JPH0337161A - 立方晶窒化硼素焼結体、その砥粒の製造法 - Google Patents
立方晶窒化硼素焼結体、その砥粒の製造法Info
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- JPH0337161A JPH0337161A JP1167041A JP16704189A JPH0337161A JP H0337161 A JPH0337161 A JP H0337161A JP 1167041 A JP1167041 A JP 1167041A JP 16704189 A JP16704189 A JP 16704189A JP H0337161 A JPH0337161 A JP H0337161A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は切削工具、ヒートシンクなどに用いられる立方
晶窒化硼素(以下c−BNと略記)焼結体の製造法及び
その焼結体を粉砕することからなる砥粒の製造法に関す
る。
晶窒化硼素(以下c−BNと略記)焼結体の製造法及び
その焼結体を粉砕することからなる砥粒の製造法に関す
る。
【従来の技術l
六方晶窒化硼素(以下h−BNと略記)からC−BN焼
結体を得る方法は種々提案されている。h−BNとして
結晶性である通常のh−BNを用いる方法、特公昭49
−27518%同52−17520に記載されているよ
うな低結晶性である粒子径の小さいh−ONを用いる方
法、さらに特開昭50−10420 、同50−139
099.同51−39599 、同51−59798に
記載されているようにh−BNに水、アンモニア水、尿
素、硝酸アンモニウム、アルコールなどの添加物を加え
、比較的低圧でc−BNに転換させ、焼結体とする方法
がある。
結体を得る方法は種々提案されている。h−BNとして
結晶性である通常のh−BNを用いる方法、特公昭49
−27518%同52−17520に記載されているよ
うな低結晶性である粒子径の小さいh−ONを用いる方
法、さらに特開昭50−10420 、同50−139
099.同51−39599 、同51−59798に
記載されているようにh−BNに水、アンモニア水、尿
素、硝酸アンモニウム、アルコールなどの添加物を加え
、比較的低圧でc−BNに転換させ、焼結体とする方法
がある。
〔発明が解決しようとする課題J
結晶性が良く粒子サイズの大きいh−BNを用いるとc
−BNの転換が容易でなく、また得られる焼c−ONへ
の転換はし易いが、通常低結晶性のh−BNには酸素が
8201等の形で多く含まれており、これが転換後のc
−ON焼結体の粒界に残存し、焼結体の結合力を弱め、
密度の低い、機械的強度の弱い焼結体しか得られない。
−BNの転換が容易でなく、また得られる焼c−ONへ
の転換はし易いが、通常低結晶性のh−BNには酸素が
8201等の形で多く含まれており、これが転換後のc
−ON焼結体の粒界に残存し、焼結体の結合力を弱め、
密度の低い、機械的強度の弱い焼結体しか得られない。
このh−BNから酸素を除去するため高温処理すると結
晶化が進み、前記の問題が生ずる。また通常のh−BN
に水、アンモニア水、尿素等を添加する方法も酸素がc
−BN焼結体の粒界に残り、酸、素を含む低結晶性のh
−BNを用いた場合と同様の問題が生ずる。
晶化が進み、前記の問題が生ずる。また通常のh−BN
に水、アンモニア水、尿素等を添加する方法も酸素がc
−BN焼結体の粒界に残り、酸、素を含む低結晶性のh
−BNを用いた場合と同様の問題が生ずる。
本発明は従来に較べ比較的低温、低圧で容易に密度が高
く、機械的強度の大きなc −BN焼結体及びその砥粒
を製造することを目的とする。
く、機械的強度の大きなc −BN焼結体及びその砥粒
を製造することを目的とする。
本発明者はいわゆる気相合成法によってつくられたON
はアモルファスON (以下a−BNと略記)又はa−
BNとc−BNの混合物であって、a−BNは粒径が極
めて小さく、かつ酸素等の不純物が非常に少ないもので
、c−BNの原材料として良好であることを見出し、本
発明に至った。
はアモルファスON (以下a−BNと略記)又はa−
BNとc−BNの混合物であって、a−BNは粒径が極
