JPH0336176B2 - - Google Patents
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- JPH0336176B2 JPH0336176B2 JP58136799A JP13679983A JPH0336176B2 JP H0336176 B2 JPH0336176 B2 JP H0336176B2 JP 58136799 A JP58136799 A JP 58136799A JP 13679983 A JP13679983 A JP 13679983A JP H0336176 B2 JPH0336176 B2 JP H0336176B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- laser beam
- flow
- condensing lens
- photoelectric converter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N21/49—Scattering, i.e. diffuse reflection within a body or fluid
- G01N21/53—Scattering, i.e. diffuse reflection within a body or fluid within a flowing fluid, e.g. smoke
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- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は最小検出粒径を従来通りに保持しなが
ら被検流体のサンプリング流量を従来より増大さ
せ、且つＳ／Ｎ比を向上させた微粒子検出器に関
する。
ら被検流体のサンプリング流量を従来より増大さ
せ、且つＳ／Ｎ比を向上させた微粒子検出器に関
する。
光散乱方式の微粒子検出器には、現在、最小検
出粒径0.1μｍ、サンプリング流量300c.c.／分のも
のがあるが、短時間計測を可能にするため、サン
プリング流量の増大が要望されている。
出粒径0.1μｍ、サンプリング流量300c.c.／分のも
のがあるが、短時間計測を可能にするため、サン
プリング流量の増大が要望されている。
サンプリング流量を増すためには、受光光学系
の集光立体角を大きくすることが必要である。し
かし、集光立体角を大きくするために集光立体角
の大きなレンズを製作することは困難である。ま
た、集光用に放物面鏡や楕円面鏡を利用すること
も考えられるが、これらの鏡面は高精度で仕上げ
るのが技術的に困難であり、光学系が複雑とな
り、調整も複雑になるなどの問題がある。
の集光立体角を大きくすることが必要である。し
かし、集光立体角を大きくするために集光立体角
の大きなレンズを製作することは困難である。ま
た、集光用に放物面鏡や楕円面鏡を利用すること
も考えられるが、これらの鏡面は高精度で仕上げ
るのが技術的に困難であり、光学系が複雑とな
り、調整も複雑になるなどの問題がある。
本発明の目的は、最小検出粒径は従来通り0.1μ
ｍに保持しながら、被検流体のサンプリング流量
を従来より大幅に増大させた微粒子検出器を提供
することにある。
ｍに保持しながら、被検流体のサンプリング流量
を従来より大幅に増大させた微粒子検出器を提供
することにある。
上記目的を達成するために本発明においては、
流れの方向に直角なレーザビームで照射された被
検流体の領域即ち検出領域を通つて、被検流体の
流れとレーザビームに直角に受光光学系の光学軸
を配置し、この光学軸上に２組の受光光学系を前
記検出領域の中心に対して対称となるように配置
して、これら２組の受光光学系の集光立体角の和
が従来通常の場合の２倍となるようにし、かつ、
２組の受光光学系が集光した被検流体中の微粒子
による側方散乱光を光電変換した電気信号を、加
算回路または掛算回路で処理することによりＳ／
Ｎ比を向上させるようにした。
流れの方向に直角なレーザビームで照射された被
検流体の領域即ち検出領域を通つて、被検流体の
流れとレーザビームに直角に受光光学系の光学軸
を配置し、この光学軸上に２組の受光光学系を前
記検出領域の中心に対して対称となるように配置
して、これら２組の受光光学系の集光立体角の和
が従来通常の場合の２倍となるようにし、かつ、
２組の受光光学系が集光した被検流体中の微粒子
による側方散乱光を光電変換した電気信号を、加
算回路または掛算回路で処理することによりＳ／
Ｎ比を向上させるようにした。
第１図は本発明一実施例を被検流体の流れの方
向から眺めた図、第２図は同実施例の検出領域近
傍を被検流体の流れの方向とレーザビームの方向
の何れにも直角な方向（この方向に受光光学系を
配置することになる）から眺めた図である。１は
この微粒子検出器の光源として用いる外部鏡レー
ザ管である。レーザの発振は、レーザ管１と外部
鏡２との間で行われる。第２図で、レーザビーム
３と被検流体（サンプルエア）１３が交わる部分
を検出領域４とよぶ。レーザビーム３の方向に対
し、２組の受光光学系の光学軸の方向は直交し、
その集光レンズ６，６′、スリツト７，７′、検出
器（光電変換器）８，８′等は検出領域４の中心
に対し対称に配置されている。一方、サンプルエ
ア１３は、レーザビーム３と、２組の受光光学系
の光学軸のいずれにも直角な方向に流れている。
向から眺めた図、第２図は同実施例の検出領域近
傍を被検流体の流れの方向とレーザビームの方向
の何れにも直角な方向（この方向に受光光学系を
配置することになる）から眺めた図である。１は
この微粒子検出器の光源として用いる外部鏡レー
ザ管である。レーザの発振は、レーザ管１と外部
