の意味を示す。） で表わされるクロル炭酸アルキル類を反応させる
ことにより容易に製造される。本発明製造法の一
例をあげると、一般式〔〕または一般式〔〕
で表わされるヌクレオシド類、すなわちウリジ
ン、2′−デオキシウリジン、チミジン、グアノシ
ン、2′−デオキシグアノシンおよびそれらの糖部
保護体に、一般式〔〕で表わされるクロル炭酸
アルキル類、たとえばエトキシカルボニル＝クロ
リド、イソブトキシカルボニル＝クロリド、２，
２，２−トリクロロエトキシカルボニル＝クロリ
ド、１，１−ジメチル−２，２，２−トリクロロ
エトキシカルボニル＝クロリド、フエノキシカル
ボニル＝クロリド等を、ピリジン、テトラヒドロ
フラン、ジメチルホルムアミド、塩化メチレン、
ジオキサンなどの反応溶媒中で反応させるもの
で、反応温度は０〜60℃が好適であり、２〜24時
間で反応は完結する。反応液中からの生成物の単
離・精製は、通常の有機合成反応の手段である吸
着クロマトグラフイーやイオン交換クロマトグラ
フイーあるいは有機溶媒による分配や結晶化など
公知の手段を適宜に選択し、あるいは組み合わせ
て実施することが可能である。 なお、塩基部イミノ基の保護基としてのアルコ
キシカルボニル基は、80％酢酸あるいはピリジン
−水〔2/1（Ｖ／Ｖ）〕中でいずれも安定であり、
またピリジン中亜鉛−アセチルアセトンで処理す
ることにより容易に除去することができる。 以下、実施例により説明する。 実施例 １ ウリジン0.63ｇ（2.57ミリモル）と１，３−ジ
クロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジ
シロキサン0.85ｇ（2.70ミリモル）を20mlのピリ
ジン中で、室温、一夜反応し、3′，5′−（テトラ
イソプロピル）ジシロキサニレン−ウリジン1.19
ｇを得た（収率95％）。 更にこの3′，5′−（テトライソプロピル）ジシ
ロキサニレン−ウリジン0.88ｇ（1.81ミリモル）
を乾燥ピリジン10ml中でフエノキシ酢酸無水物
1.55ｇ（5.42ミリモル）と反応温度０℃で反応さ
せ、2′−Ｏ−フエノキシ酢酸−3′，5′−（テトライ
ソプロピル）ジシロキサニレン−ウリジン0.98ｇ
を得た（収率87％）。 次に2′−Ｏ−フエノキシ酢酸−3′，5′−（テトラ
イソプロピル）ジシロキサニレン−ウリジン0.98
ｇ（1.58ミリモル）と１，１−ジメチル−２，
２，２−トリクロロエトキシカルボニル＝クロリ
ド0.95ｇ（3.94ミリモル）を乾燥ピリジン中、室
温で一夜反応を行つたのち、シリカゲル・カラム
クロマトグラフイーにより塩化メチレンとヘキサ
ンの混合溶媒を用いて発展し、溶出液を濃縮し
て、N3−（１，１−ジメチル−２，２，２−トリ
クロロ）エトキシカルボニル−2′−Ｏ−フエノキ
シ酢酸−3′，5′−（テトライソプロピル）ジシロ
キサニレン−ウリジン1.07ｇを得た（収率83％）。
基およびフエニル基であり、アルコキシカルボニ
ル基の代表例としてエトキシカルボニル基、イソ
ブトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロ
エトキシカルボニル基、１，１−ジメチル−２，
２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、フエ
ノキシカルボニル基等があげられるが、これらに
限定されるものではない。また、一般式〔〕お
よび一般式〔〕の糖部水酸基の保護基として
は、ジメトキシトリチル基、テトラヒドロピラニ
ン基、ベンゾイル基、トリメチルシリル基などが
通常用いられるが、これらに限定されるものでは
ない。 本発明の一般式〔〕および一般式〔〕で表
わされるヌクレオシド誘導体の製造法としては、
一般式〔〕 （式中、Ｒ，R2，R3およびR4は前記と同一の
意味を示す。） または一般式〔〕 （式中、R2，R3，R4およびR5は前記と同一の
意味を示す。） で表わされるヌクレオシド類を原料とし、これに
一般式〔〕 （式中、R1は前記と同一の意味を示す。） で表わされるクロル炭酸アルキル類を反応させる
ことにより容易に製造される。本発明製造法の一
例をあげると、一般式〔〕または一般式〔〕
で表わされるヌクレオシド類、すなわちウリジ
ン、2′−デオキシウリジン、チミジン、グアノシ
ン、2′−デオキシグアノシンおよびそれらの糖部
保護体に、一般式〔〕で表わされるクロル炭酸
アルキル類、たとえばエトキシカルボニル＝クロ
リド、イソブトキシカルボニル＝クロリド、２，
２，２−トリクロロエトキシカルボニル＝クロリ
ド、１，１−ジメチル−２，２，２−トリクロロ
エトキシカルボニル＝クロリド、フエノキシカル
ボニル＝クロリド等を、ピリジン、テトラヒドロ
