JPH03295827A - 光ファイバ母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ母材の製造方法Info
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- JPH03295827A JPH03295827A JP9814990A JP9814990A JPH03295827A JP H03295827 A JPH03295827 A JP H03295827A JP 9814990 A JP9814990 A JP 9814990A JP 9814990 A JP9814990 A JP 9814990A JP H03295827 A JPH03295827 A JP H03295827A
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- Japan
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- burner
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
- C03B37/0142—Reactant deposition burners
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/50—Multiple burner arrangements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/50—Multiple burner arrangements
- C03B2207/54—Multiple burner arrangements combined with means for heating the deposit, e.g. non-deposition burner
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/60—Relationship between burner and deposit, e.g. position
- C03B2207/64—Angle
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、光ファイバ母材を製造する方法に関し、と
くにターゲットロッドの周囲にガラス微粒子を堆積させ
る外付は法の改良に関する。
くにターゲットロッドの周囲にガラス微粒子を堆積させ
る外付は法の改良に関する。
外付は法では、ターゲットロッドを回転させるとともに
、ガラス微粒子発生用熱源袋Ｗ（通常、ガラス微粒子発
生用バーナ）を上記ロッドの軸方向に所定の回数往復移
動（トラバース）させ、このトラバース中に発生したガ
ラス微粒子を上記ロッドの周囲に所定量だけ堆積させて
いる。ターゲットロッドは、通常、後に光ファイバとな
ったときにコアとなるガラス棒よりなり、また、ガラス
微粒子の堆積した部分はクラッドとなる。 この外付は法において、ガラス微粒子堆積部の両端はテ
ーパ状になるが、このテーパ状の部分を、通常、バーナ
に供給する原料ガス（ＳｉＣＱ４）の流量を減らして温
度を上昇させて硬く焼き締めるようにしている。すなわ
ち、このような焼き締めを行わないと、テーパ先端から
ガラス微粒子堆積部にクラックが生じたり、あるいは焼
結時にテーパ部分でコアとクラッドとの界面の軸ずれが
生じるので、焼き締めによってテーパ部分の補強を行う
ようにしているのである。 第７図は、従来における、このトラバース行程の端部で
の焼き締めを説明するもので、ターゲットロッド１は図
示しないガラス旋盤のチャック等によりその両端を保持
されて、たとえば２３ｒｐｍで回転させられている。こ
こでは、ガラス微粒子を発生するバーナとして２本のバ
ーナ４．５が用いられており、これらバーナ４．５が、
ガラス旋盤の基台２上で左右に移動させられる移動ブロ
ック３に固定される。移動ブロック３が矢印イに示すよ
うに左から右へあるいは右から左へとたとえば毎分４０