鏡２との間で行われる。第２図で、レーザビーム
３と被検流体（サンプルエア）１３が交わる部分
を検出領域４とよぶ。レーザビーム３の方向に対
し、２組の受光光学系の光学軸の方向は直交し、
その集光レンズ６，６′、スリツト７，７′、検出
器（光電変換器）８，８′等は検出領域４の中心
に対し対称に配置されている。一方、サンプルエ
ア１３は、レーザビーム３と、２組の受光光学系
の光学軸のいずれにも直角な方向に流れている。
サンプルエア１３の中の粒子からの側方散乱光
５，５′は同じ量だけ集光レンズ６，６′に入射
し、検出器８，８′に到達して光電変換が行われ
る。この電気信号をプリアンプ９，９′で増幅し、
加算回路または掛算回路１０で処理して電気的に
Ｓ／Ｎ比を向上させてから更に増幅器１１で増幅
する。なお、第２図中、１２はピンホール、１４
はクリーンエア、１５はクリーンエアノズル、１
６はサンプルエアノズル、１７は吸引ノズルであ
る。
５，５′は同じ量だけ集光レンズ６，６′に入射
し、検出器８，８′に到達して光電変換が行われ
る。この電気信号をプリアンプ９，９′で増幅し、
加算回路または掛算回路１０で処理して電気的に
Ｓ／Ｎ比を向上させてから更に増幅器１１で増幅
する。なお、第２図中、１２はピンホール、１４
はクリーンエア、１５はクリーンエアノズル、１
６はサンプルエアノズル、１７は吸引ノズルであ
る。
本発明に係わる方式（デユアル受光方式）の利
点は次の点にある。デユアル受光方式の場合、検
出器８，８′に入射する側方散乱光は、従来の１
集光レンズによるシングル受光方式に比べ合計２
倍となるが、ノイズの方はノイズの発生が通常は
ランダムであるため、平均的に√２倍程度にしか
ならない。したがつてシングル受光方式でＳ／Ｎ
比が１の場合には、加算回路を用いた場合のＳ／
Ｎ比の改善は、加算回路１０の出力で２／√２＝
√２となり、√２倍の改善が可能となる。なお、
このような効果が得られるのは、受光光学系を構
成する集光レンズ６，６′の光軸が一致している
こと、そして集光レンズ６，６′と検出器８，
８′からなる受光光学系が検出領域４を中心とし
て対称配置されていることによつている。もし、
これらの受光光学系の光軸がずれているならばそ
れぞれの検出器で得られる信号は違つた検出対象
についてのものとなり、微粒子の検出のカウント
数等が正確でなくなる。また、検出器の位置が対
称でなくなると、検出信号にアンバランスが生じ
易くなり、十分なノイズキヤンセル効果が得られ
ない。
点は次の点にある。デユアル受光方式の場合、検
出器８，８′に入射する側方散乱光は、従来の１
集光レンズによるシングル受光方式に比べ合計２
倍となるが、ノイズの方はノイズの発生が通常は
ランダムであるため、平均的に√２倍程度にしか
ならない。したがつてシングル受光方式でＳ／Ｎ
比が１の場合には、加算回路を用いた場合のＳ／
Ｎ比の改善は、加算回路１０の出力で２／√２＝
√２となり、√２倍の改善が可能となる。なお、
このような効果が得られるのは、受光光学系を構
成する集光レンズ６，６′の光軸が一致している
こと、そして集光レンズ６，６′と検出器８，
８′からなる受光光学系が検出領域４を中心とし
て対称配置されていることによつている。もし、
これらの受光光学系の光軸がずれているならばそ
れぞれの検出器で得られる信号は違つた検出対象
についてのものとなり、微粒子の検出のカウント
数等が正確でなくなる。また、検出器の位置が対
称でなくなると、検出信号にアンバランスが生じ
易くなり、十分なノイズキヤンセル効果が得られ
ない。
このようなことから前記のように構成すれば、
時間的に同時に発生する塵埃からの散乱光やノイ
ズ物に対して検出器８，８′で同時に検出でき、
その検出対象は常にほぼ同じものとなる。また、
検出器８，８′の特性がほぼ等しいものを配置す
ることは極めて容易であるので、ほとんど同じレ
ベルの信号が同時に得られる。そこで、前記のよ
うな関係が成立する。
時間的に同時に発生する塵埃からの散乱光やノイ
ズ物に対して検出器８，８′で同時に検出でき、
その検出対象は常にほぼ同じものとなる。また、
検出器８，８′の特性がほぼ等しいものを配置す
ることは極めて容易であるので、ほとんど同じレ
ベルの信号が同時に得られる。そこで、前記のよ
うな関係が成立する。
ノイズが非常に離散的な場合（光電変換素子に
光電子増倍管を用いた場合など）には、掛算回路
を用いることが有効である。この場合、掛算回路
１０の出力でのＳ／Ｎ比はS2／（N1・N2）とな
る。N1、N2はそれぞれプリアンプ９，９′での
出力ノイズである。N1、N2が離散的な場合に
は、N1・N2＝０となることもあるため大幅な
Ｓ／Ｎ比の改善が図れる。
光電子増倍管を用いた場合など）には、掛算回路
を用いることが有効である。この場合、掛算回路
１０の出力でのＳ／Ｎ比はS2／（N1・N2）とな
る。N1、N2はそれぞれプリアンプ９，９′での
出力ノイズである。N1、N2が離散的な場合に
は、N1・N2＝０となることもあるため大幅な
Ｓ／Ｎ比の改善が図れる。
一般的には、プリアンプの出力がＳ／Ｎ比で√
２以上の時と、ノイズが非常に離散的な場合には
掛算回路が、それ以外の時には加算回路が有効で
ある。
２以上の時と、ノイズが非常に離散的な場合には
掛算回路が、それ以外の時には加算回路が有効で
ある。
以上説明したように本発明によれば、従来に比
し、サンプリング流量を大幅に増大させることが
出来、かつ、限界性能近くでのＳ／Ｎ比を改善す
ることが出来る。
し、サンプリング流量を大幅に増大させることが
出来、かつ、限界性能近くでのＳ／Ｎ比を改善す
ることが出来る。
第１図は本発明一実施例を被検流体の流れの方
向から眺めた図、第２図は同実施例の検出領域近
傍を被検流体の流れの方向とレーザビームの方向
