JPH0335570A - 準平面型ジョセフソン接合 - Google Patents
準平面型ジョセフソン接合Info
- Publication number
- JPH0335570A JPH0335570A JP1170473A JP17047389A JPH0335570A JP H0335570 A JPH0335570 A JP H0335570A JP 1170473 A JP1170473 A JP 1170473A JP 17047389 A JP17047389 A JP 17047389A JP H0335570 A JPH0335570 A JP H0335570A
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- JP
- Japan
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- substrate
- film
- josephson junction
- insulating film
- quasi
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は準平面型ジョセフソン接合に関するものであ
る。
る。
第３図はジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド
フィジックス、２２巻、３号（１９８３年）。
フィジックス、２２巻、３号（１９８３年）。
５４４頁（Ｊｐｎ、 Ｊ、＾ｐｐ１． Ｐｈｙｓ、 Ｖ
ｏｌ、２２．Ｎａ５（１９８３）。
ｏｌ、２２．Ｎａ５（１９８３）。
ｐ、５４４）に記載された従来の準平面型ジョセフソン
接合の断面図である０図において、４はＳｔ基板、５は
蒸着された厚さ１５００人程度のＳｉ膜、６はこれらの
上に堆積させたＮｂ超電導膜である。
接合の断面図である０図において、４はＳｔ基板、５は
蒸着された厚さ１５００人程度のＳｉ膜、６はこれらの
上に堆積させたＮｂ超電導膜である。
第３図中人の段差がシャープであれば、この部分の超電
導膜の厚さは薄くなり、図に示すように弱接合部位とな
ってジョセフソン接合となり得る。
導膜の厚さは薄くなり、図に示すように弱接合部位とな
ってジョセフソン接合となり得る。
この方法は他のジョセフソン接合に比べて製造プロセス
が簡単で、極めて微細な加工を必要としない、特に酸化
物超電導材料のようにコヒーレント長の極端に短い材料
では現在の微細加工技術を大きく上回るジッセフソン接
合形成技術を要求しており、この方法は有効であるとい
える。
が簡単で、極めて微細な加工を必要としない、特に酸化
物超電導材料のようにコヒーレント長の極端に短い材料
では現在の微細加工技術を大きく上回るジッセフソン接
合形成技術を要求しており、この方法は有効であるとい
える。
従来の準平面型ジョセフソン接合は以上のように構成さ
れており、段差をつけるために基板に絶縁物を堆積させ
るか、あるいは基板エツチングするようにしていたが、
これらの面は基板面に比べて一般的に荒れるためこの上
の超電導膜の特性が劣化し、この部分の超電導膜を用い
て他のデバイスを形成しようとした場合、そのデバイス
の特性を悪くしてしまうという問題点があった。
れており、段差をつけるために基板に絶縁物を堆積させ
るか、あるいは基板エツチングするようにしていたが、
これらの面は基板面に比べて一般的に荒れるためこの上
の超電導膜の特性が劣化し、この部分の超電導膜を用い
て他のデバイスを形成しようとした場合、そのデバイス
の特性を悪くしてしまうという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、超電導特性劣化の部分を極めて少なくし、他
の超電導デバイスに影響を与えることのない準平面型ジ
ョセフソン接合を得ることを目的とする。
たもので、超電導特性劣化の部分を極めて少なくし、他
の超電導デバイスに影響を与えることのない準平面型ジ
ョセフソン接合を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
この発明に係る準平面型ジョセフソン接合は、微小な凸
状の絶縁膜を堆積させるか、あるいは微小な凹状に基板
エツチングした基板上に超電導膜を堆積させるようにし
たものである。
状の絶縁膜を堆積させるか、あるいは微小な凹状に基板
エツチングした基板上に超電導膜を堆積させるようにし
たものである。
この発明においては、絶縁膜や基板エツチングの部分を
微小なものとしたから、基板表面の荒れている部分が少
なくなり、超電導膜の特性の悪い部分を低減できる。
微小なものとしたから、基板表面の荒れている部分が少
なくなり、超電導膜の特性の悪い部分を低減できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による準平面型ジョセフソン
接合を示す図であり、図において、ｌは基板、２はその
上に堆積させた超電導膜である。
接合を示す図であり、図において、ｌは基板、２はその
上に堆積させた超電導膜である。
本実施例は基板エツチングによって凹状段差を形成する
ものであり、上記基板１はレジストパターニング後、基
板エツチングによって微小な井戸状の凹部を形成したも
のである。
ものであり、上記基板１はレジストパターニング後、基
板エツチングによって微小な井戸状の凹部を形成したも
のである。
第１図の基板段差の生じている部分の超電導膜が弱接合