めて小さく、かつ酸素等の不純物が非常に少ないもので
、c−BNの原材料として良好であることを見出し、本
発明に至った。
即ち、本発明はボラジン等の硼素(B)、窒素(N)を
含む化合物、NaB11.とNH,の混合物、B或はh
−BNとN2のようなり、Nを含む原料からPVDやC
VDなどの気相合成法により得られたa−BN又はa−
ONとc−ONの混合物を原材料とし、これを熱力学的
にc −BNの安定な領域で加圧、加熱してa−BNを
c−BNに転換し、同時に焼結させることからなるc−
ON焼結体及びこれを粉砕することからなる砥粒の製造
法である。
含む化合物、NaB11.とNH,の混合物、B或はh
−BNとN2のようなり、Nを含む原料からPVDやC
VDなどの気相合成法により得られたa−BN又はa−
ONとc−ONの混合物を原材料とし、これを熱力学的
にc −BNの安定な領域で加圧、加熱してa−BNを
c−BNに転換し、同時に焼結させることからなるc−
ON焼結体及びこれを粉砕することからなる砥粒の製造
法である。
以下本発明の詳細な説明する。
先ずB、Nを含む原料から気相合成7去によりa−BN
又はa−ONとc−BNの混合物をつくる。この方法自
体は公知であって、B、Nを含む原料としてPVD法で
は硼素源としてB、h−BN、窒素源としてはN、、
Nイオン、又CVD法では83N 31(6(ボラジン
)、BH3・NH,などの一つの化合物中にB、Nを含
むもの、あるいはI(、B03、N a B H4、B
、H,、B4)1.、、 BF、 、BCl3のような
りを含む化合物とNH3、N2等のNを含む化合物、分
子との混合物が用いられている。また通常これらにPV
D法ではアルゴン(^r)、CVD法では水素(H)ガ
スが混合される。
又はa−ONとc−BNの混合物をつくる。この方法自
体は公知であって、B、Nを含む原料としてPVD法で
は硼素源としてB、h−BN、窒素源としてはN、、
Nイオン、又CVD法では83N 31(6(ボラジン
)、BH3・NH,などの一つの化合物中にB、Nを含
むもの、あるいはI(、B03、N a B H4、B
、H,、B4)1.、、 BF、 、BCl3のような
りを含む化合物とNH3、N2等のNを含む化合物、分
子との混合物が用いられている。また通常これらにPV
D法ではアルゴン(^r)、CVD法では水素(H)ガ
スが混合される。
PVD法としてはアークプラズマイオンブレーティング
法、レーザー蒸着法、イオン化蒸着法などが、CVD法
としては熱フイラメント法、高周波誘導加熱、マイクロ
波、プラズマジェット法、直流アーク法などが用いられ
る。気相合成の条件により殆んどa−BNからc−BN
がかなり含有したa−BNまで得られる。一般的にはガ
ス中のB、 N原料を少なくして、その分解、ONの生
成量を抑えればc−BNの含有率は高まる。反対に殆ん
どがa−ONとする場合はBNの析出速度を早める。す
なわち原料のガス圧を高める等励起状態を低くすること
で生成する。
法、レーザー蒸着法、イオン化蒸着法などが、CVD法
としては熱フイラメント法、高周波誘導加熱、マイクロ
波、プラズマジェット法、直流アーク法などが用いられ
る。気相合成の条件により殆んどa−BNからc−BN
がかなり含有したa−BNまで得られる。一般的にはガ
ス中のB、 N原料を少なくして、その分解、ONの生
成量を抑えればc−BNの含有率は高まる。反対に殆ん
どがa−ONとする場合はBNの析出速度を早める。す
なわち原料のガス圧を高める等励起状態を低くすること
で生成する。
a −BN又はa−BNとc−BNの混合物は、シリコ
ン等の金属、セラミック等の基材の表面に膜状となって
析出する。a−BNとc−BNの混合物の場合、c−B
Nの含有量には特に制限ないが、通常気相合成法ではc
−BNの含有量は70重量%以下である。このc−B
Nは多結晶の微細な粒子である。
ン等の金属、セラミック等の基材の表面に膜状となって
析出する。a−BNとc−BNの混合物の場合、c−B
Nの含有量には特に制限ないが、通常気相合成法ではc
−BNの含有量は70重量%以下である。このc−B
Nは多結晶の微細な粒子である。
本発明において、a−BNは■結晶構造が六方晶と異な
りC軸方向の層の重なり方が乱れているいわゆるt−B