閣の速度で移動させられると、バーナ４．５はそれらの
間の間隔を保ちながら、同時にターゲットロッド１の軸
方向に移動してその移動中にターゲットロッド１の外周
面にガラス微粒子の堆積を行う。トラバース行程の端部
では、矢印イで示すように移動ブロック３の移動方向が
反転する。具体的には、たとえば１０回目のトラバース
で右方向に移動してきてその行程の右端から１５０ｍの
手前の位置にきたときからバーナ５が焼き締め状態に入
り、バーナ５に供給するガスの流量条件を、それまでの
デポジション時のＨ２：２５ＳＬＩＩ！。 ０２ ： １２ＳＬＭ。 Ａ ｒ ： ４ＳＬＭ。 ＳｉＣＱ４：３ＳＬＭ から焼き締め用の Ｈ２：２５ＳＬＭ。 ０２： １２ＳＬＭ。 Ａ ｒ ： ４ＳＬＭ。 ５ｉＣ（１４： ｏ、２５ＳＬＭ へ変化させる。そして同一速度で右端までトラバースし
た後ターンして再び右端から１５０１の位置まできたと
きからデポジション時の流量条件に戻る。
、ガラス微粒子発生用熱源袋Ｗ（通常、ガラス微粒子発
生用バーナ）を上記ロッドの軸方向に所定の回数往復移
動（トラバース）させ、このトラバース中に発生したガ
ラス微粒子を上記ロッドの周囲に所定量だけ堆積させて
いる。ターゲットロッドは、通常、後に光ファイバとな
ったときにコアとなるガラス棒よりなり、また、ガラス
微粒子の堆積した部分はクラッドとなる。 この外付は法において、ガラス微粒子堆積部の両端はテ
ーパ状になるが、このテーパ状の部分を、通常、バーナ
に供給する原料ガス（ＳｉＣＱ４）の流量を減らして温
度を上昇させて硬く焼き締めるようにしている。すなわ
ち、このような焼き締めを行わないと、テーパ先端から
ガラス微粒子堆積部にクラックが生じたり、あるいは焼
結時にテーパ部分でコアとクラッドとの界面の軸ずれが
生じるので、焼き締めによってテーパ部分の補強を行う
ようにしているのである。 第７図は、従来における、このトラバース行程の端部で
の焼き締めを説明するもので、ターゲットロッド１は図
示しないガラス旋盤のチャック等によりその両端を保持
されて、たとえば２３ｒｐｍで回転させられている。こ
こでは、ガラス微粒子を発生するバーナとして２本のバ
ーナ４．５が用いられており、これらバーナ４．５が、
ガラス旋盤の基台２上で左右に移動させられる移動ブロ
ック３に固定される。移動ブロック３が矢印イに示すよ
うに左から右へあるいは右から左へとたとえば毎分４０
閣の速度で移動させられると、バーナ４．５はそれらの
間の間隔を保ちながら、同時にターゲットロッド１の軸
方向に移動してその移動中にターゲットロッド１の外周
面にガラス微粒子の堆積を行う。トラバース行程の端部
では、矢印イで示すように移動ブロック３の移動方向が
反転する。具体的には、たとえば１０回目のトラバース
で右方向に移動してきてその行程の右端から１５０ｍの
手前の位置にきたときからバーナ５が焼き締め状態に入
り、バーナ５に供給するガスの流量条件を、それまでの
デポジション時のＨ２：２５ＳＬＩＩ！。 ０２ ： １２ＳＬＭ。 Ａ ｒ ： ４ＳＬＭ。 ＳｉＣＱ４：３ＳＬＭ から焼き締め用の Ｈ２：２５ＳＬＭ。 ０２： １２ＳＬＭ。 Ａ ｒ ： ４ＳＬＭ。 ５ｉＣ（１４： ｏ、２５ＳＬＭ へ変化させる。そして同一速度で右端までトラバースし
た後ターンして再び右端から１５０１の位置まできたと
きからデポジション時の流量条件に戻る。
【発明が解決しようとする課題］
しかしながら、このように単にトラバース行程端部でバ
ーナへの原料ガスの流量を少なくして温度を高めるだけ
では、テーパ部を安定に焼き締めることができないとい
う問題がある。 すなわち、デポジション時に対する焼き締め時の温度差
が少ないと、焼結時に生じる界面のずれを防止すること
ができないし、逆に温度差を大きくするために焼き締め
時に酸素、水素の燃焼ガスの流量を増やすと硬度のばら
つきが大きくなりクラックの原因となるなど、安定な焼
き締めを行うためには非常に限られた範囲での温度差に
制御する必要があり、クリーンエアの流れや外気の温湿
度変化などによる影響を受は易く、焼き締めを安定に行
うことが困難であった。そのため実際に、１０％近い確