部位となり、ジョセフソン接合を形成する。
部位となり、ジョセフソン接合を形成する。
このように本実施例では基板上にエツチングにより形成
する凹状段差のエツチング面を微小なものとしたから、
超電導特性劣化部分を少なくできる。
する凹状段差のエツチング面を微小なものとしたから、
超電導特性劣化部分を少なくできる。
第２図は本発明の他の実施例を示す図であり、図におい
て、ｌは基板、３は絶縁膜、２はこれらの上に堆積させ
た超電導膜である。
て、ｌは基板、３は絶縁膜、２はこれらの上に堆積させ
た超電導膜である。
本実施例は絶縁膜堆積によって凸状段差を形成するよう
にしたもので、微小な凸状絶縁膜３は基板にレジストパ
ターニング後、絶縁膜を堆積させリフトオフして形成す
る。この場合は基板と絶縁膜の段差部分上の超電導膜が
弱接合となってジョセフソン接合になる。
にしたもので、微小な凸状絶縁膜３は基板にレジストパ
ターニング後、絶縁膜を堆積させリフトオフして形成す
る。この場合は基板と絶縁膜の段差部分上の超電導膜が
弱接合となってジョセフソン接合になる。
このように本実施例では基板上に絶縁膜形成により形成
する凸状段差の凸状絶縁膜を微小なものとしたから、超
電導特性劣化部分を少なくできる。
する凸状段差の凸状絶縁膜を微小なものとしたから、超
電導特性劣化部分を少なくできる。
以上のように、この発明によれば基板上に微小な凸状の
絶縁膜を堆積させるか、あるいは微小な凹状に基板エツ
チングしたものに超電導膜を堆積させるようにしたので
、超電導膜劣化の部分は大幅に減少し、この超電導膜の
一部を他のデバイスに用いる時、超電導特性の悪い部分
を使わなくて済むという効果がある。
絶縁膜を堆積させるか、あるいは微小な凹状に基板エツ
チングしたものに超電導膜を堆積させるようにしたので
、超電導膜劣化の部分は大幅に減少し、この超電導膜の
一部を他のデバイスに用いる時、超電導特性の悪い部分
を使わなくて済むという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による準平面型ジョセフソ
ン接合を示す断面図、第２図はこの発明の他の実施例に
よる準平面型ジョセフソン接合を示す断面図、第３図は
従来の準平面型ジョセフソン接合の例を示す断面図であ
る。 図において、１は基板、２は超電導膜、３は絶縁膜、４
はＳｉ基板、５はＳｔ膜、６はＮｂ超電導膜である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
ン接合を示す断面図、第２図はこの発明の他の実施例に
よる準平面型ジョセフソン接合を示す断面図、第３図は
従来の準平面型ジョセフソン接合の例を示す断面図であ
る。 図において、１は基板、２は超電導膜、３は絶縁膜、４
はＳｉ基板、５はＳｔ膜、６はＮｂ超電導膜である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）準平面型ジョセフソン接合において、微小な凸状
、あるいは微小な凹状に段差をつけた基板と、 該基板上に堆積形成された超電導膜とを備えたことを特
徴とする準平面型ジョセフソン接合。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1170473A JPH0335570A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 準平面型ジョセフソン接合 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1170473A JPH0335570A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 準平面型ジョセフソン接合 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0335570A true JPH0335570A (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=15905598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1170473A Pending JPH0335570A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 準平面型ジョセフソン接合 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0335570A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH098370A (ja) * | 1995-06-16 | 1997-01-10 | Hitachi Ltd | 酸化物超電導回路 |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP1170473A patent/JPH0335570A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH098370A (ja) * | 1995-06-16 | 1997-01-10 | Hitachi Ltd | 酸化物超電導回路 |
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