フラン、ジメチルホルムアミド、塩化メチレン、
ジオキサンなどの反応溶媒中で反応させるもの
で、反応温度は０〜60℃が好適であり、２〜24時
間で反応は完結する。反応液中からの生成物の単
離・精製は、通常の有機合成反応の手段である吸
着クロマトグラフイーやイオン交換クロマトグラ
フイーあるいは有機溶媒による分配や結晶化など
公知の手段を適宜に選択し、あるいは組み合わせ
て実施することが可能である。 なお、塩基部イミノ基の保護基としてのアルコ
キシカルボニル基は、80％酢酸あるいはピリジン
−水〔2/1（Ｖ／Ｖ）〕中でいずれも安定であり、
またピリジン中亜鉛−アセチルアセトンで処理す
ることにより容易に除去することができる。 以下、実施例により説明する。 実施例 １ ウリジン0.63ｇ（2.57ミリモル）と１，３−ジ
クロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジ
シロキサン0.85ｇ（2.70ミリモル）を20mlのピリ
ジン中で、室温、一夜反応し、3′，5′−（テトラ
イソプロピル）ジシロキサニレン−ウリジン1.19
ｇを得た（収率95％）。 更にこの3′，5′−（テトライソプロピル）ジシ
ロキサニレン−ウリジン0.88ｇ（1.81ミリモル）
を乾燥ピリジン10ml中でフエノキシ酢酸無水物
1.55ｇ（5.42ミリモル）と反応温度０℃で反応さ
せ、2′−Ｏ−フエノキシ酢酸−3′，5′−（テトライ
ソプロピル）ジシロキサニレン−ウリジン0.98ｇ
を得た（収率87％）。 次に2′−Ｏ−フエノキシ酢酸−3′，5′−（テトラ
イソプロピル）ジシロキサニレン−ウリジン0.98
ｇ（1.58ミリモル）と１，１−ジメチル−２，
２，２−トリクロロエトキシカルボニル＝クロリ
ド0.95ｇ（3.94ミリモル）を乾燥ピリジン中、室
温で一夜反応を行つたのち、シリカゲル・カラム
クロマトグラフイーにより塩化メチレンとヘキサ
ンの混合溶媒を用いて発展し、溶出液を濃縮し
て、N3−（１，１−ジメチル−２，２，２−トリ
クロロ）エトキシカルボニル−2′−Ｏ−フエノキ
シ酢酸−3′，5′−（テトライソプロピル）ジシロ
キサニレン−ウリジン1.07ｇを得た（収率83％）。
【表】
核磁気共鳴吸収（CDCl3／TMS internal）
δ＝1.06，1.10，1.12（28H，Si−CH（CH3）2）
2.10（ｓ，6H.C（CH3）2CCl3）
3.88−4.44（4H，Ｈ−3′，4′，5′）
4.70（ｓ，2H，Ｃ（Ｏ）−CH2−OPh）
5.50（ｄ，1H，J2′-3′＝４Hz，Ｈ−2′）
5.68（ｄ，2H，J5-6＝８Hz，Ｈ−５）
5.72（ｓ，1H，Ｈ−1′）
6.82−7.30（ｍ，5H，Ｏ−Ph）
7.66（ｄ，1H，Ｈ−６）
実施例 ２
N3−（１，１−ジメチル−２，２，２−トリク
ロロ）エトキシカルボニル−2′−Ｏ−フエノキシ
酢酸−3′，5′−（テトライソプロピル）ジシロキ
サニレン−ウリジン0.96ｇ（1.16ミリモル）をメ
タノール25ml中でｔ−ブチルアミン0.255ｇ
（3.49ミリモル）と室温で20分反応したのち、シ
リカゲル・カラムクロマトグラフイーにより塩化
メチレンとヘキサンの混合溶媒を用いて発展し、
溶出液を濃縮して、2′−位水酸基の保護基が脱離
したN3−（１，１−ジメチル−２，２，２−トリ
クロロ）エトキシカルボニル−3′，5′−（テトラ
イソプロピル）ジシロキサニレン−ウリジン
0.614ｇを得た（収率77％）。
ロロ）エトキシカルボニル−2′−Ｏ−フエノキシ
酢酸−3′，5′−（テトライソプロピル）ジシロキ
サニレン−ウリジン0.96ｇ（1.16ミリモル）をメ
タノール25ml中でｔ−ブチルアミン0.255ｇ
（3.49ミリモル）と室温で20分反応したのち、シ
リカゲル・カラムクロマトグラフイーにより塩化
メチレンとヘキサンの混合溶媒を用いて発展し、
溶出液を濃縮して、2′−位水酸基の保護基が脱離
したN3−（１，１−ジメチル−２，２，２−トリ
クロロ）エトキシカルボニル−3′，5′−（テトラ
イソプロピル）ジシロキサニレン−ウリジン
0.614ｇを得た（収率77％）。
【表】
核磁気共鳴吸収（CDCl3／TMS internal）
δ＝1.04，1.08，1.10（28H，Si−CH（CH3）2）
2.08（ｓ，6H.C（CH3）2CCl3）
3.12（ｓ，1H，OH−2′）
4.04−4.40（5H，Ｈ−2′，3′，4′，5′）
5.70（ｓ，1H，Ｈ−1′）
5.72（ｄ，1H，J5-6＝８Hz，Ｈ−５）
7.68（ｄ，1H，Ｈ−６）
実施例 ３〜７
2′，3′，5′−トリ−Ｏ−アセチルウリジン(1)１
当量に第１表記載の如きＲを有するクロル炭酸ア