N(乱層構造ON) 、■六方晶ではあるが格子欠陥(
主には窒素空孔)が多く存在するもの、■六方晶で粒子
サイズが極小さいため、非晶質に似たX線回折ピークを
有するものである。
りC軸方向の層の重なり方が乱れているいわゆるt−B
N(乱層構造ON) 、■六方晶ではあるが格子欠陥(
主には窒素空孔)が多く存在するもの、■六方晶で粒子
サイズが極小さいため、非晶質に似たX線回折ピークを
有するものである。
このa−BNは粒子径が大部分0.01um以下の粒子
が集まって膜状を形成している。この膜状物は純度が高
く、ONとして通常99.9重量%以上である。
が集まって膜状を形成している。この膜状物は純度が高
く、ONとして通常99.9重量%以上である。
本発明はこのa−BN又はa−BNとc−BNの混合物
を用い、c−BNの熱力学的な安定な領域で加圧、加熱
してCBN焼結体とする。このときの圧力、温度は前記
領域であれば可能であるが、装置上等から望ましい範囲
は圧力55〜70kb、温度1500〜1800℃であ
る。この間の時間は5〜60分程度でよい。加圧、加熱
は通常の超高圧装置が用いられる。膜状物は解砕あるい
は粉砕し、これを成形して超高圧装置に装填する。
を用い、c−BNの熱力学的な安定な領域で加圧、加熱
してCBN焼結体とする。このときの圧力、温度は前記
領域であれば可能であるが、装置上等から望ましい範囲
は圧力55〜70kb、温度1500〜1800℃であ
る。この間の時間は5〜60分程度でよい。加圧、加熱
は通常の超高圧装置が用いられる。膜状物は解砕あるい
は粉砕し、これを成形して超高圧装置に装填する。
超高圧装置に装填する原材料の組立構成の−例を断面図
として図1に示す。原材料の成形体lをTaスリーブ2
に入れ、その上下をTaディスク3で封じ、これをh−
BN充填材4で囲み、その外側に黒鉛発熱体5、上下に
Mo通電板6を配置したものである。これを超高圧装置
でMo通電板、黒鉛発熱体により所定の温度に加熱し、
同時に加圧して原材料成形体をc −BN焼結体に転換
する。
として図1に示す。原材料の成形体lをTaスリーブ2
に入れ、その上下をTaディスク3で封じ、これをh−
BN充填材4で囲み、その外側に黒鉛発熱体5、上下に
Mo通電板6を配置したものである。これを超高圧装置
でMo通電板、黒鉛発熱体により所定の温度に加熱し、
同時に加圧して原材料成形体をc −BN焼結体に転換
する。
本発明において、原材料粉末中に単結晶c −BNを添
加しておけば、焼結体を切削工具として、あるいはそれ
を粉砕して砥粒として使用する場合に切れ味が向上する
。単結晶c−BNは粒径10〜60μm、添加量は10
〜50重量%が好ましい。なお、粒径は切削工具、砥粒
以外については特に限定はない。
加しておけば、焼結体を切削工具として、あるいはそれ
を粉砕して砥粒として使用する場合に切れ味が向上する
。単結晶c−BNは粒径10〜60μm、添加量は10
〜50重量%が好ましい。なお、粒径は切削工具、砥粒
以外については特に限定はない。
粒径が104m未満あるいは添加量が10%未満だと切
れ味向上の効果が小さく、60μmを越えると逆に単結
晶的な挙動を示し、焼結体としての靭性の向上が薄れる
。また添加量が50%を越えると焼結体の微細結晶のマ
トリックス部が少なくマクロ的な焼結体の強度が低下す
る。
れ味向上の効果が小さく、60μmを越えると逆に単結
晶的な挙動を示し、焼結体としての靭性の向上が薄れる
。また添加量が50%を越えると焼結体の微細結晶のマ
トリックス部が少なくマクロ的な焼結体の強度が低下す
る。
さらに本発明において原材料粉末にC,H,Nを含む有
機物を少量添加しておくとその理由は明らかでないが焼
結温度、圧力を下げる効果がある。有機物としてはメラ
ミン、イミダゾール、プロパンジアミンなどが挙げられ
、添加量は0.05〜1重遣%が最適である。
機物を少量添加しておくとその理由は明らかでないが焼
結温度、圧力を下げる効果がある。有機物としてはメラ
ミン、イミダゾール、プロパンジアミンなどが挙げられ
、添加量は0.05〜1重遣%が最適である。
上記のようにして得られたc −ON焼結体は密度は代
表的には3.40〜3.48g/crt?、曲げ強度は
50〜300kg / m rn”である。
表的には3.40〜3.48g/crt?、曲げ強度は