率で焼結時での境界面のずれやクラックが生じている。 この発明は、より広い範囲の温度差で焼き締めを行うこ
とができるようにすることで、クリーンエアの流れや外
気の温湿度変化などの外的要因の影響から逃れて安定な
焼き締めを容易に行うことができるように改善した、光
ファイバ母材の製造方法を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 上記目的を達成するため、この発明によれば、回転中の
ターゲットロッドの軸方向にガラス微粒子発生用熱源装
置を往復移動させ、上記ターゲットロッドの周囲にガラ
ス微粒子を堆積させる光ファイバ母材の製造方法におい
て、上記ガラス微粒子発生用熱源装置の上記ターゲット
ロッド軸方向での角度を、上記往復移動行程の端部付近
で変化させることを特徴とする。
ーナへの原料ガスの流量を少なくして温度を高めるだけ
では、テーパ部を安定に焼き締めることができないとい
う問題がある。 すなわち、デポジション時に対する焼き締め時の温度差
が少ないと、焼結時に生じる界面のずれを防止すること
ができないし、逆に温度差を大きくするために焼き締め
時に酸素、水素の燃焼ガスの流量を増やすと硬度のばら
つきが大きくなりクラックの原因となるなど、安定な焼
き締めを行うためには非常に限られた範囲での温度差に
制御する必要があり、クリーンエアの流れや外気の温湿
度変化などによる影響を受は易く、焼き締めを安定に行
うことが困難であった。そのため実際に、１０％近い確
率で焼結時での境界面のずれやクラックが生じている。 この発明は、より広い範囲の温度差で焼き締めを行うこ
とができるようにすることで、クリーンエアの流れや外
気の温湿度変化などの外的要因の影響から逃れて安定な
焼き締めを容易に行うことができるように改善した、光
ファイバ母材の製造方法を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 上記目的を達成するため、この発明によれば、回転中の
ターゲットロッドの軸方向にガラス微粒子発生用熱源装
置を往復移動させ、上記ターゲットロッドの周囲にガラ
ス微粒子を堆積させる光ファイバ母材の製造方法におい
て、上記ガラス微粒子発生用熱源装置の上記ターゲット
ロッド軸方向での角度を、上記往復移動行程の端部付近
で変化させることを特徴とする。
トラバース行程の端部において、ガラス微粒子発生用熱
源装置のターゲットロッド軸方向での角度が変化させら
れる。このように角度が変化することにより加熱領域が
移動し、その結果、トラバース行程の端部付近に加熱領
域を長い時間留まらせることが可能となる。 したがって、トラバース行程の端部付近の加熱時間を増
加させることができ、これによって安定な焼き締めが可
能となる。
源装置のターゲットロッド軸方向での角度が変化させら
れる。このように角度が変化することにより加熱領域が
移動し、その結果、トラバース行程の端部付近に加熱領
域を長い時間留まらせることが可能となる。 したがって、トラバース行程の端部付近の加熱時間を増
加させることができ、これによって安定な焼き締めが可
能となる。
つぎにこの発明の一実施例について図面を参照しながら
説明する。第１図はこの発明の光ファイバ母材の製造方
法を適用した一実施例の構成を模式的に示す図であり、
この図において、ターゲットロッド１の両端は図示しな
いガラス旋盤のチャックによって保持され、回転させら
れる。ガラス微粒子発生用バーナ４．５はターゲットロ
ッド１の長さ方向に並ぶように移動ブロック３に取り付
けられている。この移動ブロック３はガラス旋盤の基台
２上で、ターゲ・：／ト０ッド１に沿って往復移動する
ようにされている。そのトラバース行程の右端にはスト
ッパ７が基台２に固定されている。 そして、この実施例では、バーナ４．５のうち一方（左
側）のバーナ４は移動ブロック上に固定されているが、
他方（右側）のバーナ５は支持軸６により回転可能に支
持されており、適宜な機構（スプリングなど）により常
時は直立した角度を保つようにされている。なお、バー
ナ５は、回転軸からその先端までの長さがこの実施例の
場合、約１０００１１１とされ、垂直方向からの傾き角