の何れにも直角な方向から眺めた図である。 １……レーザ管、２……外部鏡、３……レーザ
ビーム、４……検出領域、５，５′……側方散乱
光、６，６′……集光レンズ、７，７′……スリツ
ト、８，８′……検出器、９，９′……プリアン
プ、１０……加算回路または掛算回路、１１……
増幅器、１２……ピンホール、１３……サンプル
エア、１４……クリーンエア、１５……クリーン
エアノズル、１６……サンプルエアノズル、１７
……吸引ノズル。
向から眺めた図、第２図は同実施例の検出領域近
傍を被検流体の流れの方向とレーザビームの方向
の何れにも直角な方向から眺めた図である。 １……レーザ管、２……外部鏡、３……レーザ
ビーム、４……検出領域、５，５′……側方散乱
光、６，６′……集光レンズ、７，７′……スリツ
ト、８，８′……検出器、９，９′……プリアン
プ、１０……加算回路または掛算回路、１１……
増幅器、１２……ピンホール、１３……サンプル
エア、１４……クリーンエア、１５……クリーン
エアノズル、１６……サンプルエアノズル、１７
……吸引ノズル。
Claims (1)
- １ サンプルエアの流れに対して直角な方向にレ
ーザビームを照射してこのレーザビームと前記流
れとに直角な方向の散乱光を検出して塵埃などの
微粒子を検出する光散乱方式の微粒子検出器にお
いて、前記流れにおける検出領域に対して対称に
かつ光軸が一致するように配置され、前記散乱光
を検出する第１及び第２の集光レンズ系と、第１
の集光レンズ系により集光された光を受光する第
１の光電変換器と、第２の集光レンズ系により集
光された光を受光する第２の光電変換器と、第１
及び第２の光電変換器により光電変換された電気
信号を加算または掛け算して検出信号を発生する
検出回路とを備え、第１及び第２の光電変換器も
前記検出領域に対して対称に配置されていること
を特徴とする微粒子検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58136799A JPS6029643A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 微粒子検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58136799A JPS6029643A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 微粒子検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6029643A JPS6029643A (ja) | 1985-02-15 |
| JPH0336176B2 true JPH0336176B2 (ja) | 1991-05-30 |
Family
ID=15183785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58136799A Granted JPS6029643A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 微粒子検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6029643A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0618892B2 (ja) * | 1987-01-30 | 1994-03-16 | 北辰工業株式会社 | ゴム成形品 |
| JPH01153562A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-15 | Tokuyama Soda Co Ltd | 珪酸カルシウム組成物 |
| DE69122166T2 (de) * | 1990-05-16 | 1997-04-03 | Kabushiki Kaisha Tec, Shizuoka | Drucker |
| JP4805417B1 (ja) | 2010-03-31 | 2011-11-02 | 古河電気工業株式会社 | 光情報解析装置及び光情報解析方法 |
| ES2620054T3 (es) | 2012-09-03 | 2017-06-27 | Kuraray Co., Ltd. | Método para producir 7-octenal |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5499657A (en) * | 1978-01-24 | 1979-08-06 | Toshiba Corp | Micrograin size measuring apparatus by laser beam |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6237160Y2 (ja) * | 1980-02-29 | 1987-09-22 |
-
1983
- 1983-07-28 JP JP58136799A patent/JPS6029643A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5499657A (en) * | 1978-01-24 | 1979-08-06 | Toshiba Corp | Micrograin size measuring apparatus by laser beam |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6029643A (ja) | 1985-02-15 |
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