50〜300kg / m rn”である。
この焼結体を粉砕すれば砥粒として使用できる。粉砕は
例えばスタンプミルで行い、分級等により所定の粒度に
する。砥粒としては広範囲の粒度のものが使用されるが
、多いのは50〜1000μmの範囲のものである。
例えばスタンプミルで行い、分級等により所定の粒度に
する。砥粒としては広範囲の粒度のものが使用されるが
、多いのは50〜1000μmの範囲のものである。
〔作用1
気相合成法によるa−BNは結晶構造がランダムであっ
たり、格子欠陥があるため、c −BNに転換する際の
原子の再配列に必要なエネルギーが少なくてすみ、その
ため比較的低温、低圧でc −BNに転換するものと考
えられる。またこのa−BNは酸素不純物が極めて少な
く、c −BNに転換焼結後の結晶粒界に不純物が存在
しない。さらにa−ONは粒子サイズが小さいので、c
−BNに転換後の結晶サイズも小さく、それが粒界に
酸素等の不純物が存在しない状態で結合しているので、
焼結体は機械的強度が大きく、また靭性も高いものと考
えられる。
たり、格子欠陥があるため、c −BNに転換する際の
原子の再配列に必要なエネルギーが少なくてすみ、その
ため比較的低温、低圧でc −BNに転換するものと考
えられる。またこのa−BNは酸素不純物が極めて少な
く、c −BNに転換焼結後の結晶粒界に不純物が存在
しない。さらにa−ONは粒子サイズが小さいので、c
−BNに転換後の結晶サイズも小さく、それが粒界に
酸素等の不純物が存在しない状態で結合しているので、
焼結体は機械的強度が大きく、また靭性も高いものと考
えられる。
気相合成法により得られたものがa−ONとC−BNの
混合物である場合はc−BNが核となるので、温度等さ
らに低い条件でc−BN焼結体となる。
混合物である場合はc−BNが核となるので、温度等さ
らに低い条件でc−BN焼結体となる。
C,H,Nを含む有機物の作用については明らかでない
点が多い、しかし実験によれば有機物を添加することに
よりa−BNからc −BNへの転換が容易になり、ま
たc−BN粒子の焼結も助長している。気相合成法によ
るa−BNは殆んど酸素を含まないが、取扱い中にa−
BNが酸素やl−120を吸着し、これらが焼結中に有
機物のC,Hによって除去されることは考えられる。な
お有機物中にC9H以外に窒素が含まれているものがよ
いが、その理由は明らかでない。
点が多い、しかし実験によれば有機物を添加することに
よりa−BNからc −BNへの転換が容易になり、ま
たc−BN粒子の焼結も助長している。気相合成法によ
るa−BNは殆んど酸素を含まないが、取扱い中にa−
BNが酸素やl−120を吸着し、これらが焼結中に有
機物のC,Hによって除去されることは考えられる。な
お有機物中にC9H以外に窒素が含まれているものがよ
いが、その理由は明らかでない。
〔発明の効果]
本発明によれば比較的低温、低圧で酸素等の不純物が少
なく、機械的強度の大きなc−BN焼結体が得られる。
なく、機械的強度の大きなc−BN焼結体が得られる。
この焼結体に単結晶c−ONを混合しておけば更に切削
性能が向上する。
性能が向上する。
実施例I
図2のDCプラズマジェット法装置を用い、原料ガスは
8zHa (5va1%)、NH3(5vo1%)、H
2(60vo1%) 、Ar (30vo1%)の混合
ガスを用いた。Arはアークの安定のために用いたもの
である。混合ガスは導入口11より20I2/分で供給
した。なお図2の装置は13KPaに減圧したケース内
に納められている。タングステン電極9.10間に電源
13から電圧550■を印加してアークを発生させ、プ
ラメマ14を形成した。
8zHa (5va1%)、NH3(5vo1%)、H
2(60vo1%) 、Ar (30vo1%)の混合
ガスを用いた。Arはアークの安定のために用いたもの
である。混合ガスは導入口11より20I2/分で供給
した。なお図2の装置は13KPaに減圧したケース内
に納められている。タングステン電極9.10間に電源
13から電圧550■を印加してアークを発生させ、プ
ラメマ14を形成した。
基1’ff112にはSiウェハーを用い約700℃と
した。この条件で粒径が0.01gm以下で100%a
−BNの膜が200μffi/分の堆積速度で得られた