ルキル(2)を乾燥ピリジン中、室温で第１表に記載
の時間反応させ、シリカゲル・カラムクロマトグ
ラフイーにより分離することにより、塩基部のイ
ミド基を対応するアルコキシカルボニル基で保護
された2′，3′，5′−トリ−Ｏ−アセチルウリジン
(3)が第１表記載の収率で得られた。
当量に第１表記載の如きＲを有するクロル炭酸ア
ルキル(2)を乾燥ピリジン中、室温で第１表に記載
の時間反応させ、シリカゲル・カラムクロマトグ
ラフイーにより分離することにより、塩基部のイ
ミド基を対応するアルコキシカルボニル基で保護
された2′，3′，5′−トリ−Ｏ−アセチルウリジン
(3)が第１表記載の収率で得られた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式〔〕 （式中、Ｒは水素原子またはメチル基を示し、
R1は非置換あるいはハロゲン原子またはニトロ
基置換のアルキル基およびフエニル基を示し、
R2およびR3はそれぞれ水酸基または保護基を有
する水酸基を示し、R2とR3が共に保護基を有す
る水酸基である場合は両者が単一の保護基を共有
する場合も含む。R4は水素原子または水酸基ま
たは保護基を有する水酸基を示す。） または一般式〔〕 （式中、R1，R2，R3およびR4は前記と同一の
意味を示し、R5はアミノ基または保護基を有す
るアミノ基を示す。） で表わされるヌクレオシド誘導体。 ２ 一般式〔〕 （式中、Ｒは水素原子またはメチル基を示し、
R2およびR3はそれぞれ水酸基または保護基を有
する水酸基を示し、R2とR3が共に保護基を有す
る水酸基である場合は両者が単一の保護基を共有
する場合も含む。R4は水素原子または水酸基ま
たは保護基を有する水酸基を示す。） または一般式〔〕 （式中、R2，R3およびR4は前記と同一の意味
を示し、R5はアミノ基または保護基を有するア
ミノ基を示す。） で表わされるヌクレオシド類と一般式〔〕 （式中、R1は非置換あるいはハロゲン原子ま
たはニトロ基置換のアルキル基およびフエニル基
を示す。） で表わされるクロル炭酸アルキル類とを反応させ
ることを特徴とする一般式〔〕 （式中、Ｒ，R1，R2，R3およびR4は前記と同
一の意味を示す。） または一般式〔〕 （式中、R1，R2，R3およびR4は前記と同一の
意味を示す。） で表わされるヌクレオシド誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57025157A JPS58144398A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | ヌクレオシド誘導体およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57025157A JPS58144398A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | ヌクレオシド誘導体およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58144398A JPS58144398A (ja) | 1983-08-27 |
| JPH0339075B2 true JPH0339075B2 (ja) | 1991-06-12 |
Family
ID=12158183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57025157A Granted JPS58144398A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | ヌクレオシド誘導体およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58144398A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007077109A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Tokyo Institute Of Technology | ヌクレオシド誘導体及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-02-18 JP JP57025157A patent/JPS58144398A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58144398A (ja) | 1983-08-27 |
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