度が最大で約１２°となるまで傾くようにされている。 また、バーナ４．５の中心間距離は約１１０Ｍとした６
さらに、図では省略しているが、バーナ４．５の各々は
、ターゲットロッド１に直角な方向に移動可能に保持さ
れており、それらの先端からターゲットロッド１の表面
つまりガラス微粒子が堆積した場合にはその堆積部の表
面までの距離が約１７０ｍに保たれるよう、堆積がすす
むにつれて下がるように制御している。 この実施例において、移動ブロック３が矢印イに示すよ
うに左側から右方向にトラバースしてターゲットロッド
１の外周面にガラス微粒子の堆積が行われ、その行程の
右端に近づいた状態が第１図に示されている。行程の右
端から１５０ｗｍの位置より焼き締めが行われるものと
すると、そのときからバーナ５へ供給するガスの流量条
件が、デポジション時の、 Ｈ２：２５ＳＬＭ。 ０２： １２ＳＬＭ。 Ａｒ：４ＳＬＭ。 Ｓ ｉ ＣＱ４： ３ＳＬＭ から焼き締め用の Ｈ２： ２５ＳＬＭ。 ０２： １２ＳＬＭ。 Ａ ｒ ： ４ＳＬＭ。 Ｓ ｉ ＣＱ４： ０．２５ＳＬＭ へ変化させられる。なお、このトラバースはたとえば第
１０回目であるとする。デポジション時にはターゲット
ロッド１が２３ｒｐｍで回転しており、移動ブロック３
が毎分４０ｍの速度で移動していたとすると、この状態
を保って同一速度でさらに右側へとトラバースする。 すると、第２図に示すように右側のバーナ５がストッパ
７に当り、さらに移動ブロック３が右側に移動して行く
ことにより、バーナ５がストッパ７に押されて第３図の
ようにバーナ５が回転して傾いた状態となる。そしてこ
の第３図に示した状態が移動ブロック３が最も右側に位
置してバーナ５が約１２°と最も傾いている状態で、つ
ぎに、その位置で移動ブロック３が反転して左側へ移動
するようになる。 移動ブロック３が左側へやや進んだとき第４図のように
バーナ５が傾いた状態から立ち上がってきて直立した状
態に戻る。さらに移動ブロック３が左側に進むと、第５
図のようにバーナ５はストッパ７から完全に離れ、直立
した状態を保って左側に移動していく、トラバース行程
の右端から１５０ｍの位置で焼き締め状態から通常のデ
ポジションの状態に戻り、左側へ移動しながらのガラス
微粒子の堆積が行われる。このときバーナ５へのガス供
給の流量条件もデポジション用のものに戻される。 ここで、このトラバース行程の右端におけるバーナ５の
火炎の動きを見てみると、第６図矢印口のようになって
いる。つまり、移動ブロック３が矢印イに示すように単
純に１往復しただけなのに対して、バーナ５が最初直立
しその後傾き再び直立したことにより、バーナ５の火炎
が端部付近で２往復しており、それだけ端部付近での加
熱時間が増大していることが分かる。 このようにトラバース行程の端部付近でバーナ５が傾く
ため、その火炎によって加熱される領域が一定箇所に長
時間留まることになり、焼き締め部での加熱時間が増え
ることになる。加熱時間が増えることにより硬く焼き締
めることができるようになり、温度差の許容範囲も広が
る。そのため、クリーンエアの流れや外気の温湿度変化
などの影響を受けにくくなり、安定に焼き締めができる
。 なお、上記の実施例では説明の便宜上、トラバース行程
の右端部分についてのみ説明したが、左端においても同
様に適用できる。その場合、左側のバーナ４についても
回転可能に保持して左端に固定したストッパで傾けるよ
うにすればよい。 さらに、この支持軸６による回転可能な支持機構や、ス
トッパ７によってバーナを傾けさせる機構等は一例であ
って、他の機構を採用することができることはもちろん
である。また、上記ではバーナ４．５を用いたが、プラ
ズマトーチ等の他のガラス微粒子発生用熱源装置を用い
ることも可能である。
説明する。第１図はこの発明の光ファイバ母材の製造方
法を適用した一実施例の構成を模式的に示す図であり、
この図において、ターゲットロッド１の両端は図示しな
いガラス旋盤のチャックによって保持され、回転させら
れる。ガラス微粒子発生用バーナ４．５はターゲットロ
ッド１の長さ方向に並ぶように移動ブロック３に取り付
けられている。この移動ブロック３はガラス旋盤の基台