。
した。この条件で粒径が0.01gm以下で100%a
−BNの膜が200μffi/分の堆積速度で得られた
。
a−BNの同定は赤外分光により分析した。図2で7は
セラミック筒体、8は石英管である。
セラミック筒体、8は石英管である。
HFによりSiウェハーを溶解させ、a−BNの膜を得
た。これを図1の試料成形体lとして充填し、60kb
、1750℃で30分高圧、高温処理をした。生成物は
c−BN多結晶体で結晶サイズは0.1gm以下であっ
た。見掛比重は3,46、ビッカース硬度は約5800
kg/ m rn’、曲げ強度は約150kg/mrn
”であった。
た。これを図1の試料成形体lとして充填し、60kb
、1750℃で30分高圧、高温処理をした。生成物は
c−BN多結晶体で結晶サイズは0.1gm以下であっ
た。見掛比重は3,46、ビッカース硬度は約5800
kg/ m rn’、曲げ強度は約150kg/mrn
”であった。
実施例2
実施例1のa−BN膜をメノウ乳鉢で粉砕した。
このa−BN粉末100重量部にc−BN単結晶(平均
20um)を30重量部を混合した。混合物を圧縮成形
し、図1の試料部に充填し55kb、 1700℃で3
0分高圧、高温処理をした。生成物はCBN多結晶焼結
体であり、見掛比重3,46、ビッカース硬度は約57
00kg/ m m’、曲げ強度は約120kg/ m
rn”であった。
20um)を30重量部を混合した。混合物を圧縮成形
し、図1の試料部に充填し55kb、 1700℃で3
0分高圧、高温処理をした。生成物はCBN多結晶焼結
体であり、見掛比重3,46、ビッカース硬度は約57
00kg/ m m’、曲げ強度は約120kg/ m
rn”であった。
実施例3
原料ガスをBat(s (lvo1%) 、 N11
. (lvo1%)、Ha (68vo1%) 、Ar
(30vo1%)の混合ガスを用いた他は実施例1と
同条件でc −BN:10wt%、a −8N70wt
%から成る膜を得た。これを図1の試料部に充填し55
kb、 1700℃で30分高圧、高温処理をした。生
成物は結晶サイズが0.1gmm以下のC−13N多結
晶焼結体であった。見掛比重3.47、ビッカース硬度
的5900kg/ m rn”を示した。曲げ強度は約
220kg/ m rn”であった。
. (lvo1%)、Ha (68vo1%) 、Ar
(30vo1%)の混合ガスを用いた他は実施例1と
同条件でc −BN:10wt%、a −8N70wt
%から成る膜を得た。これを図1の試料部に充填し55
kb、 1700℃で30分高圧、高温処理をした。生
成物は結晶サイズが0.1gmm以下のC−13N多結
晶焼結体であった。見掛比重3.47、ビッカース硬度
的5900kg/ m rn”を示した。曲げ強度は約
220kg/ m rn”であった。
実施例4
実施例1と同じa−BN膜をメノウ乳鉢で粉砕し、その
粉末100重量部にメラミン0.5重量部をテフロンラ
イニングのボットミルでl Hr混合した。混合物を圧
縮成形し、図1の試料部に充填し55kb、 1700
℃で30分高圧高温処理をした。生成物はCBN多結晶
焼結体であり、結晶サイズは0.1μm以下であった。
粉末100重量部にメラミン0.5重量部をテフロンラ
イニングのボットミルでl Hr混合した。混合物を圧
縮成形し、図1の試料部に充填し55kb、 1700
℃で30分高圧高温処理をした。生成物はCBN多結晶
焼結体であり、結晶サイズは0.1μm以下であった。
又見掛比重は3.48、ビッカース硬度は約5800k
g/ m m″、曲げ強度は約200kg/mrn”で
あった。
g/ m m″、曲げ強度は約200kg/mrn”で
あった。
実施例5
実施例4と同様に処理をしたa−BN粉末100重量部
とc−ON単結晶(30um )を40重量部とをテフ
ロンライニングボットミルでlHr混合した。混合物を
圧縮成形し、図1の試料部に充填し60kb、1750
℃で30分高圧、高温処理をした。生成物を粉砕し、#
80/ 100を精粒した。この焼結砥粒と同粒度の単
結晶c−BN砥粒の電着砥石を製作し、湿式研削試験を
実施した。研削条件としては被削材5KH−51(H,
c63)砥石周速度2000m/min 、テーブル速
度15m/winで行なった。結果は使用動力が単結晶
の場合を100としたとき、当該砥粒は85と切れ味の
よい砥粒であった。
とc−ON単結晶(30um )を40重量部とをテフ
ロンライニングボットミルでlHr混合した。混合物を
圧縮成形し、図1の試料部に充填し60kb、1750
℃で30分高圧、高温処理をした。生成物を粉砕し、#
80/ 100を精粒した。この焼結砥粒と同粒度の単
結晶c−BN砥粒の電着砥石を製作し、湿式研削試験を
実施した。研削条件としては被削材5KH−51(H,
c63)砥石周速度2000m/min 、テーブル速
度15m/winで行なった。結果は使用動力が単結晶
の場合を100としたとき、当該砥粒は85と切れ味の
よい砥粒であった。
比較例1
市販のh−ON(平均粒径5μm)を2000℃窒素雰
囲気下で熱処理し含有酸素置を除去したものを圧縮成形
し、図1の試料部に充填し、70kb、 1800℃で
30分高圧、高温処理をしたが、一部CBNに変換した
が、h−ONが残存しており焼結体は得られなかった。
囲気下で熱処理し含有酸素置を除去したものを圧縮成形
し、図1の試料部に充填し、70kb、 1800℃で
30分高圧、高温処理をしたが、一部CBNに変換した
が、h−ONが残存しており焼結体は得られなかった。
比較例2
比較例1と同様な処理をしたh−BN100重量部にc
−ON単結晶(ILLll)30重量部をテフロンライ
ニングのボットミルでlHr混合した。混合物を圧縮成
形し、図1の試料部に充填し70kb、 1800℃で
30分高圧、高温処理をした。
−ON単結晶(ILLll)30重量部をテフロンライ
ニングのボットミルでlHr混合した。混合物を圧縮成
形し、図1の試料部に充填し70kb、 1800℃で
30分高圧、高温処理をした。
生成物はCBN多結晶焼結体になっていたが結晶サイズ
は5umであり、見掛比重は3.38、ビッカース硬度
は約4200kg/ m rn”、曲げ強度は約15k
g/ m m”であった。
は5umであり、見掛比重は3.38、ビッカース硬度
は約4200kg/ m rn”、曲げ強度は約15k
g/ m m”であった。
図1は試料成形体を高温、高圧するための組立断面図、
図2はプラズマジェット法によりa−BNをつくる装置
の断面図である。
図2はプラズマジェット法によりa−BNをつくる装置
の断面図である。
Claims (4)
- (1)窒素、硼素を含む原料から気相合成法により得ら
れたアモルファスの窒化硼素、又は該窒化硼素と立方晶
窒化硼素の混合物を原材料とし、これを熱力学的に立方
晶窒化硼素の安定な領域で加圧、加熱することを特徴と
する立方晶窒化硼素焼結体の製造法。 - (2)原材料に単結晶の立方晶窒化硼素を添加すること
を特徴とする請求項1記載の立方晶窒化硼素焼結体の製
造法。 - (3)原材料にC,H,Nから構成される有機物を添加
することを特徴とする請求項1又は2記載の立方晶窒化
硼素焼結体の製造法。 - (4)請求項1〜3で得られた焼結体を粉砕することを
特徴とする砥粒の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1167041A JPH0337161A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 立方晶窒化硼素焼結体、その砥粒の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1167041A JPH0337161A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 立方晶窒化硼素焼結体、その砥粒の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0337161A true JPH0337161A (ja) | 1991-02-18 |
Family
ID=15842290