２上で、ターゲ・：／ト０ッド１に沿って往復移動する
ようにされている。そのトラバース行程の右端にはスト
ッパ７が基台２に固定されている。 そして、この実施例では、バーナ４．５のうち一方（左
側）のバーナ４は移動ブロック上に固定されているが、
他方（右側）のバーナ５は支持軸６により回転可能に支
持されており、適宜な機構（スプリングなど）により常
時は直立した角度を保つようにされている。なお、バー
ナ５は、回転軸からその先端までの長さがこの実施例の
場合、約１０００１１１とされ、垂直方向からの傾き角
度が最大で約１２°となるまで傾くようにされている。 また、バーナ４．５の中心間距離は約１１０Ｍとした６
さらに、図では省略しているが、バーナ４．５の各々は
、ターゲットロッド１に直角な方向に移動可能に保持さ
れており、それらの先端からターゲットロッド１の表面
つまりガラス微粒子が堆積した場合にはその堆積部の表
面までの距離が約１７０ｍに保たれるよう、堆積がすす
むにつれて下がるように制御している。 この実施例において、移動ブロック３が矢印イに示すよ
うに左側から右方向にトラバースしてターゲットロッド
１の外周面にガラス微粒子の堆積が行われ、その行程の
右端に近づいた状態が第１図に示されている。行程の右
端から１５０ｗｍの位置より焼き締めが行われるものと
すると、そのときからバーナ５へ供給するガスの流量条
件が、デポジション時の、 Ｈ２：２５ＳＬＭ。 ０２： １２ＳＬＭ。 Ａｒ：４ＳＬＭ。 Ｓ ｉ ＣＱ４： ３ＳＬＭ から焼き締め用の Ｈ２： ２５ＳＬＭ。 ０２： １２ＳＬＭ。 Ａ ｒ ： ４ＳＬＭ。 Ｓ ｉ ＣＱ４： ０．２５ＳＬＭ へ変化させられる。なお、このトラバースはたとえば第
１０回目であるとする。デポジション時にはターゲット
ロッド１が２３ｒｐｍで回転しており、移動ブロック３
が毎分４０ｍの速度で移動していたとすると、この状態
を保って同一速度でさらに右側へとトラバースする。 すると、第２図に示すように右側のバーナ５がストッパ
７に当り、さらに移動ブロック３が右側に移動して行く
ことにより、バーナ５がストッパ７に押されて第３図の
ようにバーナ５が回転して傾いた状態となる。そしてこ
の第３図に示した状態が移動ブロック３が最も右側に位
置してバーナ５が約１２°と最も傾いている状態で、つ
ぎに、その位置で移動ブロック３が反転して左側へ移動
するようになる。 移動ブロック３が左側へやや進んだとき第４図のように
バーナ５が傾いた状態から立ち上がってきて直立した状
態に戻る。さらに移動ブロック３が左側に進むと、第５
図のようにバーナ５はストッパ７から完全に離れ、直立
した状態を保って左側に移動していく、トラバース行程
の右端から１５０ｍの位置で焼き締め状態から通常のデ
ポジションの状態に戻り、左側へ移動しながらのガラス
微粒子の堆積が行われる。このときバーナ５へのガス供
給の流量条件もデポジション用のものに戻される。 ここで、このトラバース行程の右端におけるバーナ５の
火炎の動きを見てみると、第６図矢印口のようになって
いる。つまり、移動ブロック３が矢印イに示すように単
純に１往復しただけなのに対して、バーナ５が最初直立
しその後傾き再び直立したことにより、バーナ５の火炎
が端部付近で２往復しており、それだけ端部付近での加
熱時間が増大していることが分かる。 このようにトラバース行程の端部付近でバーナ５が傾く
ため、その火炎によって加熱される領域が一定箇所に長
時間留まることになり、焼き締め部での加熱時間が増え
ることになる。加熱時間が増えることにより硬く焼き締
めることができるようになり、温度差の許容範囲も広が
る。そのため、クリーンエアの流れや外気の温湿度変化
などの影響を受けにくくなり、安定に焼き締めができる
。 なお、上記の実施例では説明の便宜上、トラバース行程
の右端部分についてのみ説明したが、左端においても同
様に適用できる。その場合、左側のバーナ４についても
回転可能に保持して左端に固定したストッパで傾けるよ
うにすればよい。 さらに、この支持軸６による回転可能な支持機構や、ス
トッパ７によってバーナを傾けさせる機構等は一例であ
って、他の機構を採用することができることはもちろん
である。また、上記ではバーナ４．５を用いたが、プラ
ズマトーチ等の他のガラス微粒子発生用熱源装置を用い
ることも可能である。
この発明の光ファイバ母材の製造方法によれば、より広
い範囲の温度差で焼き締めを行うことができるようにな
り、そのことによって、クリーンエアの流れや外気の温
湿度変化などの外的要因に影響されることが少なくなり
、安定な焼き締めを容易に行うことができるようになる
。その結果、従来１０％近い確率で焼結時での境界面の
ずれやクラックが生じていたものを、半分程度の確率に
減らすことができた。
い範囲の温度差で焼き締めを行うことができるようにな
り、そのことによって、クリーンエアの流れや外気の温
湿度変化などの外的要因に影響されることが少なくなり
、安定な焼き締めを容易に行うことができるようになる
。その結果、従来１０％近い確率で焼結時での境界面の
ずれやクラックが生じていたものを、半分程度の確率に
減らすことができた。
第１図、第２図、第３図、第４図及び第５図はこの発明
の一実施例を時間経過にしたがってそれぞれ示す模式図
、第６図はバーナ５の火炎の動きを説明するための模式
図、第７図は従来例の模式図である。 １・・・ターゲットロッド、２・・・ガラス旋盤の基台
、３・・・移動ブロック、４．５・・・ガラス微粒子発
生用バーナ、６・・・支持軸、７・・・ストッパ。
の一実施例を時間経過にしたがってそれぞれ示す模式図
、第６図はバーナ５の火炎の動きを説明するための模式
図、第７図は従来例の模式図である。 １・・・ターゲットロッド、２・・・ガラス旋盤の基台
、３・・・移動ブロック、４．５・・・ガラス微粒子発
生用バーナ、６・・・支持軸、７・・・ストッパ。
Claims (1)
- （１）回転中のターゲットロッドの軸方向にガラス微粒
子発生用熱源装置を往復移動させ、上記ターゲットロッ
ドの周囲にガラス微粒子を堆積させる光ファイバ母材の
製造方法において、上記ガラス微粒子発生用熱源装置の
上記ターゲットロッド軸方向での角度を、上記往復移動
行程の端部付近で変化させることを特徴とする光ファイ
バ母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9814990A JPH03295827A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9814990A JPH03295827A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03295827A true JPH03295827A (ja) | 1991-12-26 |
Family
ID=14212125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9814990A Pending JPH03295827A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03295827A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002024591A1 (de) * | 2000-09-21 | 2002-03-28 | Heraeus Tenevo Ag | Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines zylinders aus dotiertem quarzglas |
| KR20030070223A (ko) * | 2002-02-21 | 2003-08-29 | 주식회사 세미텔 | 광섬유 모재 제조장치 |
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1990
- 1990-04-13 JP JP9814990A patent/JPH03295827A/ja active Pending
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