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1167041A Pending JPH0337161A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 立方晶窒化硼素焼結体、その砥粒の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0337161A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999061391A1 (fr) * | 1998-05-22 | 1999-12-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Outil coupant a corps fritte en nitrure de bore a systeme cubique |
JP2000042823A (ja) * | 1998-05-26 | 2000-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | フライス用切削工具とその製造方法 |
JP2006021977A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 立方晶窒化ホウ素多結晶体の製造方法 |
JP2009111221A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Nec Corp | 電子機器用ラック及び引き出し制御装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6117406A (ja) * | 1979-06-11 | 1986-01-25 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | 触媒の不存在下に粉末六方晶窒化硼素から立方晶窒化硼素を製造する方法 |
JPS6259574A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-16 | 昭和電工株式会社 | 窒化ホウ素焼結体の製造方法 |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP1167041A patent/JPH0337161A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6117406A (ja) * | 1979-06-11 | 1986-01-25 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | 触媒の不存在下に粉末六方晶窒化硼素から立方晶窒化硼素を製造する方法 |
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Cited By (6)
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US6737377B1 (en) | 1998-05-22 | 2004-05-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Cutting tool of a cubic boron nitride sintered compact |
KR100567279B1 (ko) * | 1998-05-22 | 2006-04-05 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 입방정 질화 붕소 소결체 절삭 공구 |
JP2000042823A (ja) * | 1998-05-26 | 2000-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | フライス用切削工具とその製造方法 |
JP2006021977A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 立方晶窒化ホウ素多結晶体の製造方法 |
JP2009111221A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Nec Corp | 電子機器用ラック及び引き出し制御装置 |
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